CN102868379A - 低通滤波器 - Google Patents

Abstract

本发明提供能在抑制Q值下降的同时增大线圈的电感值的低通滤波器。层叠体（12）通过将多个绝缘体层（16）进行层叠而构成，且在z轴方向的负方向侧具有安装面。外部电极设置在层叠体（12）的下表面，并且接地。线圈（L10）内置于层叠体（12），且是具有在z轴方向延伸的中心轴的螺旋形的线圈。通孔导体（v15～v21）从线圈（L10）的z轴方向的正方向侧的端部向z轴方向的负方向侧延伸。外部电极与线圈（L10）的z轴方向的正方向侧的端部经由通孔导体（v15～v21）进行电连接。

Description

低通滤波器

技术领域

本发明涉及低通滤波器，尤其涉及内置有线圈的低通滤波器。

背景技术

作为现有的低通滤波器，例如已知有专利文献1记载的层叠型低通滤波器。专利文献1记载的层叠型低通滤波器由层叠基板、第一线圈、第二线圈、及电容器所构成。层叠基板通过将多个介质层进行层叠而构成。第一线圈及第二线圈利用贯通介质层的通孔导体将形成在介质层上的多个导体层进行连接而呈螺旋形。第一线圈、第二线圈、及电容器内置于层叠基板，构成T型低通滤波器。

此外，在专利文献1记载的层叠型低通滤波器中，要求通带的低频化。为了使通带低频化，能列举出增大第一线圈及第二线圈的电感的方法。为此，只要增加第一线圈及第二线圈的导体层数即可。

然而，专利文献1记载的层叠型低通滤波器存在以下的问题：若增大第一线圈及第二线圈的电感，则Q值下降。更详细而言，第一线圈及第二线圈通过将导体层引出到层叠基板的侧面，从而与设置在层叠基板的侧面的外部电极相连接。而且，在将层叠型低通滤波器安装到电路基板上时，外部电极在其底面与电路基板的连接盘相接触。因此，从电路基板输入层叠型低通滤波器的高频信号从外部电极的底面朝层叠方向的上方前进，从导体层与外部电极相连接的部分输入第一线圈。此外，通过了第一线圈及第二线圈的高频信号会从导体层与外部电极相连接的部分沿外部电极朝向层叠方向的下方前进，从外部电极的底面输入电路基板。

在上述的层叠型低通滤波器中，若第一线圈及第二线圈的导体层数增加，从外部电极的底面到导体层与外部电极的连接部分的距离变长，则层叠型低通滤波器的电阻值增大。其结果是，层叠型低通滤波器的Q值下降。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2008-187418号公报

发明内容

为此，本发明的目的在于提供能在抑制Q值下降的同时增大线圈的电感值的低通滤波器。

解决技术问题所采用的技术方案

本发明的一实施方式所涉及的低通滤波器的特征在于，包括：层叠体，该层叠体通过将多个绝缘体层进行层叠而构成，且在层叠方向的一侧具有安装面；第一外部电极，该第一外部电极设置于所述层叠体的表面；第一线圈，该第一线圈内置于所述层叠体，且具有沿层叠方向延伸的中心轴，呈在层叠方向的一侧具有一端、在层叠方向的另一侧具有另一端的螺旋形；以及第一通孔导体，该第一通孔导体从所述第一线圈的另一端起向层叠方向的一侧延伸，所述第一外部电极和所述第一线圈的另一端经由所述第一通孔导体进行电连接。

发明效果

根据本发明，能在抑制Q值下降的同时增大线圈的电感值。

附图说明

图1是实施方式1所涉及的低通滤波器的等效电路图。

图2是图1的低通滤波器的外观立体图。

图3是图2的低通滤波器的层叠体的分解立体图。

图4是实施方式2所涉及的低通滤波器的等效电路图。

图5是实施方式2所涉及的低通滤波器的分解立体图。

图6是变形例所涉及的低通滤波器的分解立体图。

附图标记

C1～C5电容器

L1、L2线圈部

L10、L20线圈

v1～v75通孔导体

10a～10c低通滤波器

12层叠体

14a～14d、44a～44c外部电极

16a～16n绝缘体层

18a～18f、20a～20f线圈导体

22、24、26、50、52、54、56、60、62电容器导体

28、58接地导体

70连接导体

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式所涉及的低通滤波器进行说明。

（实施方式1）

（低通滤波器的结构）

以下，参照附图对本发明的实施方式1所涉及的低通滤波器的结构进行说明。图1是实施方式1所涉及的低通滤波器10a的等效电路图。

如图1所示，低通滤波器10a包括线圈部L1、L2、电容器C1～C3、及外部电极14（14a～14d）。外部电极14a是输入端子，外部电极14b是输出端子，外部电极14c、14d是接地端子。

线圈部L1、L2串联连接在外部电极14a和14b之间。电容器C1连接在外部电极14a与外部电极14c、14d之间。电容器C2连接在线圈部L1和L2的节点与外部电极14c、14d之间。电容器C3连接在外部电极14b与外部电极14c、14d之间。

具有上述结构的低通滤波器10a将从外部电极14a输入的高频信号中的、具有比规定频率要低的频率的高频信号进行输出。

接下来，参照附图对低通滤波器10a的具体结构进行说明。图2是图1的低通滤波器10a的外观立体图。图3是图2的低通滤波器10a的层叠体12的分解立体图。以下，将低通滤波器10a的层叠方向定义为z轴方向，将从z轴方向俯视时低通滤波器10a的长边进行延伸的方向定义为x轴方向，将从z轴方向俯视时低通滤波器10a的短边进行延伸的方向定义为y轴方向。

如图2及图3所示，低通滤波器10a包括层叠体12、外部电极14（14a～14d）、线圈L10、L20、电容器C1～C3、及通孔导体v7、v14、v16～v21。

如图3所示，层叠体12通过将绝缘体层16a～16j以从z轴方向的正方向侧起向负方向侧按此顺序进行排列的方式来进行层叠而构成，呈图2所示的长方体形状。层叠体12在z轴方向的负方向侧具有安装面（下表面）。绝缘体层16是长方形的介质层。以下，将绝缘体层16的z轴方向的正方向侧的主面称为表面，将绝缘体层16的z轴方向的负方向侧的主面称为背面。

外部电极14（14a～14d）设置在层叠体12的表面上。具体而言，外部电极14a如图2所示那样覆盖x轴方向的负方向侧的端面，并且也折返到z轴方向的上侧的上表面及z轴方向的负方向侧的下表面。外部电极14b如图2所示那样覆盖x轴方向的正方向侧的端面，并且也折返到z轴方向的上侧的上表面及z轴方向的负方向侧的下表面。外部电极14c如图2所示那样设置在y轴方向的负方向侧的侧面，并且也折返到z轴方向的上侧的上表面及z轴方向的负方向侧的下表面。外部电极14d如图2所示那样设置在y轴方向的正方向侧的侧面，并且也折返到z轴方向的上侧的上表面及z轴方向的负方向侧的下表面。

线圈L10内置于层叠体12，且呈具有在z轴方向延伸的中心轴的螺旋形。更详细而言，线圈L10由线圈导体18（18a～18f）及通孔导体v1～v6、v15所构成，呈一边绕逆时针方向旋转一边从z轴方向的正方向侧朝负方向侧前进的螺旋形。因此，线圈L10具有z轴方向的正方向侧的端部及z轴方向的负方向侧的端部。

线圈导体18a～18f分别设置在绝缘体层16b～16g的表面上，是四边形形状的环状的一部分缺失的线状导体。线圈导体18例如是由Cu等导电性材料构成的导体。线圈导体18a和18b具有相同的形状，线圈导体18d和18e具有相同的形状。以下，在线圈导体18中，将逆时针方向的上游侧的端部称为上游端，将逆时针方向的下游侧的端部称为下游端。

通孔导体v1在z轴方向上贯通绝缘体层16b，从而连接线圈导体18a的下游端和线圈导体18b的下游端。通孔导体v2在z轴方向上贯通绝缘体层16c，从而连接线圈导体18b的下游端和线圈导体18c的上游端。通孔导体v3在z轴方向上贯通绝缘体层16d，从而连接线圈导体18c的下游端和线圈导体18d的上游端。通孔导体v4在z轴方向上贯通绝缘体层16e，从而连接线圈导体18d的上游端和线圈导体18e的上游端。通孔导体v5在z轴方向上贯通绝缘体层16e，从而连接线圈导体18d的下游端和线圈导体18e的下游端。通孔导体v6在z轴方向上贯通绝缘体层16f，从而连接线圈导体18e的下游端和线圈导体18f的上游端。通孔导体例如是由Cu等导电性材料构成的导体。

通孔导体v7从线圈L10的z轴方向的负方向侧的端部起向z轴方向的负方向侧延伸。即，通孔导体v7在z轴方向上贯通绝缘体层16g，从而与线圈导体18f的下游端相连接。

通孔导体v15～v21分别在z轴方向上贯通绝缘体层16b～16h，并通过相互连接而构成一根通孔导体。通孔导体v15连接线圈导体18a的上游端和线圈导体18b的上游端。通孔导体v16的z轴方向的正方向侧的端部与线圈导体18b的上游端相连接。由此，通孔导体v15～v21从线圈L10的z轴方向的正方向侧的端部起向z轴方向的负方向侧延伸。

具有上述结构的线圈L10、通孔导体v7、v16～v21构成线圈部L1。即，线圈部L1具有将由线圈L10构成的螺旋形线圈、与具有与yz平面基本平行的环面的环状线圈进行组合而成的结构。

线圈L20内置于层叠体12，且呈具有在z轴方向延伸的中心轴的螺旋形。更详细而言，线圈L20由线圈导体20（20a～20f）及通孔导体v8～v13所构成，呈一边绕顺时针方向旋转一边从z轴方向的正方向侧朝负方向侧前进的螺旋形。因此，线圈L20具有z轴方向的正方向侧的端部及z轴方向的负方向侧的端部。

线圈导体20a～20f分别设置在绝缘体层16b～16g的表面上，是四边形形状的环状的一部分缺失的线状导体。线圈导体20例如是由Cu等导电性材料构成的导体层。线圈导体20a和20b具有相同的形状，线圈导体20d和20e具有相同的形状。以下，在线圈导体20中，将顺时针方向的上游侧的端部称为上游端，将顺时针方向的下游侧的端部称为下游端。线圈导体20a的上游端与线圈导体18a的上游端相连接。

通孔导体v8在z轴方向上贯通绝缘体层16b，从而连接线圈导体20a的下游端和线圈导体20b的下游端。通孔导体v9在z轴方向上贯通绝缘体层16c，从而连接线圈导体20b的下游端和线圈导体20c的上游端。通孔导体v10在z轴方向上贯通绝缘体层16d，从而连接线圈导体20c的下游端和线圈导体20d的上游端。通孔导体v11在z轴方向上贯通绝缘体层16e，从而连接线圈导体20d的上游端和线圈导体20e的上游端。通孔导体v12在z轴方向上贯通绝缘体层16e，从而连接线圈导体20d的下游端和线圈导体20e的下游端。通孔导体v13在z轴方向上贯通绝缘体层16f，从而连接线圈导体20e的下游端和线圈导体20f的上游端。

通孔导体v14从线圈L20的z轴方向的负方向侧的端部起向z轴方向的负方向侧延伸。即，通孔导体v14在z轴方向上贯通绝缘体层16g，从而与线圈导体20f的下游端相连接。

通孔导体v15连接线圈导体20a的上游端和线圈导体20b的上游端。通孔导体v16的z轴方向的正方向侧的端部与线圈导体20b的上游端相连接。由此，通孔导体v15～v21从线圈L20的z轴方向的正方向侧的端部起向z轴方向的负方向侧延伸。

具有上述结构的线圈L20、通孔导体v16～v21构成线圈部L2。即，线圈部L2具有将由线圈L20构成的螺旋形线圈、与具有与yz平面基本平行的环面的环状线圈进行组合而成的结构。

电容器C1由电容器导体22及接地导体28所构成。电容器导体22设置在绝缘体层16h的表面上，是长方形状的导体。电容器导体22例如是由Cu等导电性材料构成的导体。通孔导体v7的z轴方向的负方向侧的端部与电容器导体22相连接。此外，电容器导体22被引出到绝缘体层16h的x轴方向的负方向侧的短边，从而与外部电极14a相连接。由此，线圈部L1的一端与外部电极14a相连接。

接地导体28设置在绝缘体层16j的表面上，是长方形状的导体。接地导体28例如是由Cu等导电性材料构成的导体。接地导体28隔着绝缘体层16h、16i与电容器导体22相对。由此，在电容器导体22与接地导体28之间形成电容。而且，接地导体28被引出到绝缘体层16j的y轴方向的两侧的长边，从而与外部电极14c、14d相连接。由此，电容器C1连接在外部电极14a与外部电极14c、14d之间。

电容器C3由电容器导体24及接地导体28所构成。电容器导体24设置在绝缘体层16h的表面上，是长方形状的导体。电容器导体24例如是由Cu等导电性材料构成的导体。通孔导体v14的z轴方向的负方向侧的端部与电容器导体24相连接。此外，电容器导体24被引出到绝缘体层16h的x轴方向的正方向侧的短边，从而与外部电极14b相连接。由此，线圈部L2的一端与外部电极14b相连接。

此外，接地导体28隔着绝缘体层16h、16i与电容器导体24相对。由此，在电容器导体24与接地导体28之间形成电容。而且，接地导体28被引出到绝缘体层16j的y轴方向的两侧的长边，从而与外部电极14c、14d相连接。由此，电容器C3连接在外部电极14b与外部电极14c、14d之间。

电容器C2由电容器导体26及接地导体28所构成。电容器导体26设置在绝缘体层16i的表面上，是长方形状的导体。电容器导体26例如是由Cu等导电性材料构成的导体。通孔导体v21的z轴方向的负方向侧的端部与电容器导体26相连接。

此外，接地导体28隔着绝缘体层16i与电容器导体26相对。由此，在电容器导体26与接地导体28之间形成电容。而且，接地导体28被引出到绝缘体层16j的y轴方向的两侧的长边，从而与外部电极14c、14d相连接。由此，电容器C2连接在线圈L10和L20的节点与外部电极14c、14d之间。即，线圈L10、L20的z轴方向的正方向侧的端部经由通孔导体v15～v21及电容器C2与外部电极14c、14d进行电连接。

在具有上述结构的低通滤波器10a中，将外部电极14a用作输入端子，将外部电极14b用作输出端子，将外部电极14c、14d用作接地端子。由此，若从外部电极14a输入高频信号，则从外部电极14b输出具有比规定频率要低的频率的高频信号。

（低通滤波器的制造方法）

接下来，参照图2及图3对低通滤波器10a的制造方法进行说明。

首先，准备将成为绝缘体层16a～16j的陶瓷生片。接下来，分别在将成为绝缘体层16b～16h的陶瓷生片上形成通孔导体v1～v21。在形成通孔导体v1～v21时，将激光束照射到将成为绝缘体层16b～16h的陶瓷生片，从而形成通孔。接下来，利用印刷涂布等方法将Cu等导电性糊料填充到该通孔中。

接下来，利用丝网印刷法或光刻法等方法将以Cu等为主要成分的导电性糊料涂布到将成为绝缘体层16b～16j的陶瓷生片的表面上，从而形成线圈导体18、20、电容器导体22、24、26及接地导体28。另外，也可以在形成线圈导体18、20、电容器导体22、24、26及接地导体28时，对通孔填充导电性糊料。

接下来，将各陶瓷生片进行层叠。具体而言，将成为绝缘体层16a～16j的陶瓷生片以从z轴方向的正方向侧起向负方向侧按此顺序进行排列的方式来一片一片进行层叠和压接。通过以上的工序，形成母层叠体。利用静水压冲压等来对该母层叠体实施正式压接。

接下来，利用切刀对母层叠体进行切割，从而得到规定尺寸的层叠体12。此后，对未烧成的层叠体12实施脱粘合剂处理及烧成。

通过以上的工序，得到经过烧成的层叠体12。对层叠体12实施滚光筒加工，并进行倒角。

最后，将由Ag构成的导电性糊料涂布在层叠体12的表面上，从而形成基底电极。进一步对基底电极的表面实施镀Ni／镀Sn，从而形成外部电极14。经过以上的工序，完成图1及图2所示的低通滤波器10a。

（效果）

具有上述结构的低通滤波器10a能在抑制Q值下降的同时增大线圈部L1、L2的电感值。更详细而言，低通滤波器10a中，通孔导体v15～v21从线圈L10、L20的z轴方向的正方向侧的端部起向z轴方向的负方向侧延伸。而且，外部电极14c、14d、与线圈L10、L20的z轴方向的正方向侧的端部经由通孔导体v15～v21进行电连接。此处，相比外部电极14c、14d的截面积，能容易地增大通孔导体v15～v21的截面积。因此，能容易地使通孔导体v15～v21的电阻值低于外部电极14c、14d的电阻值。因此，在低通滤波器10a中，能容易地降低线圈L10、L20与外部电极14c、14d之间的电阻值。因此，即使为了增加线圈部L1、L2的电感值而增加线圈导体18、20的数量，从而增加线圈L10、L20与外部电极14c、14d之间的距离，也能将线圈L10、L20与外部电极14c、14d之间的电阻值的增加抑制得较低。其结果是，在低通滤波器10a中，能在抑制Q值下降的同时增大线圈部L1、L2的电感值。

此外，在线圈L10及线圈L20中，在z轴方向上产生磁场。另一方面，由于线圈部L1及线圈部L2具有与yz平面平行的环面，因此，在线圈部L1及线圈部L2中，在x轴方向上产生磁场。这样，由线圈L10、L20和线圈部L1、L2所产生的磁场方向相互正交，因此不会相互干扰。

此外，低通滤波器10a中，线圈L10、L20的z轴方向的负方向的端部经由通孔导体v7、v14及电容器导体22、24与外部电极14a、14b相连接。因此，与将线圈L10、L20的z轴方向的正方向侧的端部与外部电极14a、14b相连接的情况相比，将线圈L10、L20的z轴方向的负方向的端部与外部电极14a、14b相连接的情况下，从线圈L10、L20与外部电极14a、14b的连接部分起到外部电极14a、14b的底面的距离更短。因此，低通滤波器10a的电阻值降低。而且，即使增加线圈导体18、20的数量，从线圈L10、L20与外部电极14a、14b的连接部分起到外部电极14a、14b的底面的距离也不会发生变化。其结果是，在低通滤波器10a中，能在抑制Q值下降的同时增大线圈部L1、L2的电感值。

此外，低通滤波器10a中，通孔导体v7、v14从线圈L10、L20的z轴方向的负方向侧的端部起向z轴方向的负方向侧延伸。而且，外部电极14a、14b与线圈L10、L20的z轴方向的负方向侧的端部经由通孔导体v7、v14进行电连接。因此，在低通滤波器10a中，能降低线圈L10、L20的z轴方向的负方向侧的端部与外部电极14a、14b之间的电阻值。

（实施方式2）

接下来，参照附图对实施方式2所涉及的低通滤波器10b进行说明。图4是实施方式2所涉及的低通滤波器10b的等效电路图。

低通滤波器10b具有对低通滤波器10a添加了电容器C4、C5的结构。电容器C4与线圈部L1并联连接。电容器C5与线圈L2并联连接。

接下来，参照附图对低通滤波器10b的具体结构进行说明。图5是实施方式2所涉及的低通滤波器10b的分解立体图。以下，将低通滤波器10b的层叠方向定义为z轴方向，将从z轴方向俯视时低通滤波器10b的长边进行延伸的方向定义为x轴方向，将从z轴方向俯视时低通滤波器10b的短边进行延伸的方向定义为y轴方向。另外，在图5中，对与图3相同的结构标注相同的参照标号。

如图5所示，低通滤波器10b包括层叠体12、外部端子44（44a～44c）、线圈L10、L20、电容器C1～C5及通孔导体v7、v14、v16～v43。低通滤波器10b的相比绝缘体层16g更靠近z轴方向的正方向侧的结构、与低通滤波器10a的相比绝缘体层16g更靠近z轴方向的正方向侧的结构相同，因此省略说明。

外部电极44（44a～44c）设置在层叠体12的表面上。具体而言，如图5所示，外部电极44a、44c、44b在z轴方向的负方向侧的下表面，从x轴方向的负方向侧朝向正方向侧按此顺序排列地进行设置。

电容器C1由电容器导体52、60及接地导体58所构成。电容器导体52、60分别设置在绝缘体层16i、16l的表面上，是长方形状的导体。电容器导体52、60例如是由Cu等导电性材料构成的导体。通孔导体v22～v25在z轴方向上贯通绝缘体层16h～16k，并通过相互连接而构成一根通孔导体。通孔导体v22将通孔导体v7的z轴方向的负方向侧的端部与电容器导体52相连接。通孔导体v25的z轴方向的负方向侧的端部与电容器导体60相连接。此外，通孔导体v31、v42在z轴方向上贯通绝缘体层16l、16m，并通过相互连接而构成一根通孔导体。通孔导体v31的z轴方向的正方向侧的端部与电容器导体60相连接。通孔导体v42的z轴方向的负方向侧的端部与外部电极44a相连接。由此，线圈部L1的一端与外部电极44a进行电连接。

接地导体58设置在绝缘体层16k的表面上，是十字形状的导体。接地导体58例如是由Cu等导电性材料构成的导体。接地导体58隔着绝缘体层16i、16j与电容器导体52相对，并隔着绝缘体层16k与电容器导体60相对。由此，在电容器导体52、60与接地导体58之间形成电容。而且，通孔导体v33～v35在z轴方向上贯通绝缘体层16k、16l、16m，并通过相互连接而构成一根通孔导体。通孔导体v33的z轴方向的正方向侧的端部与接地导体58相连接，通孔导体v35的z轴方向的负方向侧的端部与外部电极44c相连接。通孔导体v36～v38在z轴方向上贯通绝缘体层16k、16l、16m，并通过相互连接而构成一根通孔导体。通孔导体v36的z轴方向的正方向侧的端部与接地导体58相连接，通孔导体v38的z轴方向的负方向侧的端部与外部电极44c相连接。通孔导体v39～v41在z轴方向上贯通绝缘体层16k、16l、16m，并通过相互连接而构成一根通孔导体。通孔导体v39的z轴方向的正方向侧的端部与接地导体58相连接，通孔导体v41的z轴方向的负方向侧的端部与外部电极44c相连接。由此，电容器C1连接在外部电极44a与外部电极44c之间。

电容器C3由电容器导体54、62及接地导体58所构成。电容器导体54、62分别设置在绝缘体层16i、16l的表面上，是长方形状的导体。电容器导体54、62例如是由Cu等导电性材料构成的导体。通孔导体v26～v29在z轴方向上贯通绝缘体层16h～16k，并通过相互连接而构成一根通孔导体。通孔导体v26将通孔导体v14的z轴方向的负方向侧的端部与电容器导体54相连接。通孔导体v29的z轴方向的负方向侧的端部与电容器导体62相连接。此外，通孔导体v32、v43在z轴方向上贯通绝缘体层16l、16m，并通过相互连接而构成一根通孔导体。通孔导体v32的z轴方向的正方向侧的端部与电容器导体62相连接。通孔导体v43的z轴方向的负方向侧的端部与外部电极44b相连接。由此，线圈部L2的一端与外部电极44b进行电连接。

接地导体58隔着绝缘体层16i、16j与电容器导体54相对，并隔着绝缘体层16k与电容器导体62相对。由此，在电容器导体54、62与接地导体58之间形成电容。而且，通孔导体v33～v35在z轴方向上贯通绝缘体层16k、16l、16m，并通过相互连接而构成一根通孔导体。通孔导体v33的z轴方向的正方向侧的端部与接地导体58相连接，通孔导体v35的z轴方向的负方向侧的端部与外部电极44c相连接。通孔导体v36～v38在z轴方向上贯通绝缘体层16k、16l、16m，并通过相互连接而构成一根通孔导体。通孔导体v36的z轴方向的正方向侧的端部与接地导体58相连接，通孔导体v38的z轴方向的负方向侧的端部与外部电极44c相连接。通孔导体v39～v41在z轴方向上贯通绝缘体层16k、16l、16m，并通过相互连接而构成一根通孔导体。通孔导体v39的z轴方向的正方向侧的端部与接地导体58相连接，通孔导体v41的z轴方向的负方向侧的端部与外部电极44c相连接。由此，电容器C3连接在外部电极44b与外部电极44c之间。

电容器C2由电容器导体56及接地导体58所构成。电容器导体56设置在绝缘体层16j的表面上，是长方形状的导体。电容器导体56例如是由Cu等导电性材料构成的导体。通孔导体v30在z轴方向上贯通绝缘体层16i，从而连接通孔导体v21和电容器导体56。

此外，接地导体58隔着绝缘体层16j与电容器导体56相对。由此，在电容器导体56与接地导体58之间形成电容。此外，接地导体58利用通孔导体v33～v41与外部电极44c相连接。由此，电容器C2连接在线圈L10和L20的节点与外部电极44c之间。即，线圈L10、L20的z轴方向的正方向侧的端部经由通孔导体v16～v21、v30、v33～v41及电容器C2与外部电极44c进行电连接。

电容器C4由电容器导体50、52所构成。电容器导体50设置在绝缘体层16h的表面上，呈两个长方形状的导体与线状的导体相连接的形状。电容器导体52隔着绝缘体层16h与电容器导体50相对。而且，通孔导体v20、v21与电容器导体50相连接。由此，电容器C4与线圈部L1并联连接。

电容器C5由电容器导体50、54所构成。电容器导体54隔着绝缘体层16h与电容器导体50相对。由此，电容器C5与线圈L2并联连接。

在具有上述结构的低通滤波器10b中，将外部电极44a用作输入端子，将外部电极44b用作输出端子，将外部电极44c用作接地端子。由此，若从外部电极44a输入高频信号，则从外部电极44b输出具有比规定频率要低的频率的高频信号。

具有上述结构的低通滤波器10b中，与低通滤波器10a相同，能在抑制Q值下降的同时增大线圈部L1、L2的电感值。

此外，在低通滤波器10b中，与低通滤波器10a相同，能降低线圈L10、L20的z轴方向的负方向侧的端部与外部电极44a、44b之间的电阻值。

而且，在实施方式2所涉及的低通滤波器10b中，由于在层叠体12的侧面未设置外部电极，因此，在线圈L10、L20及线圈部L1、L2产生的磁场不会被外部电极屏蔽。因此，能抑制低通滤波器10b的Q值的下降。

（变形例）

接下来，参照附图对变形例所涉及的低通滤波器10c进行说明。图6是变形例所涉及的低通滤波器10c的分解立体图。

低通滤波器10c具有对低通滤波器10b添加了绝缘体层16n、连接导体70及通孔导体v65～v75的结构。另外，图4中示出了低通滤波器10c的等效电路图。

接下来，参照附图对低通滤波器10c的具体结构进行说明。另外，在图6中，对与图5相同的结构标注相同的参照标号。

绝缘体层16n层叠在绝缘体层16h和16i之间。接地导体70设置在绝缘体层16n的表面上，呈长方形状。通孔导体v21的z轴方向的负方向侧的端部与连接导体70相连接。

通孔导体v65～v71从线圈L20的z轴方向的正方向侧的端部起向z轴方向的负方向侧延伸。更详细而言，通孔导体v65～v71在z轴方向上贯通绝缘体层16b～16h，并通过相互连接而构成一根通孔导体。通孔导体v65的z轴方向的正方向侧的端部与线圈导体20a的上游端相连接。通孔导体v71的z轴方向的负方向侧的端部与连接导体70相连接。

通孔导体v72、v73在z轴方向上贯通绝缘体层16n、16i，并通过相互连接而构成一根通孔导体。通孔导体v72的z轴方向的正方向侧的端部与连接导体70相连接。通孔导体v73的z轴方向的负方向侧的端部与电容器导体56相连接。由此，线圈L10的z轴方向的正方向侧的端部经由通孔导体v15～v21、v72、v73、连接导体70及电容器C2与外部电极44c进行电连接。此外，线圈L20的z轴方向的正方向侧的端部经由通孔导体v65～v73、连接导体70及电容器C2与外部电极44c进行电连接。

通孔导体v74在z轴方向上贯通绝缘体层16n，从而连接通孔导体v22和通孔导体v23。通孔导体v75在z轴方向上贯通绝缘体层16n，从而连接通孔导体v26和通孔导体v27。

在具有上述结构的低通滤波器10c中，将外部电极44a用作输入端子，将外部电极44b用作输出端子，将外部电极44c用作接地端子。由此，若从外部电极44a输入高频信号，则从外部电极44b输出具有比规定频率要低的频率的高频信号。

在具有上述结构的低通滤波器10c中，与低通滤波器10a相同，能在抑制Q值下降的同时增大线圈部L1、L2的电感值。

此外，在低通滤波器10c中，与低通滤波器10a相同，能降低线圈L10、L20的z轴方向的负方向侧的端部与外部电极44a、44b之间的电阻值。

此外，低通滤波器10c中，通过调节通孔导体v16～v21及通孔导体v65～v71的长度、即电容器导体50在层叠方向上的位置，从而能调节线圈部L1与线圈部L2的耦合度。

工业中的应用

如上所述，本发明对低通滤波器是有用的，尤其在抑制Q值下降的同时能增大线圈的电感值方面具有优势。

Claims (5)

1.一种低通滤波器，其特征在于，包括：

层叠体，该层叠体通过将多个绝缘体层进行层叠而构成，且在层叠方向的一侧具有安装面；

第一外部电极，该第一外部电极设置在所述层叠体的表面上；

第一线圈，该第一线圈内置于所述层叠体，且具有沿层叠方向延伸的中心轴，呈在层叠方向的一侧具有一端、在层叠方向的另一侧具有另一端的螺旋形；以及

第一通孔导体，该第一通孔导体从所述第一线圈的另一端向层叠方向的一侧延伸，

所述第一外部电极和所述第一线圈的另一端经由所述第一通孔导体进行电连接。

2.如权利要求1所述的低通滤波器，其特征在于，还包括从所述第一线圈的一端向层叠方向的一侧延伸的第二通孔导体，

所述第一通孔导体、所述第二通孔导体、及所述第一线圈构成第一线圈部。

3.如权利要求1或2所述的低通滤波器，其特征在于，还包括：第二线圈，该第二线圈内置于所述层叠体，且具有沿层叠方向延伸的中心轴，呈在层叠方向的一侧具有一端、在层叠方向的另一侧具有另一端的螺旋形；以及

第三通孔导体，该第三通孔导体从所述第二线圈的另一端向层叠方向的一侧延伸，

所述第一外部电极和所述第二线圈的另一端经由所述第三通孔导体进行电连接。

4.如权利要求1或2所述的低通滤波器，其特征在于，还包括第二线圈，该第二线圈内置于所述层叠体，且是具有沿层叠方向延伸的中心轴的螺旋形线圈，

所述第一外部电极和所述第二线圈的另一端经由所述第一通孔导体进行电连接。

5.如权利要求1至4的任一项所述的低通滤波器，其特征在于，还包括电容器，该电容器内置于所述层叠体，且连接在所述第一通孔导体和所述第一外部电极之间，

所述第一外部电极接地。

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