JP6547655B2 - コイル部品 - Google Patents

Description

本発明はコイル部品に関し、特に、２つの平面スパイラル導体が積層されてなるコイル部品に関する。

一般的なコモンモードフィルタは、磁性基板上に２つの平面スパイラル導体が積層され、これにより２つの平面スパイラル導体が互いに磁気結合する構成を有している。しかしながら、近年においてはチップサイズのさらなる小型化が求められているため、必然的に平面スパイラル導体の導体幅を細くする必要が生じる。導体幅を細くすると、寄生キャパシタンス成分が低下するため、自己共振周波数（ＳＲＦ）が高くなる傾向がある。このため、目的とする自己共振周波数帯域がより低周波数領域である場合、何らかの方法で自己共振周波数を低下させる必要がある。

自己共振周波数を低下させる方法としては、巻回数をより多くする方法が挙げられるが、この場合、導体幅をさらに細くする必要が生じるため、直流抵抗が大幅に増大してしまう。自己共振周波数を低下させる別の方法として、導体層の数を増やすことによって、例えば４つの平面スパイラル導体を積層する方法も挙げられるが、この場合は、層間に生じる浮遊容量の影響によってＳｃｄ２１特性（信号のディファレンシャル成分がコモンモード成分に変換される特性）が悪化してしまう。

自己共振周波数を低下させるさらに別の方法として、導体層にキャパシタ電極を追加する方法も考えられる。自己共振周波数を低下させることを目的とするものではないが、特許文献１には、キャパシタ電極を備えるコイル部品が開示されている。

特開２００７−１５９０６９号公報

しかしながら、特許文献１に記載されたコイル部品は、立体的なスパイラル導体を用いていることから必要となる導体層の層数が多く、これにキャパシタ電極用の導体層を追加しているため、導体層の層数がさらに多くなってしまう。ここで、立体的なスパイラル導体の代わりに平面スパイラル導体を用いれば導体層の層数を減らすことができるが、この場合、平面スパイラル導体の内周端と端子電極を接続するための引き出し導体を別の導体層に形成する必要があり、導体層の層数が増えてしまう。

したがって、本発明は、平面スパイラル導体が積層されてなるコイル部品において、導体層の層数の増加を最小限に抑えつつ、所望の自己共振周波数特性を得ることを目的とする。

本発明によるコイル部品は、絶縁層を介して互いに積層された第１、第２、第３及び第４の導体層と、第１、第２、第３及び第４の端子電極と、を備え、前記第１の導体層には、外周端が前記第１の端子電極に接続され、内周端が前記第３の端子電極に接続された第１の平面スパイラル導体が形成され、前記第２の導体層には、外周端が前記第２の端子電極に接続され、内周端が前記第４の端子電極に接続され、前記第１の平面スパイラル導体と磁気結合する第２の平面スパイラル導体が形成され、前記第３の導体層には、前記第１の平面スパイラル導体の前記外周端に接続された第１のキャパシタ電極と、前記第２の平面スパイラル導体の前記外周端及び前記内周端の一方に接続された第３のキャパシタ電極とが形成され、前記第４の導体層には、前記第１の平面スパイラル導体の前記内周端に接続され、平面視で前記第１のキャパシタ電極と重なる第２のキャパシタ電極と、前記第２の平面スパイラル導体の前記外周端及び前記内周端の他方に接続され、平面視で前記第３のキャパシタ電極と重なる第４のキャパシタ電極とが形成され、前記第３及び第４の導体層の一方には、前記第１の平面スパイラル導体の前記内周端と前記第３の端子電極を接続する第１の引き出し導体が形成され、前記第３及び第４の導体層の一方には、前記第２の平面スパイラル導体の前記内周端と前記第４の端子電極を接続する第２の引き出し導体が形成されていることを特徴とする。

本発明によれば、第１の平面スパイラル導体の両端間及び第２の平面スパイラル導体の両端間にキャパシタが付加されることから、一対の信号成分に対して特性のバランスを取りつつ、キャパシタンス成分の増加によって自己共振周波数を低周波側に移動させることができる。これにより、小型化に起因して自己共振周波数が目的とする周波数帯域よりも高くなってしまう場合であっても、自己共振周波数を所望の周波数帯域に移動させることが可能となる。また、キャパシタ電極を平面スパイラル導体とは異なる導体層に形成していることから、コイル部品の平面サイズが増加することもない。しかも、キャパシタ電極と引き出し導体を同じ導体層に形成していることから、導体層の層数の増加を最小限に抑えることもできる。

本発明において、前記第１の引き出し導体は、前記第３及び第４の導体層の一方に形成され、前記第２の引き出し導体は、前記第３及び第４の導体層の他方に形成されていることが好ましい。これによれば、第１の引き出し導体と第２の引き出し導体が互いに異なる導体層に形成されることから、第３及び第４の導体層のレイアウト自由度が高くなる。

また、前記第１の引き出し導体よりも前記第２の引き出し導体の方が配線長が長い場合、前記第２の引き出し導体よりも前記第１の引き出し導体の方が配線幅が細いことが好ましい。これによれば、直流抵抗の差が低減されるため、一対の信号成分に対して特性のバランスを取ることが可能となる。

本発明において、前記絶縁層は、平面視で第１及び第２の短辺と第１及び第２の長辺を有する矩形であり、前記第１及び第２のキャパシタ電極は、前記第１の短辺に沿って配置され、前記第３及び第４のキャパシタ電極は、前記第２の短辺に沿って配置されていることが好ましい。これによれば、第１〜第４のキャパシタ電極に発生する渦電流を低減しつつ、コイル部品の平面サイズを小型化することが可能となる。

この場合、前記第１及び第２のキャパシタ電極は、平面視で前記第１及び第２の平面スパイラル導体の形成領域と重なる第１の部分と、平面視で前記第１及び第２の平面スパイラル導体の形成領域と重ならない第２の部分とを有し、前記第３及び第４のキャパシタ電極は、平面視で前記第１及び第２の平面スパイラル導体の形成領域と重なる第３の部分と、平面視で前記第１及び第２の平面スパイラル導体の形成領域と重ならない第４の部分とを有することが好ましい。これによれば、第１の平面スパイラル導体と第２の平面スパイラル導体との間において実質的な特性差を生じさせることなく渦電流損を抑制し、且つ、コイル部品の平面サイズを小型化することが可能となる。

本発明において、前記第１、第２、第３及び第４の導体層は磁性基板上に積層されており、前記第３及び第４の導体層は、前記第１及び第２の導体層よりも上層に位置することが好ましい。これによれば、より平坦性の高い低層位置に第１及び第２の平面スパイラル導体が配置されることから、より高い精度が求められる第１及び第２の平面スパイラル導体を形成しやすくなる。

本発明によれば、平面スパイラル導体が積層されてなるコイル部品において、導体層の層数の増加を最小限に抑えつつ、所望の自己共振周波数特性を得ることが可能となる。

図１は、本発明の好ましい実施形態によるコイル部品１０の外観を示す略斜視図である。 図２は、積層構造体２０の構造を説明するための図である。 図３は、コイル部品１０の等価回路図である。 図４は、導体層Ｍ１〜Ｍ４を積層方向から重ねて見た透視図である。 図５は、キャパシタ電極５１〜５４が形成される箇所を拡大して示す透視図である。 図６は、積層構造体２０の形成方法を説明するための工程図である。 図７は、積層構造体２０の形成方法を説明するための工程図である。

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。

図１は、本発明の好ましい実施形態によるコイル部品１０の外観を示す略斜視図であって、実装状態に対して上下反転させた図である。

図１に示すように、本実施形態によるコイル部品１０は、略直方体形状である表面実装型のコモンモードフィルタであり、磁性基板１１と、磁性基板１１上に設けられた積層構造体２０と、積層構造体２０上に設けられた第１〜第４の端子電極Ｅ１〜Ｅ４及び磁性樹脂層１２とを備えている。積層構造体２０の具体的な構成については後述する。特に限定されるものではないが、コイル部品１０のサイズは、ｘ方向における長さが０．４５ｍｍ、ｙ方向における幅が０．３ｍｍ、ｚ方向における高さが０．２３ｍｍである。実装時においては、図１に示す状態から上下反転され、第１〜第４の端子電極Ｅ１〜Ｅ４が設けられたｘｙ面がプリント基板と向かい合うようにして実装される。本実施形態によるコイル部品１０は、磁性基板１１上に積層構造体２０が積層されてなる積層型の薄膜コイル部品であり、磁性コア又はボビンにワイヤを巻回してなるいわゆる巻線型のコイル部品とはタイプが異なるものである。

磁性基板１１は積層構造体２０を積層する際の基板であるとともに、積層構造体２０を物理的に保護し、且つ、コイル部品１０の磁路を構成するものである。磁性基板１１の材料としては、焼結フェライト、複合フェライト（フェライト粉含有樹脂）等を用いることができるが、機械的強度が高く磁気特性に優れた焼結フェライトを用いることが特に好ましい。

第１〜第４の端子電極Ｅ１〜Ｅ４は、いずれも角部に配置されている。このため、端子電極Ｅ１〜Ｅ４は、コイル部品１０の３つの側面（ｘｙ面、ｘｚ面、ｙｚ面）に露出している。特に限定されるものではないが、端子電極Ｅ１〜Ｅ４は厚膜めっき法によって形成され、その厚さはスパッタリング法やスクリーン印刷により形成される電極パターンよりも十分に厚い。

磁性樹脂層１２は、積層構造体２０を物理的に保護するとともに、第１〜第４の端子電極Ｅ１〜Ｅ４を固定・支持するものであり、第１〜第４の端子電極Ｅ１〜Ｅ４の周囲を埋め込むように設けられている。磁性樹脂層１２の上面（ｘｙ面）は、第１〜第４の端子電極Ｅ１〜Ｅ４の上面（ｘｙ面）と同一平面を構成している。磁性樹脂層１２の材料としては、複合フェライトを用いることが好ましい。磁性樹脂層１２は高い磁気特性を有しており、磁性基板１１と共に磁路を構成する。

図２はコイル部品１０の略分解斜視図であり、特に、積層構造体２０の構造を説明するための図である。

図２に示すように、積層構造体２０は、磁性基板１１側から磁性樹脂層１２側に向かって順に積層された絶縁層３１〜３５を備えており、これら絶縁層３１〜３５間に４つの導体層Ｍ１〜Ｍ４が形成されている。絶縁層３１〜３５は例えば樹脂からなり、第１〜第４の導体層Ｍ１〜Ｍ４を互いに分離する役割を果たす。

第１の導体層Ｍ１は、第１の平面スパイラル導体４１及び接続導体７２を含む。第１の平面スパイラル導体４１は、平面視で外周端４１ａから内周端４１ｂに向かって時計回り（右回り）に巻回されている。第１の平面スパイラル導体４１の外周端４１ａは、接続導体７１，８１，９１を介して第１の端子電極Ｅ１に接続される。

第２の導体層Ｍ２は、第２の平面スパイラル導体４２及び接続導体７１，７５を含む。第２の平面スパイラル導体４２は、平面視で外周端４２ａから内周端４２ｂに向かって時計回り（右回り）に巻回されている。第２の平面スパイラル導体４２の外周端４２ａは、接続導体８２，９２を介して第２の端子電極Ｅ２に接続される。

特に限定されるものではないが、本実施形態においては第１及び第２の平面スパイラル導体４１，４２の巻回数は、いずれも１５ターンである。第１の平面スパイラル導体４１と第２の平面スパイラル導体４２は、絶縁層３２を介して積層されていることから互いに磁気結合する。

第３の導体層Ｍ３は、第１のキャパシタ電極５１、第３のキャパシタ電極５３、第１の引き出し導体６１及び接続導体８１〜８３，８５を含む。第１のキャパシタ電極５１は、接続導体８１，９１を介して第１の端子電極Ｅ１（つまり第１の平面スパイラル導体４１の外周端４１ａ）に接続されている。一方、第３のキャパシタ電極５３は、接続導体８２，９２を介して第２の端子電極Ｅ２（つまり第２の平面スパイラル導体４２の外周端４２ａ）に接続されている。また、第１の引き出し導体６１の一端は、接続導体７５を介して第１の平面スパイラル導体４１の内周端４１ｂに接続され、他端は、接続導体８３，９３を介して第３の端子電極Ｅ３に接続されている。つまり、第１の引き出し導体６１は、第１の平面スパイラル導体４１の内周端４１ｂと第３の端子電極Ｅ３を接続する役割を果たす。

第４の導体層Ｍ４は、第２のキャパシタ電極５２、第４のキャパシタ電極５４、第２の引き出し導体６２及び接続導体９１〜９４を含む。第２のキャパシタ電極５２は、平面視で第１のキャパシタ電極５１と重なっており、接続導体９３を介して第３の端子電極Ｅ３（つまり第１の平面スパイラル導体４１の内周端４１ｂ）に接続されている。一方、第４のキャパシタ電極５４は、平面視で第３のキャパシタ電極５３と重なっており、接続導体９４を介して第４の端子電極Ｅ４（つまり第２の平面スパイラル導体４２の内周端４２ｂ）に接続されている。また、第２の引き出し導体６２の一端は、接続導体８５を介して第２の平面スパイラル導体４２の内周端４２ｂに接続され、他端は、第４のキャパシタ電極５４及び接続導体９４を介して第４の端子電極Ｅ４に接続されている。つまり、第２の引き出し導体６２は、第２の平面スパイラル導体４２の内周端４２ｂと第４の端子電極Ｅ４を接続する役割を果たす。

上述の通り、第１のキャパシタ電極５１と第２のキャパシタ電極５２は、絶縁層３４を介して重なっており、第３のキャパシタ電極５３と第４のキャパシタ電極５４は、絶縁層３４を介して重なっている。これにより、等価回路図である図３に示すように、第１の端子電極Ｅ１と第３の端子電極Ｅ３の間には、第１の平面スパイラル導体４１に対して並列なキャパシタンス成分Ｃ１が挿入され、第２の端子電極Ｅ２と第４の端子電極Ｅ４の間には、第２の平面スパイラル導体４２に対して並列なキャパシタンス成分Ｃ２が挿入されることになる。第１の平面スパイラル導体４１と第２の平面スパイラル導体４２は磁気結合しており、互いに巻回数が等しいため、本実施形態によるコイル部品１０はコモンモードフィルタ回路を構成する。

図２に示すように、磁性樹脂層１２は、第１〜第４の端子電極Ｅ１〜Ｅ４に対応する部分がくり抜かれた形状を有している。さらに、絶縁層３１〜３５にはそれぞれスルーホール３１Ｈ〜３５Ｈが設けられ、これらスルーホール３１Ｈ〜３５Ｈを埋めるよう、磁性樹脂層１３が設けられている。磁性樹脂層１３は磁性樹脂層１２の一部であり、両者は一体的な構造を有している。

尚、図２に示す例では、第１及び第３のキャパシタ電極５１，５３が第３の導体層Ｍ３に形成され、第２及び第４のキャパシタ電極５２，５４が第４の導体層Ｍ４に形成されているが、本発明がこれに限定されるものではない。つまり、第１のキャパシタ電極５１と第２のキャパシタ電極５２が互いに異なる導体層に形成され、且つ、第３のキャパシタ電極５３と第４のキャパシタ電極５４が互いに異なる導体層に形成されている限り、各キャパシタ電極５１〜５４がどの導体層に形成されていても構わない。

また、図２に示す例では、第１の引き出し導体６１が第３の導体層Ｍ３に形成され、第２の引き出し導体６２が第４の導体層Ｍ４に形成されているが、本発明がこれに限定されるものではない。したがって、図２とは逆に、第１の引き出し導体６１が第４の導体層Ｍ４に形成され、第１の引き出し導体６１が第３の導体層Ｍ３に形成されていても構わないし、第１及び第２の引き出し導体６１，６２が同じ導体層Ｍ３又はＭ４に形成されていても構わない。

さらに、図２に示す例では、第１及び第２の平面スパイラル導体４１，４２が下層に位置し、第１〜第４のキャパシタ電極５１〜５４が上層に位置しているが、本発明がこれに限定されるものではなく、逆に、第１〜第４のキャパシタ電極５１〜５４が下層に位置し、第１及び第２の平面スパイラル導体４１，４２が上層に位置していても構わない。

図４は、導体層Ｍ１〜Ｍ４を積層方向から重ねて見た透視図である。

図４に示すように、第１の平面スパイラル導体４１と第２の平面スパイラル導体４２は、積層方向から見てほぼ正確に重なっている。つまり、第２の平面スパイラル導体４２の各ターンは、第１の平面スパイラル導体４１の同一ターンとそれぞれ平面視でほぼ正確に重なる位置にアライメントされる。また、第１のキャパシタ電極５１と第２のキャパシタ電極５２は、積層方向から見てほぼ正確に重なっている。同様に、第３のキャパシタ電極５３と第４のキャパシタ電極５４も、積層方向から見てほぼ正確に重なっている。

ここで、平面視で矩形状を有する絶縁層３１〜３５の短辺をＬ１，Ｌ２とし、長辺をＬ３，Ｌ４とした場合、第１及び第２のキャパシタ電極５１，５２は、短辺Ｌ１に沿ってｙ方向に延在する形状を有し、第３及び第４のキャパシタ電極５３，５４は、短辺Ｌ２に沿ってｙ方向に延在する形状を有している。第１〜第４のキャパシタ電極５１〜５４の一部は、いずれも第１及び第２の平面スパイラル導体４１，４２の形成領域と重なる位置に配置されている。

より具体的に説明すると、拡大図である図５（ａ）に示すように、第１及び第２のキャパシタ電極５１，５２は、第１及び第２の平面スパイラル導体４１，４２の形成領域と重なる第１の部分Ａ１と、第１及び第２の平面スパイラル導体４１，４２の形成領域と重ならない第２の部分Ａ２とを有する。同様に、拡大図である図５（ｂ）に示すように、第３及び第４のキャパシタ電極５３，５４は、第１及び第２の平面スパイラル導体４１，４２の形成領域と重なる第３の部分Ａ３と、第１及び第２の平面スパイラル導体４１，４２の形成領域と重ならない第４の部分Ａ４とを有する。ここで、第１及び第２の平面スパイラル導体４１，４２の形成領域とは、第１及び第２の平面スパイラル導体４１，４２の最外周及び最外周よりも内周側に位置する領域を指す。したがって、隣接するターン間に存在するスペース領域も第１及び第２の平面スパイラル導体４１，４２の形成領域に含まれる。

このように、本実施形態においては、第１〜第４のキャパシタ電極５１〜５４の一部が第１及び第２の平面スパイラル導体４１，４２の形成領域と重なるよう、短辺Ｌ１又はＬ２に隣接して配置されていることから、コイル部品１０の平面サイズを小型化しつつ、第１〜第４のキャパシタ電極５１〜５４に生じる渦電流を抑制することが可能となる。つまり、第１及び第２の平面スパイラル導体４１，４２の形成領域と重なる第１及び第３の部分Ａ１，Ａ３が大きすぎると、第１及び第３のキャパシタ電極５１，５３と第２の平面スパイラル導体４２との間に生じる浮遊容量が大きくなり、第１の平面スパイラル導体４１と第２の平面スパイラル導体４２との間に特性差が生じてしまう。一方、第１及び第２の平面スパイラル導体４１，４２の形成領域と重ならない第２及び第４の部分Ａ２，Ａ４が大きすぎると、第１〜第４のキャパシタ電極５１〜５４に印加される磁束によって渦電流損が増大してしまう。また、第２及び第４の部分Ａ２，Ａ４が大きい場合、コイル部品１０の平面サイズを大きくする必要も生じる。

このような点を考慮し、本実施形態においては、第１及び第２のキャパシタ電極５１，５２の面積に対して、第１の部分Ａ１を３０％〜７０％、第２の部分Ａ２を７０％〜３０％に設計している。同様に、第３及び第４のキャパシタ電極５３，５４の面積に対して、第３の部分Ａ３を３０％〜７０％、第４の部分Ａ４を７０％〜３０％に設計している。これにより、第１の平面スパイラル導体４１と第２の平面スパイラル導体４２との間において実質的な特性差を生じさせることなく、渦電流損を抑制している。また、コイル部品１０の平面サイズを小型化しつつ、自己共振周波数低域を調整することも可能となる。

特に限定されるものではないが、図４に示すように、本実施形態においては第１の引き出し導体６１よりも第２の引き出し導体６２の方が配線長が長い。これは、スルーホール３１Ｈ〜３５Ｈが右側（短辺Ｌ２側）にオフセットして配置されていることに起因する。このような場合、第１の引き出し導体６１の配線幅を第２の引き出し導体６２の配線幅よりも細くすることが好ましい。これによれば、第１の引き出し導体６１の直流抵抗と第２の引き出し導体６２の直流抵抗との差が低減されることから、一対の信号成分に対して特性のバランスを取ることが可能となる。

尚、本発明において、導体の「幅」とは、スパイラル導体の積層方向における断面の辺であって、ｘｙ平面と平行な辺の長さを指す。また、本発明において、導体の「膜厚」又は「高さ」とは、スパイラル導体の積層方向における断面の辺であって、ｚ方向における辺の長さを指す。

次に、積層構造体２０の形成方法について説明する。

図６及び図７は、図２に示した積層構造体２０の形成方法を説明するための工程図である。

まず、所定の厚さを持った焼結フェライトなどからなる磁性基板１１を用意し、その上面に絶縁層３１を形成する。次に、図６（ａ）に示すように、絶縁層３１の上面に第１の平面スパイラル導体４１及び接続導体７２からなる導体層Ｍ１を形成する。これら導体の形成方法としては、スパッタリング法などの薄膜プロセスを用いて下地金属膜を形成した後、電解メッキ法を用いて所望の膜厚までメッキ成長させることが好ましい。以降に形成する他の導体の形成方法についても同様である。

次に、図６（ｂ）に示すように、導体層Ｍ１を覆うように、絶縁層３１の上面に絶縁層３２を形成した後、絶縁層３２にスルーホール３２ａ〜３２ｃを形成する。具体的には、スピンコート法によって樹脂材料を塗布した後、フォトリソグラフィー法によって所定のパターンを形成することにより、スルーホール３２ａ〜３２ｃを有する絶縁層３２を形成することができる。以降に形成する絶縁層の形成方法についても同様である。図６（ｂ）に示すスルーホール３２ａ，３２ｃは、それぞれ第１の平面スパイラル導体４１の外周端４１ａ及び内周端４１ｂを露出させる位置に形成され、スルーホール３２ｂは接続導体７２を露出させる位置に形成される。

次に、図６（ｃ）に示すように、絶縁層３２の上面に第２の平面スパイラル導体４２及び接続導体７１，７５からなる導体層Ｍ２を形成する。図４を用いて説明したとおり、第２の平面スパイラル導体４２の各ターンは、第１の平面スパイラル導体４１の同一ターンと正確に重なるようアライメントされる。第２のスパイラル導体の外周端４２ａは、スルーホール３２ｂに対応する位置に形成され、接続導体７１，７５は、それぞれスルーホール３２ａ，３２ｃに対応する位置に形成される。これにより、第２の平面スパイラル導体の外周端４２ａは接続導体７２に接続され、接続導体７１，７５はそれぞれ第１の平面スパイラル導体４１の外周端４１ａ及び内周端４１ｂに接続される。

次に、図６（ｄ）に示すように、導体層Ｍ２を覆うように、絶縁層３２の上面に絶縁層３３を形成した後、絶縁層３３にスルーホール３３ａ〜３３ｄを形成する。図６（ｄ）に示すスルーホール３３ｂ，３３ｄは、それぞれ第２の平面スパイラル導体４２の外周端４２ａ及び内周端４２ｂを露出させる位置に形成され、スルーホール３３ａ，３３ｃはそれぞれ接続導体７１，７５を露出させる位置に形成される。

次に、図７（ａ）に示すように、絶縁層３３の上面に第１のキャパシタ電極５１、第３のキャパシタ電極５３、第１の引き出し導体６１及び接続導体８１〜８３，８５からなる導体層Ｍ３を形成する。図４を用いて説明したとおり、第１及び第３のキャパシタ電極５１，５３は、第１及び第２の平面スパイラル導体４１，４２の形成領域の一部と重なるよう、それぞれ短辺Ｌ１，Ｌ２に沿って配置される。接続導体８１，８２，８５は、それぞれスルーホール３３ａ，３３ｂ，３３ｄに対応する位置に形成され、第１の引き出し導体６１の一端はスルーホール３３ｃに対応する位置に形成される。これにより、接続導体８２，８５は、それぞれ第２の平面スパイラル導体４２の外周端４２ａ及び４２ｂに接続され、接続導体８１は接続導体７１に接続され、第１の引き出し導体６１の一端は接続導体７５に接続される。

次に、図７（ｂ）に示すように、導体層Ｍ３を覆うように、絶縁層３３の上面に絶縁層３４を形成した後、絶縁層３４にスルーホール３４ａ〜３４ｄを形成する。図７（ｂ）に示すスルーホール３４ａ〜３４ｄは、それぞれ接続導体８１〜８３，８５を露出させる位置に形成される。

次に、図７（ｃ）に示すように、絶縁層３４の上面に第２のキャパシタ電極５２、第４のキャパシタ電極５４、第２の引き出し導体６２及び接続導体９１〜９４からなる導体層Ｍ４を形成する。図４を用いて説明したとおり、第２及び第４のキャパシタ電極５２，５４は、それぞれ第１及び第３のキャパシタ電極５１と重なる位置に配置される。接続導体９１〜９３は、それぞれスルーホール３４ａ〜３４ｃに対応する位置に形成され、第２の引き出し導体６２の一端はスルーホール３４ｄに対応する位置に形成される。これにより、接続導体９１〜９３は、それぞれ接続導体８１〜８３に接続され、第２の引き出し導体６２の一端は接続導体８５に接続される。

次に、図７（ｄ）に示すように、導体層Ｍ４を覆うように、絶縁層３４の上面に絶縁層３５を形成した後、絶縁層３５にスルーホール３５ａ〜３５ｄを形成する。図７（ｄ）に示すスルーホール３５ａ〜３５ｄは、それぞれ接続導体９１〜９４を露出する位置に形成される。

次に、図７（ｅ）に示すように、絶縁層３５の表面に第１〜第４の端子電極Ｅ１〜Ｅ４を形成する。第１〜第４の端子電極Ｅ１〜Ｅ４の形成方法は、次の通りである。まず、接続導体９１〜９４が露出した絶縁層３５の全面に、下地となるＣｕ膜を無電解めっきにより形成する。その後、シートレジストを貼り付け、露光及び現像することにより、第１〜第４の端子電極Ｅ１〜Ｅ４を形成すべき領域にあるシートレジストを選択的に除去し、当該領域のＣｕ膜を露出させる。そして、この状態で肉厚な第１〜第４の端子電極Ｅ１〜Ｅ４を電気めっきにより形成する。その後、シートレジストを除去し、全面をエッチングすることにより不要なＣｕ膜を除去すれば、柱状である第１〜第４の端子電極Ｅ１〜Ｅ４が形成される。

次に、図７（ｆ）に示すように、開口部３６Ｈを有するイオンミリング用マスク３６を形成し、この状態でイオンミリングを行う。これにより、絶縁層３１〜３５にスルーホール３１Ｈ〜３５Ｈが形成され、当該位置において磁性基板１１が露出する。そして、複合フェライトのペーストを全面に形成し、硬化させれば、第１〜第４の端子電極Ｅ１〜Ｅ４の周囲を埋める磁性樹脂層１２と、スルーホール３１Ｈ〜３５Ｈに埋め込まれた磁性樹脂層１３が形成される。その後は、第１〜第４の端子電極Ｅ１〜Ｅ４上の不要な複合フェライトを除去すれば、本実施形態によるコイル部品１０が完成する。

以上説明したように、本実施形態によるコイル部品１０は、第１の平面スパイラル導体４１に対して並列なキャパシタンス成分Ｃ１と、第２の平面スパイラル導体４２に対して並列なキャパシタンス成分Ｃ２が付加されていることから、自己共振周波数を低周波側に移動させることができる。これにより、平面サイズの小型化に起因して自己共振周波数が目的とする周波数よりも高くなってしまう場合であっても、自己共振周波数を所望の周波数帯域に移動させることが可能となる。また、第１〜第４のキャパシタ電極５１〜５４を第１及び第２の平面スパイラル導体４１，４２とは異なる導体層Ｍ３，Ｍ４に形成していることから、コイル部品１０の平面サイズが増加することもない。しかも、第１の引き出し導体６１を第１及び第３のキャパシタ電極５１，５３と同じ導体層Ｍ３に形成し、第２の引き出し導体６２を第２及び第４のキャパシタ電極５２，５４と同じ導体層Ｍ４に形成していることから、導体層の層数の増加を最小限に抑えることもできる。

しかも、本実施形態においては、第１及び第２のキャパシタ電極５１，５２が短辺Ｌ１に沿って配置され、第３及び第４のキャパシタ電極５３，５４が短辺Ｌ２に沿って配置されていることから、第１〜第４のキャパシタ電極５１〜５４に発生する渦電流を低減しつつ、コイル部品１０の平面サイズを小型化することが可能となる。

また、本実施形態においては第１及び第２の平面スパイラル導体４１，４２が下層に位置し、第１〜第４のキャパシタ電極５１〜５４が上層に位置していることから、より高い精度が求められる第１及び第２の平面スパイラル導体４１，４２を形成しやすくなる。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。

例えば、上述した実施形態では、端子電極Ｅ１〜Ｅ４が磁性樹脂層１２に埋め込まれたバンプ形状を有しているが、本発明において端子電極の形状や構造がこれに限定されるものではない。したがって、基体の表面に銀ペーストなどを焼き付けてなる端子電極を用いても構わないし、基体に端子金具を接着してなる端子電極を用いても構わない。

また、上述した実施形態では、第１及び第２の平面スパイラル導体４１，４２が平面視で八角形であるが、本発明がこれに限定されるものではなく、角部が緩やかに湾曲する矩形形状であっても構わないし、全体が楕円形状であっても構わない。

１０ コイル部品
１１ 磁性基板
１２，１３ 磁性樹脂層
２０ 積層構造体
３１〜３５ 絶縁層
３１Ｈ〜３５Ｈ スルーホール
３２ａ〜３２ｃ，３３ａ〜３３ｄ，３４ａ〜３４ｄ，３５ａ〜３５ｄ スルーホール
３６ イオンミリング用マスク
３６Ｈ 開口部
４１，４２ 平面スパイラル導体
４１ａ，４２ａ 外周端
４１ｂ，４２ｂ 内周端
５１〜５４ キャパシタ電極
６１，６２ 引き出し導体
７１，７２，７５，８１〜８３，８５，９１〜９４ 接続導体
Ａ１ 第１の部分
Ａ２ 第２の部分
Ａ３ 第３の部分
Ａ４ 第４の部分
Ｅ１〜Ｅ４ 端子電極
Ｌ１，Ｌ２ 短辺
Ｌ３，Ｌ４ 長辺
Ｍ１〜Ｍ４ 導体層

Claims (6)

1. 絶縁層を介して互いに積層された第１、第２、第３及び第４の導体層と、
   第１、第２、第３及び第４の端子電極と、を備え、
   前記第１の導体層には、外周端が前記第１の端子電極に接続され、内周端が前記第３の端子電極に接続された第１の平面スパイラル導体が形成され、
   前記第２の導体層には、外周端が前記第２の端子電極に接続され、内周端が前記第４の端子電極に接続され、前記第１の平面スパイラル導体と磁気結合する第２の平面スパイラル導体が形成され、
   前記第３の導体層には、前記第１の平面スパイラル導体の前記外周端に接続された第１のキャパシタ電極と、前記第２の平面スパイラル導体の前記外周端及び前記内周端の一方に接続された第３のキャパシタ電極とが形成され、
   前記第４の導体層には、前記第１の平面スパイラル導体の前記内周端に接続され、平面視で前記第１のキャパシタ電極と重なる第２のキャパシタ電極と、前記第２の平面スパイラル導体の前記外周端及び前記内周端の他方に接続され、平面視で前記第３のキャパシタ電極と重なる第４のキャパシタ電極とが形成され、
   前記第３及び第４の導体層の一方には、前記第１の平面スパイラル導体の前記内周端と前記第３の端子電極を接続する第１の引き出し導体が形成され、
   前記第３及び第４の導体層の一方には、前記第２の平面スパイラル導体の前記内周端と前記第４の端子電極を接続する第２の引き出し導体が形成されていることを特徴とするコイル部品。
2. 前記第１の引き出し導体は、前記第３及び第４の導体層の一方に形成され、
   前記第２の引き出し導体は、前記第３及び第４の導体層の他方に形成されていることを特徴とする請求項１に記載のコイル部品。
3. 前記第１の引き出し導体よりも前記第２の引き出し導体の方が配線長が長く、
   前記第２の引き出し導体よりも前記第１の引き出し導体の方が配線幅が細いことを特徴とする請求項１又は２に記載のコイル部品。
4. 前記絶縁層は、平面視で第１及び第２の短辺と第１及び第２の長辺を有する矩形であり、
   前記第１及び第２のキャパシタ電極は、前記第１の短辺に沿って配置され、
   前記第３及び第４のキャパシタ電極は、前記第２の短辺に沿って配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のコイル部品。
5. 前記第１及び第２のキャパシタ電極は、平面視で前記第１及び第２の平面スパイラル導体の形成領域と重なる第１の部分と、平面視で前記第１及び第２の平面スパイラル導体の形成領域と重ならない第２の部分とを有し、
   前記第３及び第４のキャパシタ電極は、平面視で前記第１及び第２の平面スパイラル導体の形成領域と重なる第３の部分と、平面視で前記第１及び第２の平面スパイラル導体の形成領域と重ならない第４の部分とを有することを特徴とする請求項４に記載のコイル部品。
6. 前記第１、第２、第３及び第４の導体層は磁性基板上に積層されており、前記第３及び第４の導体層は、前記第１及び第２の導体層よりも上層に位置することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のコイル部品。

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