JP6593184B2 - コイル部品及びこれを用いた電子回路 - Google Patents

Description

本発明はコイル部品及びこれを用いた電子回路に関し、特に、３つのスパイラルコイルが互いに磁気結合するコイル部品及びこれを用いた電子回路に関する。

一般的なコモンモードフィルタは、２つのスパイラルコイルが互いに磁気結合するコイル部品であり、差動伝送線路に重畳するコモンモードノイズを除去するために広く使用されている。ところが、近年においては３ラインを１セットとする伝送線路が用いられることがあり、このような伝送線路に重畳するコモンモードノイズを除去するためのコイル部品として、３つのスパイラルコイルが互いに磁気結合するコイル部品が求められている。

３つのスパイラルコイルが互いに磁気結合するコイル部品としては、特許文献１に記載されたコイル部品が知られている。特許文献１に記載されたコイル部品は、３ラインを１セットとする伝送線路に用いられるものではないが、絶縁層を介して互いに分離された３つの導体層を有し、各導体層にそれぞれスパイラルコイルが形成された構成を有している。このうち、最上層及び中間層に位置する２つのスパイラルコイルは一対の伝送線路に接続されてコモンモードフィルタを構成し、最下層に位置する１つのスパイラルコイルはグランドライン用コイルとして用いられる。

特開２００７−１５０２０９号公報

しかしながら、特許文献１に記載されたコイル部品は、３つのスパイラルコイルが単純に積層された構成を有していることから、２つのスパイラルコイル間の容量成分にそれぞれ差が生じてしまう。例えば、最上層に位置するスパイラルコイルと中間層に位置するスパイラルコイルは互いに距離が近いため容量成分が大きいが、最上層に位置するスパイラルコイルと最下層に位置するスパイラルコイルは互いに距離が離れているため容量成分が小さい。

このような容量成分のばらつきは、特許文献１に記載されたコイル部品のように、３つのスパイラルコイルのうちの２つを信号用とし、残りの１つをグランド用として用いる場合には問題ないが、３つのスパイラルコイルをいずれも信号用として用いる場合には、伝送特性にばらつきを生じさせてしまう。

したがって、本発明の目的は、３つのスパイラルコイルを備えたコイル部品及びこれを用いた電子回路であって、伝送特性のばらつきが少ないコイル部品及びこれを用いた電子回路を提供することである。

本発明によるコイル部品は、絶縁膜を介して積層され、互いに巻回数の等しい第１、第２及び第３のスパイラルコイルと共通導体が形成された複数の導体層と、前記第１、第２及び第３のスパイラルコイルの一端にそれぞれ接続された第１、第２及び第３の端子電極と、前記第１、第２及び第３のスパイラルコイルの他端にそれぞれ接続された第４、第５及び第６の端子電極と、前記共通導体に接続された第７の端子電極と、を備え、前記第１、第２及び第３のスパイラルコイルの各ターンを構成する導体は、いずれも前記共通導体に隣接していることを特徴とする。

本発明によれば、第１乃至第３のスパイラルコイルが共通導体を介して互いに結合することから、第１乃至第３のスパイラルコイルのそれぞれと共通導体との関係がほぼ一定となるよう設計することによって、これら３つのスパイラルコイルをいずれも信号用として用いる場合であっても、伝送特性のばらつきを抑制することが可能となる。３つのスパイラルコイルをいずれも信号用として用いる場合、第１乃至第６の信号配線とグランド配線が形成された回路基板に本発明によるコイル部品を搭載し、コイル部品の第１乃至第６の端子電極を回路基板の第１乃至第６の信号配線にそれぞれ接続し、コイル部品の第７の端子電極を回路基板のグランド配線に接続すればよい。

本発明において、前記複数の導体層は、前記第１、第２及び第３のスパイラルコイルが形成された第１の導体層と、前記共通導体が形成された第２の導体層を含むことが好ましい。これによれば、引出電極を形成する導体層も含めて最小で３層の導体層によってコイル部品を構成することが可能となるため、低背化を実現しやすくなる。

この場合、前記第１、第２及び第３のスパイラルコイルは、前記第１の導体層において同心円状に巻回されていることが好ましい。これによれば、コイル部品の平面サイズを小型化しやすくなる。さらにこの場合、前記共通導体は、積層方向から見た平面視で、前記第１、第２及び第３のスパイラルコイルの同一ターンを構成する導体と重なるスパイラル形状を有していても構わないし、前記共通導体は、積層方向から見た平面視で、前記第１のスパイラルコイルと重なる第１の共通導体と、前記第２のスパイラルコイルと重なる第２の共通導体と、前記第３のスパイラルコイルと重なる第３の共通導体とを含んでいても構わない。

本発明において、前記複数の導体層は、前記第１及び第３のスパイラルコイルが形成された第１の導体層と、前記第２のスパイラルコイルが形成された第２の導体層とを含み、前記共通導体は、少なくとも前記第１の導体層に設けられ積層方向から見た平面視で前記第２のスパイラルコイルと重なる部分を有していることもまた好ましい。これによれば、第１乃至第３のスパイラルコイル相互間における容量成分を低減することが可能となる。

この場合、前記共通導体は、前記第２の導体層に設けられ積層方向から見た平面視で前記第１のスパイラルコイルと重なる第１の共通導体と、前記第１の導体層に設けられ積層方向から見た平面視で前記第２のスパイラルコイルと重なる第２の共通導体と、前記第２の導体層に設けられ積層方向から見た平面視で前記第３のスパイラルコイルと重なる第３の共通導体とを含むことが好ましい。これによれば、第１乃至第３のスパイラルコイル相互間における容量成分を低減しつつ、第１乃至第３のスパイラルコイルのそれぞれと共通導体との関係をより均一化することが可能となる。

本発明において、前記複数の導体層は、前記第１のスパイラルコイルが形成された第１の導体層と、前記第２のスパイラルコイルが形成された第２の導体層と、前記第３のスパイラルコイルが形成された第３の導体層とを含み、前記共通導体は、少なくとも前記第２の導体層に形成されていることもまた好ましい。これによれば、各スパイラルコイルの巻回数を多くするか、或いは、導体幅を太くすることが可能となる。

この場合、前記共通導体は、前記第１の導体層において前記第１のスパイラルコイルと同心円状に巻回された第１の共通導体と、前記第２の導体層において前記第２のスパイラルコイルと同心円状に巻回された第２の共通導体と、前記第３の導体層において前記第３のスパイラルコイルと同心円状に巻回された第３の共通導体とを含むことが好ましい。さらにこの場合、前記第１、第２及び第３のスパイラルコイルは積層方向から見た平面視で互いに重なり、前記第１、第２及び第３の共通導体は積層方向から見た平面視で互いに重なっても構わないし、前記第１のスパイラルコイル、前記第２の共通導体及び前記第３のスパイラルコイルは積層方向から見た平面視で互いに重なり、前記第１の共通導体、前記第２のスパイラルコイル及び前記第３の共通導体は積層方向から見た平面視で互いに重なっても構わない。

本発明において、前記第１、第２及び第３のスパイラルコイルを構成する導体の断面積は、互いに等しいことが好ましい。これによれば、直流抵抗のばらつきを低減することが可能となる。

本発明において、前記第１、第２及び第３のスパイラルコイルを構成する導体の導体厚は、前記共通導体を構成する導体の導体厚よりも厚いことが好ましい。これによれば、各スパイラルコイルの直流抵抗を低減することが可能となる。

本発明によれば、３つのスパイラルコイルを備えたコイル部品及びこれを用いた電子回路であって、伝送特性にばらつきの少ないコイル部品及びこれを用いた電子回路を提供することが可能となる。

図１は、本発明の好ましい実施形態によるコイル部品１０の外観を示す略斜視図である。 図２は、第１の実施形態による積層構造体２０Ａの構造を説明するための図である。 図３は、コイル部品１０の等価回路図である。 図４は、コイル部品１０が搭載される回路基板２のパターン形状を説明するための模式的な平面図である。 図５は、積層方向におけるスパイラルコイル４１〜４８の部分断面図である。 図６は、図２に示した積層構造体２０Ａの形成方法を説明するための工程図である。 図７は、図２に示した積層構造体２０Ａの形成方法を説明するための工程図である。 図８は、積層構造体２０Ａの第１の変形例を示す部分断面図である。 図９は、積層構造体２０Ａの第２の変形例を示す部分断面図である。 図１０は、積層構造体２０Ａの第３の変形例を示す部分断面図である。 図１１は、第２の実施形態による積層構造体２０Ｂの構造を説明するための図である。 図１２は、積層方向におけるスパイラルコイル９１〜９６の部分断面図である。 図１３は、図１１に示した積層構造体２０Ｂの形成方法を説明するための工程図である。 図１４は、図１１に示した積層構造体２０Ｂの形成方法を説明するための工程図である。 図１５は、積層構造体２０Ｂの第１の変形例を示す部分断面図である。 図１６は、積層構造体２０Ｂの第２の変形例を示す部分断面図である。 図１７は、積層構造体２０Ｂの第３の変形例を示す部分断面図である。

以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。

図１は、本発明の好ましい実施形態によるコイル部品１０の外観を示す略斜視図であって、実装状態に対して上下反転させた図である。

図１に示すように、本実施形態によるコイル部品１０は、略直方体形状である表面実装型のコモンモードフィルタであり、磁性基板１１と、磁性基板１１上に設けられた積層構造体２０と、積層構造体２０上に設けられた第１〜第８の端子電極Ｅ１〜Ｅ８及び磁性樹脂層１２とを備えている。積層構造体２０の具体的な構成としては、第１の実施形態による積層構造体２０Ａおよび第２の実施形態による積層構造体２０Ｂが挙げられるが、これらの詳細については後述する。特に限定されるものではないが、コイル部品１０のサイズは、ｘ方向における長さが０．８ｍｍ、ｙ方向における幅が０．６ｍｍ、ｚ方向における高さが０．４ｍｍである。実装時においては、図１に示す状態から上下反転され、第１〜第８の端子電極Ｅ１〜Ｅ８が設けられたｘｙ面がプリント基板と向かい合うようにして実装される。本実施形態によるコイル部品１０は、磁性基板１１上に積層構造体２０が積層されてなる積層型の薄膜コイル部品であり、磁性コア又はボビンにワイヤを巻回してなるいわゆる巻線型のコイル部品とはタイプが異なるものである。

磁性基板１１は積層構造体２０を積層する際の基板であるとともに、積層構造体２０を物理的に保護し、且つ、コイル部品１０の磁路を構成するものである。磁性基板１１の材料としては、焼結フェライト、複合フェライト（フェライト粉含有樹脂）等を用いることができるが、機械的強度が高く磁気特性に優れた焼結フェライトを用いることが特に好ましい。

第１〜第３の端子電極Ｅ１〜Ｅ３はｘ方向に延在する一方の長辺に沿って設けられ、第４〜第６の端子電極Ｅ４〜Ｅ６はｘ方向に延在する他方の長辺に沿って設けられている。また、第７の端子電極Ｅ７は、ｙ方向に延在する一方の短辺の略中央部に設けられ、第８の端子電極Ｅ８は、ｙ方向に延在する他方の短辺の略中央部に設けられている。特に限定されるものではないが、端子電極Ｅ１，Ｅ３，Ｅ４，Ｅ６はコイル部品１０の角部に配置されている。このため、これら端子電極Ｅ１，Ｅ３，Ｅ４，Ｅ６については、コイル部品１０の３つの側面（ｘｙ面、ｘｚ面、ｙｚ面）に露出している。これに対し、端子電極Ｅ２，Ｅ５については、コイル部品１０の２つの側面（ｘｙ面、ｘｚ面）に露出し、端子電極Ｅ７，Ｅ８については、コイル部品１０の２つの側面（ｘｙ面、ｙｚ面）に露出している。特に限定されるものではないが、端子電極Ｅ１〜Ｅ８は厚膜めっき法によって形成され、その厚さはスパッタリング法やスクリーン印刷により形成される電極パターンよりも十分に厚い。

磁性樹脂層１２は、積層構造体２０を物理的に保護するとともに、第１〜第８の端子電極Ｅ１〜Ｅ８を固定・支持するものであり、第１〜第８の端子電極Ｅ１〜Ｅ８の周囲を埋め込むように設けられている。磁性樹脂層１２の上面（ｘｙ面）は、第１〜第８の端子電極Ｅ１〜Ｅ８の上面（ｘｙ面）と同一平面を構成している。磁性樹脂層１２の材料としては、複合フェライトを用いることが好ましい。磁性樹脂層１２は高い磁気特性を有しており、磁性基板１１と共に磁路を構成する。

図２はコイル部品１０の略分解斜視図であり、特に、第１の実施形態による積層構造体２０Ａの構造を説明するための図である。

図２に示す積層構造体２０Ａは、磁性基板１１側から磁性樹脂層１２側に向かって順に積層された絶縁層３１〜３５を備えており、これら絶縁層３１〜３５間に４つの導体層Ｍ１１〜Ｍ１４が形成されている。絶縁層３１〜３５は例えば樹脂からなり、第１〜第４の導体層Ｍ１１〜Ｍ１４を互いに分離する役割を果たす。

絶縁層３１の表面に形成される第１の導体層Ｍ１１は、第１〜第３のスパイラルコイル４１〜４３を含む。第１〜第３のスパイラルコイル４１〜４３は、第１のスパイラルコイル４１が内周側、第３のスパイラルコイル４３が外周側、第２のスパイラルコイル４２がこれらの中間となるよう、互いに沿って同心円状に巻回されており、その巻回方向は、いずれも平面視で外周端から内周端に向かって時計回り（右回り）である。第１のスパイラルコイル４１の外周端４１ａは、接続導体５１，６１，７１を介して第１の端子電極Ｅ１に接続される。第２のスパイラルコイル４２の外周端４２ａは、接続導体５２，６２，７２を介して第２の端子電極Ｅ２に接続される。第３のスパイラルコイル４３の外周端４３ａは、接続導体５３，６３，７３を介して第３の端子電極Ｅ３に接続される。

絶縁層３２の表面に形成される第２の導体層Ｍ１２は、第７のスパイラルコイル４７と接続導体５１〜５３，８１〜８３を含む。第７のスパイラルコイル４７は、平面視で、第１〜第３のスパイラルコイル４１〜４３の同一ターンを構成する導体と重なるスパイラル形状を有している。第７のスパイラルコイル４７の巻回方向は、平面視で外周端から内周端に向かって時計回り（右回り）である。詳細については後述するが、第７のスパイラルコイル４７は、第１〜第３のスパイラルコイル４１〜４３の同一ターンを覆う導体幅を有しており、且つ、第１〜第３のスパイラルコイル４１〜４３よりも導体厚が薄い。第７のスパイラルコイル４７の外周端４７ａは、接続導体６７，７７を介して第７の端子電極Ｅ７に接続される。

絶縁層３３の表面に形成される第３の導体層Ｍ１３は、第４〜第６のスパイラルコイル４４〜４６と、接続導体６１〜６３，６７，６８，８４とを含む。第４〜第６のスパイラルコイル４４〜４６は、第４のスパイラルコイル４４が内周側、第６のスパイラルコイル４６が外周側、第５のスパイラルコイル４５がこれらの中間となるよう、互いに沿って同心円状に巻回されており、その巻回方向は、いずれも平面視で外周端から内周端に向かって反時計回り（左回り）である。第４のスパイラルコイル４４の外周端４４ａは、接続導体７４を介して第４の端子電極Ｅ４に接続される。第５のスパイラルコイル４５の外周端４５ａは、接続導体７５を介して第５の端子電極Ｅ５に接続される。第６のスパイラルコイル４６の外周端４６ａは、接続導体７６を介して第６の端子電極Ｅ６に接続される。

絶縁層３４の表面に形成される第４の導体層Ｍ１４は、第８のスパイラルコイル４８と接続導体７１〜７７を含む。第８のスパイラルコイル４８は、平面視で、第４〜第６のスパイラルコイル４４〜４６の同一ターンを構成する導体と重なるスパイラル形状を有している。第８のスパイラルコイル４８の巻回方向は、平面視で外周端から内周端に向かって反時計回り（左回り）である。第８のスパイラルコイル４８は、第４〜第６のスパイラルコイル４４〜４６の同一ターンを覆う導体幅を有しており、且つ、第４〜第６のスパイラルコイル４４〜４６よりも導体厚が薄い。第８のスパイラルコイル４８の外周端４８ａは、第８の端子電極Ｅ８に接続される。

第１のスパイラルコイル４１の内周端４１ｂは、接続導体８１を介して第４のスパイラルコイル４４の内周端４４ｂに接続される。これにより、第１のスパイラルコイル４１と第４のスパイラルコイル４４は、第１の端子電極Ｅ１と第４の端子電極Ｅ４との間に直列に接続された１つのインダクタ（Ｌ１）を構成する。

第２のスパイラルコイル４２の内周端４２ｂは、接続導体８２を介して第５のスパイラルコイル４５の内周端４５ｂに接続される。これにより、第２のスパイラルコイル４２と第５のスパイラルコイル４５は、第２の端子電極Ｅ２と第５の端子電極Ｅ５との間に直列に接続された１つのインダクタ（Ｌ２）を構成する。

第３のスパイラルコイル４３の内周端４３ｂは、接続導体８３を介して第６のスパイラルコイル４６の内周端４６ｂに接続される。これにより、第３のスパイラルコイル４３と第６のスパイラルコイル４６は、第３の端子電極Ｅ３と第６の端子電極Ｅ６との間に直列に接続された１つのインダクタ（Ｌ３）を構成する。

第７のスパイラルコイル４７の内周端４７ｂは、接続導体８４を介して第８のスパイラルコイル４８の内周端４８ｂに接続される。これにより、第７のスパイラルコイル４７と第８のスパイラルコイル４８は、第７の端子電極Ｅ７と第８の端子電極Ｅ８との間に直列に接続された共通導体である１つのインダクタ（ＬＧ）を構成する。

図２に示すように、磁性樹脂層１２は、第１〜第８の端子電極Ｅ１〜Ｅ８に対応する部分がくり抜かれた形状を有している。さらに、絶縁層３１〜３５にはそれぞれスルーホール３１Ｈ〜３５Ｈが設けられ、これらスルーホール３１Ｈ〜３５Ｈを埋めるよう、磁性樹脂層１３が設けられている。磁性樹脂層１３は磁性樹脂層１２の一部であり、両者は一体的な構造を有している。

図２に示す例では、第１〜第３のスパイラルコイル４１〜４３と第７のスパイラルコイル４７が１セットの結合コイルを構成し、第４〜第６のスパイラルコイル４４〜４６と第８のスパイラルコイル４８が別の１セットの結合コイルを構成し、これら２つの結合コイルが直列に接続された構成を有している。しかしながら、結合コイルの数が２セットであることは必須でなく、１セットのみであっても構わないし、３セット以上であっても構わない。第１〜第３のスパイラルコイル４１〜４３の巻回数は互いに等しく、第４〜第６のスパイラルコイル４４〜４６の巻回数は互いに等しい必要があるが、第１〜第３のスパイラルコイル４１〜４３の巻回数と、第４〜第６のスパイラルコイル４４〜４６の巻回数は互いに異なっていても構わない。

図３は、コイル部品１０の等価回路図である。

図３に示すように、本実施形態によるコイル部品１０は、３つのインダクタＬ１〜Ｌ３と１つのインダクタＬＧが磁気結合する回路を構成する。このうち、第１の端子電極Ｅ１と第４の端子電極Ｅ４との間に形成されるインダクタＬ１は、第１及び第４のスパイラルコイル４１，４４によって構成される。第２の端子電極Ｅ２と第５の端子電極Ｅ５との間に形成されるインダクタＬ２は、第２及び第５のスパイラルコイル４２，４５によって構成される。第３の端子電極Ｅ３と第６の端子電極Ｅ６との間に形成されるインダクタＬ３は、第３及び第６のスパイラルコイル４３，４６によって構成される。第７の端子電極Ｅ７と第８の端子電極Ｅ８との間に形成されるインダクタＬＧは、第７及び第８のスパイラルコイル４７，４８によって構成される。

かかる構成により、３つのインダクタＬ１〜Ｌ３は、インダクタＬＧを介して互いに磁気結合し、これにより３ラインのコモンモードフィルタ回路を構成する。

図４は、コイル部品１０が搭載される回路基板２のパターン形状を説明するための模式的な平面図である。

図４に示す回路基板２は、コイル部品１０が搭載される搭載領域１０Ａを有している。搭載領域１０Ａには、それぞれ第１〜第８の端子電極Ｅ１〜Ｅ８に対応する第１〜第８のランドパターンＰ１〜Ｐ８が設けられており、コイル部品１０が搭載領域１０Ａに搭載されると、半田を介して、第１〜第８の端子電極Ｅ１〜Ｅ８と第１〜第８のランドパターンＰ１〜Ｐ８がそれぞれ電気的に接続される。

回路基板２には、それぞれ第１〜第６のランドパターンＰ１〜Ｐ６に接続された第１〜第６の信号配線Ｄ１〜Ｄ６と、第７及び第８のランドパターンＰ７，Ｐ８に接続されたグランド配線ＧＮＤとが設けられている。このうち、３ラインの信号配線Ｄ１〜Ｄ３は１セットの配線群Ｓ１を構成し、３ラインの信号配線Ｄ４〜Ｄ６も１セットの配線群Ｓ２を構成する。配線群Ｓ１は例えば入力側の配線群であり、配線群Ｓ２は例えば出力側の配線群である。各配線群Ｓ１，Ｓ２によって伝送される３信号は、２つの信号の電位差によってデータが表現される。例えば、配線群Ｓ１においては、信号配線Ｄ１のレベルと信号配線Ｄ２のレベルの大小関係、信号配線Ｄ１のレベルと信号配線Ｄ３のレベルの大小関係、並びに、信号配線Ｄ２のレベルと信号配線Ｄ３のレベルの大小関係によってデータが表現される。配線群Ｓ２においても同様である。したがって、この例では一度に３ビットのデータを伝送することができる。

そして、このような配線群Ｓ１と配線群Ｓ２との間に本実施形態によるコイル部品１０を挿入することにより、３信号に重畳したコモンモードノイズを除去することができる。ここで、高い信号品質を得るためには、コイル部品１０によって構成される３つのインダクタＬ１〜Ｌ３の伝送特性をできる限り一致させる必要がある。そのためには、３つのインダクタＬ１〜Ｌ３のそれぞれと、インダクタＬＧとの間における容量成分が互いに一致していることが好ましい。例えば、第１のスパイラルコイル４１と第７のスパイラルコイル４７の間の容量成分と、第２のスパイラルコイル４２と第７のスパイラルコイル４７の間の容量成分と、第３のスパイラルコイル４３と第７のスパイラルコイル４７の間の容量成分とがほぼ一致していることが望まれる。第４〜第６のスパイラルコイル４４〜４６と第８のスパイラルコイル４８との間における容量成分についても同様である。

このような特性を実現すべく、本実施形態によるコイル部品１０では、１セットの結合コイルを構成する４つのスパイラルコイルのうち、信号用である３つのスパイラルコイルを同じ配線層において同心円状に巻回するとともに、これら３つのスパイラルコイルの同一ターンを覆うように、グランド用のスパイラルコイルを別の配線層に形成している。

図５は、積層方向におけるスパイラルコイル４１〜４８の部分断面図である。

図５に示すように、第１層に位置する導体層Ｍ１１においては、第１〜第３のスパイラルコイル４１〜４３を構成する導体が互いに沿って同心円状に（３重に）巻回される。図５には各導体が何ターン目の導体であるかが示されており、例えばカッコ書きでｉと表記されているのはｉターン目の導体であることを意味し、カッコ書きでｊと表記されているのはｊターン目の導体であることを意味する。例えば、符号４１（ｉ）と表記されているのは、第１のスパイラルコイル４１のｉターン目を構成する導体であることを意味する。この点は、後述する図８〜図１０、図１２、図１５〜図１７においても同様である。尚、何ターン目であるかは例えば外周端からカウントすればよい。

第２層に位置する導体層Ｍ１２においては、第７のスパイラルコイル４７を構成する導体が平面視で、第１〜第３のスパイラルコイル４１〜４３の同一ターンを構成する導体を覆うように、積層方向に隣接して配置される。例えば、第７のスパイラルコイル４７のｉターンを構成する導体４７（ｉ）は、第１〜第３のスパイラルコイル４１〜４３のｉターンを構成する導体４１（ｉ）〜４３（ｉ）を覆う位置に配置される。

これにより、各ターンにおいて、第１〜第３のスパイラルコイル４１〜４３のそれぞれと第７のスパイラルコイル４７との関係が均一となる。このため、第１のスパイラルコイル４１と第７のスパイラルコイル４７との間の容量成分と、第２のスパイラルコイル４２と第７のスパイラルコイル４７と、第３のスパイラルコイル４３と第７のスパイラルコイル４７との間の容量成分がほぼ等しくなる。

第１〜第３のスパイラルコイル４１〜４３と第７のスパイラルコイル４７との間における上記の関係は、ｉターン目だけでなく、各ターンにおいて成立する。全てのターンにおいて上記の関係が成立することが望ましいが、全てのターンにおいて上記の関係が成立することは必須でなく、所望の特性を満足する限り、一部のターンにおいて上記の関係が成立していなくても構わない。例えば、最外周の一部や最内周の一部など、導体の引き出し部分においては上記の関係を満足することがレイアウト上困難なケースがあるが、このような部分の存在は許容されるものと解釈すべきである。

第４〜第６のスパイラルコイル４４〜４６と第８のスパイラルコイル４８との間における関係についても、第１〜第３のスパイラルコイル４１〜４３と第７のスパイラルコイル４７との間における上記関係と同じであることから、重複する説明は省略し、第１〜第３のスパイラルコイル４１〜４３及び第７のスパイラルコイル４７にのみ着目して説明する。

図５に示すように、第１のスパイラルコイル４１の幅をＷ１とし、第２のスパイラルコイル４２の幅をＷ２とし、第３のスパイラルコイル４３の幅をＷ３とした場合、
Ｗ１＝Ｗ２＝Ｗ３
であることが好ましい。これによれば、信号用に用いられる第１〜第３のスパイラルコイル４１〜４３の断面積が互いに一致することから、直流抵抗のばらつきを無くすことができる。

また、第１のスパイラルコイル４１と第２のスパイラルコイル４２との間隔をＷ０１とし、第２のスパイラルコイル４１と第３のスパイラルコイル４３との間隔をＷ０２とした場合、
Ｗ０１＝Ｗ０２
であることが好ましい。図示しないが、第１のスパイラルコイル４１のｉターンと第３のスパイラルコイル４３のｉ＋１ターンとの間隔についても、間隔Ｗ０１，Ｗ０２と同じであることが好ましい。これによれば、第７のスパイラルコイル４７を介さない、第１〜第３のスパイラルコイル４１〜４３間における容量成分についても均一化することができる。

尚、本発明において、導体の「幅」とは、スパイラルコイルを構成する導体の積層方向における断面の辺であって、ｘｙ平面と平行な辺の長さを指す。また、第１〜第３のスパイラルコイル４１〜４３の厚み（高さ）はＨ１である。本発明において、導体の「厚み」又は「高さ」とは、スパイラルコイルを構成する導体の積層方向における断面の辺であって、ｚ方向における辺の長さを指す。

また、第７のスパイラルコイル４７を構成する導体の幅をＷ７とした場合、
Ｗ１＋Ｗ２＋Ｗ３＜Ｗ７
であり、好ましくは、
Ｗ１＋Ｗ２＋Ｗ３＋Ｗ０１＋Ｗ０２≒Ｗ７
であって、第７のスパイラルコイル４７の幅方向における中心は、第２のスパイラルコイル４２の当該ターンの幅方向における中心と一致していることが好ましい。これによれば、第１〜第３のスパイラルコイル４１〜４３の同一ターンを構成する導体は、第７のスパイラルコイル４７の当該ターンを構成する導体によってほぼ完全に覆われることになる。

さらに、第７のスパイラルコイル４７の厚み（高さ）をＨ７とした場合、
Ｈ１＞Ｈ７
であることが好ましい。これによれば、信号用に用いられる第１〜第３のスパイラルコイル４１〜４３の直流抵抗を低減することができるとともに、積層構造体２０Ａの厚みを薄くすることができ、製品の低背化に寄与する。

次に、図２に示した積層構造体２０Ａの形成方法について説明する。

図６及び図７は、図２に示した積層構造体２０Ａの形成方法を説明するための工程図である。

まず、所定の厚さを持った焼結フェライトなどからなる磁性基板１１を用意し、その上面に絶縁層３１を形成する。次に、図６（ａ）に示すように、絶縁層３１の上面に第１〜第３のスパイラルコイル４１〜４３及び接続導体４０からなる導体層Ｍ１１を形成する。これら導体の形成方法としては、スパッタリング法などの薄膜プロセスを用いて下地金属膜を形成した後、電解メッキ法を用いて所望の膜厚までメッキ成長させることが好ましい。以降に形成する他の導体の形成方法についても同様である。

次に、図６（ｂ）に示すように、導体層Ｍ１１を覆うように、絶縁層３１の上面に絶縁層３２を形成した後、絶縁層３２にスルーホール３２ａ〜３２ｇを形成する。具体的には、スピンコート法によって樹脂材料を塗布した後、フォトリソグラフィー法によって所定のパターンを形成することにより、スルーホール３２ａ〜３２ｇを有する絶縁層３２を形成することができる。以降に形成する絶縁層の形成方法についても同様である。図６（ｂ）に示すスルーホール３２ａ〜３２ｃは、第１〜第３のスパイラルコイル４１〜４３の外周端４１ａ〜４３ａをそれぞれ露出させる位置に形成され、スルーホール３２ｄ〜３２ｆは、第１〜第３のスパイラルコイル４１〜４３の内周端４１ｂ〜４３ｂをそれぞれ露出させる位置に形成され、スルーホール３２ｇは接続導体４０を露出させる位置に形成される。

次に、図６（ｃ）に示すように、絶縁層３２の上面に第７のスパイラルコイル４７及び接続導体５１〜５３，８１〜８３からなる導体層Ｍ１２を形成する。図５を用いて説明したとおり、第７のスパイラルコイル４７の各ターンを構成する導体は、第１〜第３のスパイラルコイル４１〜４３の同一ターンを構成する導体を覆う位置にアライメントされる。また、接続導体５１〜５３は、それぞれスルーホール３２ａ〜３２ｃに対応する位置に形成され、接続導体８１〜８３は、それぞれスルーホール３２ｄ〜３２ｆに対応する位置に形成される。さらに、第７のスパイラルコイル４７の外周端４７ａは、スルーホール３２ｇに対応する位置に形成される。これにより、接続導体５１は第１のスパイラルコイル４１の外周端４１ａに接続され、接続導体５２は第２のスパイラルコイル４２の外周端４２ａに接続され、接続導体５３は第３のスパイラルコイル４３の外周端４３ａに接続される。また、接続導体８１は第１のスパイラルコイル４１の内周端４１ｂに接続され、接続導体８２は第２のスパイラルコイル４２の内周端４２ｂに接続され、接続導体８３は第３のスパイラルコイル４３の内周端４３ｂに接続される。さらに、第７のスパイラルコイル４７の外周端４７ａは、接続導体４０に接続される。

次に、図６（ｄ）に示すように、導体層Ｍ１２を覆うように、絶縁層３２の上面に絶縁層３３を形成した後、絶縁層３３にスルーホール３３ａ〜３３ｈを形成する。図６（ｄ）に示すスルーホール３３ａ〜３３ｆは、それぞれ接続導体５１〜５３，８１〜８３を露出する位置に形成され、スルーホール３３ｇは第７のスパイラルコイル４７の外周端４７ａを露出させる位置に形成され、スルーホール３３ｈは、第７のスパイラルコイル４７の内周端４７ｂを露出させる位置に形成される。

次に、図７（ａ）に示すように、絶縁層３３の上面に第４〜第６のスパイラルコイル４４〜４６と、接続導体６１〜６３，６７，６８，８４からなる導体層Ｍ１３を形成する。第４〜第６のスパイラルコイル４４〜４６の内周端４４ｂ〜４６ｂは、それぞれスルーホール３３ｄ〜３３ｆに対応する位置に形成され、接続導体６１〜６３，６７，８４は、それぞれスルーホール３３ａ，３３ｂ，３３ｃ，３３ｇ，３３ｈに対応する位置に形成される。これにより、第４〜第６のスパイラルコイル４４〜４６の内周端４４ｂ〜４６ｂはそれぞれ接続導体８１〜８３に接続され、接続導体６１〜６３はそれぞれ接続導体５１〜５３に接続され、接続導体６７は第７のスパイラルコイル４７の外周端４７ａに接続され、接続導体８４は第７のスパイラルコイル４７の内周端４７ｂに接続される。

次に、図７（ｂ）に示すように、導体層Ｍ１３を覆うように、絶縁層３３の上面に絶縁層３４を形成した後、絶縁層３４にスルーホール３４ａ〜３４ｉを形成する。図７（ｂ）に示すスルーホール３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｇ，３４ｉ，３４ｈは、それぞれ接続導体６１〜６３，６７，６８，８４を露出する位置に形成され、スルーホール３４ｄは、第４のスパイラルコイル４４の外周端４４ａを露出させる位置に形成され、スルーホール３４ｅは、第５のスパイラルコイル４５の外周端４５ａを露出させる位置に形成され、スルーホール３４ｆは、第６のスパイラルコイル４６の外周端４６ａを露出させる位置に形成される。

次に、図７（ｃ）に示すように、絶縁層３４の上面に第８のスパイラルコイル４８及び接続導体７１〜７７からなる導体層Ｍ１４を形成する。図５を用いて説明したとおり、第８のスパイラルコイル４８の各ターンを構成する導体は、第４〜第６のスパイラルコイル４４〜４６の同一ターンを構成する導体を覆う位置にアライメントされる。また、第８のスパイラルコイル４８の外周端４８ａはスルーホール３４ｉに対応する位置に形成され、第８のスパイラルコイル４８の内周端４８ｂはスルーホール３４ｈに対応する位置に形成され、接続導体７１〜７７は、それぞれスルーホール３４ａ〜３４ｇに対応する位置に形成される。これにより、第８のスパイラルコイル４８の外周端４８ａは接続導体６８に接続され、第８のスパイラルコイル４８の内周端４８ｂは接続導体８４に接続され、接続導体７４は第４のスパイラルコイル４４の外周端４４ａに接続され、接続導体７５は第５のスパイラルコイル４５の外周端４５ａに接続され、接続導体７６は第６のスパイラルコイル４６の外周端４６ａに接続され、接続導体７１〜７３，７７はそれぞれ接続導体６１〜６３，６７に接続される。

次に、図７（ｄ）に示すように、導体層Ｍ１４を覆うように、絶縁層３４の上面に絶縁層３５を形成した後、絶縁層３５にスルーホール３５ａ〜３５ｈを形成する。図７（ｄ）に示す３５ａ〜３５ｇは、それぞれ接続導体７１〜７７を露出する位置に形成され、スルーホール３５ｈは第８のスパイラルコイル４８の外周端４８ａを露出させる位置に形成される。

次に、図７（ｅ）に示すように、絶縁層３５の表面に第１〜第８の端子電極Ｅ１〜Ｅ８を形成する。第１〜第８の端子電極Ｅ１〜Ｅ８の形成方法は、次の通りである。まず、接続導体７１〜７７及び第８のスパイラルコイル４８の外周端４８ａが露出した絶縁層３５の全面に、下地となるＣｕ膜を無電解めっきにより形成する。その後、シートレジストを貼り付け、露光及び現像することにより、第１〜第８の端子電極Ｅ１〜Ｅ８を形成すべき領域にあるシートレジストを選択的に除去し、当該領域のＣｕ膜を露出させる。そして、この状態で肉厚な第１〜第８の端子電極Ｅ１〜Ｅ８を電気めっきにより形成する。その後、シートレジストを除去し、全面をエッチングすることにより不要なＣｕ膜を除去すれば、柱状である第１〜第８の端子電極Ｅ１〜Ｅ８が形成される。

次に、図７（ｆ）に示すように、開口部３６Ｈを有するイオンミリング用マスク３６を形成し、この状態でイオンミリングを行う。これにより、絶縁層３１〜３５にスルーホール３１Ｈ〜３５Ｈが形成され、当該位置において磁性基板１１が露出する。そして、複合フェライトのペーストを全面に形成し、硬化させれば、第１〜第８の端子電極Ｅ１〜Ｅ８の周囲を埋める磁性樹脂層１２と、スルーホール３１Ｈ〜３５Ｈに埋め込まれた磁性樹脂層１３が形成される。その後は、第１〜第８の端子電極Ｅ１〜Ｅ８上の不要な複合フェライトを除去すれば、本実施形態によるコイル部品１０が完成する。

以上説明したように、本実施形態によるコイル部品１０は、３つのスパイラルコイル４１〜４３が１つのスパイラルコイル４７を介して互いに結合し、３つのスパイラルコイル４４〜４６が１つのスパイラルコイル４８を介して互いに結合している。そして、スパイラルコイル４１〜４３のそれぞれとスパイラルコイル４７との関係がほぼ均一であり、且つ、スパイラルコイル４４〜４６のそれぞれとスパイラルコイル４８との関係がほぼ均一であることから、信号用のインダクタＬ１〜Ｌ３がグランド用のインダクタＬＧを介して均一に磁気結合する。このため、３ラインを１セットとする伝送線路に本実施形態によるコイル部品１０を挿入すれば、高い信号品質を確保しつつ、３信号に重畳するコモンモードノイズを除去することができる。

しかも、第１の実施形態による積層構造体２０Ａでは、１セットの結合コイルを構成する４つのスパイラルコイルのうち、３つのスパイラルコイル（例えばスパイラルコイル４１〜４３）を同じ導体層に形成し、１つのスパイラルコイル（例えばスパイラルコイル４７）を別の導体層に形成していることから、導体層の数を少なくすることができる。これにより低背化を実現することが可能となるとともに、製造コストを低減することも可能となる。

尚、上述した第１の実施形態による積層構造体２０Ａでは、第７のスパイラルコイル４７が平面視で第１〜第３のスパイラルコイル４１〜４３を覆う幅広形状を有しているが、本発明がこれに限定されるものではない。したがって、所望の特性を満足する限り、第７のスパイラルコイル４７の導体幅が第１〜第３のスパイラルコイル４１〜４３の導体幅と同等であっても構わない。このような構造を有するいくつかの例を図８〜図１０に示す。

図８に示す例では、第７のスパイラルコイル４７が３つのスパイラルコイル４７−１〜４７−３に分割されている点において、上述した第１の実施形態による積層構造体２０Ａと相違する。第１の共通導体であるスパイラルコイル４７−１の各ターンを構成する導体は、第１のスパイラルコイル４１の同一ターンを構成する導体と平面視で重なり、第２の共通導体であるスパイラルコイル４７−２の各ターンを構成する導体は、第２のスパイラルコイル４２の同一ターンを構成する導体と平面視で重なり、第３の共通導体であるスパイラルコイル４７−３の各ターンを構成する導体は、第３のスパイラルコイル４３の同一ターンを構成する導体と平面視で重なる。このような構成によれば、並列接続された３つのインダクタによってインダクタＬＧが構成されるため、第１の実施形態による積層構造体２０Ａとは異なる特性が得られる。したがって、目的とする特性に応じて、このような構造を採用することも可能である。

図９に示す例では、第７のスパイラルコイル４７が３つのスパイラルコイル４７−１〜４７−３に分割されているとともに、第２のスパイラルコイル４２が第２の導体層Ｍ１２に形成され、スパイラルコイル４７−２が第１の配線層Ｍ１１に形成されている点において、上述した第１の実施形態による積層構造体２０Ａと相違する。本例では、第２のスパイラルコイル４２の膜厚をＨ２とした場合、
Ｈ１＝Ｈ２
であることが好ましい。これによれば、信号用に用いられる第１〜第３のスパイラルコイル４１〜４３の断面積が互いに一致することから、直流抵抗のばらつきを無くすことができる。

また、スパイラルコイル４７−１の各ターンを構成する導体は、第１のスパイラルコイル４１の同一ターンを構成する導体と平面視で重なり、スパイラルコイル４７−２の各ターンを構成する導体は、第２のスパイラルコイル４２の同一ターンを構成する導体と平面視で重なり、スパイラルコイル４７−３の各ターンを構成する導体は、第３のスパイラルコイル４３の同一ターンを構成する導体と平面視で重なる。このような構成によれば、第１〜第３のスパイラルコイル４１〜４３の同一ターンが平面方向において直接隣接しないことから、第１〜第３のスパイラルコイル４１〜４３間における容量成分の影響を低減することができる。

図１０に示す例では、第２のスパイラルコイル４２が第２の導体層Ｍ１２に形成され、スパイラルコイル４７が第２のスパイラルコイル４２の同一ターンと重なるよう、第１の配線層Ｍ１１に形成されている点において、上述した第１の実施形態による積層構造体２０Ａと相違する。換言すれば、図９に示す構成から、スパイラルコイル４７−１，４７−３を削除した構成を有している。このような構成であっても、第１〜第３のスパイラルコイル４１〜４３間における容量成分の影響を低減することができる。

尚、本実施形態においては、共通導体として第７及び第８のスパイラルコイル４７，４８を用いているが、共通導体がスパイラルコイル形状であることは必須でない。

次に、本発明の第２の実施形態について説明する。

図１１はコイル部品１０の別の略分解斜視図であり、特に、第２の実施形態による積層構造体２０Ｂの構造を説明するための図である。図１１において、図２と同じ要素には同じ符号を付し、重複する説明は省略する。

図１１に示す積層構造体２０Ｂにおいても、磁性基板１１側から磁性樹脂層１２側に向かって順に積層された絶縁層３１〜３５を備えており、これら絶縁層３１〜３５間に４つの導体層Ｍ２１〜Ｍ２４が形成されている。

絶縁層３１の表面に形成される第１の導体層Ｍ２１は、第１及び第４のスパイラルコイル９１，９４を含む。第１及び第４のスパイラルコイル９１，９４は、第１のスパイラルコイル９１が外周側、第４のスパイラルコイル９４が内周側となるよう、互いに沿って同心円状に巻回されており、その巻回方向は、いずれも平面視で外周端から内周端に向かって時計回り（右回り）である。第１のスパイラルコイル９１の外周端９１ａは、接続導体１０１，１１１，１２１を介して第１の端子電極Ｅ１に接続される。

絶縁層３２の表面に形成される第２の導体層Ｍ２２は、第２及び第５のスパイラルコイル９２，９５を含む。第２及び第５のスパイラルコイル９２，９５は、第２のスパイラルコイル９２が外周側、第５のスパイラルコイル９５が内周側となるよう、互いに沿って同心円状に巻回されており、その巻回方向は、いずれも平面視で外周端から内周端に向かって時計回り（右回り）である。第２のスパイラルコイル９２の外周端９２ａは、接続導体１１２，１２２を介して第２の端子電極Ｅ２に接続される。

絶縁層３３の表面に形成される第３の導体層Ｍ２３は、第３及び第６のスパイラルコイル９３，９６を含む。第３及び第６のスパイラルコイル９３，９６は、第３のスパイラルコイル９３が外周側、第６のスパイラルコイル９６が内周側となるよう、互いに沿って同心円状に巻回されており、その巻回方向は、いずれも平面視で外周端から内周端に向かって時計回り（右回り）である。第３のスパイラルコイル９３の外周端９３ａは、接続導体１２３を介して第３の端子電極Ｅ３に接続される。

第１のスパイラルコイル９１の内周端９１ｂは、接続導体１３４，１４４，１５４，１６４，１２４を介して第４の端子電極Ｅ４に接続される。これにより、第１のスパイラルコイル９１は、第１の端子電極Ｅ１と第４の端子電極Ｅ４との間に接続されたインダクタ（Ｌ１）を構成する。

第２のスパイラルコイル９２の内周端９２ｂは、接続導体１４５，１５５，１６５，１２５を介して第５の端子電極Ｅ５に接続される。これにより、第２のスパイラルコイル９２は、第２の端子電極Ｅ２と第５の端子電極Ｅ５との間に接続されたインダクタ（Ｌ２）を構成する。

第３のスパイラルコイル９３の内周端９３ｂは、接続導体１５６，１６６，１２６を介して第６の端子電極Ｅ６に接続される。これにより、第３のスパイラルコイル９３は、第３の端子電極Ｅ３と第６の端子電極Ｅ６との間に接続されたインダクタ（Ｌ３）を構成する。

第４〜第６のスパイラルコイル９４〜９６の外周端９４ａ〜９６ａは、接続導体１２７を介して第７の端子電極Ｅ７に共通に接続される。また、第４〜第６のスパイラルコイル９４〜９６の内周端９４ｂ〜９６ｂは、接続導体１５８，１６８，１２８を介して第８の端子電極Ｅ８に共通に接続される。これにより、第４〜第６のスパイラルコイル９４〜９６は、第７の端子電極Ｅ７と第８の端子電極Ｅ８との間に並列に接続された共通導体である３つのインダクタ（ＬＧ）を構成する。

図１１に示す例では、第１〜第６のスパイラルコイル９１〜９６が１セットの結合コイルを構成している。しかしながら、結合コイルの数が１セットであることは必須でなく、２セット以上であっても構わない。本実施形態においては、少なくとも第１〜第３のスパイラルコイル９１〜９３の巻回数は互いに等しい必要がある。

第２の実施形態による積層構造体２０Ｂは、図２に示した第１の実施形態による積層構造体２０Ａとは異なり、１セットの結合コイルを構成する６つのスパイラルコイル９１〜９６のうち、信号用のスパイラルコイル９１〜９３がそれぞれ異なる導体層に形成されている。このため、コイル部品１０の平面サイズを小型化することができる。或いは、１つの導体層に形成するスパイラルコイルの巻回数を多くするか、スパイラルコイルの導体幅を広くすることができる。

図１２は、積層方向におけるスパイラルコイル９１〜９６の部分断面図である。

図１２に示すように、第１層に位置する導体層Ｍ２１においては、第１のスパイラルコイル９１を構成する導体と、第１の共通導体である第４のスパイラルコイル９４を構成する導体とが互いに沿って同心円状に（２重に）巻回され、その断面は交互に配置される。つまり、第１及び第４のスパイラルコイル９１，９４は平面方向に互いに隣接して配置される。第２層に位置する導体層Ｍ２２においては、第２のスパイラルコイル９２を構成する導体と、第２の共通導体である第５のスパイラルコイル９５を構成する導体とが互いに沿って同心円状に（２重に）巻回され、その断面は交互に配置される。つまり、第２及び第５のスパイラルコイル９２，９５は平面方向に互いに隣接して配置される。第３層に位置する導体層Ｍ２３においては、第３のスパイラルコイル９３を構成する導体と、第３の共通導体である第６のスパイラルコイル９６を構成する導体とが互いに沿って同心円状に（２重に）巻回され、その断面は交互に配置される。つまり、第３及び第６のスパイラルコイル９３，９６は平面方向に互いに隣接して配置される。

ここで、第１のスパイラルコイル９１の導体幅をＷ１１、導体厚をＨ１１とし、第２のスパイラルコイル９２の導体幅をＷ１２、導体厚をＨ１２とし、第３のスパイラルコイル９３の導体幅をＷ１３、導体厚をＨ１３とした場合、
Ｗ１１＝Ｗ１２＝Ｗ１３、且つ
Ｈ１１＝Ｈ１２＝Ｈ１３
であることが好ましい。これによれば、第１〜第３のスパイラルコイル９１〜９３の直流抵抗を均一とすることができる。

また、第１のスパイラルコイル９１と第４のスパイラルコイル９４との間隔をＷ０３とし、第２のスパイラルコイル９２と第５のスパイラルコイル９５との間隔をＷ０４とし、第３のスパイラルコイル９３と第６のスパイラルコイル９６との間隔をＷ０５とした場合、
Ｗ０３＝Ｗ０４＝Ｗ０５
であることが好ましい。これによれば、信号用である第１〜第３のスパイラルコイル９１〜９３とグランド用である第４〜第６のスパイラルコイル９４〜９６との関係を均一化することができる。

さらに、第４のスパイラルコイル９４の導体幅をＷ１４とし、第５のスパイラルコイル９５の導体幅をＷ１５とし、第６のスパイラルコイル９６の導体幅をＷ１６とした場合、
Ｗ１４＝Ｗ１５＝Ｗ１６
であることが好ましい。これによれば、
Ｗ０３＝Ｗ０４＝Ｗ０５
という条件を満たすことが可能となる。
第１〜第３のスパイラルコイル９１〜９３の導体幅（Ｗ１１，Ｗ１２，Ｗ１３）と、第４〜第６のスパイラルコイル９４〜９６の導体幅（Ｗ１４，Ｗ１５，Ｗ１６）は互いに一致している必要はなく、第１〜第３のスパイラルコイル９１〜９３の導体幅（Ｗ１１，Ｗ１２，Ｗ１３）をより太くしても構わない。

特に限定されるものではないが、本実施形態においては、第１〜第３のスパイラルコイル９１〜９３の同一ターンを構成する導体、例えば導体９１（ｉ），９２（ｉ），９３（ｉ）を平面視で互いに一致する位置に形成し、且つ、第４〜第６のスパイラルコイル９４〜９６の同一ターンを構成する導体、例えば導体９４（ｉ），９５（ｉ），９６（ｉ）を平面視で互いに一致する位置に形成している。

次に、図１１に示した積層構造体２０Ｂの形成方法について説明する。

図１３及び図１４は、図１１に示した積層構造体２０Ｂの形成方法を説明するための工程図である。

まず、所定の厚さを持った焼結フェライトなどからなる磁性基板１１を用意し、その上面に絶縁層３１を形成する。次に、図１３（ａ）に示すように、絶縁層３１の上面に第１及び第４のスパイラルコイル９１，９４と、接続導体１７１〜１７３からなる導体層Ｍ２１を形成する。

次に、図１３（ｂ）に示すように、導体層Ｍ２１を覆うように、絶縁層３１の上面に絶縁層３２を形成した後、絶縁層３２にスルーホール３２ｊ〜３２ｐを形成する。図１３（ｂ）に示すスルーホール３２ｊ，３２ｋは、第１及び第４のスパイラルコイル９１，９４の外周端９１ａ，９４ａをそれぞれ露出させる位置に形成され、スルーホール３２ｌ，３２ｍは、第１及び第４のスパイラルコイル９１，９４の内周端９１ｂ，９４ｂをそれぞれ露出させる位置に形成され、スルーホール３２ｎ〜３２ｐは、接続導体１７１〜１７３をそれぞれ露出させる位置に形成される。

次に、図１３（ｃ）に示すように、絶縁層３２の上面に第２及び第５のスパイラルコイル９２，９５と、接続導体１０１，１０３，１３３，１３４からなる導体層Ｍ２２を形成する。第２のスパイラルコイル９２の内周端９２ｂ、第５のスパイラルコイル９５の外周端９５ａ及び内周端９５ｂは、それぞれスルーホール３２ｎ，３２ｋ，３２ｍに対応する位置に形成され、接続導体１０１，１０３，１３３，１３４は、スルーホール３２ｊ，３２ｐ，３２ｏ，３２ｌに対応する位置に形成される。これにより、第２のスパイラルコイル９２の内周端９２ｂは、接続導体１７１に接続される。また、第５のスパイラルコイル９５の外周端９５ａ及び内周端９５ｂは、それぞれ第４のスパイラルコイル９４の外周端９４ａ及び内周端９４ｂに接続される。さらに、接続導体１０１，１３４は、それぞれ第１のスパイラルコイル９１の外周端９１ａ及び内周端９１ｂに接続され、接続導体１０３，１３３は、それぞれ接続導体１７３，１７２に接続される。

次に、図１３（ｄ）に示すように、導体層Ｍ２２を覆うように、絶縁層３２の上面に絶縁層３３を形成した後、絶縁層３３にスルーホール３３ｊ〜３３ｑを形成する。図１３（ｄ）に示すスルーホール３３ｑ，３３ｋは、第２及び第５のスパイラルコイル９２，９５の外周端９２ａ，９５ａをそれぞれ露出させる位置に形成され、スルーホール３３ｎ，３３ｍは、第２及び第５のスパイラルコイル９２，９５の内周端９２ｂ，９５ｂをそれぞれ露出させる位置に形成され、スルーホール３３ｊ，３３ｐ，３３ｏ，３３ｌは、接続導体１０１，１０３，１３３，１３４をそれぞれ露出させる位置に形成される。

次に、図１４（ａ）に示すように、絶縁層３３の上面に第３及び第６のスパイラルコイル９３，９６と、接続導体１１１，１１２，１１４，１１６，１１８，１４４，１４５からなる導体層Ｍ２３を形成する。第３のスパイラルコイル９３の外周端９３ａ及び内周端９３ｂ、第６のスパイラルコイル９６の外周端９６ａ及び内周端９６ｂは、それぞれスルーホール３３ｐ，３３ｏ，３３ｋ，３３ｍに対応する位置に形成され、接続導体１１１，１１２，１４４，１４５は、スルーホール３３ｊ，３３ｑ，３３ｌ，３３ｎに対応する位置に形成される。これにより、第３のスパイラルコイル９３の外周端９３ａ及び内周端９３ｂは、それぞれ接続導体１０３，１３３に接続される。また、第６のスパイラルコイル９６の外周端９６ａ及び内周端９６ｂは、それぞれ第５のスパイラルコイル９５の外周端９５ａ及び内周端９５ｂに接続される。さらに、接続導体１１２，１４５は、それぞれ第２のスパイラルコイル９２の外周端９２ａ及び内周端９２ｂに接続され、接続導体１１１，１４４は、それぞれ接続導体１０１，１３４に接続される。

次に、図１４（ｂ）に示すように、導体層Ｍ２３を覆うように、絶縁層３３の上面に絶縁層３４を形成した後、絶縁層３４にスルーホール３４ｊ〜３４ｔを形成する。図１４（ｂ）に示すスルーホール３４ｐ，３４ｋは、第３及び第６のスパイラルコイル９３，９６の外周端９３ａ，９６ａをそれぞれ露出させる位置に形成され、スルーホール３４ｏ，３４ｍは、第３及び第６のスパイラルコイル９３，９６の内周端９３ｂ，９６ｂをそれぞれ露出させる位置に形成され、スルーホール３４ｊ，３４ｑ，３４ｒ，３４ｓ，３４ｔ，３４ｌ，３４ｎは、接続導体１１１，１１２，１１４，１１６，１１８，１４４，１４５をそれぞれ露出させる位置に形成される。

次に、図１４（ｃ）に示すように、絶縁層３４の上面に接続導体１２１〜１２８，１５４〜１５６，１５８，１６４〜１６６，１６８からなる導体層Ｍ２４を形成する。ここで、接続導体１６４は、接続導体１２４，１５４間を接続するものであり、接続導体１６５は、接続導体１２５，１５５間を接続するものであり、接続導体１６６は、接続導体１２６，１５６間を接続するものであり、接続導体１６８は、接続導体１２８，１５８間を接続するものである。また、接続導体１２１〜１２４，１２６〜１２８，１５４〜１５６，１５８は、それぞれスルーホール３４ｊ，３４ｑ，３４ｐ，３４ｒ，３４ｓ，３４ｋ，３４ｔ，３４ｌ，３４ｎ，３４ｏ，３４ｍに対応する位置に形成される。これにより、接続導体１２３，１５６は、それぞれ第３のスパイラルコイル９３の外周端９３ａ及び内周端９３ｂに接続される。また、接続導体１２７，１５８は、それぞれ第６のスパイラルコイル９６の外周端９６ａ及び内周端９６ｂに接続される。さらに、接続導体１２１，１２２，１２４，１２６，１２８，１５４，１５５は、それぞれ接続導体１１１，１１２，１１４，１１６，１１８，１４４，１４５に接続される。

その後の工程は、図７（ｄ）〜（ｆ）を用いて説明した工程と同じである。つまり、図１４（ｄ）に示すように、導体層Ｍ２４を覆うように、絶縁層３４の上面に絶縁層３５を形成した後、絶縁層３５にスルーホール３５ａ〜３５ｈを形成する。次に、図１４（ｅ）に示すように、絶縁層３５の表面に第１〜第８の端子電極Ｅ１〜Ｅ８を形成する。さらに、図１４（ｆ）に示すように、開口部３６Ｈを有するイオンミリング用マスク３６を形成し、この状態でイオンミリングを行う。そして、複合フェライトのペーストを全面に形成し、硬化させれば、第１〜第８の端子電極Ｅ１〜Ｅ８の周囲を埋める磁性樹脂層１２と、スルーホール３１Ｈ〜３５Ｈに埋め込まれた磁性樹脂層１３が形成される。その後は、第１〜第８の端子電極Ｅ１〜Ｅ８上の不要な複合フェライトを除去すれば、本実施形態によるコイル部品１０が完成する。

以上説明したように、本実施形態によるコイル部品１０は、３つのスパイラルコイル９１〜９３がそれぞれに対応する３つのスパイラルコイル９４〜９６を介して互いに結合している。そして、スパイラルコイル９１〜９３とスパイラルコイル９４〜９６との関係がほぼ均一であり、且つ、スパイラルコイル９４〜９６が短絡されていることから、３つのスパイラルコイル９１〜９３が互いにほぼ均一に結合する。このため、３ラインを１セットとする伝送線路に本実施形態によるコイル部品１０を挿入すれば、高い信号品質を確保しつつ、３信号に重畳するコモンモードノイズを除去することができる。

しかも、第２の実施形態による積層構造体２０Ｂでは、信号用のスパイラルコイル９１〜９３がそれぞれ異なる導体層Ｍ２１〜Ｍ２３に形成されていることから、各スパイラルコイルの巻回数を多くするか、或いは、導体幅を太くすることが可能となる。

以下、第２の実施形態による積層構造体２０Ｂのいくつかの変形例を図１５〜図１７に示す。

図１５に示す例では、第４〜第６のスパイラルコイル９４〜９６の同一ターンを構成する導体がスルーホール導体９７，９８を介して短絡されている。これにより、グランド用である３つのスパイラルコイル９４〜９６が１つのスパイラルコイルと等価になることから、第２の実施形態による積層構造体２０Ｂとは異なる特性を得ることができる。したがって、目的とする特性に応じて、このような構造を採用することも可能である。

図１６に示す例では、第１、第３及び第５のスパイラルコイル９１，９３，９５の同一ターンを構成する導体が平面視で重なり、第２、第４及び第６のスパイラルコイル９２，９４，９６の同一ターンを構成する導体が平面視で重なる。換言すれば、図１２に示す構成から、第２のスパイラルコイル９２と第５のスパイラルコイル９５の位置を入れ替えた構成を有している。このような構成によれば、第１〜第３のスパイラルコイル９１〜９３が積層方向において直接隣接しないことから、第１〜第３のスパイラルコイル９１〜９３間における容量成分の影響を低減することができる。

図１７に示す例は、図１６に示す構成から、第４及び第６のスパイラルコイル９４，９６を削除した構成を有している。このような構成であっても、第１〜第３のスパイラルコイル９１〜９３間における容量成分の影響を低減することができる。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。

例えば、上述した実施形態では、端子電極Ｅ１〜Ｅ８が磁性樹脂層１２に埋め込まれたバンプ形状を有しているが、本発明において端子電極の形状や構造がこれに限定されるものではない。したがって、基体の表面に銀ペーストなどを焼き付けてなる端子電極を用いても構わないし、基体に端子金具を接着してなる端子電極を用いても構わない。

また、上述した実施形態では、グランド用に２つの端子電極Ｅ７，Ｅ８を用いているが、グランド用に２つの端子電極を用いることは必須でなく、１つの端子電極のみを用いても構わない。つまり、本発明によるコイル部品は７端子構成であっても構わない。

さらに、上述した実施形態では、グランド用の端子電極Ｅ７，Ｅ８をグランド配線に接続する例について説明したが、グランド配線の代わりに、所定の電位が供給される電源配線に端子電極Ｅ７，Ｅ８を接続しても構わない。

２ 回路基板
１０ コイル部品
１０Ａ 搭載領域
１１ 磁性基板
１２，１３ 磁性樹脂層
２０（２０Ａ，２０Ｂ） 積層構造体
３１〜３５ 絶縁層
３１Ｈ〜３５Ｈ スルーホール
３２ａ〜３２ｇ，３２ｊ〜３２ｐ，３３ａ〜３３ｈ，３３ｊ〜３３ｑ，３４ａ〜３４ｔ，３５ａ〜３５ｈ スルーホール
３６ イオンミリング用マスク
３６Ｈ 開口部
４１〜４８，９１〜９６ スパイラルコイル
４１ａ〜４８ａ，９１ａ〜９６ａ 外周端
４１ｂ〜４８ｂ，９１ｂ〜９６ｂ 内周端
４０，５１〜５３，６１〜６３，６７，６８，７１〜７７，８１〜８４，１０１，１０３，１１１，１１２，１１４，１１６，１１８，１２１〜１２８，１３３，１３４，１４４，１４５，１５４〜１５６，１５８，１６４〜１６６，１６８，１７１〜１７３ 接続導体
９７，９８ スルーホール導体
Ｄ１〜Ｄ６ 信号配線
Ｅ１〜Ｅ８ 端子電極
Ｌ１〜Ｌ３，ＬＧ インダクタ
Ｍ１１〜Ｍ１４，Ｍ２１〜Ｍ２４ 導体層
Ｐ１〜Ｐ８ ランドパターン
Ｓ１，Ｓ２ 配線群

Claims (10)

1. 絶縁膜を介して積層され、互いに巻回数の等しい第１、第２及び第３のスパイラルコイルと共通導体が形成された複数の導体層と、
   前記第１、第２及び第３のスパイラルコイルの一端にそれぞれ接続された第１、第２及び第３の端子電極と、
   前記第１、第２及び第３のスパイラルコイルの他端にそれぞれ接続された第４、第５及び第６の端子電極と、
   前記共通導体に接続された第７の端子電極と、を備え、
   前記第１、第２及び第３のスパイラルコイルの各ターンを構成する導体は、いずれも前記共通導体に隣接しており、
   前記複数の導体層は、前記第１、第２及び第３のスパイラルコイルが形成された第１の導体層と、前記共通導体が形成された第２の導体層を含み、
   前記第１、第２及び第３のスパイラルコイルは、前記第１の導体層において同心円状に巻回されており、
   前記共通導体は、積層方向から見た平面視で、前記第１のスパイラルコイルと重なる第１の共通導体と、前記第２のスパイラルコイルと重なる第２の共通導体と、前記第３のスパイラルコイルと重なる第３の共通導体とを含むことを特徴とするコイル部品。
2. 前記第１、第２及び第３のスパイラルコイルを構成する導体の導体厚は、前記共通導体を構成する導体の導体厚よりも厚いことを特徴とする請求項１に記載のコイル部品。
3. 絶縁膜を介して積層され、互いに巻回数の等しい第１、第２及び第３のスパイラルコイルと共通導体が形成された複数の導体層と、
   前記第１、第２及び第３のスパイラルコイルの一端にそれぞれ接続された第１、第２及び第３の端子電極と、
   前記第１、第２及び第３のスパイラルコイルの他端にそれぞれ接続された第４、第５及び第６の端子電極と、
   前記共通導体に接続された第７の端子電極と、を備え、
   前記第１、第２及び第３のスパイラルコイルの各ターンを構成する導体は、いずれも前記共通導体に隣接しており、
   前記複数の導体層は、前記第１及び第３のスパイラルコイルが形成された第１の導体層と、前記第２のスパイラルコイルが形成された第２の導体層とを含み、
   前記共通導体は、少なくとも前記第１の導体層に設けられ積層方向から見た平面視で前記第２のスパイラルコイルと重なる部分を有していることを特徴とするコイル部品。
4. 前記共通導体は、前記第２の導体層に設けられ積層方向から見た平面視で前記第１のスパイラルコイルと重なる第１の共通導体と、前記第１の導体層に設けられ積層方向から見た平面視で前記第２のスパイラルコイルと重なる第２の共通導体と、前記第２の導体層に設けられ積層方向から見た平面視で前記第３のスパイラルコイルと重なる第３の共通導体とを含むことを特徴とする請求項２に記載のコイル部品。
5. 絶縁膜を介して積層され、互いに巻回数の等しい第１、第２及び第３のスパイラルコイルと共通導体が形成された複数の導体層と、
   前記第１、第２及び第３のスパイラルコイルの一端にそれぞれ接続された第１、第２及び第３の端子電極と、
   前記第１、第２及び第３のスパイラルコイルの他端にそれぞれ接続された第４、第５及び第６の端子電極と、
   前記共通導体に接続された第７の端子電極と、を備え、
   前記第１、第２及び第３のスパイラルコイルの各ターンを構成する導体は、いずれも前記共通導体に隣接しており、
   前記複数の導体層は、前記第１のスパイラルコイルが形成された第１の導体層と、前記第２のスパイラルコイルが形成された第２の導体層と、前記第３のスパイラルコイルが形成された第３の導体層とを含み、
   前記共通導体は、少なくとも前記第２の導体層に形成されていることを特徴とするコイル部品。
6. 前記共通導体は、前記第１の導体層において前記第１のスパイラルコイルと同心円状に巻回された第１の共通導体と、前記第２の導体層において前記第２のスパイラルコイルと同心円状に巻回された第２の共通導体と、前記第３の導体層において前記第３のスパイラルコイルと同心円状に巻回された第３の共通導体とを含むことを特徴とする請求項５に記載のコイル部品。
7. 前記第１、第２及び第３のスパイラルコイルは積層方向から見た平面視で互いに重なり、前記第１、第２及び第３の共通導体は積層方向から見た平面視で互いに重なることを特徴とする請求項６に記載のコイル部品。
8. 前記第１のスパイラルコイル、前記第２の共通導体及び前記第３のスパイラルコイルは積層方向から見た平面視で互いに重なり、前記第１の共通導体、前記第２のスパイラルコイル及び前記第３の共通導体は積層方向から見た平面視で互いに重なることを特徴とする請求項６に記載のコイル部品。
9. 前記第１、第２及び第３のスパイラルコイルを構成する導体の断面積は、互いに等しいことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載のコイル部品。
10. 第１乃至第６の信号配線とグランド配線が形成された回路基板と、
    前記回路基板に搭載された請求項１乃至９のいずれか一項に記載のコイル部品と、を備える電子回路であって、
    前記コイル部品の前記第１乃至第６の端子電極は、前記回路基板の前記第１乃至第６の信号配線にそれぞれ接続され、
    前記コイル部品の前記第７の端子電極は、前記回路基板の前記グランド配線に接続されていることを特徴とする電子回路。

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