JP6264300B2 - 重合体、樹脂組成物及び膜形成方法 - Google Patents

Description

本発明は、重合体、樹脂組成物及び膜形成方法に関する。

エンジニアリングプラスチックは、ガラス転移温度及び熱分解温度が共に高く、高い耐熱性を有する重合体である。これらのうち、透明性を有するものは、高耐熱性が要求される所での光学材料として用いられている。

かかる重合体には、優れた耐熱性及び光学特性に加え、用途に応じた諸性能の向上が必要になるため、種々の改良が検討されている。芳香族ポリスルホンでは、ポリシロキサン構造を重合体鎖中に導入することによって、摩擦係数を小さくすることができ、摺動材料として利用することが可能になるとされている（特開平５−１４０３１０号公報参照）。

しかし、このような重合体は、耐熱性には優れるものの、溶融粘度が高く、流動性が低いことから、成形時の残留応力が高くなり、使用時にクラックが発生するおそれがある等の不都合がある。上記従来の重合体ではこの不都合を解消できておらず、また、ポリシロキサン構造等の導入によって残留応力の低減を図ると、耐熱性が低下してしまい、これらを両立させることができていない。

特開平５−１４０３１０号公報

本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、高い耐熱性を維持しつつ、残留応力が低減された重合体を提供することである。

上記課題を解決するためになされた発明は、
下記式（１）で表される第１構造単位（以下、「構造単位（ｉ）」ともいう）を含む重合体（以下、「重合体（Ｉ）」ともいう）である。

（式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立して、炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数６〜１５のアリール基である。ｎは、５〜１００の整数である。複数のＲ^１及びＲ^２は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立して、単結合又は炭素数１〜１２の２価の有機基である。Ｘは、下記式（１ａ）又は（１ｂ）で表される２価の基である。）

（式（１ａ）及び（１ｂ）中、Ｒ^５は、炭素数１〜１２の１価の有機基である。ａは、０〜３の整数である。Ｒ^５が複数の場合、複数のＲ^５は同一でも異なっていてもよい。Ｒ^６は、シアノ基、ニトロ基又はホルミル基である。）

本発明の樹脂組成物（以下、「樹脂組成物（Ａ）」ともいう）は、当該重合体（Ｉ）、及び有機溶媒（以下、「有機溶媒（ＩＩ）」ともいう）を含有する。

本発明の膜形成方法は、
当該樹脂組成物で塗膜を形成する工程、及び
上記塗膜から有機溶媒を除去する工程
を有する。

ここで、「有機基」とは、少なくとも１個の炭素原子を含む基をいう。
また、「鎖状炭化水素基」とは、環状構造を含まず、鎖状構造のみで構成された炭化水素基を意味し、直鎖状炭化水素基及び分岐状炭化水素基の双方を含むものとする。「脂環式炭化水素基」とは、環構造としては脂環式炭化水素の構造のみを含み、芳香環構造を含まない炭化水素基を意味する。但し、脂環式炭化水素の構造のみで構成されている必要はなく、その一部に鎖状構造を含んでいてもよい。「芳香族炭化水素基」とは、環構造として、芳香環構造を含む炭化水素基を意味する。但し、芳香環構造のみで構成されている必要はなく、その一部に鎖状構造や脂環式炭化水素の構造を含んでいてもよい。

本発明の重合体は、高い耐熱性を維持しつつ、残留応力が低減されている。本発明の樹脂組成物によれば、耐熱性が高く残留応力が低減され、かつ白濁や荒れの少ない均一な膜を形成することができる。本発明の膜形成方法によれば、そのような膜を容易に形成することができる。従って、これらは、導光板、偏光板、ディスプレイ用フィルム、光ディスク用フィルム、透明導電性フィルム、導波路板、プリント配線基板、絶縁膜などのフィルムの製造に好適に用いることができる。

＜重合体（Ｉ）＞
当該重合体（Ｉ）は、構造単位（ｉ）を含む重合体である。
重合体（Ｉ）は、耐熱性及び光透過性に優れ、また、残留応力が低減されているので、導光板、偏光板、ディスプレイ用フィルム、光ディスク用フィルム、透明導電性フィルム、導波路板、プリント配線基板などのフィルムの原料として好適に用いることができる。特に、薄膜形成が必要な各種フィルムコンデンサ、絶縁膜、保護膜の原料として好適に用いることができる。

重合体（Ｉ）は、構造単位（ｉ）以外に、後述する第２構造単位（以下、「構造単位（ｉｉ）」ともいう）及び／又は第３構造単位（以下、「構造単位（ｉｉｉ）」ともいう）を含むことが好ましい。また、重合体（Ｉ）は、本発明の効果を損なわない範囲において、これらの構造単位以外のその他の構造単位を含んでいてもよい。以下、各構造単位について説明する。

［構造単位（ｉ）］
構造単位（ｉ）は、下記式（１）で表される。当該重合体は、構造単位（ｉ）を含むことで、高い耐熱性を維持しつつ、残留応力を低減することができる。重合体（Ｉ）が構造単位（ｉ）を含むことで、高い耐熱性を維持すると共に残留応力を低減できる理由については必ずしも明確ではないが、例えば、以下のように推察することができる。すなわち、重合体（Ｉ）は、構造単位（ｉ）のポリシロキサン鎖の存在により、分子鎖に柔軟性が付与され残留応力が低減される。一方で、このポリシロキサン鎖に隣接するＸを上記式（１ａ）又は（１ｂ）の特定構造を有する基とすることで、重合体（Ｉ）の結晶構造が強固に維持される。これらの結果、重合体（Ｉ）の耐熱性を維持することができると考えられる。

上記式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立して、炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数６〜１５のアリール基である。ｎは、５〜１００の整数である。複数のＲ^１及びＲ^２は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立して、単結合又は炭素数１〜１２の２価の有機基である。Ｘは、下記式（１ａ）又は（１ｂ）で表される２価の基（以下、「Ｘ基」ともいう）である。

上記式（１ａ）及び（１ｂ）中、Ｒ^５は、炭素数１〜１２の１価の有機基である。ａは、０〜３の整数である。Ｒ^５が複数の場合、複数のＲ^５は同一でも異なっていてもよい。Ｒ^６は、シアノ基、ニトロ基又はホルミル基である。

上記Ｒ^１及びＲ^２で表される炭素数１〜４のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられる。上記Ｒ^１及びＲ^２で表される炭素数６〜１５のアリール基としては、例えば、フェニル基、ベンジル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等が挙げられる。上記Ｒ^１及びＲ^２としては、これらの中で、重合体（Ｉ）の残留応力をより低減する観点から、アルキル基が好ましく、メチル基がより好ましい。

上記式（ｉ）の−Ｓｉ（Ｒ^１）（Ｒ^２）−で表される基としては、例えばジメチルシランジイル基、ジフェニルシランジイル基、メチルフェニルシランジイル基等が挙げられる。これらの中で、重合体（Ｉ）の残留応力をより低減する観点から、ジメチルシランジイル基、ジフェニルシランジイル基が好ましく、ジメチルシランジイル基がより好ましい。

上記式（ｉ）において、−Ｓｉ（Ｒ^１）（Ｒ^２）−で表される基が互いに異なるものを含む場合、それぞれの基は、ブロックを形成するように配置していてもよく、ランダムに配置していてもよいが、重合体（Ｉ）の残留応力をより低減する観点からは、ランダムに配置することが好ましい。

上記ｎの下限としては、５であり、１０が好ましく、２５がより好ましく、５０がさらに好ましい。一方、上記ｎの上限としては、１００であり、９０が好ましく、８０がより好ましく、７０がさらに好ましい。ｎが上記下限未満だと、重合体（Ｉ）の残留応力が低減されない。ｎが上記上限を超えると、重合体（Ｉ）の耐熱性が低下する。

上記Ｒ^３及びＲ^４で表される炭素数１〜１２の２価の有機基としては、例えば、炭素数１〜１２の２価の炭化水素基、酸素原子及び窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも１種の原子を含む炭素数１〜１２の２価の有機基等が挙げられる。

上記炭素数１〜１２の２価の炭化水素基としては、例えば、炭素数１〜１２の２価の鎖状炭化水素基、炭素数３〜１２の２価の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１２の２価の芳香族炭化水素基等が挙げられる。

上記炭素数１〜１２の２価の鎖状炭化水素基としては、例えば、
メタンジイル基、エタンジイル基、プロパンジイル基、ブタンジイル基、ペンタンジイル基等のアルカンジイル基；
エテンジイル基、プロペンジイル基、ブテンジイル基、ペンテンジイル基等のアルケンジイル基；
エチンジイル基、プロピンジイル基、ブチンジイル基、ペンチンジイル基等のアルキンジイル基などが挙げられる。

上記鎖状炭化水素基の炭素数としては、１〜８が好ましく、１〜５がより好ましい。

上記炭素数３〜１２の２価の脂環式炭化水素基としては、例えば、
シクロプロパンジイル基、シクロブタンジイル基、シクロペンタンジイル基、シクロヘキサンジイル基、ノルボルナンジイル基、アダマンタンジイル基等のシクロアルカンジイル基；
シクロプロペンジイル基、シクロブテンジイル基、シクロペンテンジイル基、ノルボルネンジイル基等のシクロアルケンジイル基などが挙げられる。

上記脂環式炭化水素基の炭素数としては３〜８が好ましく、３又は４がより好ましい。

上記炭素数６〜１２の２価の芳香族炭化水素基としては、例えば、
ベンゼンジイル基、トルエンジイル基、キシレンジイル基、ナフタレンジイル基等のアレーンジイル基；
ベンゼンジイルメタンジイル基、ベンゼンジイルエタンジイル基、ナフタレンジイルメタンジイル基等のアレーンジイルアルカンジイル基などが挙げられる。

上記酸素原子を含む炭素数１〜１２の２価の有機基としては、水素原子、炭素原子及び酸素原子からなる有機基が挙げられ、エーテル結合、カルボニル基又はエステル結合と、炭化水素基とからなる炭素数１〜１２の２価の有機基等が挙げられる。

上記エーテル結合を有する炭素数１〜１２の２価の有機基としては、例えば、メタンジイルオキシ基、エタンジイルオキシ基、プロパンジイルオキシ基、ブタンジイルオキシ基、シクロヘキサンジイルオキシ基等のアルカンジイルオキシ基；エテンジイルオキシ基、プロペンジイルオキシ基等のアルケンジイルオキシ基；エチンジイルオキシ基等のアルキンジイルオキシ基；ベンゼンジイルオキシ基等のアレーンジイルオキシ基；メタンジイルオキシメタンジイル基等のアルカンジイルオキシアルカンジイル基などが挙げられる。

上記カルボニル基を有する炭素数１〜１２の２価の有機基としては、例えば、メタンジイルカルボニル基、プロパンジイルカルボニル基、ブタンジイルカルボニル基等のアルカンジイルカルボニル基；ベンゼンジイルカルボニル基等のアレーンジイルカルボニル基；メタンジイルカルボニルメタンジイル基等のアルカンジイルカルボニルアルカンジイル基などが挙げられる。

上記エステル結合を有する炭素数１〜１２の２価の有機基としては、例えば、メタンジイルカルボニルオキシ基、プロパンジイルカルボニルオキシ基、ブタンジイルカルボニルオキシ基等のアルカンジイルカルボニルオキシ基；ベンゼンジイルカルボニルオキシ基等のアレーンジイルカルボニルオキシ基；メタンジイルカルボニルオキシメタンジイル基等のアルカンジイルカルボニルオキシアルカンジイル基などが挙げられる。

窒素原子を含む炭素数１〜１２の２価の有機基としては、例えば、水素原子、炭素原子及び窒素原子からなる有機基等が挙げられ、シアノ基、イミダゾール基、トリアゾール基、ベンズイミダゾール基、ベンズトリアゾール基等を含む有機基などが挙げられる。

酸素原子及び窒素原子を含む炭素数１〜１２の２価の有機基としては、例えば、水素原子、炭素原子、酸素原子及び窒素原子からなる有機基等が挙げられ、オキサゾール基、オキサジアゾール基、ベンズオキサゾール基、ベンズオキサジアゾール基等を含む有機基などが挙げられる。

上記Ｒ^３及びＲ^４としては、重合体（Ｉ）の耐熱性がより高く維持でき、かつ残留応力をより低減できる観点からは、単結合、鎖状炭化水素基、芳香族炭化水素基が好ましく、鎖状炭化水素基がより好ましく、炭素数１〜５の鎖状炭化水素基がさらに好ましく、プロパンジイル基が特に好ましい。

［Ｘ基］
上記Ｘの式（１ａ）におけるＲ^５で表される炭素数１〜１２の１価の有機基としては、例えば、炭素数１〜１２の１価の炭化水素基、酸素原子及び窒素原子からなる群より選ばれる少なくとも１種の原子を含む炭素数１〜１２の１価の有機基等が挙げられる。

上記炭素数１〜１２の１価の炭化水素基としては、例えば、炭素数１〜１２の１価の鎖状炭化水素基、炭素数３〜１２の１価の脂環式炭化水素基、炭素数６〜１２の１価の芳香族炭化水素基等が挙げられる。

上記炭素数１〜１２の１価の鎖状炭化水素基としては、例えば、
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基等のアルキル基；
エテニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基等のアルケニル基；
エチニル基、プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル基等のアルキニル基などが挙げられる。

上記鎖状炭化水素基の炭素数としては、１〜８が好ましく、１〜５がより好ましい。

上記炭素数３〜１２の１価の脂環式炭化水素基としては、例えば、
シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基等のシクロアルキル基；
シクロプロペニル基、シクロブテニル基、シクロペンテニル基、ノルボルネニル基等のシクロアルケニル基などが挙げられる。

上記脂環式炭化水素基の炭素数としては３〜８が好ましく、３又は４がより好ましい。

上記炭素数６〜１２の２価の芳香族炭化水素基としては、例えば、
フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基；
ベンジル基、フェネチル基、ナフチルメチル基等のアラルキル基などが挙げられる。

上記酸素原子を含む炭素数１〜１２の１価の有機基としては、水素原子、炭素原子及び酸素原子からなる有機基が挙げられ、エーテル結合、カルボニル基又はエステル結合と、炭化水素基とからなる炭素数１〜１２の１価の有機基等が挙げられる。

上記エーテル結合を有する炭素数１〜１２の１価の有機基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、シクロヘキシルオキシ基等のアルコキシ基；エテニルオキシ基、プロペニルオキシ基等のアルケニルオキシ基；エチニルオキシ基等のアルキニルオキシ基；フェノキシ基等のアリールオキシ基；メトキシメチル基等のアルコキシアルキル基などが挙げられる。

上記カルボニル基を有する炭素数１〜１２の１価の有機基としては、例えばアセチル基、プロピオニル基、イソプロピオニル基、ベンゾイル基等のアシル基などが挙げられる。

上記エステル結合を有する炭素数１〜１２の１価の有機基としては、例えば、アセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、イソプロピオニルオキシ基、ベンゾイルオキシ基等のアシルオキシ基などが挙げられる。

上記Ｒ^５としては、鎖状炭化水素基が好ましく、炭素数１〜５の鎖状炭化水素基がより好ましく、メチル基、エチル基がさらに好ましい。

上記ａとしては、０〜２の整数が好ましく、０又は１がより好ましく、０がさらに好ましい。

上記式（１ｂ）におけるＲ^６としては、シアノ基、ニトロ基が好ましく、シアノ基がより好ましい。

上記Ｘとしては、ガラス転移温度がより向上する観点から、上記式（１ａ）で表される２価の基が好ましい。

構造単位（ｉ）としては、例えば、下記式（ｉ−１）〜（ｉ−５）で表される構造単位等が挙げられる。

上記式（１−１）、（１−３）及び（１−４）中、ｎは、上記式（１）と同義である。
上記式（１−２）中、ｎ１及びｎ２は、それぞれ独立して、１〜１００の整数である。但し、５≦ｎ１＋ｎ２≦１００を満たす。ｒは、両隣のシロキサン単位がランダムに配置していることを示す。
上記式（１−５）中、ｎ３及びｎ４は、それぞれ独立して、１〜１００の整数である。但し、５≦ｎ３＋ｎ４≦１００を満たす。ｂは、両隣のシロキサン単位がそれぞれブロックを形成していることを示す。

これらの中で、重合体（Ｉ）の耐熱性がより高くなり、かつ残留応力がより低減できる観点から、上記式（１−１）で表される構造単位、上記式（１−４）で表される構造単位が好ましく、ガラス転移温度がさらに高くなる観点から、上記式（１−１）で表される構造単位がより好ましい。

［構造単位（ｉｉ）］
構造単位（ｉｉ）は、下記式（２）で表される構造単位（以下、「構造単位（ｉｉ−１）」ともいう）及び下記式（３）で表される構造単位（以下、「構造単位（ｉｉ−２）」ともいう）からなる群より選ばれる少なくとも１種の構造単位である。重合体（Ｉ）は、構造単位（ｉｉ）を含むことで、耐熱性及び光学特性をより向上させることができる。

（構造単位（ｉｉ−１））
構造単位（ｉｉ−１）は、下記式（２）で表される構造単位である。

上記式（２）中、Ｒ^７〜Ｒ^１０は、それぞれ独立して、炭素数１〜１２の１価の有機基である。但し、Ｒ^７〜Ｒ^１０の有機基は、鎖状炭化水素基又は脂環式炭化水素基を含む場合はない。ｂ〜ｅは、それぞれ独立して、０〜４の整数である。Ｒ^１１は、炭素数１〜１２の１価の有機基である。ｆは、０〜３の整数である。Ｒ^７〜Ｒ^１１がそれぞれ複数の場合、複数のＲ^７〜Ｒ^１１はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^１２は、シアノ基、ニトロ基又はホルミル基である。

上記Ｒ^７〜Ｒ^１０で表される炭素数１〜１２の１価の有機基（但し、鎖状炭化水素基又は脂環式炭化水素基を含む有機基を除く）としては、例えば、上記式（１ａ）のＲ^５として例示した有機基のうち、鎖状炭化水素基又は脂環式炭化水素基を含むものを除いた基等が挙げられる。
これらの中で、芳香族炭化水素基が好ましく、フェニル基がより好ましい。

上記Ｒ^１１で表される炭素数１〜１２の１価の有機基としては、例えば、上記式（１ａ）のＲ^５として例示した有機基と同様の基等が挙げられる。
これらの中で、炭化水素基が好ましく、鎖状炭化水素基、芳香族炭化水素基がより好ましく、メチル基、エチル基、フェニル基がさらに好ましい。

Ｒ^１２としては、シアノ基、ニトロ基が好ましく、シアノ基がより好ましい。

（構造単位（ｉｉ−２））
構造単位（ｉｉ−２）は、下記式（３）で表される構造単位である。

上記式（３）中、Ｒ^１３〜Ｒ^１６は、それぞれ独立して、炭素数１〜１２の１価の有機基である。但し、Ｒ^１３〜Ｒ^１６の有機基は、鎖状炭化水素基又は脂環式炭化水素基を含む場合はない。Ｒ^1７及びＲ^1８は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、ニトロ基又は炭素数１〜１２の１価の有機基である。ｇ〜ｌは、それぞれ独立して、０〜４の整数である。Ｒ^１３〜Ｒ^１８がそれぞれ複数の場合、複数のＲ^１３〜Ｒ^１８はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｙは、単結合、−ＳＯ_２−又は−ＣＯ−である。ｍは、０又は１である。但し、ｍが０の場合、Ｒ^１８はニトロ基及びシアノ基のいずれでもない。

上記Ｒ^１３〜Ｒ^１６で表される炭素数１〜１２の１価の有機基（但し、鎖状炭化水素基又は脂環式炭化水素基を含む有機基を除く）としては、例えば、上記式（２）のＲ^７〜Ｒ^１０として例示した有機基と同様の基等が挙げられる。
これらの中で、芳香族炭化水素基が好ましく、フェニル基がより好ましい。

Ｒ^1７及びＲ^1８で表されるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。これらの中で、フッ素原子、塩素原子が好ましく、フッ素原子がより好ましい。

上記Ｒ^1７及びＲ^1８で表される炭素数１〜１２の１価の有機基としては、例えば、上記式（ｉ）のＲ^５として例示した有機基と同様の基等が挙げられる。

上記Ｒ^1７及びＲ^1８としては、ハロゲン原子、有機基が好ましく、有機基がより好ましく、鎖状炭化水素基がさらに好ましく、メチル基が特に好ましい。

上記ｇ〜ｌとしては、０〜２の整数が好ましく、０又は１がより好ましく、０がさらに好ましい。

上記Ｙとしては、単結合、−ＣＯ−が好ましい。
上記ｍとしては、１が好ましい。

［構造単位（ｉｉｉ）］
構造単位（ｉｉｉ）は、下記式（４）で表される構造単位「以下、構造単位（ｉｉｉ−１）」ともいう）及び下記式（５）で表される構造単位（以下、「構造単位（ｉｉｉ−２）」ともいう）からなる群より選ばれる少なくとも１種の構造単位である。重合体（Ｉ）は、構造単位（ｉｉｉ）をさらに含むことで、ケイ素の含有量を低減することが可能になる。

（構造単位（ｉｉｉ−１））
構造単位（ｉｉｉ−１）は、下記式（４）で表される構造単位である。

上記式（４）中、Ｒ^１９は、炭素数１〜１２の１価の有機基である。但し、Ｒ^１９の有機基は、鎖状炭化水素基又は脂環式炭化水素基を含む場合はない。ｏは、０〜３の整数である。Ｒ^１９が複数の場合、複数のＲ^１９は同一でも異なっていてもよい。Ａｒは、下記式（４ａ）、（４ｂ）及び（４ｃ）からなる群より選ばれる少なくとも１種で表される２価の基である。

上記式（４ａ）、（４ｂ）及び（４ｃ）中、Ｒ^２０〜Ｒ^２３は、それぞれ独立して、炭素数１〜１２の１価の有機基である。但し、Ｒ^２０〜Ｒ^２３の有機基は、鎖状炭化水素基又は脂環式炭化水素基を含む場合はない。ｐ、ｑ及びｒは、それぞれ独立して、０〜４の整数である。ｓは、０〜６の整数である。Ｒ^２０〜Ｒ^２３がそれぞれ複数の場合、複数のＲ^２０〜Ｒ^２３はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。

上記Ｒ^１９〜Ｒ^２３で表される炭素数１〜１２の１価の有機基（但し、鎖状炭化水素基又は脂環式炭化水素基を含む有機基を除く）としては、例えば、上記式（２）のＲ^７〜Ｒ^１０として例示した有機基等が挙げられる。これらの中で芳香族炭化水素基が好ましく、フェニル基がより好ましい。

上記ｏとしては、０〜２の整数が好ましく、０又は１がより好ましく、０がさらに好ましい。
上記ｐ、ｑ及びｒとしては、０〜２の整数が好ましく、０又は１がより好ましく、０がさらに好ましい。
ｓとしては０〜２の整数が好ましく、０又は１がより好ましく、０がさらに好ましい。

上記式（４ａ）〜（４ｃ）で表される２価の基の中でも、重合体（Ｉ）のガラス転移温度及び熱分解温度の向上の観点から、上記式（４ｃ）で表される２価の基が好ましい。

（構造単位（ｉｉｉ−２））
構造単位（ｉｉｉ−２）は、下記式（５）で表される構造単位である。

上記式（５）中、Ｒ^２４及びＲ^２５は、それぞれ独立して、炭素数１〜１２の１価の有機基である。但し、Ｒ^２４及びＲ^２５の有機基は、鎖状炭化水素基又は脂環式炭化水素基を含む場合はない。ｔ及びｕは、それぞれ独立して、０〜４の整数である。Ｒ^２４及びＲ^２５がそれぞれ複数の場合、複数のＲ^２４及びＲ^２５はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｚは、単結合、−ＳＯ_２−又は−ＣＯ−である。ｗは、０又は１である。

上記Ｒ^２４及びＲ^２５で表される炭素数１〜１２の１価の有機基（鎖状炭化水素基又は脂環式炭化水素基を含むものを除く）としては、例えば、上記式（２）のＲ^７〜Ｒ^１０として例示した有機基等が挙げられる。これらの中で、芳香族炭化水素基が好ましく、フェニル基がより好ましい。

上記ｔ及びｕとしては、０〜２の整数が好ましく、０又は１がより好ましく、０がさらに好ましい。

上記Ｚとしては、単結合、−ＣＯ−が好ましい。
上記ｗとしては、１が好ましい。

［その他の構造単位］
当該重合体は、上記構造単位（ｉ）〜（ｉｉｉ）以外のその他の構造単位を含んでいてもよい。

［構造単位の含有割合］
上記各構造単位の含有割合としては、
重合体（Ｉ）が構造単位（ｉ）及び構造単位（ｉｉ）を含む（かつ構造単位（ｉｉｉ）を含まない）場合、
構造単位（ｉ）及び構造単位（ｉｉ）の合計に対する構造単位（ｉ）の含有割合の下限としては、０．０５モル％が好ましく、０．５モル％がより好ましく、１モル％がさらに好ましく、２モル％が特に好ましく、３モル％がさらに特に好ましい。
構造単位（ｉ）の含有割合の上限としては、５０モル％が好ましく、３０モル％がより好ましく、１０モル％がさらに好ましく、７モル％が特に好ましい。
また、構造単位（ｉｉ）の含有割合の下限としては、５０モル％が好ましく、７０モル％がより好ましく、９０モル％がさらに好ましく、９３モル％が特に好ましい。
構造単位（ｉｉ）の含有割合の上限としては、９９．９５モル％が好ましく、９９．５モル％がより好ましく、９９モル％がさらに好ましく、９８モル％が特に好ましく、９７モル％がさらに特に好ましい。

重合体（Ｉ）が構造単位（ｉ）及び構造単位（ｉｉｉ）を含む（かつ構造単位（ｉｉ）を含まない）場合、
構造単位（ｉ）及び構造単位（ｉｉｉ）の合計に対する構造単位（ｉ）の含有割合の下限としては、０．０５モル％が好ましく、１モル％がより好ましく、１．５モル％がさらに好ましく、２モル％が特に好ましく、２．５モル％がさらに特に好ましい。
構造単位（ｉ）の含有割合の上限としては、４０モル％が好ましく、２５モル％がより好ましく、１０モル％がさらに好ましく、７モル％が特に好ましい。
また、構造単位（ｉｉｉ）の含有割合の下限としては、６０モル％が好ましく、７５モル％がより好ましく、９０モル％がさらに好ましく、９３モル％が特に好ましい。
構造単位（ｉｉｉ）の含有割合の上限としては、９９．９５モル％が好ましく、９９モル％がより好ましく、９８．５モル％がさらに好ましく、９８モル％が特に好ましく、９７．５モル％がさらに特に好ましい。

重合体（Ｉ）が構造単位（ｉ）、構造単位（ｉｉ）及び構造単位（ｉｉｉ）を含む場合、構造単位（ｉ）、構造単位（ｉｉ）及び構造単位（ｉｉｉ）の合計に対する構造単位（ｉ）の含有割合の下限としては、０．０５モル％が好ましく、０．５モル％がより好ましく、１モル％がさらに好ましく、１．５モル％が特に好ましく、２モル％がさらに特に好ましく、２．５モル％が最も好ましい。
構造単位（ｉ）の含有割合の上限としては、５０モル％が好ましく、３０モル％がより好ましく、２０モル％がさらに好ましく、１０モル％が特に好ましく、７モル％がさらに特に好ましい。
また、構造単位（ｉｉ）の含有割合の下限としては、５モル％が好ましく、１０モル％がより好ましく、２５モル％がさらに好ましく、４０モル％が特に好ましく、５０モル％がさらに特に好ましい。
構造単位（ｉｉ）の含有割合の上限としては、９５．９５モル％が好ましく、９５．５モル％がより好ましく、９１モル％がさらに好ましく、８５．５モル％が特に好ましく、８０モル％がさらに特に好ましく、７４．５モル％が最も特に好ましい。
さらに、構造単位（ｉｉｉ）の含有割合の下限としては、４モル％が好ましく、８モル％がより好ましく、１３モル％がさらに好ましく、１８モル％が特に好ましく、２３モル％がさらに特に好ましい。
構造単位（ｉｉｉ）の含有割合の上限としては、９４．９５モル％が好ましく、９４．５％がより好ましく、８９モル％がさらに好ましく、７３．５モル％が特に好ましく、５８モル％がさらに特に好ましく、４７．５モル％が最も好ましい。

＜重合体の合成方法＞
重合体（Ｉ）は、例えば、シアノ基、ニトロ基又はホルミル基置換芳香族ジハライド及び／又は芳香族ケトンジハライドと、末端にフェノール性水酸基を有するシリコーン化合物とを少なくとも反応させることにより得ることができる。

上記シアノ基、ニトロ基又はホルミル基置換芳香族ジハライドとしては、例えば、下記式（ｘ）で表される化合物（以下、「化合物（ｘ）」ともいう）等が挙げられ、上記芳香族ケトンジハライドとしては、例えば、下記式（ｙ）で表される化合物（以下、「化合物（ｙ）」ともいう）等が挙げられる。

上記式（ｘ）及び（ｙ）中、Ｒ^５’は、炭素数１〜１２の１価の有機基である。ａは、０〜３の整数である。Ｒ^６’は、シアノ基、ニトロ基又はホルミル基である。Ｑは、それぞれ独立して、ハロゲン原子である。ａが２以上の場合、複数のＲ^５’は同一でも異なっていてもよい。

上記Ｑで表されるハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。これらの中で、化合物（ｘ）及び（ｙ）の反応性の観点から、フッ素原子が好ましい。

上記化合物（ｘ）としては、例えば、２，６−ジフルオロベンゾニトリル、２，５−ジフルオロベンゾニトリル、２，４−ジフルオロベンゾニトリル、２，６−ジクロロベンゾニトリル、２，５−ジクロロベンゾニトリル、２，４−ジクロロベンゾニトリル及びこれらの誘導体等が挙げられる。これらの中で、反応性及び経済性、並びに得られる重合体（Ｉ）の耐熱性及び残留応力等の向上の観点から、２，６−ジフルオロベンゾニトリル、２，６−ジクロロベンゾニトリルが好ましく、２，６−ジフルオロベンゾニトリルがさらに好ましい。

上記化合物（ｙ）としては、例えば、４，４’−ジフルオロベンゾフェノン、２，４’−ジフルオロベンゾフェノン、２，２’−ジフルオロベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン、２，４’−ジクロロベンゾフェノン、２，２’−ジクロロベンゾフェノン等が挙げられる。これらの中で反応性及び経済性、並びに得られる重合体（Ｉ）の耐熱性及び残留応力等の向上の観点から、４，４’−ジフルオロベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノンが好ましく、４，４’−ジフルオロベンゾフェノンがより好ましい。

上記末端にフェノール性水酸基を有するシリコーン化合物としては、例えば、下記式（ｚ）で表される化合物（以下、「化合物（ｚ）」ともいう）等が挙げられる。

上記式（ｚ）中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立して、炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数６〜１５のアリール基である。ｎは、５〜１００の整数である。複数のＲ^１及びＲ^２は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立して、単結合又は炭素数１〜１２の２価の有機基である。

上記化合物（ｚ）としては、例えば、下記式で表される化合物等が挙げられる。

上記式（ｚ１）及び（ｚ２）中、ｎは、上記式（ｚ）と同義である。
上記式（ｚ３）中、ｎ５及びｎ６は、それぞれ独立して、１〜１００の整数である。但し、５≦ｎ５＋ｎ６≦１００を満たす。ｒは、両隣のシロキサン単位が、ランダムに配置していることを示す。
上記式（ｚ４）中、ｎ７及びｎ８は、それぞれ独立して、１〜１００の整数である。但し、５≦ｎ７＋ｎ８≦１００を満たす。ｂは、両隣のシロキサン単位が、それぞれブロックを形成していることを示す。

化合物（ｚ）の市販品としては、例えば、Ｘ−２２−１８２１、Ｘ−２２−１８２２、ＫＦ−２１０１（以上、信越化学工業製）、ＢＹ−１６−７５２、ＢＹ−１６−７９９（以上、東レ・ダウコーニング製）等が挙げられる。

上記末端にフェノール性水酸基を有するシリコーン化合物の数平均分子量（Ｍｎ）の下限としては、８００が好ましく、１，２００がより好ましく、２，３００がさらに好ましく、４，２００が特に好ましい。また、上記Ｍｎの上限としては、７，９００が好ましく、７，１００がより好ましく、６，４００がさらに好ましく、５，６００が特に好ましい。なお、上記末端にフェノール性水酸基を有するシリコーン化合物のＭｎは、この化合物の反応基当量（ｇ／ｍｏｌ）の測定値から導き出される値（反応基当量の値×２）である。

また、重合体（Ｉ）の合成の際には、必要に応じて、ビスフェノール化合物を加えて反応させることが好ましい。このビスフェノール化合物としては、例えば、下記式（ｕ）で表される化合物（以下、「化合物（ｕ）」ともいう）、下記式（ｖ−１）、（ｖ−２）、（ｖ−３）で表される化合物（以下、それぞれ「化合物（ｖ−１）、（ｖ−２）、（ｖ−３）」ともいう）等が挙げられる。

上記式（ｕ）中、Ｒ^７’〜Ｒ^１０’は、それぞれ独立して、ハロゲン原子又は炭素数１〜１２の１価の有機基である。但し、Ｒ^７〜Ｒ^１０の有機基は、鎖状炭化水素基又は脂環式炭化水素基を含む場合はない。ｂ’〜ｅ’は、それぞれ独立して、０〜４の整数である。Ｒ^７’〜Ｒ^１０’がそれぞれ複数の場合、複数のＲ^７’〜Ｒ^１０’はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。

上記式（ｖ−１）〜（ｖ−３）中、Ｒ^２０〜Ｒ^２３は、それぞれ独立して、炭素数１〜１２の１価の有機基である。但し、Ｒ^２０〜Ｒ^２３の有機基は、鎖状炭化水素基又は脂環式炭化水素基を含む場合はない。ｐ、ｑ及びｒは、それぞれ独立して、０〜４の整数である。ｓは、０〜６の整数である。Ｒ^２０〜Ｒ^２３がそれぞれ複数の場合、複数のＲ^２０〜Ｒ^２３はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。

上記化合物（ｕ）としては、例えば、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３−フェニル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（３，５−ジフェニル−４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−シクロヘキシルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２，７−ジブロモフルオレン、及びこれらの反応性誘導体等が挙げられる。これらの中で、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２，７−ジブロモフルオレンが好適に用いられる。

上記化合物（ｖ−１）としては、例えば、ヒドロキノン、レゾルシノール、２−フェニルヒドロキノン等が挙げられる。これらの中で、ヒドロキノン、レゾルシノールが好ましい。
上記化合物（ｖ−２）としては、例えば、４，４’−ビフェノール、３，３’−ビフェノール等が挙げられる。これらの中で、４，４’−ビフェノールが好ましい。
上記化合物（ｖ−３）としては、例えば、２，６−ジヒドロキシナフタレン、２，７−ジヒドロキシナフタレン等が挙げられる。これらの中で、２，７−ジヒドロキシナフタレンが好ましい。

さらに、重合体（Ｉ）の合成の際には、必要に応じて、下記式（ｗ）で表されるジフェニルスルホンジハライドを加えて反応させることもできる。

上記式（ｗ）中、Ｑは、それぞれ独立して、ハロゲン原子である。

重合体（Ｉ）は、例えば、上記化合物を有機溶媒中、アルカリ金属化合物の存在下で反応させることで合成することができる。なお、上記化合物は全ての種類を同時に反応させてもよく、上記化合物のうち、フェノール性水酸基を有する化合物とアルカリ金属化合物を反応させて、アルカリ金属塩を得た後、得られたアルカリ金属塩と、残りのハライド化合物等とを反応させることもできる。なお、反応には、上述の化合物をそれぞれ１種用いても２種以上用いてもよい。

上記アルカリ金属化合物としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属；水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウム等の水素化アルカリ金属；水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の水酸化アルカリ金属；炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等のアルカリ金属炭酸塩；炭酸水素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム等のアルカリ金属炭酸水素塩などが挙げられる。これらの中で、アルカリ金属炭酸塩が好ましく、炭酸カリウムがより好ましい。

上記アルカリ金属化合物の使用量としては、上記反応に用いる化合物のフェノール性水酸基に対し、アルカリ金属化合物中の金属原子の量が、通常１〜３倍当量、好ましくは１．１倍当量〜２倍当量、より好ましくは１．２倍当量〜１．５倍当量となる量である。

上記有機溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、γ−ブチロラクトン、スルホラン、ジメチルスルホキシド、ジエチルスルホキシド、ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ジイソプロピルスルホン、ジフェニルスルホン、ジフェニルエーテル、ベンゾフェノン、ジアルコキシベンゼン（アルコキシ基の炭素数１〜４）、トリアルコキシベンゼン（アルコキシ基の炭素数１〜４）等が挙げられる。これらの中でも、誘電率の高い極性溶媒であることから、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、スルホラン、ジフェニルスルホン、ジメチルスルホキシドが好ましい。

さらに、上記反応の際には、ベンゼン、トルエン、キシレン、ヘキサン、シクロヘキサン、オクタン、クロロベンゼン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、アニソール、フェネトール等の水と共沸する溶媒をさらに用いることもできる。

上記ハライド化合物と上記ビスフェノール化合物との使用割合は、ハライド化合物及びビスフェノール化合物の合計１００モル％に対して、ハライド化合物が４５モル％以上５５モル％以下が好ましく、４８モル％以上５２モル％以下がより好ましく、５０モル％以上５２モル％以下がさらに好ましい。また、ビスフェノール化合物が４５モル％以上５５モル％以下が好ましく、４８モル％以上５２モル％以下がより好ましく、４８モル％以上５０モル％以下がさらに好ましい。

反応温度としては、６０℃〜２５０℃が好ましく、８０℃〜２００℃がより好ましい。反応時間としては、１５分〜１００時間が好ましく、１時間〜２４時間がより好ましい。

［重合体（Ｉ）の物性］
（ガラス転移温度）
重合体（Ｉ）のガラス転移温度（Ｔｇ）の下限としては、２２０℃が好ましく、２３０℃がより好ましく、２４０℃がさらに好ましく、２５０℃が特に好ましく、２６０℃がさらに特に好ましい。
重合体（Ｉ）のＴｇの上限としては、３５０℃が好ましく、３３０℃がより好ましく、３００℃がさらに好ましい。
Ｔｇは、示差走査熱量分析（ＤＳＣ）により、昇温速度２０℃／分の条件において測定される値である。

（熱分解温度）
重合体（Ｉ）の熱分解温度の下限としては、４８０℃が好ましく、５００℃がより好ましく、５１０℃がさらに好ましく、５２０℃が特に好ましく、５３０℃がさらに特に好ましい。
重合体（Ｉ）の熱分解温度の上限としては、５５０℃が好ましい。
熱分解温度は、熱重量減少分析（ＴＧＡ）により測定される５％質量減少温度である。

（残留応力）
重合体（Ｉ）の残留応力の上限としては、４３ＭＰａが好ましく、４０ＭＰａがより好ましく、３８ＭＰａがさらに好ましく、３６ＭＰａが特に好ましく、３２ＭＰａがさらに特に好ましい。
重合体（Ｉ）の残留応力の下限としては、２５ＭＰａが好ましい。
残留応力は、実施例に記載の方法で表面に塗膜を形成した基板について、塗膜形成前後の基板の応力をそれぞれ測定し、その応力差で示される値である。

（重量平均分子量）
重合体（Ｉ）のポリスチレン換算の重量平均分子量（Ｍｗ）としては、５，０００〜５００，０００が好ましく、１５，０００〜４００，０００がより好ましく、３０，０００〜３００，０００がさらに好ましい。
Ｍｗは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）により、カラムが東ソー製ＴＳＫｇｅｌα−Ｍ、展開溶媒がテトラヒドロフランの条件で測定される値である。

＜樹脂組成物（Ａ）＞
当該樹脂組成物（Ａ）は、重合体（Ｉ）と、有機溶媒（ＩＩ）とを含有する。樹脂組成物（Ａ）は、上述の性質を有する重合体（Ｉ）及び有機溶媒（ＩＩ）を含有することで、耐熱性が高く残留応力が低減され、かつ白濁や荒れの少ない均一な膜を形成することができる。
重合体（Ｉ）については、上述した通りである。

［有機溶媒（ＩＩ）］
上記有機溶媒（ＩＩ）としては、例えば、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、エステル系溶媒、アミド系溶媒等が挙げられる。有機溶媒（ＩＩ）としては、１種又は２種以上を用いてもよい。

樹脂組成物（Ａ）によれば、有機溶媒（ＩＩ）を用いることで、耐熱性が高く残留応力が低減された膜を形成することができる。また、樹脂組成物（Ａ）によれば、有機溶媒（ＩＩ）を含有することで、この樹脂組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する際に、上記基板との濡れ性に優れる。さらに、樹脂組成物（Ａ）によれば、白濁や荒れの少ない均一な膜を、人体や環境への負荷が少なく、安全にかつ容易に形成することができる。また、有機溶媒（ＩＩ）を用いると、樹脂組成物（Ａ）を用いて成膜する際の溶媒の分解による膜質低下が起こり難いため好ましい。

上記エーテル系溶媒は、ケトン系溶媒、エステル系溶媒及びアミド系溶媒と比較して、溶媒の分解が少ないため、エーテル系溶媒を含有する樹脂組成物は、より優れた膜質を有する膜の形成に好適である。

上記エーテル系溶媒としては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール等の２価アルコールのモノ若しくはジアルキルエーテル類、ジオキサン、テトラヒドロフラン等の環状エーテル類、アニソール等の芳香族エーテル類などが挙げられる。これらの中で、炭素数３以上１０以下のエーテル類が好ましく、炭素数３以上７以下のエーテル類がより好ましく、それらの中でも、アニソール、テトラヒドロフランがさらに好ましい。

上記ケトン系溶媒は、得られる膜の白濁をより低減するのに有効である。
上記ケトン系溶媒としては、例えば、メチルエチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−ｉｓｏ−プロピルケトン、ジエチルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、メチル−ｉｓｏ−ブチルケトン、メチル−ｓｅｃ−ブチルケトン、メチル−ｔｅｒｔ−ブチルケトン等のジアルキルケトン類；シクロペンタノン、シクロヘキサノン等の環状ケトン類などが挙げられる。これらの中で、炭素数４以上１０以下のケトン類が好ましく、沸点及びコスト等の点から、炭素数４以上６以下のケトン類がより好ましく、それらの中でも、メチルエチルケトン、シクロヘキサノンがさらに好ましく、シクロヘキサノンが特に好ましい。

上記エステル系溶媒は、得られる膜の白濁をより低減するのに有効である。
上記エステル系溶媒としては、例えば、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピル、酢酸ｉｓｏ−プロピル、酢酸ブチル等のアルキルエステル類；１−メトキシ−２−プロピルアセテート等のアルコキシアルキルエステル類；β−プロピオラクトン、α−メチル−γ−ブチロラクトン、γ−ブチロラクトン、δ−カプロラクトン等のラクトン類などが挙げられる。これらの中で、炭素数３以上１０以下のエステル類が好ましく、炭素数３以上６以下のエステル類がより好ましい。それらの中でも、γ−ブチロラクトンがさらに好ましい。

上記アミド系溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジペンチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアセトアミド等のアルキルアミド類；Ｎ，Ｎ−ジメトキシプロピルアセトアミド、３−メトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、３−ｎ−ブトキシ−Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド等のアルコキシアルキルアミド類；１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等の環状アミド類などが挙げられる。これらの中で、炭素数３以上１０以下のアミド類が好ましく、炭素数３以上６以下のアミド類がより好ましい。それらの中でも、塗工性、経済性の観点から、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−ピロリドンが好ましい。
有機溶媒（ＩＩ）として、上記アミド系溶媒を単独で使用する場合、溶媒の回収再利用や回収に関わる設備を簡素化できるメリットがある。

有機溶媒（ＩＩ）としては、膜を形成する際のはじきや、得られる膜の白濁を低減する等の観点から、ケトン系溶媒、エステル系溶媒及びエーテル系溶媒からなる群より選ばれる少なくとも１種の有機溶媒と、アミド系溶媒とを含む混合溶媒が好ましく、環状ケトン類とアミド系溶媒との混合溶媒、エーテル系溶媒とアミド系溶媒との混合溶媒がより好ましい。

有機溶媒（ＩＩ）として、混合溶媒を用いる場合、全有機溶媒１００質量部に対して、アミド系溶媒を５〜９５質量部含むことが好ましく、１０〜９０質量部含むことがより好ましく、３０〜７０質量部含むことがさらに好ましい。アミド系溶媒の含有量を上記範囲とすることで、得られる膜の均質性（平滑性）を高めることができる。なお、「全有機溶媒」とは、当該樹脂組成物に含有される全ての有機溶媒をいう。

上記有機溶媒（ＩＩ）として、上記混合溶媒を用いる場合、全有機溶媒１００質量部に対して、ケトン系溶媒、エステル系溶媒及びエーテル系溶媒の合計含有量は、５〜９５質量部が好ましく、１０〜９０質量部がより好ましく、３０〜７０質量部がさらに好ましい。ケトン系溶媒、エステル系溶媒及びエーテル系溶媒の合計含有量を上記範囲とすることで、成膜時の膜の白濁をより低減することができる。また、ケトン系溶媒、エステル系溶媒及びエーテル系溶媒の合計含有量を上記範囲で含む樹脂組成物は、基板上の薄膜形成用樹脂組成物として特に有用である。

一般に、自己支持性を有するフィルムの作製においては粘度（濃度）の高い樹脂組成物が用いられ、一方、基板上での薄膜フィルムの形成には粘度（濃度）の低い樹脂組成物が用いられる。薄膜形成においては、樹脂組成物の低粘度化のため、基板へ樹脂組成物を塗工した際のはじきの発生が問題であったが、ケトン系溶媒、エステル系溶媒及びエーテル系溶媒の合計含有量を上記範囲で含む樹脂組成物を用いることで、はじきの少ない良好な膜質の薄膜の形成が可能となる。

［その他の成分］
当該樹脂組成物は、重合体（Ｉ）及び有機溶媒（ＩＩ）以外にも、本発明の効果を損なわない範囲において、その他の成分をさらに含有していてもよい。その他の成分としては、例えば、老化防止剤等が挙げられる。老化防止剤を含有することで、得られる膜の耐久性を向上させることができる。
上記老化防止剤としては、例えば、ヒンダードフェノール系化合物等が挙げられる。
上記ヒンダードフェノール系化合物としては、例えば、トリエチレングリコール−ビス［３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロオネート］、１，６−ヘキサンジオール−ビス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアニリノ）−３，５−トリアジン、ペンタエリスリトールテトラキス［３−（３，５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、１，１，３−トリス［２−メチル−４−［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニルオキシ］−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル］ブタン、２，２−チオ−ジエチレンビス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、Ｎ，Ｎ−ヘキサメチレンビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナムアミド）、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、トリス−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−イソシアヌレート、３，９−ビス［２−［３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ］−１，１−ジメチルエチル］−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ［５．５］ウンデカン等が挙げられる。これらの老化防止剤は、１種又は２種以上を用いることができる。

上記老化防止剤の含有量としては、重合体（Ｉ）１００質量部に対して、０．０１〜１０質量部が好ましい。

＜樹脂組成物の調製方法＞
樹脂組成物（Ａ）は、例えば、重合体（Ｉ）及び必要に応じてその他の成分を、有機溶媒（ＩＩ）に溶解させることにより得ることができる。また、上述の方法で得られた重合体（Ｉ）と反応に使用した溶媒との混合物から、重合体（Ｉ）を固形分として単離（精製）した後、有機溶媒（ＩＩ）に再溶解させることで調製することが好ましい。なお、上記方法で、反応に使用する溶媒として有機溶媒（ＩＩ）を用いた場合には、上記方法で得られた重合体（Ｉ）と反応に使用した溶媒との混合物から副生した塩を除いて得られる溶液を、樹脂組成物（Ａ）としてもよい。

樹脂組成物（Ａ）中の重合体の濃度としては、重合体の分子量にもよるが、通常、５〜４０質量％であり、７〜２５質量％が好ましい。樹脂組成物（Ａ）中の重合体の濃度を上記範囲とすることで、厚膜化が可能で、ピンホールが生じにくく、表面平滑性に優れるフィルムを形成することができる。

樹脂組成物（Ａ）の粘度としては、重合体の分子量や濃度にもよるが、通常２，０００〜１００，０００ｍＰａ・ｓであり、３，０００〜５０，０００ｍＰａ・ｓが好ましい。樹脂組成物（Ａ）の粘度を上記範囲とすることで、成膜中の樹脂組成物（Ａ）の滞留性に優れ、厚みの調整が容易であるため、フィルムの成形がより容易となる。

＜膜形成方法＞
樹脂組成物（Ａ）から膜（フィルム）を形成することができる。
当該膜形成方法は、
当該樹脂組成物で塗膜を形成する工程（以下、「塗膜形成工程」ともいう）、及び
上記塗膜から有機溶媒を除去する工程（以下、「有機溶媒除去工程」ともいう）
を有する。
また、当該膜形成方法は、上記有機溶媒を除去した塗膜を焼成する工程（以下、「焼成工程」ともいう）をさらに有することが好ましい。
当該膜形成方法によれば、上述した当該樹脂組成物を用いるので、耐熱性に優れ残留応力が低減され、かつ白濁や荒れの少ない均一な膜を容易に形成することができる。

［塗膜形成工程］
塗膜形成工程では、樹脂組成物（Ａ）で塗膜を形成する。
塗膜を形成する基板としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、シリコンウエハ、ガラスウエハ、ガラス基板、ＳＵＳ板等が挙げられる。樹脂組成物（Ａ）を用いるので、シリコンウエハ、ガラスウエハ、ガラス基板、ＳＵＳ板等の重合体や溶媒と親和性の低い基板でも薄膜形成が可能となる。

樹脂組成物（Ａ）を塗布する方法としては、例えば、ロールコート法、グラビアコート法、スピンコート法、ドクターブレード法等が挙げられる。

塗膜の厚みとしては、特に限定されないが、通常、０．１μｍ〜２５０μｍであり、２μｍ〜１５０μｍが好ましく、５μｍ〜１２５μｍがより好ましい。

［有機溶媒除去工程］
有機溶媒除去工程では、上記塗膜から有機溶媒を除去する。
上記塗膜から有機溶媒を除去する方法としては、例えば、塗膜中の有機溶媒を蒸発させる方法等が挙げられ、そのため、例えば、上記塗膜を加熱する方法、上記塗膜を減圧下に置く方法、加熱と減圧とを併用する方法等が挙げられる。これらの中で、上記塗膜を加熱する方法が好ましい。

上記加熱の条件としては、有機溶媒が蒸発すればよく、基板や重合体に応じて適宜選択することができるが、例えば、加熱の温度として、３０℃〜３００℃が好ましく、４０℃〜２５０℃がより好ましく、５０℃〜２３０℃がさらに好ましい。加熱の時間としては、１０分〜５時間が好ましい。

なお上記加熱は２段階以上で行ってもよい。具体的には、３０℃〜８０℃で１０分〜２時間加熱後、１００℃〜２５０℃で１０分〜２時間さらに加熱する方法等が挙げられる。

上記加熱時の雰囲気としては、特に限定されないが、大気下又は不活性ガス雰囲気下が好ましく、不活性ガス雰囲気下がより好ましい。不活性ガスとしては、形成される膜の着色低減の観点から、窒素、アルゴン、ヘリウムが好ましく、窒素がより好ましい。

また、有機溶媒除去工程は、塗膜を形成させた基板ごと行ってもよいが、基板の性質の影響を低減する観点から、一部の有機溶媒の除去を行った後（例えば、上述の２段階加熱の場合、１段階目の加熱の後など）に、塗膜を基板から剥離させ、その後、この剥離した塗膜から有機溶媒除去を行うことが好ましい。

［焼成工程］
焼成工程では、上記有機溶媒を除去した塗膜を焼成する。
当該膜形成方法によれば、焼成工程をさらに有することで、熱収縮率の小さい膜を得ることができる。

上記焼成工程においては、基板上に形成された塗膜を基板ごと焼成してもよいが、基板の性質の影響を低減する観点から、上記基板上に形成された塗膜を基板から剥離し、その後、焼成することが好ましい。
なお、上述の有機溶媒除去工程は、焼成工程と同時に行うこともできるが、焼成工程の前に、有機溶媒除去工程を行ってもよい。基板から剥離した塗膜を焼成する場合は、基板から塗膜を剥離する前に予め塗膜から有機溶媒を除去しておくことが好ましい。

上記焼成の温度としては、２１０℃〜３５０℃が好ましく、２２０℃〜３３０℃がより好ましく、２３０℃〜３２０℃がさらに好ましい。焼成の時間としては、１０分〜５時間が好ましい。

焼成時の雰囲気としては、特に限定されないが、大気下又は不活性ガス雰囲気下が好ましく、不活性ガス雰囲気下がより好ましい。不活性ガスとしては、形成される膜の着色低減の観点から、窒素、アルゴン、へリウムが好ましく、窒素がより好ましい。

得られた膜は、基板から剥離して用いてもよいし、用いる基板の種類や用途にもよるが、基板から剥離せず、そのまま用いてもよい。

上記膜の厚みとしては用途に応じて適宜選択されるが、０．０５μｍ〜２５０μｍが好ましく、２μｍ〜１５０μｍがより好ましく、１０μｍ〜１２５μｍがさらに好ましい。

上記膜の用途としては、例えば、半導体素子、薄膜トランジスタ型液晶表示素子等の表示素子や磁気ヘッド素子、集積回路素子、固体撮像素子、実装基板等の電子部品に用いられる絶縁膜、保護膜、各種コンデンサ用の膜などが挙げられる。これらの電子部品には、一般に層状に配置される配線の間を絶縁するために層間絶縁膜や平坦化絶縁膜、表面保護用絶縁膜（オーバーコート膜、パッシベーション膜等）が設けられており、これらの絶縁膜として、上記膜を好適に用いることができる。
また、上記膜は、導光板、偏光板、ディスプレイ用フィルム、光ディスク用フィルム、透明導電性フィルム、導波路板、プリント配線基板などのフィルムとして好適に用いることができる。

以下、本発明を実施例によりさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例における各物性の評価方法を以下に示す。

（１）構造分析
重合体の構造分析は、ＩＲ（ＡＴＲ法、ＦＴ−ＩＲ，６７００、ＮＩＣＯＬＥＴ製）により行った。

（２）重量平均分子量（Ｍｗ）、数平均分子量（Ｍｎ）及び分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）
重合体のＭｗ及びＭｎは、ＧＰＣ装置（ＨＬＣ−８２２０型、東ソー製）を使用し、カラム：ＴＳＫｇｅｌα−Ｍと、ガードカラム：ＳｕｐｅｒＨ−Ｌとを連結して用い、展開溶媒としてテトラヒドロフランを用い、単分散ポリスチレンを標準として測定した。

（３）ガラス転移温度（Ｔｇ）
フィルムのガラス転移温度は、ＤＳＣ装置（Ｔｈｅｒｍｏ Ｐｌｕｓ ＤＳＣ８２３０、Ｒｉｇａｋｕ製）を用い、窒素下、２０℃／分の昇温速度の条件で測定した。

（４）熱分解温度
フィルムの熱分解温度（５％質量減少温度）は、熱重量減少分析（ＴＧＡ）装置（ＥＸＳＴＡＲ ＴＧ／ＤＴＡ７０００、ＳＩＩ製）を用い、窒素下、２０℃／分の昇温速度の条件で測定した。

（５）全光線透過率
フィルムの全光線透過率（％）は、ＪＩＳ−Ｋ７１０５（透明度試験法）に準じ、ヘイズメーター（ＳＣ−３Ｈ、スガ試験機製）を用いて測定した。

（６）残留応力測定
８インチのシリコンウエハーに実施例及び比較例で得られた重合体のＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド溶液をスピンコートし、その後、ホットプレートを用いて１１０℃で３分間加熱し、厚さ２０μｍの均一な塗膜を作製した。その後、対流式オーブンを用いて１９０℃で１時間加熱し、上記塗膜を焼成して絶縁膜を形成した。そして、絶縁膜形成前後の基板の応力を薄膜応力測定装置（ＦＬＸ−２３２０−ｓ、ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ製）を用いてそれぞれ測定し、その応力差を残留応力（ＭＰａ）として評価した。

＜重合体の合成＞
［実施例１］
１Ｌの４つ口フラスコに、反応させる化合物としての９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（１０４．５５２ｇ、２９８．３７ｍｍｏｌ）、信越化学工業製 Ｘ−２２−１８２２（１５．３７１ｇ）、及び２，６−ジフルオロベンゾニトリル（４２．１３２ｇ、３０２．８９２ｍｍｏｌ）、アルカリ金属化合物としての炭酸カリウム（８３．３０９ｇ、６０２．２７ｍｍｏｌ）、並びに溶媒としてのＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）２４３．１ｇ及びトルエン６０．８ｇを仕込んだ。続いて、上記４つ口フラスコに温度計、攪拌機、窒素導入管、Ｄｅａｎ−Ｓｔａｒｋ管、及び冷却管を取り付けた後、上記仕込んだ反応試剤を攪拌して、溶液を得た。
次いで、フラスコ内を窒素置換した後、得られた溶液を１２８℃で、生成する水をＤｅａｎ−Ｓｔａｒｋ管から随時除去しながら６時間反応させた。
反応終了後、室温（２５℃）まで冷却した後、生成した塩をろ紙で除去し、得られたろ液をメタノールに投じて再沈殿させ、ろ別によりろ物（残渣）を単離した。得られたろ物を６０℃で一晩真空乾燥し白色粉末（重合体Ｉ−１）を得た（収量１４１ｇ、収率９４％）。

［実施例２］
実施例１において、反応させる化合物として、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（１０６．８９７ｇ、３０５．０６３ｍｍｏｌ）、信越化学工業製 Ｘ−２２−１８２２（６１．４５７ｇ）、及び２，６−ジフルオロベンゾニトリル（４４．３３１ｇ、３１８．６９９ｍｍｏｌ）を用い、炭酸カリウム（８７．６５６ｇ、６３４．２２６ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様にして、重合体（Ｉ−２）を得た（収量１４３ｇ、収率９５％）。

［実施例３］
実施例１において、反応させる化合物として、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（８３．６３４ｇ、２３８．０７５ｍｍｏｌ）、信越化学工業製 Ｘ−２２−１８２２（２９．４６２ｇ）、レゾルシノール（６．５６２ｇ、５９．５９３ｍｍｏｌ）、及び２，６−ジフルオロベンゾニトリル（４２．５０４ｇ、３０５．５６５ｍｍｏｌ）を用い、炭酸カリウム（８４．０４４ｇ、６０８．０８９ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様にして、重合体（Ｉ−３）を得た（収量１４０ｇ、収率９３％）。

［実施例４］
実施例１において、反応させる化合物として、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（９３．７２２ｇ、２６７．４６５ｍｍｏｌ）、信越化学工業製 Ｘ−２２−１８２２（１５．４４２ｇ）、レゾルシノール（７．２６１ｇ、６５．９４１ｍｍｏｌ）、及び２，６−ジフルオロベンゾニトリル（４７．０３２ｇ、３３８．１１６ｍｍｏｌ）を用い、炭酸カリウム（９２．９９７ｇ、６７２．８６８ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様にして、重合体（Ｉ−４）を得た（収量１４４ｇ、収率９６％）。

［実施例５］
実施例１において、反応させる化合物として、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（８８．８７１ｇ、２５３．６２７ｍｍｏｌ）、信越化学工業製 Ｘ−２２−１８２２（２９．３３０ｇ）、レゾルシノール（３．１０３ｇ、２８．１８０ｍｍｏｌ）、及び２，６−ジフルオロベンゾニトリル（４０．１９８ｇ、２８８．９８８ｍｍｏｌ）を用い、炭酸カリウム（７９．４８５ｇ、５７５．１０１ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様にして、重合体（Ｉ−５）を得た（収量１３８ｇ、収率９０％）。

［実施例６］
実施例１において、反応させる化合物として、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレン（８９．０９１ｇ、２３５．４０４ｍｍｏｌ）、信越化学工業製 Ｘ−２２−１８２２（３０．０１４ｇ）、２，７−ジヒドロキシナフタレン（４．１９９ｇ、２６．２１６ｍｍｏｌ）、及び２，６−ジフルオロベンゾニトリル（３７．３９６ｇ、２６８．８４３ｍｍｏｌ）を用い、炭酸カリウム（７３．９４４ｇ、５３５．０１０ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様にして、重合体（Ｉ−６）を得た（収量１４０ｇ、収率９３％）。

［実施例７］
実施例１において、反応させる化合物として、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２，７−ジブロモフルオレン（９５．６２２ｇ、１８８．１５８ｍｍｏｌ）、信越化学工業製 Ｘ−２２−１８２２（２９．５８７ｇ）、２，７−ジヒドロキシナフタレン（３．３４９ｇ、２０．９０６ｍｍｏｌ）、及び２，６−ジフルオロベンゾニトリル（３０．０３７ｇ、２１５．９４０ｍｍｏｌ）を用い、炭酸カリウム（５９．３９３ｇ、４２９．７３１ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様にして、重合体（Ｉ−７）を得た（収量１４３ｇ、収率９５％）。

［実施例８］
実施例１において、反応させる化合物として、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（８２．７８６ｇ、２３６．２５６ｍｍｏｌ）、信越化学工業製 Ｘ−２２−１８２１（３０．２６４ｇ）、レゾルシノール（６．５０４ｇ、５９．０６４ｍｍｏｌ）、及び２，６−ジフルオロベンゾニトリル（４２．６４９ｇ、３０６．６０８ｍｍｏｌ）を用い、炭酸カリウム（８４．３３１ｇ、６１０．１６５ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様にして、重合体（Ｉ−８）を得た（収量１４４ｇ、収率９６％）。

［実施例９］
実施例１において、反応させる化合物として、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（８８．８７１ｇ、２５３．６１９ｍｍｏｌ）、信越化学工業製 Ｘ−２２−１８２２（２９．３３０ｇ）、ヒドロキノン（３．１０３ｇ、２８．１８０ｍｍｏｌ）、及び２，６−ジフルオロベンゾニトリル（４０．１９８ｇ、２８８．９８９ｍｍｏｌ）を用い、炭酸カリウム（７９．４８５ｇ、５７５．１０１ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様にして、重合体（Ｉ−９）を得た（収量１４０ｇ、収率９３％）。

［実施例１０］
実施例１において、反応させる化合物として、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（７９．０３２ｇ、２２５．５４１ｍｍｏｌ）、信越化学工業製 Ｘ−２２−１８２２（２９．４９４ｇ）、及び４，４’−ジフルオロベンゾフェノン（５０．７２７ｇ、２３２．４８１ｍｍｏｌ）を用い、炭酸カリウム（６３．９４３ｇ、４６２．６４８ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様にして、重合体（Ｉ−１０）を得た（収量１４０ｇ、収率９３％）。

［実施例１１］
実施例１において、反応させる化合物として、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（８６．７４７ｇ、２４７．５６０ｍｍｏｌ）、信越化学工業製 Ｘ−２２−１８２２（３０．０９１ｇ）、４，４’−ビフェノール（５．１２２ｇ、２７．５０７ｍｍｏｌ）、及び２，６−ジフルオロベンゾニトリル（３９．２７８ｇ、２８２．３７１ｍｍｏｌ）を用い、炭酸カリウム（７７．６６５ｇ、５６１．９３３ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様にして、重合体（Ｉ−１１）を得た（収量１４１ｇ、収率９４％）。

［実施例１２］
実施例１において、反応させる化合物として、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（７９．９３６ｇ、２２８．１２２ｍｍｏｌ）、信越化学工業製 Ｘ−２２−１８２２（２２．３５６ｇ）、ヒドロキノン（２．７９１ｇ、２５．３４７ｍｍｏｌ）、２，６−ジフルオロベンゾニトリル（１８．０２３ｇ、１２９．５７１ｍｍｏｌ）、及び４，４’−ジクロロジフェニルスルホン（３７．２０８ｇ、１２９．５７１ｍｍｏｌ）を用い、炭酸カリウム（７１．２７６ｇ、５１５．７０６ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様にして、重合体（Ｉ−１２）を得た（収量１４４ｇ、収率９６％）。

［実施例１３］
実施例１において、反応させる化合物として、９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレン（８８．６８２ｇ、２３４．３２３ｍｍｏｌ）、信越化学工業製 Ｘ−２２−１８２２（２８．６９３ｇ）、レゾルシノール(４．５５３ｇ、４１．３５１ｍｍｏｌ）、及び２，６−ジフルオロベンゾニトリル（３９．３２４ｇ、２８２．７０６ｍｍｏｌ）を用い、炭酸カリウム（７７．７５７ｇ、５６２．５９９ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様にして、重合体（Ｉ−１３）を得た（収量１３８ｇ、収率９２％）。

［実施例１４］
実施例１において、反応させる化合物として、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２，７−ジブロモフルオレン（９５．０６２ｇ、１８７．０５７ｍｍｏｌ）、信越化学工業製 Ｘ−２２−１８２２（２８．７７８ｇ）、レゾルシノール（３．６３５ｇ、３３．０１０ｍｍｏｌ）、及び２，６−ジフルオロベンゾニトリル（３１．５５３ｇ、２２６．８３８ｍｍｏｌ）を用い、炭酸カリウム（６２．３９１ｇ、４５１．４２０ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様にして、重合体（Ｉ−１４）を得た（収量１４０ｇ、収率９３％）。

［実施例１５］
実施例１において、反応させる化合物として、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（７３．６９６ｇ、２１０．３１５ｍｍｏｌ）、信越化学工業製 Ｘ−２２−１８２２（３１．２７１ｇ）、２，７−ジヒドロキシナフタレン（１４．４３７ｇ、９０．１３５ｍｍｏｌ）、及び２，６−ジフルオロベンゾニトリル（４２．８５９ｇ、３０８．１１４ｍｍｏｌ）を用い、炭酸カリウム（８４．７４５ｇ、６１３．１６２ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様にして、重合体（Ｉ−１５）を得た（収量１４３ｇ、収率９５％）

［比較例１］
実施例１において、反応させる化合物として、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（１１６．７５０ｇ、３３３．１８１ｍｍｏｌ）、及び２，６−ジフルオロベンゾニトリル（４６．５７７ｇ、３３４．８４７ｍｍｏｌ）を用い、炭酸カリウム（９２．０９８ｇ、６６６．３６２ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様にして、重合体（ＣＩ−１）を得た（収量１４０ｇ、収率９３％）。

［比較例２］
実施例１において、反応させる化合物として、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン（８７．７４８ｇ、２５０．４１５ｍｍｏｌ）、及び４，４’−ジクロロジフェニルスルホン（７２．２６９ｇ、２５１．６６７ｍｍｏｌ）を用い、炭酸カリウム（６９．２２０ｇ、５００．８２９ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様にして、重合体（ＣＩ−２）を得た（収量１４１ｇ、収率９４％）。

［比較例３］
実施例１において、反応させる化合物として、４，４’−ビフェノール（５１．３４８ｇ、２７５．７５５ｍｍｏｌ）、信越化学工業製 Ｘ−２２−１８２２（２８．７０１ｇ）、及び４，４’−ジクロロジフェニルスルホン（８１．２０６ｇ、２８２．７８９ｍｍｏｌ）を用い、炭酸カリウム（７７．７８０ｇ、５６２．７６６ｍｍｏｌ）を用いた以外は実施例１と同様にして、重合体（ＣＩ−３）を得た（収量１４３ｇ、収率９５％）。

＜樹脂組成物の調製＞
上記得られた各重合体をＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドに溶解し、重合体濃度が２０質量％の樹脂組成物を得た。

＜評価＞
上記調製した樹脂組成物を、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製の基板上にドクターブレードを用いて塗布した後、８０℃で３０分、次いで１５０℃で６０分加熱し、有機溶媒を蒸発除去してフィルムを形成させ、その後、形成されたフィルムをＰＥＴ基板より剥離した。次に、得られたフィルムを金枠に固定し、２３０℃で６０分間焼成して、厚み３０μｍの評価用フィルムを得た。

上記得られた重合体及びフィルムについて、上記方法に従い、構造分析、重量平均分子量、分子量分布、ガラス転移温度、熱分解温度、全光線透過率及び残留応力の測定を行った。評価結果を下記表１に示す。

重合体１のＩＲから、３０６２ｃｍ^−１に芳香族の伸縮振動、２２２９ｃｍ^−１に共役結合を有する芳香族ニトリルのＣ≡Ｎ間の伸縮振動、１５７７、１５００及び１４５７ｃｍ^−１に芳香族の面内骨格振動、１２８４ｃｍ^−１にＳｉ−ＣＨ_３の対称変角振動、１０１８ｃｍ^−１にＳｉ−Ｏ−Ｓｉの非対称伸縮振動、１２４１、１２１１及び１１６４ｃｍ^−１にｐ−置換ベンゼンのＣ−Ｈ面内変角振動、７４４及び８３６ｃｍ^−１に縮合環芳香族炭化水素の＝Ｃ−Ｈ面外変角振動が観察された。

表１における各反応させる化合物の使用量の数値は、ジハライドの合計を１００モル％とした場合の各化合物のモル％（相対モル比）を示す。
また、表１において、ビスフェノール（１）は、構造単位（ｉｉ）の一部を与えるフルオレン骨格を有するビスフェノールを、ビスフェノール（２）は、構造単位（ｉｉｉ）の一部を与えるベンゼン環又はナフタレン環を有するビスフェノールをそれぞれ示す。
表１における以下の略号は、以下の化合物を示し、各化合物は下記式でそれぞれ表される。
ＢＣＦＬ：９，９−ビス（４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）フルオレン
ＢＰＦＬ：９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン
ＢＰＦＬ−Ｂｒ：９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２，７−ジブロモフルオレン
ＨＱ：ヒドロキノン
ＲＥＳ：レゾルシノール
ＢＩＰ：４，４’−ビフェノール
２７ＮＡＰ：２，７−ジヒドロキシナフタレン
ＤＦＢＮ：２，６−ジフルオロベンゾニトリル
ＤＰＳ：４，４’−ジクロロジフェニルスルホン
ＢＺ：４，４’−ジフルオロベンゾフェノン
また、末端にフェノール性水酸基を有するシリコーン化合物であるＸ−２２−１８２１及びＸ−２２−１８２２のＭｎの値は、反応基当量（ｇ／ｍｏｌ）の測定値から導き出したものである。

表１の結果から、実施例の重合体は、ガラス転移温度及び熱分解温度を高く維持しつつ、残留応力が低減されていることが分かる。一方、ポリシロキサン鎖を有さない比較例１及び２の重合体は、残留応力を低減することができていないこと、またポリシロキサン鎖を有するものの、ポリシロキサン鎖に隣接して芳香族スルホン基を有し、構造単位（ｉ）を有さない比較例３の重合体は、残留応力が若干低減される一方で、ガラス転移温度及び熱分解温度が大きく低下していることが分かる。

本発明の重合体は、高い耐熱性を維持しつつ、残留応力が低減されている。本発明の樹脂組成物によれば、耐熱性が高く残留応力が低減され、かつ白濁や荒れの少ない均一な膜を形成することができる。本発明の膜形成方法によれば、そのような膜を容易に形成することができる。従って、これらは、導光板、偏光板、ディスプレイ用フィルム、光ディスク用フィルム、透明導電性フィルム、導波路板、プリント配線基板、絶縁膜などのフィルムの製造に好適に用いることができる。

Claims (10)

1. 下記式（１）で表される第１構造単位と、
   下記式（２）で表される構造単位及び下記式（３）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の第２構造単位と
   を含む重合体。
   

   

   （式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立して、炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数６〜１５のアリール基である。ｎは、５〜１００の整数である。複数のＲ^１及びＲ^２は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立して、単結合又は炭素数１〜１２の２価の有機基である。Ｘは、下記式（１ａ）又は（１ｂ）で表される２価の基である。）
   

   

   （式（１ａ）及び（１ｂ）中、Ｒ^５は、炭素数１〜１２の１価の有機基である。ａは、０〜３の整数である。Ｒ^５が複数の場合、複数のＲ^５は同一でも異なっていてもよい。Ｒ^６は、シアノ基、ニトロ基又はホルミル基である。）
   

   

   （式（２）中、Ｒ ^７ 〜Ｒ ^１０ は、それぞれ独立して、炭素数１〜１２の１価の有機基である。但し、Ｒ ^７ 〜Ｒ ^１０ の有機基は、鎖状炭化水素基又は脂環式炭化水素基を含む場合はない。ｂ〜ｅは、それぞれ独立して、０〜４の整数である。Ｒ ^１１ は、炭素数１〜１２の１価の有機基である。ｆは、０〜３の整数である。Ｒ ^７ 〜Ｒ ^１１ がそれぞれ複数の場合、複数のＲ ^７ 〜Ｒ ^１１ はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ ^１２ は、シアノ基、ニトロ基又はホルミル基である。）
   

   

   （式（３）中、Ｒ ^１３ 〜Ｒ ^１６ は、それぞれ独立して、炭素数１〜１２の１価の有機基である。但し、Ｒ ^１３ 〜Ｒ ^１６ の有機基は、鎖状炭化水素基又は脂環式炭化水素基を含む場合はない。Ｒ ^１７ 及びＲ ^１８ は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、ニトロ基又は炭素数１〜１２の１価の有機基である。ｇ〜ｌは、それぞれ独立して、０〜４の整数である。Ｒ ^１３ 〜Ｒ ^１８ がそれぞれ複数の場合、複数のＲ ^１３ 〜Ｒ ^１８ はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｙは、単結合、−ＳＯ _２ −又は−ＣＯ−である。ｍは、０又は１である。但し、ｍが０の場合、Ｒ ^１８ はニトロ基及びシアノ基のいずれでもない。）
2. 下記式（１）で表される第１構造単位と、
   下記式（４）で表される構造単位及び下記式（５）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の第３構造単位と
   を含む重合体。
   

   

   （式（１）中、Ｒ ^１ 及びＲ ^２ は、それぞれ独立して、炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数６〜１５のアリール基である。ｎは、５〜１００の整数である。複数のＲ ^１ 及びＲ ^２ は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ ^３ 及びＲ ^４ は、それぞれ独立して、単結合又は炭素数１〜１２の２価の有機基である。Ｘは、下記式（１ａ）又は（１ｂ）で表される２価の基である。）
   

   

   （式（１ａ）及び（１ｂ）中、Ｒ ^５ は、炭素数１〜１２の１価の有機基である。ａは、０〜３の整数である。Ｒ ^５ が複数の場合、複数のＲ ^５ は同一でも異なっていてもよい。Ｒ ^６ は、シアノ基、ニトロ基又はホルミル基である。）
   

   

   （式（４）中、Ｒ ^１９ は、炭素数１〜１２の１価の有機基である。但し、Ｒ ^１９ の有機基は、鎖状炭化水素基又は脂環式炭化水素基を含む場合はない。ｏは、０〜３の整数である。Ｒ ^１９ が複数の場合、複数のＲ ^１９ は同一でも異なっていてもよい。Ａｒは、下記式（４ａ）、（４ｂ）及び（４ｃ）からなる群より選ばれる少なくとも１種で表される２価の基である。）
   

   

   （式（４ａ）、（４ｂ）及び（４ｃ）中、Ｒ ^２０ 〜Ｒ ^２３ は、それぞれ独立して、炭素数１〜１２の１価の有機基である。但し、Ｒ ^２０ 〜Ｒ ^２３ の有機基は、鎖状炭化水素基又は脂環式炭化水素基を含む場合はない。ｐ、ｑ及びｒは、それぞれ独立して、０〜４の整数である。ｓは、０〜６の整数である。Ｒ ^２０ 〜Ｒ ^２３ がそれぞれ複数の場合、複数のＲ ^２０ 〜Ｒ ^２３ はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。）
   

   

   （式（５）中、Ｒ ^２４ 及びＲ ^２５ は、それぞれ独立して、炭素数１〜１２の１価の有機基である。但し、Ｒ ^２４ 及びＲ ^２５ の有機基は、鎖状炭化水素基又は脂環式炭化水素基を含む場合はない。ｔ及びｕは、それぞれ独立して、０〜４の整数である。Ｒ ^２４ 及びＲ ^２５ がそれぞれ複数の場合、複数のＲ ^２４ 及びＲ ^２５ はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｚは、単結合、−ＳＯ _２ −又は−ＣＯ−である。ｗは、０又は１である。）
3. 下記式（１）で表される第１構造単位と、
   下記式（２）で表される構造単位及び下記式（３）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の第２構造単位と、
   下記式（４）で表される構造単位及び下記式（５）で表される構造単位からなる群より選ばれる少なくとも１種の第３構造単位と
   を含む重合体。
   

   

   （式（１）中、Ｒ ^１ 及びＲ ^２ は、それぞれ独立して、炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数６〜１５のアリール基である。ｎは、５〜１００の整数である。複数のＲ ^１ 及びＲ ^２ は、それぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ ^３ 及びＲ ^４ は、それぞれ独立して、単結合又は炭素数１〜１２の２価の有機基である。Ｘは、下記式（１ａ）又は（１ｂ）で表される２価の基である。）
   

   

   （式（１ａ）及び（１ｂ）中、Ｒ ^５ は、炭素数１〜１２の１価の有機基である。ａは、０〜３の整数である。Ｒ ^５ が複数の場合、複数のＲ ^５ は同一でも異なっていてもよい。Ｒ ^６ は、シアノ基、ニトロ基又はホルミル基である。）
   

   

   （式（２）中、Ｒ ^７ 〜Ｒ ^１０ は、それぞれ独立して、炭素数１〜１２の１価の有機基である。但し、Ｒ ^７ 〜Ｒ ^１０ の有機基は、鎖状炭化水素基又は脂環式炭化水素基を含む場合はない。ｂ〜ｅは、それぞれ独立して、０〜４の整数である。Ｒ ^１１ は、炭素数１〜１２の１価の有機基である。ｆは、０〜３の整数である。Ｒ ^７ 〜Ｒ ^１１ がそれぞれ複数の場合、複数のＲ ^７ 〜Ｒ ^１１ はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｒ ^１２ は、シアノ基、ニトロ基又はホルミル基である。）
   

   

   （式（３）中、Ｒ ^１３ 〜Ｒ ^１６ は、それぞれ独立して、炭素数１〜１２の１価の有機基である。但し、Ｒ ^１３ 〜Ｒ ^１６ の有機基は、鎖状炭化水素基又は脂環式炭化水素基を含む場合はない。Ｒ ^１７ 及びＲ ^１８ は、それぞれ独立して、ハロゲン原子、ニトロ基又は炭素数１〜１２の１価の有機基である。ｇ〜ｌは、それぞれ独立して、０〜４の整数である。Ｒ ^１３ 〜Ｒ ^１８ がそれぞれ複数の場合、複数のＲ ^１３ 〜Ｒ ^１８ はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｙは、単結合、−ＳＯ _２ −又は−ＣＯ−である。ｍは、０又は１である。但し、ｍが０の場合、Ｒ ^１８ はニトロ基及びシアノ基のいずれでもない。）
   

   

   （式（４）中、Ｒ ^１９ は、炭素数１〜１２の１価の有機基である。但し、Ｒ ^１９ の有機基は、鎖状炭化水素基又は脂環式炭化水素基を含む場合はない。ｏは、０〜３の整数である。Ｒ ^１９ が複数の場合、複数のＲ ^１９ は同一でも異なっていてもよい。Ａｒは、下記式（４ａ）、（４ｂ）及び（４ｃ）からなる群より選ばれる少なくとも１種で表される２価の基である。）
   

   

   （式（４ａ）、（４ｂ）及び（４ｃ）中、Ｒ ^２０ 〜Ｒ ^２３ は、それぞれ独立して、炭素数１〜１２の１価の有機基である。但し、Ｒ ^２０ 〜Ｒ ^２３ の有機基は、鎖状炭化水素基又は脂環式炭化水素基を含む場合はない。ｐ、ｑ及びｒは、それぞれ独立して、０〜４の整数である。ｓは、０〜６の整数である。Ｒ ^２０ 〜Ｒ ^２３ がそれぞれ複数の場合、複数のＲ ^２０ 〜Ｒ ^２３ はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。）
   

   

   （式（５）中、Ｒ ^２４ 及びＲ ^２５ は、それぞれ独立して、炭素数１〜１２の１価の有機基である。但し、Ｒ ^２４ 及びＲ ^２５ の有機基は、鎖状炭化水素基又は脂環式炭化水素基を含む場合はない。ｔ及びｕは、それぞれ独立して、０〜４の整数である。Ｒ ^２４ 及びＲ ^２５ がそれぞれ複数の場合、複数のＲ ^２４ 及びＲ ^２５ はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。Ｚは、単結合、−ＳＯ _２ −又は−ＣＯ−である。ｗは、０又は１である。）
4. 上記第１構造単位及び上記第２構造単位の合計に対する上記第１構造単位の含有割合が０．０５モル％以上５０モル％以下、上記第２構造単位の含有割合が５０モル％以上９９．９５モル％以下である請求項１に記載の重合体。
5. 上記第１構造単位及び上記第３構造単位の合計に対する上記第１構造単位の含有割合が０．０５モル％以上４０モル％以下、上記第３構造単位の含有割合が６０モル％以上９９．９５モル％以下である請求項２に記載の重合体。
6. 上記第１構造単位、上記第２構造単位及び上記第３構造単位の合計に対する上記第１構造単位の含有割合が０．０５モル％以上５０モル％以下、上記第２構造単位の含有割合が５モル％以上９５．９５モル％以下、上記第３構造単位の含有割合が４モル％以上９４．９５モル％以下である請求項３に記載の重合体。
7. 請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の重合体、及び
   有機溶媒
   を含有する樹脂組成物。
8. 上記有機溶媒が、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、エステル系溶媒及びアミド系溶媒からなる群より選ばれる少なくとも１種である請求項７に記載の樹脂組成物。
9. 膜形成用である請求項７又は請求項８に記載の樹脂組成物。
10. 請求項９に記載の樹脂組成物で塗膜を形成する工程、及び
    上記塗膜から有機溶媒を除去する工程
    を有する膜形成方法。