JP6257478B2 - 電力用半導体装置 - Google Patents
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Description
即ち、本発明の一態様における電力用半導体装置は、基板であり厚み方向の両面に導体層を有するセラミック基板と、一方の上記導体層に接合した放熱部材と、他方の上記導体層に接合した電力用半導体素子と、上記電力用半導体素子の周辺を囲む枠形状で上記他方の導体層に固定される枠部材と、上記電力用半導体素子に接合され上記枠部材から上記厚み方向に突出する電極と、を備え、上記枠部材は、その内側に配置される上記電極の位置ずれを防止する第1位置ずれ防止部材を有し、上記電極は、上記第1位置ずれ防止部材と係合する係止部を有することを特徴とする。
また以下の説明では、電力用半導体素子を有する電力用半導体装置を例に採るが、実施の形態に示す構成は、電力用半導体装置に限定することなく、通常電圧が印加され動作する一般的な半導体素子を有する半導体装置に適用することも可能である。
図1Aから図1C(まとめて図1と記す場合もある)は、本実施の形態1における電力用半導体装置101を示しており、図1Aはその斜視図、図1Bは平面図、図1Cは断面図である。このような電力用半導体装置101は、基本的構成部品として、セラミック基板3と、電力用半導体素子5と、電極7と、枠部材11と、放熱部材13とを有し、さらに枠部材11に第1位置ずれ防止部材を設け、電極7に係止部を設けている。
尚、実施の形態1から6では、電力用半導体装置から放熱部材を除いた構成部分を半導体モジュールと呼ぶ。
電力用半導体素子5の材料としては、通常Siが用いられるが、GaNあるいはSiCなど高温動作可能な素材を用いてもよい。このような高温動作可能な材料を用いた方が電力用半導体装置101全体の小型化が可能となり好適である。
即ち、上述のように構成される電力用半導体装置101は、例えば、モーターなどを駆動するインバータ用として用いられ、モーターを駆動する場合、通常数百アンペアの通電電流が流れる。よって、電力用半導体装置101内の配線部、及び電力用半導体装置101外の外部配線は、通電電流に応じて許容部材温度内及び許容雰囲気温度内に収まるように設計する必要がある。特に自動車に搭載される場合には、既に説明したように、電力用半導体装置101には、さらに小型化及び耐振化が要求される。また、モーターの負荷の増減による温度変化により、電力用半導体装置101内部の接合部に熱応力が生じ、繰り返される温度変化によって接合部が劣化することも考えられる。すなわち長期使用に対して安全に使用できる期間を保証する設計を行う必要がある。
ここで、電力用半導体装置101の電極7と外部配線とを密着させる手段としては、2枚の電極をチャックする手段がある。このチャック手段により、通常、電極7と外部配線との距離を縮めながら、つまり矯正しながら、溶接が行われる。しかしながらこの矯正量が増すと、当然ながら、電力用半導体素子5に電極7を固定している第2固着層6部分、ひいては電力用半導体素子5に対して外部応力が作用することになる。したがって、上記矯正量は、十分に小さくする必要がある。
また、係止部の一例として、電極7は、図1Bに示すような、凹部24を有する。尚、図1Bでは、凹部24が明示されるように凹部24を誇張して図示している。実際には、凹部24は凸部14と嵌合する程度つまり両者間に隙間がほとんど生じない程度のサイズである。
上述したように、放熱部材13は、第3固着層12によってセラミック基板3の下面導体層1bに固定される。一方、第3固着層12として例えばはんだ接合などの液相化する接合手段を用いたときに液相化が発生した場合には、放熱部材13に対して、セラミック基板3、電力用半導体素子5、及び枠部材11等から構成される半導体モジュールが移動可能となる。その結果、電力用半導体素子5の主回路配線に相当する電極7と外部配線との位置が定まらないという事象の発生も考えられる。
図3Aは、本実施の形態2における電力用半導体装置102の平面図であり、図3Bは電力用半導体装置102の斜視図である(図3A、図3Bをまとめて図3と記す場合もある)。
この電力用半導体装置102は、実施の形態1における電力用半導体装置101の構成と略同じ構成を有し、以下に説明する部分のみで相違する。以下では、この相違部分のみについて説明を行う。
電力用半導体装置102では、電極7A、7Bは、枠部材11を樹脂成型する際にインサートしている。このインサートを行うために、枠部材11における第1位置ずれ防止部材は、本実施の形態2では、対向する壁面間に延在し電極7をインサートして電極7に対して厚み方向91において係合する凸部16である。また凸部16は枠部材11と一体的に成型されていることから、上記インサート動作により、枠部材11と電極7とが一体的に形成される。
図4Aは、本実施の形態3における電力用半導体装置103の平面図であり、図4Bは電力用半導体装置103の斜視図である(図4A、図4Bをまとめて図4と記す場合もある)。
この電力用半導体装置103は、実施の形態1における電力用半導体装置101の構成と略同じ構成を有し、以下に説明する部分のみで相違する。以下では、この相違部分のみについて説明を行う。
枠部材11と放熱部材13との接続について、実施の形態1の電力用半導体装置101では、枠部材11に形成した突起17を、放熱部材13に形成した凹部18に嵌合する形態を採った。これに対して本実施の形態3の電力用半導体装置103では、放熱部材13に連結部の一例として突起27を設け、枠部材11に第2位置ずれ防止部材の一例として溝28を設け、突起27と溝28とを係合させる。
また放熱部材13に対して枠部材11が上側に位置するので、本実施の形態3では、枠部材11の溝28に放熱部材13の突起27が係合する状態を直接視認することができる。よって、実施の形態1の構造と比較すると生産性が飛躍的に向上するという利点がある。
図5Aは、本実施の形態4における電力用半導体装置104の平面図であり、図5Bは電力用半導体装置104の斜視図である(図5A、図5Bをまとめて図5と記す場合もある)。
この電力用半導体装置104は、実施の形態1における電力用半導体装置101の構成と略同じ構成を有し、以下に説明する部分のみで相違する。以下では、この相違部分のみについて説明を行う。
本実施の形態4の電力用半導体装置104では、枠部材11は、さらに、枠部材11とセラミック基板3の上面導体層1aとの固着をより強固にするための補強端子21を設けている。補強端子21は、枠部材11の内側へ壁面から突出し、枠部材11にインサートされて形成され、電極7等が第2固着層6で固着される工程にて同時に上面導体層1aに固着される。補強端子21の配置位置は、図5Aに示す箇所に限定するものではなく、セラミック基板3の上面導体層1aに枠部材11を固定可能な場所であればよい。
以上説明した、図1から図5に示す各実施の形態1から4の電力用半導体装置101から104において、以下のような構成を採ることも可能である。
即ち、電力用半導体装置101から104は、例えばモーターを駆動するインバータとして構成することができる。例えば自動車用の駆動モーターは、モーター1台あるいは2台とガソリンエンジンとのハイブリッドシステム、モーターのみの電気自動車用など、多種多様化しており、これに対応してモーターを駆動するインバータに求められる信頼性スペックもそれぞれのシステムに応じて多種多様化している。即ち、小型化及び高耐振化という課題に合わせて、様々な信頼性スペックに対応して安価で高品質なインバータが求められている。特に第2固着層6における接合部、つまり半導体素子5と電極7等との接続信頼性について、より高い信頼性が必要な場合には、電極7等の材料にCuを適用することのみならず、電極7等の線膨張係数を電力用半導体素子5(例えばシリコンであれば2.5ppm/K)に近づけることが有効な手段となる。例えば、Cu、インバー(Fe−36%Ni合金)、及びCuを3層に積層したクラッド材料の場合、厚み比に応じて電極表面の見かけの線膨張係数をコントロールすることができる。例えば、インバーの比率を大きくした場合には4ppm/K(Cu:Invar:Cu=1:8:1)、小さくした場合には13ppm/K(Cu:Invar:Cu=2:1:2)となり、シリコン(2.5ppm/K)と銅(17ppm/K)との間で任意に変化させることが可能である。
また、電極7は上述のように材料自体及び形状を変更することだけで、格段に信頼性を向上させることができるため、電力用半導体装置の使用環境あるいは運転モードの異なる様々なインバータに対して、電極材料及び形状の変更のみで対応可能となる。このため、製造工程の共通化を図ることが実現でき、製造コストの低減につなげることができる。したがって、小型、高耐振、低コストなインバータを実現することが可能である。
図6Aは本実施の形態6の電力用半導体装置106の斜視図であり、図6Bは側面図である。尚、図6A及び図6Bをまとめて図6と記す場合もある。また、図7は、電力用半導体装置106におけるヒートシンク31にジャケット32をさらに設けた電力用半導体装置106−1の斜視図である。
図6Aに示す電力用半導体装置106は、上述した実施の形態1における電力用半導体装置101の半導体モジュール101A部分を、例えば6個にて、ヒートシンク31に配列した形態を有する。尚、電力用半導体装置101の半導体モジュール101Aとは、電力用半導体装置101から放熱部材13を除いた構成部分に相当する。また、ヒートシンク31は、放熱部材13に厚み方向91に沿って複数の冷却フィン31aを突設した構造である。
また、図7に示す電力用半導体装置106−1では、図2に図示して説明した第2枠部材15及び外部配線バスバー20をヒートシンク31に設けている。また、ジャケット32には、ジャケット32内を通過する冷媒、例えば水、の一対の出入口33が電力用半導体装置106−1の対角位置に設けている。
したがって、電力用半導体装置の小型、高耐振化と、低コスト化とを同時に実現することが可能である。
さらにまた、上述した実施の形態5との組合せによって、工程の共通化によるコスト低減との相乗効果が生じることはいうまでもない。
5 電力用半導体素子、7 電極、11 枠部材、13 放熱部材、
14 凸部、17 突起、18 凹部、21 補強端子、24 凹部、
27 突起、28 溝、 31 ヒートシンク、31a 冷却フィン、
32 ジャケット、91 厚み方向、
101〜104,106 電力用半導体装置。
Claims (6)
- 基板であり厚み方向の両面に導体層を有するセラミック基板と、
一方の上記導体層に接合した放熱部材と、
他方の上記導体層に接合した電力用半導体素子と、
上記電力用半導体素子の周辺を囲む枠形状で上記他方の導体層に固定される枠部材と、
上記電力用半導体素子に接合され上記枠部材から上記厚み方向に突出する電極と、を備え、
上記枠部材は、その内側に配置される上記電極の位置ずれを防止する第1位置ずれ防止部材を有し、
上記電極は、上記第1位置ずれ防止部材と係合する係止部を有する、
ことを特徴とする電力用半導体装置。 - 上記第1位置ずれ防止部材は、上記枠部材において対向する壁面間を延在して上記電極に対して上記厚み方向において係合し、かつ上記電極をインサートして形成される、請求項1に記載の電力用半導体装置。
- 上記放熱部材は、上記枠部材と連結する連結部を有し、
上記枠部材は、上記連結部と係合して上記放熱部材に対する位置決めを行う第2位置ずれ防止部材を有する、請求項1又は2に記載の電力用半導体装置。 - 上記枠部材は、他方の上記導体層に接合する補強端子を有する、請求項1から3のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。
- 上記電極は、銅合金よりも線膨張係数が小さい材料で作製される、請求項1から4のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。
- 上記放熱部材は、冷却フィンを有するヒートシンクであり、このヒートシンクを覆い内側を冷媒が通過するジャケットを有する、請求項1から5のいずれか1項に記載の電力用半導体装置。
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