JP5164793B2 - 電力用半導体装置 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 125
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 91
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 55
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 55
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 48
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 48
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 19
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 14
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 12
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 11
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 3
- 239000004519 grease Substances 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical class [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
- H01L2224/848—Bonding techniques
- H01L2224/84801—Soldering or alloying
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
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Description
即ち、本発明の一態様における電力用半導体装置は、電力用半導体素子を封止した一対の電力用半導体モジュールと、上記電力用半導体モジュール間に配置されそれぞれの電力用半導体モジュールと電気的に接続される配線部材と、上記電力用半導体モジュール及び上記配線部材を載置して接続し上記電力用半導体モジュール及び上記配線部材から伝導される熱を除去する冷却部とを備え、上記配線部材は、金属板と絶縁樹脂部とを有し、上記金属板は、上記電力用半導体モジュールのそれぞれの電力用半導体素子から延在する各電極と電気的に接続され上記冷却部の載置面に沿って延在し上記冷却部への放熱面積を増加させる一対の放熱面積拡大部、及び、各放熱面積拡大部から屈曲し上記冷却部の厚み方向に沿って上記冷却部から離れる方へ延在し上記放熱面積拡大部と一体成型される屈曲部を有し、上記絶縁樹脂部は、上記金属板と上記冷却部とに挟まれて存在し上記金属板の熱を上記冷却部へ伝導しかつ上記冷却部に接続され、一対の上記放熱面積拡大部は、上記絶縁樹脂部を介して重なって配置されることを特徴とする。
図1に、本実施形態における電力用半導体装置101の概略構成を示す。電力用半導体装置101は、基本的な構成部分として、電力用半導体素子21を封止した電力用半導体モジュール20と、電力用半導体モジュール20と電気的に接続される配線部材30Aと、電力用半導体モジュール20及び配線部材30Aを載置して電力用半導体モジュール20及び配線部材30Aと接続され、電力用半導体モジュール20及び配線部材30Aから伝導される熱を除去する冷却部10とを備える。これらの構成部分について、以下に説明する。
このように冷却部10の内部に、冷却部10の断面を細かく分割した冷媒通路を設けることで、冷媒と冷却部10の内面との接触面積が増し、高い冷却性能を確保することができる。
又、冷却部10の載置面10bには、電力用半導体モジュール20が載置、固定され、配線部材30Aが載置、固定される。
本実施形態では、このように、金属板31の放熱面積拡大部31aと冷却板10とを極力熱的に近接させる接続部32bを設けたことで、金属板31の熱をより効率的に冷却部10へ伝導させることができ、配線部材30Aの昇温を抑制することができる。
図2を参照して、本発明の実施の形態2における電力用半導体装置102について説明する。
電力用半導体装置102においても、電力用半導体装置101と同様に、基本的な構成部分として、電力用半導体モジュール20と、電力用半導体モジュール20と電気的に接続される配線部材30Bと、電力用半導体モジュール20及び配線部材30Bを載置して電力用半導体モジュール20及び配線部材30Bと接続され、電力用半導体モジュール20及び配線部材30Bから伝導される熱を除去する冷却部15とを備える。
又、配線部材30Bにおいて、図示するように、各金属板31の放熱面積拡大部31aを厚み方向51に重ねて配置している。よって、実施形態1における配線部材30Aの構成に比べて、配線部材30Bの上記幅方向52におけるサイズを小さくすることができる。よって、電力用半導体装置102の幅方向52のサイズの小型化を図ることもできる。
図3を参照して、本発明の実施の形態3における電力用半導体装置103について説明する。
電力用半導体装置103においても、電力用半導体装置101と同様に、基本的な構成部分として、電力用半導体モジュール20と、電力用半導体モジュール20と電気的に接続される配線部材30Cと、電力用半導体モジュール20及び配線部材30Cを載置して電力用半導体モジュール20及び配線部材30Cと接続され、電力用半導体モジュール20及び配線部材30Cから伝導される熱を除去する冷却部15とを備える。即ち、本実施形態の電力用半導体装置103では、実施形態2の冷却部15を用い、実施形態1における配線部材30Aでのボルト7及びナット8による締結に代えて溶接を行う形態を採る。よって以下には、実施形態1、2との相違部分に相当する配線部材30Cについて主に説明し、前述と同じ構成部分に関するここでの説明は省略する。
以上の動作にて、本実施形態の電力用半導体装置103が作製される。
さらに、実施形態2の構成に比べて厚み方向51における溶接部9の位置がより低くなることから、電力用半導体装置103の薄型化を達成することができる。
21 電力用半導体素子、22 主電極、30A〜30C 配線部材、31 金属板、 31a 放熱面積拡大部、31b 屈曲部、32 絶縁樹脂部、
101〜103 電力用半導体装置。
Claims (3)
- 電力用半導体素子を封止した一対の電力用半導体モジュールと、上記電力用半導体モジュール間に配置されそれぞれの電力用半導体モジュールと電気的に接続される配線部材と、上記電力用半導体モジュール及び上記配線部材を載置して接続し上記電力用半導体モジュール及び上記配線部材から伝導される熱を除去する冷却部とを備え、
上記配線部材は、金属板と絶縁樹脂部とを有し、
上記金属板は、上記電力用半導体モジュールのそれぞれの電力用半導体素子から延在する各電極と電気的に接続され上記冷却部の載置面に沿って延在し上記冷却部への放熱面積を増加させる一対の放熱面積拡大部、及び、各放熱面積拡大部から屈曲し上記冷却部の厚み方向に沿って上記冷却部から離れる方へ延在し上記放熱面積拡大部と一体成型される屈曲部を有し、
上記絶縁樹脂部は、上記金属板と上記冷却部とに挟まれて存在し上記金属板の熱を上記冷却部へ伝導しかつ上記冷却部に接続され、
上記放熱面積拡大部は、上記絶縁樹脂部を介して重なって配置される、
ことを特徴とする電力用半導体装置。 - 上記電極と上記金属板とは、上記屈曲部の端部にて溶接される、請求項1記載の電力用半導体装置。
- 上記絶縁樹脂部は、当該絶縁樹脂部よりも熱伝導の良好な接着部材にて上記冷却部と接続される、請求項1記載の電力用半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008282836A JP5164793B2 (ja) | 2008-11-04 | 2008-11-04 | 電力用半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008282836A JP5164793B2 (ja) | 2008-11-04 | 2008-11-04 | 電力用半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010114116A JP2010114116A (ja) | 2010-05-20 |
JP5164793B2 true JP5164793B2 (ja) | 2013-03-21 |
Family
ID=42302478
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008282836A Active JP5164793B2 (ja) | 2008-11-04 | 2008-11-04 | 電力用半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5164793B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6186142B2 (ja) * | 2013-03-12 | 2017-08-23 | 新電元工業株式会社 | 端子の放熱構造及び半導体装置 |
JP5932701B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2016-06-08 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
JP6590952B2 (ja) * | 2016-01-29 | 2019-10-16 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6040626A (en) * | 1998-09-25 | 2000-03-21 | International Rectifier Corp. | Semiconductor package |
JP2004259791A (ja) * | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Hitachi Ltd | パワー半導体モジュール |
JP4391959B2 (ja) * | 2005-03-24 | 2009-12-24 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
-
2008
- 2008-11-04 JP JP2008282836A patent/JP5164793B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010114116A (ja) | 2010-05-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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