JP6180852B2 - 固体電解質セラミックス材料の製造方法 - Google Patents
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ガーネット型又はガーネット型類似の結晶構造を与えることが可能な配合比でLi、La及びZrである主要構成元素と、Biを少なくとも含む置換元素と含む原料粉末を用意する工程と、
前記原料粉末を一段階又は多段階で焼成して、前記置換元素で部分置換された主要構成元素で構成されるガーネット型又はガーネット型類似の結晶構造を有する酸化物焼結体をセラミックス材料として合成する工程と
を含んでなり、前記焼成が一段階で行われる場合にはその一段階の焼成が酸化雰囲気中で行われ、前記焼成が多段階で行われる場合にはその最終段階の焼成が酸化雰囲気中で行われることを特徴とする、方法が提供される。
本発明の方法により製造されるセラミックス材料は、リチウムイオン伝導性を有する固体電解質セラミックス材料である。このセラミックス材料は、Li、La、Zr及びOである主要構成元素と、少なくともBiを含む置換元素とを含んでなるガーネット型又はガーネット型類似の結晶構造を有する酸化物焼結体からなる。置換元素はTa又はNbを更に含むのが好ましい。典型的には、この結晶構造は、少なくともLi、La、Zr及びOで構成されるガーネット型又はガーネット型類似の結晶構造(以下、LLZ結晶構造という)において、Zrのサイトの一部がBi及び所望によりTa又はNbを含む置換元素で置換されたものである。このような置換により、LLZ結晶構造におけるZrのサイトが複数の所定の元素で構成されることになる。本発明者らの今般の知見によれば、Zrのサイトが複数の所定の元素で構成されることで、イオン伝導率を向上させることができる。置換元素によるZrの一部置換量は、Zrサイトを構成する元素の総モル数に対して、5〜30mol%であるのが好ましく、より好ましくは20〜30mol%であり、更に好ましくは21〜27mol%である。このような本発明のセラミックス材料はガーネット型又はガーネット型類似のLLZ系固体電解質セラミックス材料であるということができるが、Li、La、Zr、Bi、Ta、Nb及びO以外の他の元素(例えばAl)を結晶格子又はそれ以外の部分(例えば粒界)に含むものであってよい。なお、所望により存在しうるTa及びNbは、同じ5価の元素としてZrサイトに置換するが、イオン半径が同等であるため、結晶構造の変化、ひいてはイオン伝導率の変化において同等の効果をもたらす。したがって、Bi及びTaの組合せ、Bi及びNbの組合せ、あるいはBi、Ta及びNbの組合せのいずれでZrサイトを置換しても同等の効果を奏する。
Li7−x−yLa3(Zr2−x−y,Mx,Biy)O12−δ
(式中、0≦x<0.60、0.03≦y≦0.60、0.10≦x+y≦0.60であり、MはTa又はNbを含み、δは酸素欠損量を示すが0でありうる)
で表される組成を含むのが好ましく、より好ましくは0<x<0.60、0.04≦y≦0.60、0.20≦x+y≦0.60であり、更に好ましくは0.05≦x<0.55、0.04≦y≦0.55、0.30≦x+y≦0.55であり、最も好ましくは0.05≦x<0.40、0.15≦y≦0.55、0.35≦x+y≦0.55である。このような範囲であるとイオン伝導率が特に向上する。なお、最新の装置を用いても酸素欠損量(δ)を定量分析できない実情に照らして、上記一般式は慣習上Li7−x−yLa3(Zr2−x−y,Mx,Biy)O12と略記されてもよいものである。いずれにせよ0≦δ<1であれば問題無いものと考えられる。また、上記一般式は主要構成元素及び置換元素の組成比を規定するものであって、それ以外の他の元素(例えばAlやMg)の結晶格子又はそれ以外の部分(例えば粒界)での含有の可能性を何ら排除するものではない。
上述したような本発明による固体電解質セラミックス材料は、次のような手順で製造することができる。まず、ガーネット型又はガーネット型類似の結晶構造を与えることが可能な配合比でLi、La及びZrである主要構成元素と、Bi及び所望によりTa又はNbを含む置換元素と含む原料粉末を用意する。次いで、原料粉末を一段階又は多段階で焼成して、置換元素で部分置換された主要構成元素で構成されるガーネット型又はガーネット型類似の結晶構造を有する酸化物焼結体をセラミックス材料として合成する。原料粉末を用意する工程及び/又は合成工程において所望により添加元素としてAl及び/又はMgを添加してもよい。そして、焼成が一段階で行われる場合にはその一段階の焼成が酸化雰囲気中で行われ、焼成が多段階で行われる場合にはその最終段階の焼成が酸化雰囲気中で行われる。以下、これらの工程について具体的に説明する。
まず、ガーネット型又はガーネット型類似の結晶構造を与えることが可能な配合比で主要構成元素Li,La及びZr、置換元素Bi及び所望によりTa又はNb、並びに所望により添加元素としてのAl及び/又はMgを含む原料粉末、すなわち焼成用原料の粉砕粉を用意する。これらの構成金属元素は、Li成分、La成分、Zr成分、Bi成分、所望によりTa成分又はNb成分、並びに所望によりAl成分及び/又はMg成分として焼成用原料に含有されていればよい。本発明のセラミックス材料はOを含有するが、Oはこれらの構成金属元素の化合物中に構成元素として含まれるものであってよい。これらの各種原料成分は、それぞれの金属元素を含む金属酸化物、金属水酸化物、金属炭酸塩等の各種金属塩等の任意の形態であることができ、特に限定されない。例えば、Li成分としてはLi2CO3又はLiOHを用い、La成分としてはLa(OH)3又はLa2O3を用い、Zr成分としてはZrO2を用い、Bi成分としてはBi2O3を用い、Ta成分としてはTa2O5を用い、Nb成分としてはNb2O5を用いることができる。
原料粉末は一段階又は多段階で焼成されて、少なくともLi、La、Zr、Bi及びOで構成されるガーネット型又はガーネット型類似の結晶構造を有する酸化物焼結体がセラミックス材料として合成される。そして、この合成工程においてAl及び/又はMgが添加されてもよい。
焼成用原料調製のための各原料成分として、水酸化リチウム(関東化学株式会社)、水酸化ランタン(信越化学工業株式会社)、酸化ジルコニウム(東ソー株式会社)、酸化タンタル、酸化ニオブ及び酸化ビスマスを用意した。これらの粉末を表1に示される組成となるように秤量及び配合し、さらに、γ−Al2O3をガーネット組成式に対するAlのモル比率で0.1(試料1〜6、8〜12及び14〜18)、0.05(試料7、13、19及び20)又は0.025(試料21及び22)となる量添加して、ライカイ機にて混合して焼成用原料を得た。なお、表1に示される組成は仕込み組成であって、焼成時にLiが損失することを考慮して狙いの組成よりも多めに含有させている。従って、仕込み組成はガーネット型結晶構造の電荷補償を満たしていない組成ではあるが、Liの損失及び/又は酸素欠損が生じることで焼成後には電荷補償を満たした組成になるものと解される。なお、Li以外の元素については焼成時における損失は実質的に無く、表1に示される組成比で焼成後も基本的に保持される。
X線回折装置(Bruker AXS社製、D8 ADVANCE)を用いて試料1〜22のX線回折測定を行ったところ、CSD(Cambridge Structural Database)のX線回折ファイルNo.422259(Li7La3Zr2O12)類似の結晶構造が得られた。このことから、得られた全ての試料がLLZ結晶構造の特徴を有することが確認された。試料2のX線回折プロファイルを図1に示す。図1においてO2と表示されるX線回折プロファイルが試料2に対応しており、異相ピークは観察されなかった。すなわち、試料2は、図中▽印で示されるCSD‐No.422259から同定されるとおり、LLZ系結晶の単相からなることが判明した。
試料の両面にAuスパッタで電極を形成した後、Ar雰囲気のグローブボックス内に導入し、CR2032コインセルに組み込んだ。本コインセルを大気中に取り出し、ソーラトロン社製電気化学測定システム(ポテンショ/ガルバノスタッド,周波数応答アナライザ)を用い、周波数0.1Hz〜1MHz、電圧10mVにて交流インピーダンス測定を行い、リチウムイオン伝導率を算出した。その結果、各試料のリチウムイオン伝導率は表1に示されるとおりであった。本発明による試料1〜20及び22は比較試料21よりも高い伝導率を示した。
試料1〜22の重量を測定した後、マイクロメーターを用いて試料1〜22の各辺の長さ若しくは直径及び厚さを数箇所測定して平均値を算出した後、試料1〜22の体積を算出し、密度を算出した。その結果、各試料の密度は表1に示されるとおりであった。本発明による試料1〜20及び22は比較試料21よりも高い焼結体密度を示した。
試料2を研磨して表面の微構造をSEMで観察するとともに、EDX装置(日本電子製、JSM−6610LV)によりBiの分布を調べた。その結果、図2Aに示される微構造SEM画像と、図2B示されるBi分布像が得られた。図2A及び図2Bから分かるように酸素雰囲気での焼成を経て得られた試料2にあっては、Biが偏析することなく均一に分布しており、BiがLLZ系粒子内に十分に固溶しているものと解される。
酸素雰囲気の代わりに大気雰囲気を用いて第二の焼成工程を行ったこと以外は試料2と同様にして、酸化物焼結体試料23の作製及び評価を行った。結果は表2に示されるとおりであり、試料23についても、試料2よりは若干劣るものの、所望の高い密度及びリチウムイオン伝導率が得られた。試料23のX線回折プロファイルを図1に示す。図1においてAirと表示されるX線回折プロファイルが試料23に対応しており、異相ピークは殆ど観察されなかった。すなわち、試料23は、図中▽印で示されるCSD‐No.422259から同定されるとおり、LLZ系結晶の単相から実質的になることが判明した。また、図3Aの微構造SEM画像及び図3BのBi分布像から分かるように酸素雰囲気での焼成を経て得られた試料23にあっては、Biが殆ど偏析することなく概ね均一に分布しており、BiがLLZ系粒子内に十分に固溶しているものと解される。
酸素雰囲気の代わりにAr雰囲気を用いて第二の焼成工程を行ったこと以外は試料2と同様にして、酸化物焼結体試料24の作製及び評価を行った。なお、Ar雰囲気を用いる場合、事前に容量約3Lの炉内を真空引きした後、純度99.99%以上のArガスを電気炉に1L/分で流した。その結果は表2、図1、図4A及び図4Bに示されるとおりであり、試料24では試料2(酸素雰囲気)及び試料23(大気雰囲気)よりも低い密度及びリチウムイオン伝導率しか得られなかった。試料24のX線回折プロファイルを図1に示す。図1においてArと表示されるX線回折プロファイルが試料24に対応しており、図中矢印で表示される異相ピークが明確に観察された。すなわち、試料24はある程度異相を含むことが判明した。また、図4Aの微構造SEM画像及び図4BのBi分布像から分かるようにAr雰囲気での焼成を経て得られた試料24にあっては、Biが均一に分布しておらず、BiがLLZ系粒子内に十分に固溶されることなく、おそらく異相部分に偏析しているものと推測される。
Claims (12)
- リチウムイオン伝導性を有し、密度が5.0g/cm 3 以上である固体電解質セラミックス材料の製造方法であって、
ガーネット型又はガーネット型類似の結晶構造を与えることが可能な配合比でLi、La及びZrである主要構成元素と、Biを少なくとも含む置換元素と含む原料粉末を用意する工程と、
前記原料粉末を一段階又は多段階で焼成して、前記置換元素で部分置換された主要構成元素で構成されるガーネット型又はガーネット型類似の結晶構造を有する酸化物焼結体をセラミックス材料として合成する工程と
を含んでなり、前記焼成が一段階で行われる場合にはその一段階の焼成が酸化雰囲気中で行われ、前記焼成が多段階で行われる場合にはその最終段階の焼成が酸化雰囲気中で行われ、
前記結晶構造が、一般式:
Li 7−x−y La 3 (Zr 2−x−y ,M x ,Bi y )O 12−δ
(式中、0≦x<0.60、0.03≦y≦0.60、0.10≦x+y≦0.60であり、MはTa又はNbを含み、δは酸素欠損量を示すが0でありうる)
で表される組成を含むことを特徴とする、方法。 - 前記酸化雰囲気が酸素雰囲気である、請求項1に記載の方法。
- 前記焼成が第一の焼成工程及び第二の焼成工程からなる二段階で行われ、前記第二の焼成工程が酸化雰囲気中で行われる、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記第一の焼成工程が850℃以上1150℃以下の温度で行われ、前記第二の焼成工程が950℃以上1250℃以下の温度で行われる、請求項3に記載の方法。
- 前記第一の焼成工程が酸化雰囲気又は不活性ガス雰囲気中で行われる、請求項3又は4に記載の方法。
- 前記置換元素がTa及び/又はNbを更に含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。
- 前記置換元素が、前記結晶構造のZrを一部置換してなる、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記置換元素によるZrの一部置換量が、Zrサイトを構成する元素の総モル数に対して、5〜30mol%である、請求項7に記載の方法。
- 前記原料粉末を用意する工程及び/又は前記酸化物焼結体を合成する工程において添加元素としてAlが添加され、それにより酸化物焼結体がAlを添加元素として含む、請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記酸化物焼結体におけるAl/Laのモル比が、0.008以上0.12以下である、請求項9に記載の方法。
- 前記原料粉末を用意する工程及び/又は前記酸化物焼結体を合成する工程において添加元素としてMgが添加され、それにより前記酸化物焼結体が、Mgを添加元素として更に含む、請求項1〜10のいずれか一項に記載の方法。
- 前記固体電解質セラミックス材料のリチウムイオン伝導率が0.80mS/cm以上である、請求項1〜11のいずれか一項に記載の方法。
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