JP6169262B2 - 電源開閉装置及びそれを用いたシステム - Google Patents

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Description

この発明は、電源開閉装置に係り、特には負荷となる機能回路に近接して配置され、負荷電流の変動に対し電源の電圧を安定化させることを意図したコンデンサを有する電源ラインと、前記電源との間の電気的な接続の開閉を行う電源開閉装置、及びそれを用いたシステムに関するものである。
この種の電源の開閉装置は、たとえばモータを駆動するためのPWMインバータ回路において、主回路の動作停止時の電源遮断と主回路の動作時における電源供給を行うための切り替えを意図して構成されるものである。
ここで、PWMインバータ回路が電源から取り込んだ電力をPWMスイッチングによって適切に制御し、モータ駆動に必要な電力を供給する動作を行う際、PWMインバータ回路の動作に伴い、PWMインバータ回路の消費電流はスイッチング周波数とスイッチングデューティに依存した脈動電流となる。この脈動電流は、電源回路の配線に伴う寄生インダクタンスや配線抵抗の影響を受けて脈動電圧を引き起こし、PWMインバータ回路への供給電圧を擾乱することになる。そこで、PWMインバータ回路等の大電力の負荷回路の動作の安定化のために、負荷回路への供給電圧の変動を抑えることを意図して、電源供給回路には電解コンデンサ等を用いた比較的大きな容量のコンデンサ、所謂、リプルコンデンサを備えることが一般に広く行われている。
一方、PWMインバータ回路等の大電力の負荷回路の動作を開始するためには、それに先立ち前記の電源開閉装置を開から閉の遷移を行うことにより、負荷回路への電源の供給を確立しておき、定格電圧を印加しておくことが動作の安定のために望ましい。そのために、電源開閉装置を開から閉に操作し、その後に負荷回路の動作を開始する手順を踏む。
また、電源開閉装置としては、一般的な手法として、たとえばメカニカルリレーを用いる方法がある。メカニカルリレーに内蔵されたソレノイドの駆動によって主回路に供給する電源経路の接点を閉じることにより、電源の開閉動作において開から閉の遷移を達成する。
ところが、メカニカルリレーの接点を閉じて電源を投入する動作の場合、リレー接点閉と同時に主回路の電圧が急峻に立ち上がる結果、前記リプルコンデンサに対して突流電流が流れる現象が発生する。この突流電流のピーク値は、PWMインバータ回路が動作中の通常の消費電流最大値の更に数倍から数十倍に及ぶものであって、電源電圧の瞬間的な低下を引き起こす。その結果、PWMインバータ回路等の大電流の負荷回路自身の動作のみならず、同じ電源に接続された他の機器の動作の安定性も損ねる恐れがある。
また同時に、非常に大きな突流電流がリレーの接点を通過することになる結果、リレー接点の許容電流値をオーバすることによる接点の過熱や、接点閉動作時は接点の機械的なバウンスが生じ、接点間の大きな電圧によるアークの発生が生じることによる接点の表面状態の荒れの加速、といった問題が懸念される。
前記のような問題を解決するために、例えば特開2004−135389号公報(特許文献1)に開示されているような手法が提案されている。特許文献1に開示された手法においては、モータ駆動回路(負荷)の変動に対し、電源の電圧を安定化させることを意図した安定化電源用コンデンサ(リプルコンデンサ)を有する電源ラインと、電源の間の電気的な接続の開閉を行うリレー回路の他、電源とリプルコンデンサの間に第1の抵抗と、この第1の抵抗よりも抵抗値の小さい第2の抵抗を備えたプリチャージ回路を設けている。
そして、リレー回路を閉じる前に前記プリチャージ回路の第1の抵抗、その後第2の抵抗を介してリプルコンデンサの充電を行っている。その結果、リプルコンデンサと第1または第2の抵抗により定まる時定数により、リプルコンデンサへの充電動作がなされる。その後、リレー回路を閉じた際の接点間電位差が少ない状態となり、突流電流が緩和されている。
特開2004−135389号公報
前記のように、負荷となる機能回路に近接して配置され、負荷電流の変動に対し電源の電圧を安定化させることを意図したリプルコンデンサを有する電源ラインと、電源の間の電気的な接続の開閉を行うことを意図し、電源開閉手段を設けた構成において電源を投入する場合、電源開閉手段が開から閉の遷移の際になんらかの対策を講じない限り、リプルコンデンサへの充電作用による過渡的な突流大電流の発生が避けられない。
そのために、特許文献1のように、一般的には予備充電を実施して突流電流の大きさを抑制するような手法が用いられている。しかしこの手法によれば予備充電機能を発揮するために、プリチャージ回路、即ち補助回路の追加が必要となり、回路実装スペースの確保や追加のコストが必要である。
また、予備充電を行うための追加の起動シーケンスが発生し、必要十分な充電動作を行うためには、予備充電の完了までの追加時間をシステム起動時間として見ておく必要がある。
予備充電の時間を実用的な長さに収めるためには、プリチャージ回路の電流供給能力をコンデンサの容量とシステム起動までの許容時間の兼ね合いにより見合った性能にする必要があり、回路の実装規模やコストに大きく影響するものとなる。
また、特許文献1に開示された手法では、電源とリプルコンデンサの間に第1の抵抗と、この第1の抵抗よりも抵抗値の小さい第2の抵抗を備えることにより、コンデンサの容量に見合った電流供給能力を維持し、高速な予備充電動作を行うが、2つの時定数を使い分けるようにプリチャージ回路を構成した結果、回路規模が大きなものとなっている。
この発明は、前記のような問題点を解決するために成されたもので、電源開閉装置全体として回路規模を小さく抑え、小型コンパクトで低廉な電源開閉装置、及びそれを用いたシステムの提供を目的とするものである。
前記課題を解決するために、請求項1に係る発明は、直流電源により動作する機能回路の負荷電流の変動に対して供給電圧を安定化させるコンデンサを設けた電源供給ラインと、前記電源供給ラインの上流に位置する前記直流電源との間に、前記直流電源の開閉を行う半導体スイッチ手段を設け、前記機能回路に電源の供給、遮断を行う電源開閉装置であって、
前記半導体スイッチ手段を直列に接続された2個のスイッチ手段で構成し、両者には互いに電流の流れる向きに対して異なる方向に回り込み電流を阻止するダイオードを並列接続するとともに、
前記電源開閉装置の開から閉への遷移の際に、前記半導体スイッチ手段の出力電圧を制御し、前記コンデンサへの充電電流の値を抑制するスロープ波形発生手段を備え、前記出力電圧の増加率を時間とともに大きくなるように設定したことを特徴とする。
また、請求項2に係る発明は、前記電源供給ラインに並列に昇圧電源を備え、前記電源開閉装置の開から閉の間に所定電圧まで昇圧を行い、前記スロープ波形発生手段は、前記昇圧電源から電力を前記半導体スイッチ手段に供給するようにしたことを特徴とする。
また、請求項3に係る発明は、前記半導体スイッチ手段をバイポーラトランジスタ、もしくはMOSFETで構成したことを特徴とする。
また、請求項に係る発明は、前記機能回路がモータを駆動するPWMインバータ回路であることを特徴とする。
また、請求項に係る発明は、直流電源により動作する機能回路と、前記機能回路の負荷電流の変動に対して供給電圧を安定化させるコンデンサと、前記電源開閉装置と、を備えたシステムであることを特徴とする。
請求項1に係る電源開閉装置によれば、電源の起動時には電源開閉装置の開閉手段である半導体スイッチ手段が出力電圧漸増により動作状態に移行する。その結果、電源開閉装置の負荷側に設けたリプルコンデンサに対する電源立ち上がり時の充電電流が、電源電圧の漸増勾配に応じて適切に制御される。この動作によってリプルコンデンサへの急激な充電電流(ラッシュ電流)の抑制ができる。従って、リプルコンデンサへの予備充電を行うプリチャージ回路は不要となると共に起動シーケンスも簡素化することができる。
また、請求項2に係る電源開閉装置によれば、電源開閉装置の出力電圧漸増の動作を、半導体スイッチ手段の定格内で適切にコントロールすることによって、電源起動時のラッシュ電流の抑制を達成しつつ、高速な起動を実現できる。
また、請求項3に係る電源開閉装置によれば、半導体スイッチ手段として一般に容易に入手可能なバイポーラトランジスタ、あるいはMOSFETを適用できることから電源開閉装置の構成は容易に実現できる。
また、請求項に係る電源開閉装置によれば、半導体スイッチ手段の定格電流容量とリプルコンデンサの搭載容量を電源開閉装置の容量に対して概ね比例するような選定とすることにより、出力の大小によらず出力電圧漸増の勾配は基本的に同じ傾きで設定できる。従って、適用する電源開閉装置の規模の大小を問わず立ち上がり時間は同等に保つことができ、電源開閉装置の定格として広範に応用可能なものとなり、大小様々な定格を持つモータ駆動用の各々のインバータ回路に対して、同一の立ち上げシーケンスにて汎用的な設計にて動作させることができる。
また、請求項に係るシステムによれば、電源開閉装置の負荷側に設けたリプルコンデンサに対する電源立ち上がり時の充電電流が、電源電圧の漸増勾配に応じて適切に制御でき、この動作によってリプルコンデンサへの急激な充電電流(ラッシュ電流)の抑制を電源開閉装置の設置のみで実現できる。
この発明の前記以外の目的、特徴、観点及び効果は、図面を参照する以下のこの発明の詳細から、さらに明らかになるであろう。
この発明の実施の形態1に係る電源開閉装置を用いたシステムの接続例を示す図である。 この発明の実施の形態1に係る電源開閉装置を用いたシステムの動作を説明する図である。 この発明の実施の形態1に係る電源開閉装置を用いたシステムにおいて電源の開閉を行う半導体スイッチ手段の安全動作領域を説明する図である。 この発明の実施の形態2に係る電源開閉装置を用いたシステムの接続例を示す図である。 この発明の実施の形態2に係る電源開閉装置を動作させるための昇圧電源の構成例を示す図である。 この発明の実施の形態2に係る電源開閉装置を用いたシステムの動作を説明する図である。 この発明の実施の形態3に係る電源開閉装置を用いたシステムの接続例を示す図である。 この発明の実施の形態4に係る電源開閉装置を用いたシステムの接続例を示す図である。 この発明の実施の形態4に係る電源開閉装置の他の実施の形態を用いたシステムの接続例を示す図である。 この発明の実施の形態5に係る電源開閉装置を用いたシステムの接続例を示す図である。 この発明の実施の形態5に係る電源開閉装置を用いたシステムの動作を説明する図である。 この発明の実施の形態5に係る電源開閉装置を用いたシステムの動作を説明する図である。
以下、この発明に係る電源開閉装置、及びそれを用いたシステムの好適な実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
実施の形態1.
図1は、この発明の実施の形態1に係る電源開閉装置を用いたシステムの接続例を示す図であり、図2はその動作波形を示す図である。
図1において、符号100はシステムを示し、このシステム100の動作に必要な電源として、バッテリ10からコネクタ11を介して直流電源が引き込まれている。システム100の主回路12、13によって構成された電源供給ラインには、負荷となる機能回路(以下、負荷という。)14が接続されており、この負荷14の動作時の消費電流の変動に対して主回路12、13の電圧を安定させるために、コンデンサ、即ちリプルコンデンサ15が接続されている。また、負荷14に対して電源の供給、遮断を行うために、主回路12と主回路13の間には電源開閉装置16が設けられている。この電源開閉装置16の開閉、及び電源開閉装置16の動作に必要な昇圧電源17の動作は、マイクロコントローラシステムの動作等を利用した制御手段18によって管理されている。
電源開閉装置16は、制御手段18により制御されるスイッチ手段19と、後述の動作を行うスロープ波形発生手段20と、主回路12と主回路13の間に設けられ、後述の動作を行うエンハンスメントタイプのMOSFET21と、MOSFET21のゲート・ソース間に接続されるツェナーダイオード22と、ツェナーダイオード22に並列接続された抵抗23を備えている。
また、スロープ波形発生手段20は、昇圧電源17とスイッチ手段19との間に接続される定電流源24と、定電流源24に並列接続されるコンデンサ25と抵抗26の直列接続体と、定電流源24の出力側とツェナーダイオード22との間に接続されるダイオード27を備えている。なお、符号28はバッテリ10に接続されたスイッチを示している。
次に、このシステム100における電源起動時の動作を図1及び図2により説明する。図2において、(a)はスイッチ28の動作状態、(b)はスイッチ手段19の動作状態、(c)は電源開閉装置16の動作状態、(d)は主回路4、5の通過電流をそれぞれ示している。
図2(a)に示すように、バッテリ10に接続されたスイッチ28をオンにすると、制御手段18が起動する。制御手段18は、図2(b)に示すように、起動後、初期状態として電源開閉装置16の内部に設けられたスイッチ手段19を閉としたのち、図2(c)に示すように昇圧電源17の作動を開始させる。昇圧電源17の機能は、バッテリ10から取り込んで得られるシステム100の動作電源電圧に対してより高い電圧を得ることである。この昇圧された電圧は、スロープ波形発生手段20に供給される。ここで、スロープ波形発生手段20を構成するコンデンサ25の保持電圧は、初期状態としてスイッチ手段19が閉じていることにより、昇圧電源17の出力電圧を保持している。
次に、電源開閉装置16の動作を開から閉に遷移して負荷14に電源を供給するために、制御手段18は電源開閉装置16の内部に設けられたスイッチ手段19の動作を閉から開に切り替える。その結果、図2(c)に示すように、スロープ波形発生手段20の内部に設けられた定電流源24の出力電流は、スイッチ手段19の動作が開となることによりコンデンサ25に流れ込み、コンデンサ25の両端間の保持電圧をスロープ状に低下させる動作となる。
昇圧電源17の出力電圧Vaが安定していれば、結果として定電流源24の出力側の電圧Vbが0Vからスロープ状に電圧Vaに向かって上昇していく動作が得られる。電圧Vbはダイオード27を介して、エンハンスメントタイプのMOSFET21のゲートに印加される。MOSFET21は、ゲートに印加された電圧Vbがスロープ状に立ち上がる結果、所謂、ソースフォロワー動作となって、ゲートに印加された電圧よりもMOSFET21のゲート閾値電圧分低くオフセットした電圧がソース側、即ち主回路13の結線上に現れる。つまり、MOSFET21のソース側の電位はスロープ状に立ち上がる動作となる。
結果的に、リプルコンデンサ15の容量をC[F]、主回路13の電圧スロープをΔV[V]/Δt[s]とすれば、充電電流i[A]は
i=C・ΔV/Δt
となるから、スロープの傾きによって充電電流がコントロールできる。
図2(d)に示すように、やがてMOSFET21のゲート電圧が、十分に高くなりMOSFET21が完全なオン状態となれば、電源開閉装置16の立ち上がり動作は完了し、バッテリ10の電圧にほぼ等しい電圧を主回路13の結線上に得る。その後、制御手段18の指示により主回路13より電源を得て負荷14は所定の動作が可能となる。負荷14の動作時に、負荷電流の変動が生じてもリプルコンデンサ15の作用によって瞬時的な電流変動に応答する動作となる。その際、電源開閉装置16のMOSFET21はオン状態にあるため、バッテリ10からの電流の供給を継続する。
なお、MOSFET21のゲート・ソース間に接続されたツェナーダイオード22は、電源開閉装置16の立ち上がり後、MOSFET21のゲート印加電圧が過大となり、MOSFET21のゲートを破壊しないように保護のため用意されたものであって、MOSFET21のゲート電圧特性をもとにツェナー電圧を選定すればよい。MOSFET21のゲート印加電圧は定電流源24から出力され、ツェナーダイオード22でクランプされた電圧が最終的なMOSFET21のゲート駆動電圧となり、電源開閉装置16の定常の閉動作時、つまりシステム100の通常動作中の状態となる。
次に、電源開閉装置16がオフとなる場合の動作について説明する。図2(b)に示すように、制御手段18がスイッチ手段19を開から閉に遷移させることによって、電圧Vbが0となる。その結果、ダイオード27が遮断し、MOSFET21のゲートに残留した電荷が抵抗23を介して放電することによって、図2(c)に示すように、MOSFET21はオフ、即ち、電源開閉装置16のオフ動作となる。電源開閉装置16のオフ動作後はリプルコンデンサ15の電荷は、負荷14のリークパス等により消費され徐々に放電するが、必要に応じてブリーダー抵抗を追加するなどして積極的に放電してもよい。
以上のように、実施の形態1に係る電源開閉装置16、及びそれを用いたシステム100によれば、電源の起動時には電源開閉装置16の開閉手段であるMOSFET21が出力電圧漸増により動作状態に移行する。その結果、電源開閉装置16の負荷側に設けたリプルコンデンサ15に対する電源立ち上がり時の充電電流が、電源電圧の漸増勾配に応じて適切に制御される。このような動作によって従来の技術で問題となったリプルコンデンサ15への急激な充電電流(ラッシュ電流)の抑制について、電源開閉装置16の設置のみで実現できるため、リプルコンデンサ15への予備充電を行うプリチャージ回路は不要となると共に、起動シーケンスも簡素化することができる。
実施の形態2.
次に、この発明の実施の形態2に係る電源開閉装置、及びそれを用いたシステムについて説明する。実施の形態1で説明したMOSFET21の電源開から閉への遷移動作において、MOSFET21の出力電圧の増加率を時間と共に大きくなるように設定しても良い。
実施の形態1の構成によれば、システム100の立ち上がり時にはリプルコンデンサ15に対して所定の電圧スロープが印加され、一定の充電電流が流れることで起動時のラッシュ電流の抑制を行うことが期待できるが、充電電流の許容値は電源開閉手段として用いたMOSFET21の損失特性(安全動作領域)によって制限をうけている。
この様子を図3に示す。例えば、半導体スイッチ手段としてMOSFETを使用した場合、通電電流値、ドレイン・ソース間の電圧、通電時間に応じて素子の動作可能時間が異なり、通電可能な領域に制約がある。ドレイン・ソース間の電圧が高くなると、素子の耐圧による制限の他、素子の発熱時の寄生素子の誤動作による破壊を考慮した2次降伏制限、ドレイン損失による素子の温度上昇の制約による制限等を考慮し、時間、周囲温度及び実装条件等による安全動作領域の規定がなされている。実施の形態1のようなスロープ状の立ち上がりによって、リプルコンデンサ15に一定の充電電流を通電する場合、充電電流の軌跡としては図3のLaのようなものとなる。つまり、充電電流の設定条件によっては、立ち上がり初期には、ドレイン・ソース間電圧が高く、通電時間に制約のある領域での動作が必要となってしまう。
そこで、この点を改善するために、MOSFETのドレイン出力電圧の増加率を時間と共に大きくなるように設定すればよい。その結果、図3のLbのような軌跡にて充電動作となり、立ち上がり初期にはFETの定格に余裕があり、徐々に充電を進めてドレイン・ソース間の電圧差が小さくなれば充電電流を増やす動作となるので、FETの動作として余裕を確保しつつ、トータルの充電時間の短縮が可能となる。
これを実現するためのシステムの構成例を図4に示す。図4は、この発明の実施の形態2に係る電源開閉装置を用いたシステムの接続例を示す図である。なお、実施の形態1と同一もしくは相当部分には同一符号を付すことにより、その説明を省略する。
実施の形態1と異なる点は、システム200において、昇圧電源17の動作電源として、バッテリ電源10から降圧動作をしている定電圧電源40及び電源開閉装置41の開閉機能となるMOSFET21の下流から引き込まれた電源を、ダイオード42及び43で切り替えて使用するものとし、また、スロープ波形発生手段20の構成として、カレントミラー回路を利用している点である。
昇圧電源17としては、例えば図5に示すようなチャージポンプ回路が利用できる。図5の構成例においては、ダイオードやスイッチの電圧損失を無視すれば、入力電圧の2倍の出力電圧が得られるものである。昇圧電源17の動作立ち上がり時には定電圧電源40の出力(たとえば5v)の2倍の電圧をスロープ波形発生手段20の動作電源として得ることができる。
次に、動作について説明する。図6は、実施の形態2に係る電源開閉装置41を用いたシステム200の動作を説明する図である。
図6において、(a)はスイッチ28の動作状態、(b)はスイッチ手段19の動作状態、(c)は電源開閉装置16の動作状態、(d)は主回路12、13の通過電流をそれぞれ示している。
昇圧電源17の出力に対して、スロープ波形発生手段20を構成する抵抗44には主に抵抗44の値と昇圧電源17の出力電圧によって決まる電流が流れる。スイッチ手段19を開くことによって、抵抗44を流れる電流値によりコンデンサ45を充電し、図6(c)に示すように、コンデンサ45の下端に現れる電圧VbはNPNトランジスタ46、ダイオード27を介してMOSFET21のゲート電圧を徐々に上昇させる。
MOSFET21のドレイン(主回路13)には、ゲート閾値電圧分オフセットした電圧が現れ、リプルコンデンサ15を充電する。同時に、主回路13の電圧はダイオード43を介して昇圧電源17の動作電源として供給されているので、定電圧電源40の出力よりも主回路13の電圧が高くなれば、主回路13から昇圧電源17に電力が供給される。その結果、昇圧電源17の出力電圧はさらに上昇する。
結果としてスロープ波形発生手段20を構成するコンデンサ45の充電電流が増加し、MOSFET21のゲート駆動電圧の増加率は時間と共に増大し、同様に主回路13の電圧増加率も時間と共に増大する。即ち、リプルコンデンサ15の充電電流は時間と共に増加し、スイッチ閉、つまりMOSFET21の通過電流軌跡は図3のLbのような動作となることから、安全動作領域内で十分な動作マージンを確保しつつ、高速なリプルコンデンサ15への充電動作による起動が可能となる。
以上のように、実施の形態2に係る電源開閉装置41、及びそれを用いたシステム200は、電源の開閉を行うMOSFET21の電源開から閉への遷移動作において、MOSFET21の出力電圧の増加率を時間と共に大きくなるように設定したので、実施の形態1による効果と共に、MOSFET21の遷移動作の許容範囲内で高速な起動が行える効果を奏する。
実施の形態3.
次に、この発明の実施の形態3に係る電源開閉装置、及びそれを用いたシステムについて説明する。
実施の形態1あるいは実施の形態2においては、半導体スイッチ手段としてはMOSFETを利用するものを説明したが、スイッチの作用により電源開から閉への遷移を出力電圧の漸増により動作させることが出来れば目的は達成できる。従って、採用する素子としてはMOSFETに限定されるものではなく、例えばバイポーラトランジスタを使っても同様な効果を得ることができる。次に、この実施の形態を実現するためのシステムの構成例について説明する。
図7は、実施の形態3に係る電源開閉装置を用いたシステムの接続例を示す図である。
図7に示す実施の形態3において、実施の形態1あるいは実施の形態2と同一もしくは相当部分については、同一符号を付して詳細説明を省略する。
実施の形態3に係る電源開閉装置70を用いたシステム300においては、スロープ波形発生手段20から出力された電圧は、半導体スイッチ手段としてのバイポーラトランジスタ71のベース制限抵抗72を経てベースに入力される。バイポーラトランジスタ71はベース電圧に応じてコレクタ電圧が変化する。ベース駆動電圧波形を発生するスロープ波形発生手段20の動作は実施の形態2と同様である。電源開閉装置70の動作として、電源開から閉のとき、バイポーラトランジスタ71はコレクタ側の出力電圧の増加率が時間と共に増大し、同様に主回路13の電圧増加率も時間と共に増大する。
即ち、リプルコンデンサ15の充電電流は時間と共に増加し、スイッチ閉時には実施の形態2のMOSFETをスイッチ素子と使った場合と同様に、安全動作領域内で十分な動作マージンを確保しつつ、高速なリプルコンデンサ15への充電動作による起動が可能となる。
実施の形態4.
次に、この発明の実施の形態4に係る電源開閉装置について説明する。
実施の形態1から実施の形態3においては、電源の開閉を行う半導体スイッチ手段として、バイポーラトランジスタあるいはMOSFETを用いた例について説明した。これらの半導体スイッチ手段を用いると、電源開閉機能はシステムに対して正常な電圧が印加されている場合には電源の開閉の機能が正常に行われるが、対象のシステムに対して、電源の極性が逆接続となるような異常電圧の印加時にはスイッチ素子の耐圧が不足し破壊するか、あるいは半導体の構造上寄生素子を介して逆電圧がシステムの内部に回り込むと言う現象が発生し、システムを保護することは難しい。
このような問題を解決するためには、電源の開閉を行う半導体スイッチ手段と隣り合わせに、電源を逆接続した際の電流の回り込みを阻止するためのMOSFETを設ければよい。次に、この実施の形態を実現するシステムの構成例について説明する。
図8Aは、実施の形態4に係る電源開閉装置を用いたシステムの接続例を示す図である。
図8Aにおいて、符号80Aは実施の形態4に係る電源開閉装置を示し、符号400Aは電源開閉装置80Aを用いたシステムを示している。実施の形態4においては、スイッチ素子としてMOSFET21を使用しており、このMOSFET21に隣接して電源逆接続に対する逆接保護用MOSFET81Aを接続している。電源の極性が正常な接続の状態においては、逆接保護用MOSFET81Aはボディダイオードが順方向の接続となっているため、ゲート・ソース間電圧が0Vであってもボディダイオードの順方向電圧の損失で導通している。スイッチ手段であるMOSFET21と逆接保護用MOSFET81Aのゲートは共通に駆動されているので、起動時はMOSFET21の応答に依存して立ち上がる。また、立ち上がり後はMOSFET21及び逆接保護用MOSFET81Aの両者のゲート・ソース間印加電圧が必要十分に確保されるので逆接保護用MOSFET81Aもオン状態となり、導通する。即ち、実施の形態2と同様な動作が可能である。
次に、電源が誤接続され逆極性となった場合は、昇圧電源17の動作電源がダイオード42及び43で阻止されており供給されないため得ることができず、MOSFET21のゲート駆動電圧は0Vのままとなる。また、逆接保護用MOSFET81Aは、ボディダイオードが逆バイアスとなるため、電源開閉装置80Aよりシステム400Aの内部の回路に対して逆極性の電源の回り込みを阻止することができる。
なお、前記実施の形態の説明においては、電源開閉装置80Aについて、電源極性が逆接続時の挙動に着目して動作を説明したものであるが、定電圧電源40、制御手段18については電源極性が逆接続への耐性を確保するために、各機能ブロックに対して必要に応じて保護用のダイオードの追加等の対策を講じることにより、システム全体として電源逆極性接続への耐性が確保されるべきであることは当然である。
図8Bは、実施の形態4の異なる実施形態を示すもので、図8Bにおいて、符号80Bは電源開閉装置を示し、符号400Bは電源開閉装置80Bを用いたシステムを示している。この図8Bに示す実施の形態は、スイッチ素子をバイポーラトランジスタ81Bとした構成例である。
バイポーラトランジスタ81Bのベース駆動と逆接保護用MOSFET81Aのゲートに対して、ベース駆動用の直列抵抗82を用いることで共通の駆動信号で駆動し、図8Aと同様の動作を実現している。その他の構成並びに動作については図8Aの場合と同様であり説明は割愛する。
以上のように、実施の形態4に係る電源開閉装置80A及び80Bは、開閉手段である半導体スイッチ手段として、一般に容易に入手可能なMOSFET21あるいはバイポーラトランジスタ81Bを適用したので容易な構成で実現することができる。
また、電源の開閉を行うMOSFET21あるいはバイポーラトランジスタ81Bに隣接して、電源を逆接続した際の電流の回り込みを阻止する逆接保護用MOSFET81Aを設けたので、電源逆極性となる誤接続時にも、負荷14への電流の回り込みが阻止でき、機能的にもメカニカルリレーと同様な電源逆接続に対する保護特性を実現することも可能である。
実施の形態5.
次に、この発明の実施の形態5に係る電源開閉装置、及びそれを用いたシステムについて説明する。図9は、実施の形態5に係る電源開閉装置を用いたシステムの動作を説明する図である。実施の形態5は直流電源により動作する負荷として、PWMインバータ回路によるモータ駆動回路を接続したものである。
図9において、符号90はPWMインバータ回路を示し、このPWMインバータ回路90は、所謂、Hブリッジタイプのインバータであって、インバータ出力2端子間の出力は、DCモータ91の回転方向と通電電流の大きさを変化させるものである。従って、適用モータとして、例えば永久磁石界磁式ブラシ付き巻線のDCモータを用いれば、DCモータ91に通電した電流値に応じて出力トルクの制御が可能となる。なお、符号500は実施の形態5に係るシステムを示している。
このような特性から、具体的な応用例としては自動車の操舵系において運転者の操舵力を軽減するために、操舵力を検出するトルクセンサの検出トルクに応じてステアリング系に付加するアシストトルクをモータ通電電流の制御によって適切にコントロールし、運転性の向上に寄与する電動パワーステアリング装置等が考えられる。
ところで、図9の構成は、実施の形態4における図8Aの負荷14をPWMインバータ回路90として構成したものであって、電源開閉装置80Aは実施の形態4での説明と同様な起動処置を行い、負荷であるPWMインバータ回路90に対しての電源の供給を開始する。
電源が立ち上がったのちに、制御手段18はPWMインバータ回路90を構成するFET92、93、94、及び95の各々のゲート・ソース間に、FETドライバ手段96を介することにより、DCモータ91に通電すべき電流の方向と大きさに応じて可聴周波数上限以上の周波数に選ばれた適切なPWMデューティを与える。その結果、実際に流れたモータ駆動電流を電流検出器97と増幅器98からなる電流検出手段99を用いて制御手段18にフィードバックすることによって、所望の通電電流、通電方向によってDCモータ91を駆動することを実現する。
ここで、PWMインバータ回路90での電流の流れを考える。PWMの力行時、即ち、電源からDCモータ91に電流が流れるとき、図10AのPWMパターンPにおいては、FET92がオン→DCモータ91がオン→FET95がオンとなってGNDに戻る。この時、スイッチングの切り替わりにおける急峻な電源電流の変動に追従するために、リップルコンデンサ15からの瞬時の電流供給が行われる。
次に、PWMデューティがオフのタイミングとなって、モータ駆動電流が回生状態で持続している場合について、図10Bで考えると、前記図10AでオンしていたFET92、及び95がオフとなり、反対にFET93、94がオンとなる結果、電流はDCモータ91のインダクタンス成分により一定方向を維持し、GND→FET94→DCモータ91→FET93→電源へと流れるため、主回路13に電流が還流する結果となる。
この電流の脈動に対してはリップルコンデンサ15が変動分を吸収し、電源電流の変動を抑圧することを意図してリップルコンデンサ15として比較的大容量の値を採用することが一般的である。従って、本実施の形態のように電源開閉装置80Aにラッシュ電流を抑制する機能を有することによって、電源投入時の突流電流の大きさを軽減することが大きな効果を奏する。
また、リップルコンデンサ15としては大容量を得るために、一般にアルミ電解コンデンサ等の有極性の素子が採用されることが多い。加えてPWMインバータ回路90を構成するFET92、93、あるいはFET94、95の対によるインバータアームは、FETの寄生ダイオードの存在により、逆バイアスに対してはショート状態となってしまうため、電源の逆接続に対して電源開閉装置80Aによって保護がなされることは、PWMインバータ回路90の破壊防止のための有効な手段となり得るものである。
なお、本実施の形態においては、PWMインバータ回路90として単純なHブリッジの構成をもとに説明したが、PWMインバータ回路90の構成としてはこれに限定されるものではなく、例えば三相ブリッジインバータや、それ以上の多相のブリッジ回路においても、スイッチングに伴うリップル電流の処置や、逆接続にまつわる保護の必要性等、本実施の形態と同様な課題に対して、電源開閉装置80Aを適用し効果を挙げ得ることは言うまでもない。
以上、この発明の実施の形態1から実施の形態5に係る電源開閉装置及びそれを用いたシステムについて説明したが、この発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。

Claims (5)

  1. 直流電源により動作する機能回路の負荷電流の変動に対して供給電圧を安定化させるコンデンサを設けた電源供給ラインと、前記電源供給ラインの上流に位置する前記直流電源との間に、前記直流電源の開閉を行う半導体スイッチ手段を設け、前記機能回路に電源の供給、遮断を行う電源開閉装置であって、
    前記半導体スイッチ手段を直列に接続された2個のスイッチ手段で構成し、両者には互いに電流の流れる向きに対して異なる方向に回り込み電流を阻止するダイオードを並列接続するとともに、
    前記電源開閉装置の開から閉への遷移の際に、前記半導体スイッチ手段の出力電圧を制御し、前記コンデンサへの充電電流の値を抑制するスロープ波形発生手段を備え、前記出力電圧の増加率を時間とともに大きくなるように設定したことを特徴とする電源開閉装置。
  2. 前記電源供給ラインに並列に昇圧電源を備え、前記電源開閉装置の開から閉の間に所定電圧まで昇圧を行い、前記スロープ波形発生手段は、前記昇圧電源から電力を前記半導体スイッチ手段に供給するようにしたことを特徴とする請求項1に記載の電源開閉装置。
  3. 前記半導体スイッチ手段をバイポーラトランジスタ、もしくはMOSFETで構成したことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の電源開閉装置。
  4. 前記機能回路は、モータを駆動するPWMインバータ回路であることを特徴とする請求項1から請求項の何れか一項に記載の電源開閉装置。
  5. 請求項1から請求項の何れか一項に記載の電源開閉装置と、直流電源により動作し、前記電源開閉装置を介して前記直流電源より供給電圧を得て動作する機能回路と、前記機能回路の負荷電流の変動に対して供給電圧を安定化させるコンデンサと、を備えたことを特徴とするシステム。
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