CN113131730B - 预充电控制电路及其控制方法 - Google Patents

Abstract

一种预充电控制电路及其控制方法，其中预充电控制电路包括：控制单元、转换单元及预充电开关。控制单元根据脉宽调制信号提供控制信号至转换单元，且转换单元根据控制信号提供斜坡电压；预充电开关根据斜坡电压逐渐导通电子电路的输入路径。

Description

预充电控制电路及其控制方法

技术领域

本发明涉及一种预充电控制电路及其控制方法，特别涉及一种仅使用晶体管耦接电子电路的输入路径的预充电控制电路及其控制方法。

背景技术

现今在电子电路的技术领域中，针对电子电路的功率消耗及效率的要求日益重视，因此越来越多针对降低电子电路功率消耗及提高效率的电路设计。尤其是突波电流的抑制更是为电路设计的重点。其原因在于，突波电流除了会造成电子电路额外的功率消耗之外，若电流的峰值太高时，会造成电子电路内部元件的击穿而损坏，致使电子电路无法正常运行的状况产生。尤其是在输入为高压的应用场合(例如但不限于，输入电源为1000V以上)，突波电流造成额外的功率消耗与击穿元件的状况更是显著。

突波电流的产生原因在于，电子电路的输入电容在电源上电瞬间，电容两端会接近短路。因此，在输入电源刚耦接电子电路时，会有瞬间较大的电流灌入输入电容，此电流即为突波电流。因此在电子电路的输入路径上通常会加装电阻来抑制此状况所产生的突波电流的峰值。但是，在电子电路正常运行之后(意即，已不具有突波电流时)，此电阻若未旁路，则会造成额外的电力消耗以及增加电子电路内部环境温度等问题。因此现有的电子电路会在电阻上并联开关，且在电子电路正常运行之后，将此开关导通以旁路电阻，进而节省电力的消耗。

但是，在电子电路运行且开关损坏时，开关的损坏通常难以被察觉而使得电流全部流过电阻。其原因在于，简易的检测仅能得知电子电路所消耗的功率增加，但无法轻易察觉是何种原因造成此消耗功率的增加。因此产生了额外的电力消耗，造成电路整体效率低落。

因此，如何设计出一种预充电控制电路及其控制方法，仅使用预充电开关耦接在电子电路的输入路径而对电子电路进行预充电的控制，以达到抑制突波电流峰值的效果，乃为本公开发明人所欲行研究的重要课题。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供一种预充电控制电路，以克服现有技术的问题。因此，本发明的预充电控制电路包括控制单元，接收脉宽调制信号。转换单元，耦接控制单元。及预充电开关，耦接转换单元与电子电路的输入路径。其中，控制单元根据脉宽调制信号提供控制信号至转换单元，且转换单元根据控制信号提供斜坡电压；预充电开关根据斜坡电压逐渐导通输入路径。

为了解决上述问题，本发明提供一种预充电控制电路的控制方法，以克服现有技术的问题。因此，本发明的预充电控制电路的控制方法包括下列步骤：提供耦接于电子电路的输入路径的预充电开关。根据脉宽调制信号提供控制信号至转换单元。转换单元根据控制信号提供斜坡电压。及预充电开关根据斜坡电压逐渐导通输入路径。

为了能更进一步了解本发明为实现预定目的所采取的技术、手段及技术效果，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，相信本发明的目的、特征与特点，当可由此得以深入且具体的了解，然而说明书附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制者。

附图说明

图1A为本发明电子电路搭配预充电控制电路第一实施例的电路方框图；

图1B为本发明电子电路搭配预充电控制电路第二实施例的电路方框图；

图2为本发明预充电开关的工作区域波形示意图；

图3A为本发明预充电控制电路第一实施例的电路方框示意图；

图3B为本发明预充电控制电路第二实施例的电路方框示意图；及

图4为本发明预充电控制电路的控制方法流程图。

附图标记说明：

100…电子电路

102…第一端

104…第二端

Cin…输入电容

Vin…输入电源

1、1’…预充电控制电路

12、12’…控制单元

14、14’…转换单元

142、142’…切换单元

Q1…上桥开关

Q2…下桥开关

144…滤波单元

L…电感

C…电容

Rg…限流电阻

Q…预充电开关

D、C…输入端

S、E…输出端

G…控制端

Vgs、Vge…控制端电压

Vds、Vce…电压差

Vth…临界电压

Ids、Ice…电流

PWM…脉宽调制信号

Sc1、Sc2…控制信号

Sc1…上桥控制信号

Sc2…下桥控制信号

Vr…斜坡电压

Vcc…工作电压

Il…电感电流

WA…工作区域

具体实施方式

兹有关本发明的技术内容及详细说明，配合附图说明如下：

请参阅图1A为本发明电子电路搭配预充电控制电路第一实施例的电路方框图、图1B为本发明电子电路搭配预充电控制电路第二实施例的电路方框图。电子电路100接收输入电源Vin，且对输入电容Cin进行预充电，使输入电容Cin能够提供电子电路100运行所需的电压。其中，输入电源Vin例如但不限于，由太阳能面板、蓄电池或是模块化电源转换器的直流并联侧等装置所提供。预充电控制电路1耦接电子电路100的输入路径，以对电子电路100进行预充电的控制。具体而言，由于在输入电源Vin尚未耦接电子电路100时，输入电容Cin尚未储能而接近短路的关系，因此当输入电源Vin刚耦接电子电路100的瞬间，会产生较大的突波电流使电子电路100内部的元件有被击穿而损坏的可能。所以必须要使用预充电控制电路1在输入电源Vin刚耦接电子电路100的瞬间，对电子电路100进行预充电的控制，以降低突波电流的峰值而避免上述的状况发生。其中，如图1A所示，预充电控制电路1可耦接在电子电路100输入路径的第一端102(意即，输入电源Vin的正极端至输入电容Cin之间)。或者，如图1B所示，预充电控制电路1可耦接在电子电路100输入路径的第二端104(意即，输入电源Vin的负极端至输入电容Cin之间)。上述两种耦接位置皆可在输入电源Vin开始对输入电容Cin充电时，对输入电容Cin进行预充电的控制而达到降低突波电流的峰值的技术效果。

进一步而言，本发明的主要目的在于，预充电控制电路1仅使用预充电开关Q耦接在电子电路100的输入路径，而对电子电路100进行预充电的控制。其利用了预充电开关Q的工作区域作为预充电开关Q导通程度的控制，使得本发明的预充电开关Q不必像现有技术般地需要并联电阻。因此，可实现完整地隔离预充电开关Q两端的电压，且易于检测预充电开关Q是否损坏的技术效果。其中，预充电开关Q可为半导体型的开关元件，例如但不限于金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)或绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等半导体型开关元件，为方便说明，图1A与图1B以预充电开关Q为金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)为例。此外，由于本发明的预充电控制电路1并未包含并联电阻，因此不会在预充电开关Q损坏时，由于电力流经电阻，而发生电子电路100额外的电力消耗，或者增加电子电路100内部环境温度等状况的发生。

请参阅图2为本发明预充电开关Q的工作区域波形示意图，复配合参阅图1A与图1B。以预充电开关Q为金属氧化物半导体场效晶体管为例，预充电开关Q的工作区域WA为饱和区(Saturation)，其横轴为金属氧化物半导体场效晶体管的输入端D至输出端S的电压差Vds。纵轴为由金属氧化物半导体场效晶体管的输入端D流至输出端S的电流Ids。各曲线代表在金属氧化物半导体场效晶体管的控制端G上施加不同电压时，其输入端D与输出端S的电压差Vds与电流Ids的关系曲线。当金属氧化物半导体场效晶体管的控制端G的电压低于阈值时(意即控制端电压Vgs低于临界电压Vth)，预充电开关Q未建立通道使得预充电开关Q的输入端D与输出端S为断路，且无法流过电流(Ids等于0)。预充电开关Q的控制端G电压逐渐升高时(意即Vgs逐渐提升至超过临界电压Vth)，预充电开关Q的输入端D与输出端S之间开始建立通道，且通道逐渐变大(意即Vgs由5V逐渐提升至10V)，使得输入端D与输出端S可流过的电流Ids逐渐提高。

通过预充电开关Q的逐渐导通，可控制预充电开关Q的输入端D与输出端S可流过的电流Ids逐渐提高，使得预充电控制电路1在输入电源Vin刚耦接电子电路100的瞬间可限制流过预充电开关Q的输入端D与输出端S的电流大小，进而降低突波电流的峰值。而且，在输入电容Cin充电完成后，预充电开关Q的完全导通使得电流Ids可全部流过预充电开关Q，以节省电子电路100的功率损耗。以及，在预充电开关Q损坏时，电子电路100的输入路径为断路，可以通过简易地检测而得知预充电开关Q损坏。值得一提，若预充电开关Q使用绝缘栅双极型晶体管(IGBT)时，预充电开关Q的工作区域为主动区(Active)。其横轴为绝缘栅双极型晶体管的输入端C至输出端E的电压差Vce。纵轴为由绝缘栅双极型晶体管的输入端C流至输出端E的电流Ice。各曲线代表在绝缘栅双极型晶体管的控制端G上施加不同电压时，其输入端C与输出端E的电压差Vce与电流Ice的关系曲线。其效果及控制方式也是利用控制端G的电压(意即Vge)控制输入端C与输出端E可流过的电流Ice，在此不再加以赘述。

请参阅图3A为本发明预充电控制电路第一实施例的电路方框示意图，复配合参阅图1A～图2。预充电控制电路1包括控制单元12、转换单元14及预充电开关Q，且转换单元14耦接控制单元12与预充电开关Q。控制单元12接收脉宽调制信号PWM，且根据脉宽调制信号PWM而提供控制信号Sc1、Sc2至转换单元14。转换单元14接收控制信号Sc1、Sc2，且根据控制信号Sc1、Sc2将工作电压Vcc转换为斜坡电压Vr至预充电开关Q。预充电开关Q耦接电子电路100的输入路径(输入路径的第一端102或第二端104)，且通过控制端G接收电压值逐渐提高的斜坡电压Vr而逐渐地建立通道，以逐渐导通输入路径。值得一提，于本发明的一实施例中，工作电压Vcc可由电子电路100所提供，或外部电子装置所提供。

进一步而言，脉宽调制信号PWM可由电子电路100内部的控制器所提供，或者由外部耦接的电子装置所提供，且脉宽调制信号PWM可由模拟式的控制器所提供，或由数字式的控制器所提供。脉宽调制信号PWM为逐渐提高占空比的信号，使得控制单元12提供至转换单元14的控制信号Sc1、Sc2的占空比也逐渐地提高。由于控制信号Sc1、Sc2的占空比逐渐地提高，转换单元14所输出的斜坡电压Vr的电压值也逐渐地提高。因此，电压值逐渐提高的斜坡电压Vr可使预充电开关Q逐渐地导通。其中，占空比最佳地提高方式为以相等倍率的方式提高。其相等倍率的方式提高可使得斜坡电压Vr的电压值也随之以相等倍率的方式增加。其最佳的实施例为，控制信号Sc1、Sc2的占空比以1％的倍率增加，但不以此为限。借此，达到最佳的突波电流抑制效果，且不会造成预充电开关Q导通的速度过慢而延长电子电路100启动的时间，或预充电开关Q导通的速度过快而无法有效抑制突波电流的峰值的效果。借此，本发明利用预充电开关Q为晶体管的运行特性，使得预充电控制电路1仅需操控脉宽调制信号PWM的占空比即可控制流过预充电开关Q的电流的技术效果。

具体而言，转换单元14包括切换单元142与滤波单元144，且控制单元12、切换单元142及滤波单元144构成降压式转换器。切换单元142包括上桥开关Q1与下桥开关Q2，上桥开关Q1耦接工作电压Vcc与控制单元12，且下桥开关Q2耦接上桥开关Q1、控制单元12及预充电开关Q的输出端(S、E)。滤波单元144包括电感L与电容C，电感L的一端耦接上桥开关Q1与下桥开关Q2之间的接点，且电感L的另一端耦接电容C的一端与预充电开关Q的控制端G。电容C的另一端耦接预充电开关Q的输出端(S、E)，以在预充电开关Q的控制端G与输出端(S、E)之间建立逐渐导通预充电开关Q的斜坡电压Vr。值得一提，于本发明的一实施例中，控制单元12、切换单元142及滤波单元144也可构成例如但不限于，升压转换器等开关切换式转换器。其皆能通过控制开关的切换而产生斜坡电压Vr，差异仅在于电路结构的电路成本及控制方式的难易度。意即，降压式转换器的电路结构简单且成本低，控制方式也最为简易。

上桥开关Q1接收控制信号Sc1、Sc2的上桥控制信号Sc1，下桥开关Q2接收控制信号Sc1、Sc2的下桥控制信号Sc2，且上桥控制信号Sc1与下桥控制信号Sc2为互补的控制信号。当上桥控制信号Sc1控制上桥开关Q1导通时，下桥控制信号Sc2控制下桥开关Q2不导通。此时，在占空比不变的暂态条件下，工作电压Vcc通过上桥开关Q1对电感L储能，使电感L所产生的电感电流Il对电容充电。因此，电容C两端的斜坡电压Vr的电压值开始提升。然后，上桥控制信号Sc1控制上桥开关Q1不导通时，下桥控制信号Sc2控制下桥开关Q2导通。此时，电感L、电容C及下桥开关Q2构成封闭回路，且电感L上的电感电流Il缓步下降而对电容C释能。随后于稳态的情况下，根据伏秒平衡定律可得到固定Vr的电压值。由于控制信号Sc1、Sc2的占空比逐渐地提升，而使得切换单元142逐渐提高导通时间地切换导通，进而使得斜坡电压Vr随之提升。值得一提，于本发明的一实施例中，斜坡电压Vr的电压值上升的斜率与控制信号Sc1、Sc2的占空比控制相关，但斜坡电压Vr的电压值并不限定必须以固定斜率的方式提升，其也可以不固定斜率的方式提升(例如指数或对数的方式)。

转换单元14还包括限流电阻Rg，且限流电阻Rg耦接上桥开关Q1、下桥开关Q2与电感L之间。由于转换单元14在未工作时，电容C尚未有任何的电压而接近短路。因此在转换单元14开始运行且上桥开关Q1导通时，会造成瞬间的大电流流至滤波单元144，导致斜坡电压Vr的电压值瞬间过高而使得预充电开关Q误动作地导通。因此，限流电阻Rg可使上桥开关Q1导通时，限制由工作电压Vcc流经上桥开关Q1、电感L至电容C路径的导通电流大小，以避免上述预充电开关Q误动作导通的状况发生，进一步也保护上桥开关Q1免于因流过大电流而损坏的情况发生，值得一提，限流电阻Rg又可称作驱动电阻。

请参阅图3B为本发明预充电控制电路第二实施例的电路方框示意图，复配合参阅图1A～图3A。本实施例的预充电控制电路1’与图3A的预充电控制电路1差异在于，切换单元142’仅有下桥开关Q2，且控制单元12’也仅提供控制信号Sc2(即下桥控制信号)给下桥开关Q2。下桥开关Q2耦接工作电压Vcc、电感L及预充电开关Q的输出端(S、E)，且接收下桥控制信号Sc2而切换导通。下桥控制信号Sc2为第一准位(意即低准位)时，下桥开关Q2不导通，工作电压Vcc对电感L储能，使电感L所产生的电感电流Il对电容C充电。因此，电容C两端的斜坡电压Vr的电压值开始提升。然后，下桥控制信号Sc2为第二准位(意即高准位)时，下桥开关Q2导通。此时，电感L、电容C及下桥开关Q2构成封闭回路，且电感L上的电感电流Il缓步下降而对电容C释能，详细动作过程如前面段落所述，最终使得斜坡电压Vr的电压值得以稳定控制在一固定值。值得一提，于本发明的一实施例中，图3B未提及的电路耦接方式及控制方法与图3A相同，在此不再加以赘述。

转换单元14’还包括限流电阻Rg，且限流电阻Rg耦接工作电压Vcc、下桥开关Q2与电感L之间，其作用等同于图3A的限流电阻Rg。其中，图3A限流电阻Rg的耦接位置也可如同图3B的耦接位置。意即，限流电阻Rg耦接工作电压Vcc与上桥开关Q1之间，且技术效果等同于限流电阻Rg耦接在上桥开关Q1、下桥开关Q2及电感L之间，值得一提，限流电阻Rg又可称作驱动电阻。此外，图3A及图3B中的脉宽调制信号PWM、控制单元12、12’及上桥开关Q1、下桥开关Q2，在实务上可被包含在一颗驱动IC中。

请参阅图4为本发明预充电控制电路的控制方法流程图，复配合参阅图1A～图3B。预充电控制电路1的控制方法首先包括，提供耦接于电子电路的输入路径的预充电开关(S100)。预充电开关Q可耦接在电子电路100输入路径的第一端102或输入路径的第二端104，以在输入电源Vin刚耦接电子电路100的瞬间，对电子电路100进行预充电的控制。然后，根据脉宽调制信号提供控制信号至转换单元(S200)。控制单元12接收脉宽调制信号PWM，且根据脉宽调制信号PWM而提供控制信号Sc1、Sc2至转换单元14。脉宽调制信号PWM可由电子电路100内部的控制器所提供，或者由外部耦接的电子装置所提供，且脉宽调制信号PWM可由模拟式的控制器所提供，或由数字式的控制器所提供。脉宽调制信号PWM为逐渐提高占空比的信号，使得控制单元12提供至转换单元14的控制信号Sc1、Sc2的占空比也逐渐地提高。

然后，转换单元根据控制信号提供斜坡电压(S300)。转换单元14接收控制信号Sc1、Sc2，且根据控制信号Sc1、Sc2将工作电压Vcc转换为斜坡电压Vr至预充电开关Q。由于控制信号Sc1、Sc2的占空比逐渐地提高，转换单元14所输出的斜坡电压Vr的电压值也逐渐地提高。其中，占空比最佳地提高方式为相等倍率的方式提高。其相等倍率的方式提高可使得斜坡电压Vr的电压值也随之以相等倍率的方式增加。其最佳的实施例为，控制信号Sc1、Sc2的占空比以1％的倍率增加。借此，达到最佳的突波电流抑制效果，且不会造成预充电开关Q导通的速度过慢而延长电子电路100启动的时间，或预充电开关Q导通的速度过快而无法有效抑制突波电流的峰值的效果。

转换单元14可至少包括两种电路结构及控制方法，其中之一为：转换单元14为降压式转换器，并且包含上桥开关Q1及下桥开关Q2。上桥开关Q1接收控制信号Sc1、Sc2的上桥控制信号Sc1，下桥开关Q2接收控制信号Sc1、Sc2的下桥控制信号Sc2，且上桥控制信号Sc1与下桥控制信号Sc2为互补的控制信号。当上桥控制信号Sc1控制上桥开关Q1导通时，下桥控制信号Sc2控制下桥开关Q2不导通。此时，工作电压Vcc通过上桥开关Q1对电感L储能，使电感L所产生的电感电流Il对电容充电。因此，电容C两端的斜坡电压Vr的电压值开始提升。然后，上桥控制信号Sc1控制上桥开关Q1不导通时，下桥控制信号Sc2控制下桥开关Q2导通。此时，电感L、电容C及下桥开关Q2构成封闭回路，且电感L上的电感电流Il缓步下降而对电容C释能，使得斜坡电压Vr的电压值得以稳定控制在一固定值。

另一种为：转换单元14’为降压式转换器，并且仅包含下桥开关Q2。控制单元12’仅提供下桥控制信号Sc2给下桥开关Q2。下桥开关Q2耦接工作电压Vcc、电感L及预充电开关Q的输出端(S、E)，且接收下桥控制信号Sc2而切换导通。下桥控制信号Sc2为第一准位(意即低准位)时，下桥开关Q2不导通，工作电压Vcc对电感L储能，使电感L所产生的电感电流Il对电容充电。因此，电容C两端的斜坡电压Vr的电压值开始提升。然后，下桥控制信号Sc2为第二准位(意即高准位)时，下桥开关Q2导通。此时，电感L、电容C及下桥开关Q2构成封闭回路，且电感L上的电感电流Il缓步下降而对电容C释能，使得斜坡电压Vr的电压值得以稳定控制在一固定值。

上述两种转换单元14、14’皆可包括限流电阻Rg，在转换单元14、14’开始运行时，限制由工作电压Vcc流经电感L至电容C路径的导通电流大小，以避免预充电开关Q误动作导通的状况发生。最后，预充电开关根据斜坡电压逐渐导通输入路径(S400)。预充电开关Q通过控制端G接收电压值逐渐提高的斜坡电压Vr而逐渐地建立通道，以逐渐导通输入路径。

综上所述，本发明的实施例的主要优点与技术效果在于，本发明的预充电控制电路仅使用预充电开关耦接在电子电路的输入路径，而对电子电路进行预充电的控制。其利用了预充电开关的工作区域作为预充电开关导通程度的控制，使得本发明的预充电开关不必像现有技术般的需并联电阻。因此，可实现完整地隔离预充电开关两端的电压，且易于检测预充电开关是否损坏的技术效果。

而，以上所述，仅为本发明优选具体实施例的详细说明与附图，而本发明的特征并不局限于此，并非用以限制本发明，本发明的所有范围应以相关申请文件的保护范围为准，凡合于本发明相关申请文件的保护范围的构思与其类似变化的实施例，皆应包括于本发明的范围中，任何本领域技术人员在本发明的领域内，可轻易思及的变化或修饰皆可涵盖在本公开的相关申请文件的保护范围中。此外，在相关申请文件和说明书中提到的特征可以分别单独地或按照任何组合方式来实施。

Claims (14)

1.一种预充电控制电路，包括：

一控制单元，接收一脉宽调制信号；

一转换单元，耦接该控制单元；及

一预充电开关，耦接该转换单元与一电子电路的一输入路径；

其中，该控制单元根据该脉宽调制信号提供一控制信号至该转换单元，且该转换单元根据该控制信号提供一斜坡电压；该预充电开关根据该斜坡电压逐渐导通该输入路径，

其中该控制信号的一占空比逐渐提高，使该转换单元根据逐渐提高的该占空比的该控制信号而提供不同电压水平的该斜坡电压，最终该斜坡电压稳定在一固定值。

2.如权利要求1所述的预充电控制电路，其中该占空比以一相等倍率的方式提高，使该斜坡电压的一电压值以对应该相等倍率的方式增加。

3.如权利要求1所述的预充电控制电路，其中该转换单元包括：

一切换单元，耦接该控制单元；及

一滤波单元，耦接该切换单元与该预充电开关；

其中，该切换单元根据该控制信号而切换导通，使该滤波单元根据该切换单元的切换导通而产生该斜坡电压。

4.如权利要求3所述的预充电控制电路，其中该滤波单元包括：

一电感，耦接该切换单元；及

一电容，耦接该电感与该预充电开关；

其中，通过该切换单元的切换导通使一工作电压对该电感储能，或该电感对该电容释能，使该电容两端通过该电感的储能与释能而产生该斜坡电压。

5.如权利要求4所述的预充电控制电路，其中该切换单元包括：

一上桥开关，耦接该工作电压与该控制单元；及

一下桥开关，耦接该上桥开关与该控制单元；

其中，该控制信号包括互补的一上桥控制信号与一下桥控制信号；该上桥控制信号导通该上桥开关时，该下桥开关不导通，且该工作电压通过该上桥开关对该电感与该电容储能；该下桥控制信号导通该下桥开关时，该上桥开关不导通，且该电感对该电容释能。

6.如权利要求5所述的预充电控制电路，其中该转换单元还包括：

一限流电阻，耦接该上桥开关、该下桥开关与该电感；

其中，该上桥开关导通时，该限流电阻限制由该工作电压流经该上桥开关、该电感至该电容路径的一导通电流的大小。

7.如权利要求4所述的预充电控制电路，其中该切换单元包括：

一下桥开关，耦接该工作电压与该控制单元；

其中，该控制信号为一下桥控制信号；该下桥控制信号不导通该下桥开关时，该工作电压对该电感储能，且该下桥控制信号导通该下桥开关时，该电感对该电容释能。

8.如权利要求7所述的预充电控制电路，其中该转换单元还包括：

一限流电阻，耦接该工作电压、该下桥开关与该电感；

其中，该下桥开关不导通时，该限流电阻限制由该工作电压流经该电感至该电容路径的一导通电流的大小。

9.一种预充电控制电路的控制方法，包括下列步骤：

提供耦接于一电子电路的一输入路径的一预充电开关；

根据一脉宽调制信号提供一控制信号至一转换单元；

该转换单元根据该控制信号提供一斜坡电压；及

该预充电开关根据该斜坡电压逐渐导通该输入路径，

其中该控制信号的一占空比逐渐提高，使该转换单元根据逐渐提高的该占空比的该控制信号而提供不同电压水平的该斜坡电压，最终该斜坡电压稳定在一固定值。

10.如权利要求9所述的预充电控制电路的控制方法，其中该占空比以一相等倍率的方式提高，使该斜坡电压的一电压值以对应该相等倍率的方式增加。

11.如权利要求9所述的预充电控制电路的控制方法，其中该控制信号包括互补的一上桥控制信号与一下桥控制信号；该上桥控制信号使一工作电压对该转换单元的一电感储能，且该下桥控制信号使该电感对该转换单元的一电容释能；该电容通过该电感的储能与释能而产生该斜坡电压。

12.如权利要求11所述的预充电控制电路的控制方法，还包括：

限制由该工作电压流经该电感至该电容路径的一导通电流的大小。

13.如权利要求9所述的预充电控制电路的控制方法，其中该控制信号的一第一准位使一工作电压对该转换单元的一电感储能，且该控制信号的一第二准位使该电感对该转换单元的一电容释能；该电容通过该电感的储能与释能而产生该斜坡电压。

14.如权利要求13所述的预充电控制电路的控制方法，还包括：

限制由该工作电压流经该电感至该电容路径的一导通电流的大小。