JP6155331B2 - 液供給装置及び基板処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、基板等に処理液を供給する液供給装置と、このような液供給装置が組み込まれた基板処理装置に関する。
例えば、液晶表示装置や半導体装置の製造過程においては、矩形状のガラス基板や半導体ウェーハなどの基板に回路パターンを形成するということが行われている(例えば、特開2010−010555号公報参照。)。回路パターンを形成する場合、基板処理装置により基板に対して現像処理、エッチング処理あるいはレジストの剥離処理などが行われる。基板を処理するために用いられる処理液は、液供給装置の供給タンクで調合されて保存され、必要に応じて処理液を基板へ供給する。このような処理液は高価であるから、分離回収を行った後、再度供給タンクに戻すようにされている。
なお、液供給装置の供給タンクは、例えば2個用意されており、片方ずつ使用する。使用されていない供給タンク内の処理液は、定期的にポンプで循環される。なお、処理液は時間経過・使用と共に劣化するため、ライフタイム設定を行い、劣化した時点で廃棄する。
供給タンクの上部には排気路、側面にはオーバーフローラインが設けられており、開放されている。排気路は供給タンクからポンプにより基板へ処理液を供給する際に、供給タンク内が負圧にならないために設けられており、また、オーバーフローラインは供給タンク内の処理液が一定液位を超えないようにするために設けられている。
本発明は、供給タンクに収容されて待機状態にある処理液の劣化を防ぐことで、処理液の寿命を長くすることができる液供給装置及び基板処理装置を提供することにある。
処理液を処理装置に供給すると共に回収して再供給する液供給装置であって、
上記処理液を収容すると共に、排気路が接続された密閉容器を有し、上記処理液を供給する供給モードと上記処理液を収容したまま待機する待機モードのいずれかに切り替えられる複数の供給タンクと、
これら複数の供給タンクのうち供給モードの供給タンクから上記処理液を上記処理装置へ供給する供給機構と、
上記処理装置で余剰した上記処理液を回収して供給モードの供給タンクへ戻す回収機構と、
上記複数の供給タンクにそれぞれ設けられ、上記排気路を閉塞する開閉機構とを備え
上記開閉機構は、上記排気路を、上記待機モード時に気密閉塞し、上記供給モード時には開放するようにした。
基板を処理液によって処理する基板処理装置であって、
上記基板を着脱自在に保持して回転駆動される回転テーブルと、
この回転テーブルの上方に配置され、上記基板に上記処理液を供給する供給部と、
上記基板の処理に用いられた上記処理液を回収する回収部と、
上記処理液を収容すると共に、排気路が接続された密閉容器を有し、上記処理液を供給する供給モードと上記処理液を収容したまま待機する待機モードのいずれかに切り替えられる複数の供給タンクと、
これら複数の供給タンクのうち供給モードの供給タンクから上記処理液を上記供給部へ供給する供給機構と、
上記回収部により回収した上記処理液を回収して供給モードの供給タンクへ戻す回収機構と、
上記複数の供給タンクにそれぞれ設けられ、上記排気路を閉塞する開閉機構とを備え
上記開閉機構は、上記排気路を、上記待機モード時に気密閉塞し、上記供給モード時には開放するようにした。
本発明によれば、供給タンクに収容されて待機状態にある処理液の寿命を長くすることが可能となる。
図1は、本発明の一実施の形態に係る液供給装置が組み込まれた基板処理装置の構成を示す説明図。 図2は、同液供給装置に組み込まれた供給タンクの構成を示す説明図。 図3は、同液供給装置による液封効果の一例を示す説明図。
図1は、本発明の一実施の形態に係る液供給装置30が組み込まれた基板処理装置10の構成を示す説明図、図2は、液供給装置30に組み込まれた供給タンク40A,40Bの構成を示す説明図、図3は液供給装置30による液封効果の一例を示す説明図である。なお、これらの図中Wは半導体ウェーハや液晶パネル等の基板、Lはエッチング液等の処理液、Dは純水や処理液等の液封液を示している。
基板処理装置10は、基板Wのウェット処理を行う処理部20と、この処理部20に処理液Lを供給する液供給装置30とを備えている。
処理部20は、処理槽21を備えている。この処理槽21の内部には筒状の外側仕切壁22が設けられている。この外側仕切壁22の上端に径方向内方に向かって傾斜した傾斜壁22aが設けられている。仕切壁22に囲まれた位置には、さらに筒状の内側仕切壁23が設けられている。
内側仕切壁23の内側には、基板Wが供給保持される回転テーブル24が設けられている。この回転テーブル24の下面には、回転駆動源25の回転軸25aが連結されている。
処理槽21の底面で、外側仕切壁22と内側仕切壁23との間には、回収パイプ26aが接続されており、後述する回収ライン71に接続されている。
また、処理槽21の底面で、外側仕切壁22の径方向外側、内側仕切壁23の径方向内側にはパイプ26bが接続されている。パイプ26bは、不図示の排出ラインに接続される。これにより、処理液Lを廃棄することができる。
さらに、回転テーブル24の上方には、処理液の供給部をなす液噴射ノズル28が配置されている。液噴射ノズル28には、液供給装置30から供給ライン63が接続されている。
液供給装置30は、処理液Lを収容する第1の供給タンク40Aと、処理液Lを収容する第2の供給タンク40Bと、これら第1及び第2の供給タンク40A,40Bから処理液Lを処理部20へ供給する供給機構60と、処理部20で回収した処理液Lを第1及び第2の供給タンク40A,40Bへ戻す回収機構70と、第1及び第2の供給タンク40A,40B内の処理液Lを循環させる内循環機構80とを備えている。
第1の供給タンク40Aは、図2に示すように、密閉容器41と、この密閉容器41の上部に接続された排気路42と、側面に設けられたオーバーフローライン43と、濃縮された処理液を密閉容器41内に供給する処理液補充部44と、純水を密閉容器41内に供給する純水補充部45と、収容された処理液Lの濃度を測定する濃度センサ46と、オーバーフローライン43の外部側に設けられた液封槽50とを備えている。排気路42には、開閉バルブ42aが設けられている。開閉バブル42aを閉じれば、排気路42を気密閉塞し、開けば開放する。なお、第2の供給タンク40Bも同一構造を有しているため、同一機能部分には同一符号を付し、詳細な説明は省略する。
液封槽50は、純水又は処理液等の液封液Dを収容する密閉容器51と、側面に設けられたオーバーフローライン53と、底部に接続された排出路54と、液封液Dの液位を検出する液位センサ55と、液位センサ55により検出された液位が基準値を下回っている場合に液封液Dを密閉容器51の外部から補充する補充タンク56とを備えている。液位センサ55及び補充タンク56は、液封液Dが所定の液位を下回る場合に、液封液Dを補充する液封液補充機構を構成している。
密閉容器51は、この天井部から垂下されて設けられる壁体51aを備える。この壁体51aにより、密閉容器51内は、オーバーフローライン43に接続された入口側と、オ−バーフローライン53に接続された出口側とに仕切られる。なお、壁体51aは、液封液Dが所定の液位レベルを超えた場合に液封液Dの液面に到達する。排出路54には、開閉バルブ54aが設けられている。
供給機構60は、第1及び第2の供給タンク40A,40Bの底部にそれぞれ接続された分岐供給ライン61,62と、これら分岐供給ライン61,62に接続された供給ライン63と、分岐供給ライン61,62の途中にそれぞれ設けられた開閉バルブ61a,62aと、供給ライン63の2途中に設けられたポンプ64とを備えている。供給ライン63の他端は、処理部20の液噴射ノズル28に接続されている。
回収機構70は、回収パイプ26aに接続された回収ライン71と、この回収ライン71に設けられた回収タンク72と、この回収タンク72の底部側に接続されたポンプ73と、回収ライン71から分岐してそれぞれ第1及び第2の供給タンク40A,40Bにそれぞれ接続された分岐回収ライン74,75と、これら分岐回収ライン74,75にそれぞれ設けられた開閉バルブ74a,75aを備えている。なお、回収タンク72には液位センサ72aが設けられている。
また、回収タンク72は、処理槽21の下方に配置されている。このため、処理槽21の底面の処理液Lは、回収パイプ26aから回収ライン71を通り、自然落下により回収タンク72に回収される。なお、処理槽21の下方以外の場所に設置する場合は、回収ライン71にポンプを追加した構成にしても良い。
内循環機構80は、第1及び第2の供給タンク40A,40Bの底部にそれぞれ接続された分岐循環ライン81,82と、これら分岐循環ライン81,82に接続されたポンプ83と、このポンプ83に設けられた廃棄ライン84と、分岐循環ライン81,82の途中にそれぞれ設けられた開閉バルブ81a,82aと、廃棄ライン84の途中に設けられた開閉バルブ84aと、ポンプ83の出力口に接続された循環ライン85と、この循環ライン85から分岐してそれぞれ第1及び第2の供給タンク40A,40Bにそれぞれ接続された分岐循環ライン86,87と、これら分岐循環ライン86,87にそれぞれ設けられた開閉バルブ86a,87aを備えている。
なお、各開閉バルブと液封槽50は、開閉機構を構成している。各開閉バルブ、各ポンプ、各センサ、各液の供給部は、制御装置200に接続され、開閉・駆動・入出力が行われている。制御装置200は、第1の供給タンク40Aと第2の供給タンク40Bとの間で、「供給モード」、「待機モード」とを切り替える機能を有している。つまり、一方の供給タンクが「供給モード」のとき、他方の供給タンクは「待機モード」とされる。
第1の供給タンク40Aにおいて、「供給モード」では、開閉バルブ61a、開閉バルブ42a、開閉バルブ74aを開くと共に、ポンプ64を駆動する。また、回収タンク72に設けられた液位センサ72aによって検出された処理液Lの液面が所定のレベルに達するまで溜まったら、ポンプ73を駆動させて、第1の供給タンク40Aに戻す。なお、回収タンク72で貯留せずに、そのままポンプ73を駆動して、第1の供給タンク40Aに処理液Lを戻してもよい。「供給モード」時に開閉バルブ42aを開くのは、密閉容器41内の処理液Lをポンプ64の駆動によって引いたとき、密閉容器41内が負圧になるのを防止するためである。なお、この「供給モード」のとき、開閉バルブ81a、86aは閉じられる。
この設定により、第1の供給タンク40A内の処理液Lが次のようなルートで循環する。すなわち、開閉バルブ61aが開き、ポンプ64が作動すると第1の供給タンク40Aの処理液Lが分岐供給ライン61及び開閉バルブ61aを通ってポンプ64に達する。ポンプ64は作動しているので、さらに供給ライン63、液噴射ノズル28を通って、基板Wに供給される。さらに、基板Wから飛散し、処理槽21の底に溜まった処理液Lは、回収パイプ26a、回収ライン71を通って回収タンク72に回収される。さらに、ポンプ73の作動により、分離回収ライン74、開閉バルブ74aを通って第1の供給タンク40Aに戻される。
一方、第1の供給タンク40Aにおいて、「待機モード」では、開閉バルブ61a、開閉バルブ42a、開閉バルブ74aを全て閉じる。なお、後述する処理液の内部循環動作の時を除き、この「待機モード」のとき、開閉バルブ81a、86aも閉じられる。
第2の供給タンク40Bにおいて、「供給モード」では、開閉バルブ62a、開閉バルブ42a、開閉バルブ75aを開くと共に、ポンプ64を駆動する。また、回収タンク72に設けられた液位センサ72aによって検出された処理液Lの液面が所定のレベルに達するまで溜まったら、ポンプ73を駆動させて、第2の供給タンク40Bに戻す。なお、回収タンク72で貯留せずに、そのままポンプ73を駆動して、第2の供給タンク40Bに処理液Lを戻してもよい。なお、この「供給モード」のとき、開閉バルブ82a、87aは閉じられている。
一方、第2の供給タンク40Bにおいて、「待機モード」では、開閉バルブ62a、開閉バルブ42a、開閉バルブ75aを全て閉じる。なお、後述する処理液の内部循環動作の時を除き、この「待機モード」のとき、開閉バルブ82a、87aも閉じられる。
第1の供給タンク40A内の処理液Lが少なくなったり、劣化した場合は、制御装置200により、第1の供給タンク40Aを「待機モード」、第2の供給タンク40Bを「供給モード」とする。これにより、上述したと同様にして第2の供給タンク40Bから処理部20へ処理液Lが供給・回収される。なお、処理液Lの減少は、供給タンク40Aと40Bの側面にそれぞれ設けられる液位センサ47によって検出されるようになっている。また、制御装置200は、処理部20での基板Wの処理枚数が、制御装置200に予め設定された枚数に達したときに処理液が劣化したと判断するようになっている。
一方、「待機モード」とされた第1の供給タンク40Aでは、先に述べたように、開閉バルブ61a、42a、74aは閉じられる。ところで、「待機モード」とされる第1の供給タンク40Aにおいては、処理液Lの減少や劣化に対し、処理液Lの調整動作、廃棄動作、内部循環動作を行う。
ここで、調整、廃棄、内部循環について詳述する。なお、調整には、濃度調整動作と量調整動作がある。
濃度調整動作は、濃度センサ46により第1の供給タンク40A内の処理液Lの濃度を測定し、所定の濃度範囲内に収まるように適宜、処理液補充部44から濃縮処理液及び純水補充部45から純水の少なくとも一方を供給する動作である。
量調整動作は、各供給タンク内に設けられた液位センサ47により検出された液位が基準値となるように、処理液補充部44及び純水補充部45からの供給量を調整する動作である。
廃棄動作は、濃度調整或いは量調整を行なう前段階で、基板Wの処理枚数が制御装置に予め設定された枚数に達したか否かを判定し、達した場合は、濃度調整動作或いは量調整動作を行うことなく、バルブ81a,84aを開き、ポンプ83を駆動し、供給タンク40A内の処理液Lを廃棄ライン84を介して廃棄する動作である。
内部循環動作は、濃度調整動作或いは量調整動作にて処理液補充部44及び純水補充部45から濃縮処理液及び純水が供給タンク40Aに供給されているときに撹拌させる動作である。すなわち、開閉バルブ81a,86aを開き、バルブ84aを閉じ、ポンプ83を駆動する。これにより、第1の供給タンク40A内の処理液Lが開閉バルブ81a、分岐循環ライン81、ポンプ83、循環ライン85、分岐回収ライン86、開閉バルブ86a、第1の供給タンク40Aの順で循環される。この循環動作の間に、供給タンク40A内に残留していた処理液L、第1の供給タンク40Aに新たに供給された濃縮処理液と純水とが撹拌される。
循環動作は、例えば、濃度調整、量調整動作開始時点から開始され、量調整動作が終了した時点から制御装置200に予め設定された時間が経過した時点で停止する。停止したとき、開閉バルブ81a、86aは閉じられ、ポンプ83は停止する。次に、開閉バルブ81a、開閉バルブ86aを閉じ、処理液Lを外気に触れさせない「待機モード」となる。
このように構成された基板処理装置10は、次のようにして処理液Lを供給し、基板Wの処理を行い、処理液Lの回収を行う。
処理液補充部44及び純水補充部45から、第1及び第2の供給タンク40A,40Bに濃縮処理液及び純水を供給し、濃度センサ46により所定の濃度の処理液Lを調整する。なお、濃度センサ46により、常に処理液Lの濃度を測定し、所定の濃度範囲内に収まるように適宜、処理液補充部44及び純水補充部45から濃縮処理液及び純水を供給する。濃縮処理液、あるいは純水を供給した際には、循環を行って処理液Lの撹拌を行い、濃度の均一化を行う。
一方、液封槽50の密閉容器51内に、補充タンク56から液封液Dを液位センサ55を超えるまで補充する。これにより、壁体51aにより、液封液Dの上部の空間は入口側と出口側とに仕切られ、第1及び第2の供給タンク40A,40B内の処理液Lがオーバーフローライン43を介して外気に直接触れることを防止できる。なお、密閉容器51内に収容された液封液Dがオーバーフローライン53の入口まで到達すると液封液Dは外部に排出される。また、液封液Dが劣化した場合には、開閉バルブ54aを開いて外部に排出することで、液封液Dを常に一定品質に保持する。
次に、回転テーブル24上に後述するようにして供給された処理液Lによる、処理対象となる基板Wを載置する。回転駆動源25を起動し、回転テーブル24を回転させる。なお、基板Wの処理が完了すると、次の基板Wを載置し、回転テーブル24を回転させるが、この工程は一般的なものであり、以下は説明を省く。
次に、制御装置200により、第1の供給タンク40Aを「供給モード」、第2の供給タンク40Bを「待機モード」とする。
「供給モード」の第1の供給タンク40Aにおいて、開閉バルブ61a、開閉バルブ42a、開閉バルブ74aを開くと共に、ポンプ64を駆動し、第1の供給タンク40Aから処理液Lを供給ライン63を介して液噴射ノズル28に供給する。液噴射ノズル28によって供給された処理液Lは、基板Wに作用して処理を行う。余剰の処理液Lは、処理槽21の回収パイプ26aから回収ライン71を介して回収タンク72に回収される。回収された処理液Lは、液位センサ72aによって検出された処理液Lの液面が所定のレベルに達するまで溜まったら、ポンプ73の駆動によって、第1の供給タンク40Aに戻される。
なお、「待機モード」とされる第2の供給タンク40Bにおいて、収容された処理液Lが寿命に達した場合には、開閉バルブ82a及び開閉バルブ84aを開き、ポンプ83を駆動して廃棄ライン84を介して処理液Lを外部に排出する。
処理液Lが劣化していない状態での第2の供給タンク40Bの「待機モード」では、開閉バルブ62a、開閉バルブ42a、開閉バルブ75aを全て閉じる。
第1の供給タンク40A内の処理液Lが少なくなったり、劣化した場合は、制御装置200により、第1の供給タンク40Aを「待機モード」、第2の供給タンク40Bを「供給モード」とする。これにより、上述したと同様にして第2の供給タンク40Bから処理部20へ処理液Lが供給・回収される。
一方、第1の供給タンク40Aでは、処理液Lの調整、廃棄、内部循環を行う。次に、開閉バルブ61a、開閉バルブ81a、開閉バルブ86aを閉じ、処理液Lを外気に触れさせない「待機モード」となる。
図3は、処理液Lとして例えばエッチング液を用いた場合の処理液Lの濃度低下(劣化)の様子を、外気に触れた場合(対策前:タンク開放系)と外気に触れない場合(対策後:タンク密閉系)を比較して示す図である。
対策前は、濃度が急激に低下するのに対して、対策後はゆっくりと濃度が低下してゆく。これは、処理液Lのエッチング液成分である亜硝酸が外気に触れることにより気化して蒸発するためである。なお、洗浄液についても外気に触れると気化して濃度が低下する。
このようにして、液供給装置30では、複数の供給タンクのうち、供給に供されていない供給タンクを外気から遮断することで、収容された処理液Lの劣化を防止し、処理液Lの使用量の低減を図る。このため、処理コストを低減させることができる。
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではない。例えば、上述した例では、各供給タンクに共通する内循環機構を設けたが、各供給タンク毎に内循環機構を設けるようにしてもよい。また、供給タンクは複数であれば2つに限られない。この他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能であるのは勿論である。
また本発明の実施において、処理装置の稼動状況によっては、すべての供給タンクが一時的に「待機モード」となることも有り得る。
また、密閉容器41内の圧力を検出する圧力計48を備えるようにしてもよい。例えば、処理タンク40Aにおいて、開閉弁42aを開閉弁61a、74a、86aとともに閉じた状態で、密閉容器41に処理液補充部44及び純水補充部45から濃縮処理液及び純水を加圧供給すると、密閉容器41内の圧力は上昇する。例えば、この圧力上昇が継続的で、しかも、制御装置200に予め設定した閾値以上に達したことを圧力計48が検知すれば、密閉容器41内は気密性が保たれていることが確認できる。つまり、処理タンク40A内の処理液は外気から遮断され、処理液Lの劣化が防止される状態であることになる。これに対し、圧力は上昇するものの、一時的であるとか、閾値に届かない場合(圧力異常時)には、漏れが生じている状態と推測でき、密閉容器41内の気密性が保たれていないことが察知される。この場合、警報装置を作動させるなどしてオペレータに知らせるようになっていると好ましい。
また、上述の圧力異常時の原因として、液封槽50内の液封液Dの液位が所定の液位レベルに到達しておらず、壁体51aが液封液Dに到達していない場合が考えられる。この場合、密閉容器41内は、オーバーフローライン43、53を介して大気と連通してしまうことになり、処理液Lの劣化につながる。先に述べたように、液封液Dの液位レベルは液位センサ55によって検出され、その検出値に基づいて、常時、壁体51aが液封液Dの液面に到達するレベルまで液封液Dの液位は維持されるようになっている。ところが、液位センサ55の故障や、液位センサ55の出力に基づいた処理液の補充が補充タンク56によって十分に行われなかったときなどに圧力異常が発生する可能性がある。密閉容器41内の圧力を検出する圧力計48を備えることで、このような問題の早期発見が可能となる。
さらに、例えば図2に示した構成では、密閉容器41内の圧力が異常に高くなった場合、その圧力で液封槽50の入口側の液封液Dを押し下げ、押し下げた分だけ液封槽50の出口側の液封液Dを押し上げる。そして、押し上げられた液封液Dが、オーバーフローライン53の入口まで到達すると外部に排出されることで圧力異常は開放される。ところが、液封槽50内の液封液Dが例えば劣化して流動性が少なくなればなる程、異常圧力によっても液封液Dが移動しなくなる。こうなると密閉容器41内の圧力は逃げ場を失い、密閉容器41の変形や破壊につながることになる。ところが、密閉容器41内の圧力を検出する圧力計48を備え、圧力管理することで、供給タンクの変形や破壊を防止することができる。
本発明によれば、供給タンクに収容されて待機状態にある処理液の寿命を長くすることが可能となる。

Claims (8)

  1. 処理液を処理装置に供給すると共に回収して再供給する液供給装置であって、
    上記処理液を収容すると共に、排気路が接続された密閉容器を有し、上記処理液を供給する供給モードと上記処理液を収容したまま待機する待機モードのいずれかに切り替えられる複数の供給タンクと、
    これら複数の供給タンクのうち供給モードの供給タンクから上記処理液を上記処理装置へ供給する供給機構と、
    上記処理装置で余剰した上記処理液を回収して供給モードの供給タンクへ戻す回収機構と、
    上記複数の供給タンクにそれぞれ設けられ、上記排気路を閉塞する開閉機構とを備え
    上記開閉機構は、上記排気路を、上記待機モード時に気密閉塞し、上記供給モード時には開放することを特徴とする液供給装置。
  2. 前記密封容器にはオーバーフローラインを有し、
    入口側が上記オーバーフローラインに接続され、出口側が外気側に接続され、上記処理液又は純水である液封液を収容すると共に、入口側と出口側を天井側から少なくとも上記液封液の液面に到達することで仕切る壁体を有する液封槽を備えていることを特徴とする請求項1に記載の液供給装置。
  3. 上記液封槽には、液位センサが設けられ、この液位センサにより上記液封液が所定の液位を下回る場合に、上記液封液を補充する液封液補充機構を備えていることを特徴とする請求項に記載の液供給装置。
  4. 上記供給タンクは、上記処理液の濃度を計測する濃度センサを有し、この濃度センサにより所定の濃度を下回る場合に、上記処理液を上記供給タンクに供給する処理液補充機構を備えていることを特徴とする請求項1に記載の液供給装置。
  5. 基板を処理液によって処理する基板処理装置であって、
    上記基板を着脱自在に保持して回転駆動される回転テーブルと、
    この回転テーブルの上方に配置され、上記基板に上記処理液を供給する供給部と、
    上記基板の処理に用いられた上記処理液を回収する回収部と、
    上記処理液を収容すると共に、排気路が接続された密閉容器を有し、上記処理液を供給する供給モードと上記処理液を収容したまま待機する待機モードのいずれかに切り替えられる複数の供給タンクと、
    これら複数の供給タンクのうち供給モードの供給タンクから上記処理液を上記供給部へ供給する供給機構と、
    上記回収部により回収した上記処理液を回収して供給モードの供給タンクへ戻す回収機構と、
    上記複数の供給タンクにそれぞれ設けられ、上記排気路を閉塞する開閉機構とを備え
    上記開閉機構は、上記排気路を、上記待機モード時に気密閉塞し、上記供給モード時には開放することを特徴とする基板処理装置。
  6. 前記密封容器にはオーバーフローラインを有し、
    入口側が上記オーバーフローラインに接続され、出口側が外気側に接続され、上記処理液又は純水である液封液を収容すると共に、入口側と出口側を天井側から少なくとも上記液封液の液面に到達することで仕切る壁体を有する液封槽を備えていることを特徴とする請求項に記載の基板処理装置。
  7. 上記液封槽には、液位センサが設けられ、この液位センサにより上記液封液が所定の液位を下回る場合に、上記液封液を補充する液封液補充機構を備えていることを特徴とする請求項に記載の基板処理装置。
  8. 前記回収部は、前記回転テーブルの下方に配置されることを特徴とする請求項5乃至請求項7のいずれかに記載の基板処理装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11728188B2 (en) 2019-08-23 2023-08-15 Kioxia Corporation Semiconductor manufacturing device

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3034182A1 (en) * 2014-12-17 2016-06-22 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Coating system and coating method
US9972513B2 (en) * 2016-03-07 2018-05-15 Shibaura Mechatronics Corporation Device and method for treating a substrate with hydrofluoric and nitric acid
CN107665839B (zh) * 2016-07-29 2021-08-10 芝浦机械电子装置股份有限公司 处理液生成装置和使用该处理液生成装置的基板处理装置
CN106423755B (zh) 2016-11-22 2019-06-25 京东方科技集团股份有限公司 涂布设备、利用其回收涂布液的方法及其清洁方法
TWI763944B (zh) * 2017-11-01 2022-05-11 日商東京威力科創股份有限公司 處理液供給系統、處理液供給裝置及載具保管裝置
CN108972920A (zh) * 2018-07-20 2018-12-11 江苏吉星新材料有限公司 一种智能化蓝宝石切片系统的集中供液系统及其工艺
US11033925B2 (en) * 2018-10-10 2021-06-15 Girbau, S.A. Device for the surface coating of pieces
KR20200124173A (ko) * 2019-04-23 2020-11-02 주식회사 제우스 식각장치
CN114026679A (zh) * 2019-07-03 2022-02-08 东京毅力科创株式会社 基片处理设备和处理液制备方法
JP7321052B2 (ja) * 2019-10-17 2023-08-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および装置洗浄方法
JP2022072072A (ja) * 2020-10-29 2022-05-17 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
CN112786499B (zh) * 2021-03-11 2021-12-17 长江存储科技有限责任公司 供液装置
US11673158B1 (en) * 2022-02-16 2023-06-13 Jon Kyle Lavender Method and apparatus for coating a drinking straw

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3162192B2 (ja) * 1992-06-18 2001-04-25 高砂熱学工業株式会社 給水管路の防食法および装置
JPH11147035A (ja) * 1997-11-14 1999-06-02 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理液槽の排液機構
JPH11165116A (ja) * 1997-12-02 1999-06-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 処理液塗布装置
TW200303581A (en) 2002-02-28 2003-09-01 Tech Ltd A Method and apparatus for cleaning and drying semiconductor wafer
JP2006326855A (ja) * 2005-05-23 2006-12-07 Canon Finetech Inc インクジェット方式画像形成装置
JP2007130613A (ja) * 2005-11-14 2007-05-31 Nax Co Ltd 洗浄装置
JP4911290B2 (ja) * 2006-05-30 2012-04-04 東横化学株式会社 研磨用スラリー貯留装置、研磨用スラリー供給装置及び研磨システム
JP2009188113A (ja) * 2008-02-05 2009-08-20 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 液体供給装置およびこれを備えた基板処理装置
JP5129042B2 (ja) 2008-06-30 2013-01-23 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11728188B2 (en) 2019-08-23 2023-08-15 Kioxia Corporation Semiconductor manufacturing device

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