JP6153732B2 - スイッチングレギュレータ - Google Patents
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一般に、省電力化を図るためには、電子機器において消費する電力を削減すること、電源回路自体の電力使用効率を向上させ、無駄な電力消費を抑えることが重要である。
小型電子機器に使用される高効率の電源回路として、インダクタを使用した非絶縁型のスイッチングレギュレータが広く使用されている。
スイッチングレギュレータに起因するノイズ成分は、その中でも、スイッチングトランジスタのスイッチング周波数に起因するノイズ成分が最も大きい。
以下、その理由を図10に示すスイッチングレギュレータを参照しつつ説明する。
出力コンデンサCoに蓄積されている電荷が出力端子OUTから負荷120に放電され、負荷電流Ioutが流れると、出力電圧Voutが次第に低下する。
誤差増幅器111は、第1基準電圧Vrefと出力電圧Voutの低下分との差に相当する電圧を増幅し、誤差電圧opoutを出力する。その誤差電圧opoutは出力電圧Voutの減少とは逆に上昇する。
その誤差電圧opoutが第2基準電圧Vrefm未満に低下すると、コンパレータ112の状態出力信号CMPOUTが反転し、その結果、イネーブル信号OSCENの信号レベルが反転して、再びローレベルになる。
誤差電圧opoutが第2基準電圧Vrefmを超えると、状態検出信号CMPOUTが反転して、イネーブル信号OSCENがローレベルからハイレベルになり、先に説明した通りの動作を繰り返す。
その図12において、点線で示す各波形は図11に示す各波形と同一の波形を示している。
すなわち、図10に示すスイッチングレギュレータでは、出力電圧Voutが低くなると、そのリプル電圧が増加することになる。一般的に、低い電圧を要求する負荷側の電子機器は、電圧の許容範囲が狭いため、同じ制御方式では使うことができない可能性が高い。
このように、図10に示すスイッチングレギュレータでは、インダクタL1のインダクタンスが小さくなると、出力電圧Voutのリプル電圧が低下する。すなわち、図10に示すスイッチングレギュレータでは、出力電圧Voutのリプル電圧が小さくなると、発振周波数が増加し、VFM制御モードの目的である軽負荷時の電力消費効率が劣化する。
このように出力電圧Voutの変動は、軽負荷時の電力消費効率、ノイズ、負荷側の電子機器へのダメージ等の原因となる。
また、出力電圧のリプルが過大になるのを防止できるので、リプルに起因するノイズを低減でき、ひいては、回路がダメージを受けるのを抑制できる。
図1は本発明の実施例1に係る降圧型カレントモードのスイッチングレギュレータの回路図を示している。
このスイッチングレギュレータは、スイッチングトランジスタM1と、整流素子M2と、インダクタL1と、出力コンデンサ(平滑コンデンサ)Coと、PWM制御回路10と、帰還抵抗R1、R2とからなる帰還回路部と、比較器11と、誤差増幅器12とを有する。
帰還電圧FB=Vout×R2/(R1+R2)
スイッチングトランジスタM1のゲートはPWM制御回路10のP端子に接続され、制御電圧PHSによりオン・オフされてスイッチング動作を行う。
状態検出信号LVLXがハイレベルとなるときのインダクタL1のインダクタ電流ILは、整流素子M2のオン抵抗をRonm2とすると、インダクタ電流IL=Vref3/Ronm2となる。
その整流素子M2はN−チャンネルトランジスタであり、制御電圧NLSがハイレベルのときオンであり、ローレベルのときオフとされる。
この図1に示すスイッチングレギュレータの動作について、図2に示すタイミングチャートを参照しつつ説明する。
制御電圧PHSがローレベルかつ接続点LXのドレン電圧LXVが基準電圧以下の場合、又は、制御電圧PHSがハイレベルかつ接続点LXのドレン電圧LXVが基準電圧Vref3以下の場合、状態検出信号LVLXはローレベルである。
状態遷移回路14は、以下に説明する条件に従って状態遷移制御を行う。
状態1においては、スイッチSW2は閉成され、スイッチSW3は参照電圧Vrefとしての第1の定電圧Vref1を比較器11の反転入力端子−に印加しかつ誤差増幅器12の非反転入力端子+に印加する側に接続されている。
ΔVout=(R1+R2)/R2×(Vref2−Vref1)
の式により表される。すなわち、参照電圧Vrefのリプル電圧を{(R1+R2)/R2}倍したリプル電圧となる。
図3は実施例2の降圧型スイッチングレギュレータの回路図を示している。
図3は図2に示すスイッチングレギュレータの帰還回路部の抵抗R1にスピードアップコンデンサCspdが並列に接続されている。
このように、この実施例2では、実施例1と同様に、軽負荷検出を容易に行うことができる。また、出力電圧Voutのリプル電圧の変動を参照電圧Vrefに応じて変化させることができる。更に、比較器11と誤差増幅器12の差動オフセットにより発生する不具合を回避できる。
図8は、本発明の実施例3に係る昇圧型スイッチングレギュレータの回路を示す図である。この図8に示すスイッチングレギュレータは、図3に示す降圧型スイッチングレギュレータの回路動作と同様の回路動作を昇圧型スイッチングレギュレータを用いて行わせることができるようにしたものである。
図9は、本発明の実施例4に係る極性反転型スイッチングレギュレータの回路を示す図である。この図9に示すスイッチングレギュレータは、、図3に示す降圧型スイッチングレギュレータの回路動作と同様の回路動作を極性反転型スイッチングレギュレータを用いて行わせることができるようにしたものである。
これらの実施例によれば、第1の定電圧Vref1から第2の定電圧Vref2へ帰還電圧FBの参照電圧Vrefを切り替える。これによって、帰還電圧FBが参照電圧Vrefに追従し、出力電圧Voutのリプル電圧が第1の定電圧Vref1と第2の定電圧Vref2の電圧差により制御される。このため、軽負荷時の電力消費効率を損なうことなく、出力電圧Voutのリプル変動を抑制でき、ノイズ対策等にも有効であるという効果を奏する。
また、誤差増幅器12の出力端子に接続された位相補償回路13のコンデンサC3の電圧を第2状態において一定に保つことにより、第1状態における動作点を保存することになる。その結果、スイッチングレギュレータの第1状態の動作と第3状態の動作とを繋げた結果に収束させることができる。
第2の状態において、不要な回路をスリープモードとすることにより、更にスイッチングレギュレータの自己消費を低減させ、電力消費効率を向上させることができる。
第2の電圧比較回路はオフセットを持ち、第3の状態において参照電圧Vrefよりも帰還電圧FBが高くなったことをオフセットだけ低い電圧で検出することにより、第3の状態から第1の状態へ必ず遷移させることができる。
整流素子M2がダイオードD2である場合、ダイオードD2のカソード電圧が電流不連続モードにおいて出力端子OUTの出力電圧Voutに追従して正の電圧となることを検出することにより、励起エネルギーがゼロまたは軽くなったことを検出できる。
11…比較器(第2の電圧比較回路)
12…誤差増幅回路(第2の電圧比較回路)
14…状態遷移回路
15…第1の電圧比較回路
L1…インダクタ
IL…インダクタ電流
Vref3…基準電圧
LVLX…状態検出信号
Vref1…第1の定電圧
Vref2…第2の定電圧
Vref…参照電圧
FB…帰還電圧
Claims (10)
- 入力端子に入力された入力電圧を所定の出力電圧に変換して出力端子から負荷電流を出力するスイッチングレギュレータにおいて、
制御電圧に応じてスイッチングを行うスイッチングトランジスタと、該スイッチングトランジスタのオフ時に整流を行う整流素子と、該スイッチングトランジスタのオン時に前記入力電圧による充電が行われるインダクタと、該インダクタの励起エネルギーを示す信号と該インダクタの励起エネルギーがゼロまたは小さくなったことを意味する基準電圧との電圧比較を行って該比較結果として状態検出信号を二値信号として出力する第1の電圧比較回路と、第1の定電圧を生成する第1の定電圧回路と、該第1の定電圧よりも高い第2の定電圧を生成する第2の定電圧回路と、前記出力端子の出力電圧を帰還電圧に変換する帰還抵抗からなる帰還回路部と、前記帰還電圧と参照電圧との電圧比較を行って該比較結果を示す二値の信号を生成して出力する第2の電圧比較回路と、前記帰還電圧と前記参照電圧とが一致するように前記スイッチングトランジスタを制御する制御回路部と、前記第1の電圧比較回路が前記インダクタの励起エネルギーがゼロまたは小さくなったことを意味する信号を検出すると前記第1の定電圧を前記帰還電圧の参照電圧として動作する第1状態からスイッチング動作を停止する第2状態に遷移させかつ前記第2の電圧比較回路が前記参照電圧よりも前記帰還電圧が低くなったことを検出すると前記第2状態から前記第2の定電圧を前記帰還電圧の参照電圧として動作する第3状態に遷移させしかも前記第2の電圧比較回路が前記参照電圧よりも前記帰還電圧が高くなったことを検出すると前記第3状態から前記第1状態に遷移させる状態遷移制御回路と、を有することを特徴とするスイッチングレギュレータ。 - 前記帰還回路部は、前記出力電圧を前記帰還電圧に変換する帰還抵抗と、前記出力電圧の高周波数成分を前記帰還電圧としてスルーするスピードアップコンデンサからなることを特徴とする請求項1に記載のスイッチングレギュレータ。
- 前記第2の電圧比較回路は前記帰還電圧と前記参照電圧の差を収束させるように動作する誤差増幅器を含み、前記誤差増幅器の誤差信号を前記第2状態において一定に保つことを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のスイッチングレギュレータ。
- 前記誤差増幅器の出力端子は、位相補償回路に接続され、該位相補償回路はコンデンサを含み、前記第2状態において、該コンデンサの電圧を一定に保つために、該コンデンサが前記誤差増幅器から切り離されることを特徴とする請求項3に記載のスイッチングレギュレータ。
- 前記第2状態において、少なくとも前記制御回路部がスリープモードとされることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載のスイッチングレギュレータ。
- 前記第2の電圧比較回路はオフセット電圧を有し、前記第3状態において前記参照電圧よりも前記帰還電圧が高くなったことを該オフセット電圧だけ低い電圧で検出することを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載のスイッチングレギュレータ。
- 前記整流素子は逆流電流を防止する制御を行うMOSFETであることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載のスイッチングレギュレータ。
- 前記整流素子はダイオードであり、前記第1の電圧比較回路は該ダイオードのカソード電圧が正の電圧となることを検出することにより励起エネルギーがゼロまたは軽くなったことを示す信号を検出することを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載のスイッチングレギュレータ。
- カレントモードで制御される請求項1ないし請求項8のいずれか1項に記載のスイッチングレギュレータ。
- 出力電圧の帰還電圧と比較される参照電圧を第1の定電圧と該第1の定電圧よりも高い第2の定電圧との間で切り替えて前記帰還電圧を前記第1の定電圧と比較してインダクタに流れるインダクタ電流をスイッチング制御する制御回路部を第1状態に設定する第1ステップと、
前記制御回路部が第1状態のときに前記インダクタに流れるインダクタ電流がゼロ又は小さくなったことを検出して前記制御回路部をスリープ状態である第2状態に設定する第2ステップと、
前記制御回路部が前記第2状態のときに前記帰還電圧を前記第1の定電圧と比較して該帰還電圧が前記第1の定電圧よりも低くなったときに前記参照電圧を前記第1の定電圧から前記第2の定電圧に切り替えて前記インダクタ電流をスイッチング制御する制御回路部を第3状態に設定しかつ前記帰還電圧が第2の定電圧よりも高くなったときに前記参照電圧を前記第2の定電圧から前記第1の定電圧に切り替えて前記制御回路部を前記第1状態に設定する第3ステップと、を繰り返すことを特徴とするスイッチングレギュレータの制御方法。
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