JP6138500B2 - パワー半導体装置 - Google Patents
パワー半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6138500B2 JP6138500B2 JP2013014974A JP2013014974A JP6138500B2 JP 6138500 B2 JP6138500 B2 JP 6138500B2 JP 2013014974 A JP2013014974 A JP 2013014974A JP 2013014974 A JP2013014974 A JP 2013014974A JP 6138500 B2 JP6138500 B2 JP 6138500B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- power semiconductor
- base
- electronic circuit
- solder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 88
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 53
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 48
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 29
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005242 forging Methods 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 4
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- -1 PolyButylene Polymers 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Landscapes
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Description
本発明はパワー半導体装置に関する。
半導体装置が広く用いられている。その中でもパワー半導体を有するパワー半導体装置は、大出力のモータや発電機等の電気機器の制御や電力変換の用途に用いられている。このようなパワー半導体装置としては、例えばIGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）モジュールが挙げられる。
近年は、船舶や鉄道、さらには電気自動車やハイブリッド自動車等に搭載される電力制御装置としてパワー半導体装置の需要が拡大してきている。そのため、パワー半導体装置に対しては、電気機器として高効率化や大容量化が必要とされているだけでなく、大量生産する車載用部材として、組み立てやすい構造が要求されている。このような要求に応えるべく、組み立てやすいパワー半導体装置を提供する技術として、特許文献１〜５に記載の技術が知られている。
近年は、船舶や鉄道、さらには電気自動車やハイブリッド自動車等に搭載される電力制御装置としてパワー半導体装置の需要が拡大してきている。そのため、パワー半導体装置に対しては、電気機器として高効率化や大容量化が必要とされているだけでなく、大量生産する車載用部材として、組み立てやすい構造が要求されている。このような要求に応えるべく、組み立てやすいパワー半導体装置を提供する技術として、特許文献１〜５に記載の技術が知られている。
組み立てやすいパワー半導体装置を得るためには、パワー半導体装置を構成するベース（基材）上に電子回路部用の位置決め部材を設け、その位置決め部材間に電子回路部を入れ込む構造が考えられる。しかしながら、その位置決め部材がベースと別体の場合は、位置決め部材の用意、取付け、取外しに製造コストや製造時間を要する。また、位置決め部材がベースと一体の場合も、位置決め部材と電子回路部との電気的絶縁の確保等で課題が生じることがある。
また、半導体装置は動作時に通常高温になる。通常、ベースの材質として金属が用いられる一方、電子回路部の基板の材質としてはセラミックが用いられるため、半導体装置が動作と停止による温度変化を受けるとき、ベースと基板との間に熱変形差が生じる。これにより、基板とベースとを接続するはんだにひずみが生じる。したがって、半導体装置の動作と停止が繰り返されることで、はんだが疲労することがある。通常、半導体装置においては、電子回路部の素子で発生した熱を、素子下のはんだ、基板上導体層、基板、基板下導体層、基板下のはんだ、ベース、冷媒という順に伝えることで、外部に放熱する。疲労によってはんだに亀裂が進行すると、その部分での熱抵抗が増大し、十分な放熱性を確保することが難しくなる。ひいては、半導体装置の製品寿命の確保が難しくなる。
また、半導体装置は、上記の通り冷媒を用いて放熱するため、冷媒の圧力によってベースに反りが生じることがある。ベースの反りが大きい場合、ベースと冷媒流路との間の隙間が大きくなり、冷媒が漏出するという問題がある。
本発明は、前記課題に鑑みて為されたものであり、本発明の目的は、組み立てやすく、かつ電気的あるいは機械的信頼性に優れたパワー半導体装置を提供することである。
本発明は、前記課題に鑑みて為されたものであり、本発明の目的は、組み立てやすく、かつ電気的あるいは機械的信頼性に優れたパワー半導体装置を提供することである。
前記課題を解決するために、本発明によるパワー半導体装置は、ベースと、前記ベースに配設される電子回路部と、前記電子回路部を冷却する冷却フィンとを備えるパワー半導体装置であって、前記ベースには凹部が設けられ、前記凹部の内壁には突起が設けられ、前記電子回路部が絶縁基板と金属製導体層を備え、前記金属製導体層が２つ以上の領域に分割されており、前記突起が、前記金属製導体層の分割箇所に近い位置において、前記絶縁基板の側面と接触していることを特徴とする。
本発明によれば、組み立てやすく、かつ電気的あるいは機械的信頼性に優れたパワー半導体装置を提供することができる。
以下、図面を適宜参照しながら、本発明の実施例について説明する。
［１．第１実施例］
＜構成＞
第１実施例に係るパワー半導体装置１００は、図１（ａ）に示すように、ベース１と、ベース１に接続される電子回路部２を備える。ベース１と電子回路部２とは、はんだ１１により接続されている。ベース１は、図１（ｂ）に示すように、冷却フィン１ｅを備える面と逆側の面に凹部１ｄを備える。また、ベース１は、図１（ｃ）に示すように凹部１ｄの内壁の各側面に突起１ｂを備える。したがって、本実施例においては、「凹部」および「突起」がそれぞれ１つ以上設けられていることになる。凹部１ｄや突起１ｂの詳細は、後記する。
［１．第１実施例］
＜構成＞
第１実施例に係るパワー半導体装置１００は、図１（ａ）に示すように、ベース１と、ベース１に接続される電子回路部２を備える。ベース１と電子回路部２とは、はんだ１１により接続されている。ベース１は、図１（ｂ）に示すように、冷却フィン１ｅを備える面と逆側の面に凹部１ｄを備える。また、ベース１は、図１（ｃ）に示すように凹部１ｄの内壁の各側面に突起１ｂを備える。したがって、本実施例においては、「凹部」および「突起」がそれぞれ１つ以上設けられていることになる。凹部１ｄや突起１ｂの詳細は、後記する。
さらに、パワー半導体装置１００は、図１（ａ）に示すように、樹脂ケース６と、電極７を備える。そして、縁部１aおよび樹脂ケース６により囲まれる空間内部は、ゲル等の封止材９によって満たされ、電子回路部２が封止されている。
パワー半導体装置１００は、冷却ジャケット４に取付けられた状態で使用される。ベース１と冷却ジャケット４の間には、シール部材５を備える。さらに、ベース１と冷却ジャケット４との間に形成される空間には冷媒（図示しない）が通流している。
ベース１は、銅やアルミニウム等の金属により構成される部材である。図示していないが、ベース１の表面にはニッケル等のメッキが施されている。これによりはんだ１１の濡れ性が向上するほか、ベース１の耐腐食性を向上させることもできる。ベース１は、図１（ｃ）に示すように、縁部１ａと、凹部１ｄと、底部１ｃと、突起１ｂと、冷却フィン１ｅを備える。
パワー半導体装置１００に熱負荷が作用すると、ベース１と電子回路部２との間に熱変形差が生じ、両者間の接合部材であるはんだ１１に負荷がかかる。これにより、はんだ１１の寿命の確保が課題となる。そこで、パワー半導体装置１００では、電子回路部２との接合箇所である底部１ｃを縁部１ａよりも薄肉化して、反りやすくしている。そうすることで、上記の熱変形差を底部１ｃの反り変形で吸収しやすくなる。よって、はんだ１１への負荷は軽減される。すなわち、はんだ１１が長寿命化する。
またベース１は、薄肉な底部１ｃを備える一方で、厚肉な縁部１ａを備える。これによりベース１は、シール部材５との接触位置において高い剛性を維持することができる。ベース１の下面から冷媒圧力が負荷されても、縁部１ａにおける変形を抑制でき、冷媒の漏れを防止できる。
パワー半導体装置１００は、冷却ジャケット４に取付けられた状態で使用される。ベース１と冷却ジャケット４の間には、シール部材５を備える。さらに、ベース１と冷却ジャケット４との間に形成される空間には冷媒（図示しない）が通流している。
ベース１は、銅やアルミニウム等の金属により構成される部材である。図示していないが、ベース１の表面にはニッケル等のメッキが施されている。これによりはんだ１１の濡れ性が向上するほか、ベース１の耐腐食性を向上させることもできる。ベース１は、図１（ｃ）に示すように、縁部１ａと、凹部１ｄと、底部１ｃと、突起１ｂと、冷却フィン１ｅを備える。
パワー半導体装置１００に熱負荷が作用すると、ベース１と電子回路部２との間に熱変形差が生じ、両者間の接合部材であるはんだ１１に負荷がかかる。これにより、はんだ１１の寿命の確保が課題となる。そこで、パワー半導体装置１００では、電子回路部２との接合箇所である底部１ｃを縁部１ａよりも薄肉化して、反りやすくしている。そうすることで、上記の熱変形差を底部１ｃの反り変形で吸収しやすくなる。よって、はんだ１１への負荷は軽減される。すなわち、はんだ１１が長寿命化する。
またベース１は、薄肉な底部１ｃを備える一方で、厚肉な縁部１ａを備える。これによりベース１は、シール部材５との接触位置において高い剛性を維持することができる。ベース１の下面から冷媒圧力が負荷されても、縁部１ａにおける変形を抑制でき、冷媒の漏れを防止できる。
縁部１ａと底部１ｃの肉厚の具体的数値としては、例えば、ベース１の紙面横方向の寸法が１００ｍｍ、紙面に垂直な方向の寸法（奥行き）が１５０ｍｍである場合、底部１ｃの厚さは、厚すぎると熱変形しにくいので、２ｍｍ程度が好ましい。このとき縁部１ａの高さ（底部１ｃの厚さを含む）は２ｍｍより大きく例えば５ｍｍとする。
冷却フィン１ｅは、図１（ａ）に示すように、電子回路部２が配設される面とは逆側のベース１に配設されている。なお、本実施例においては、冷却フィン１ｅはベース１と一体的に成形されている。これらは別体として成形されてその後接合されるようにしてもよい。一体的に成形する場合は、製造工程の簡略化および製造コストの削減を図ることができる。このような一体成形は、例えば鍛造や鋳造により行うことができる。
冷却フィン１ｅのみを初めに鍛造あるいは鋳造した後に、機械加工によって凹部１ｄを削り出してもよい。このような方法をとることで、鍛造時に成形の必要な面がフィン側のみになり、鍛造や鋳造をしやすくなるという利点がある。
冷却フィン１ｅは、図１（ａ）に示すように、電子回路部２が配設される面とは逆側のベース１に配設されている。なお、本実施例においては、冷却フィン１ｅはベース１と一体的に成形されている。これらは別体として成形されてその後接合されるようにしてもよい。一体的に成形する場合は、製造工程の簡略化および製造コストの削減を図ることができる。このような一体成形は、例えば鍛造や鋳造により行うことができる。
冷却フィン１ｅのみを初めに鍛造あるいは鋳造した後に、機械加工によって凹部１ｄを削り出してもよい。このような方法をとることで、鍛造時に成形の必要な面がフィン側のみになり、鍛造や鋳造をしやすくなるという利点がある。
冷却フィン１ｅに関する具体的数値としては、例えば、ベース１の紙面横方向の寸法が１５０ｍｍ、紙面に垂直な方向の寸法（奥行き）が６０ｍｍである場合、冷却フィン１ｅの高さは６ｍｍ、最短のフィン間距離は１ｍｍとすることができる。
電子回路部２は、パワー半導体装置１００としての機能を発揮させるための回路群である。具体的には、電子回路部２は、ＩＧＢＴ素子２ａと、ダイオード素子２ｂと、素子下はんだ２ｃと、基板上面導体層２ｄと、絶縁基板２ｅと、基板下面導体層２ｇを備えている。そして、電子回路部２は、配線２ｆを介して電極７に電気的に接続されている。さらにＩＧＢＴ素子２ａとダイオード素子２ｂとは、配線２ｆにより電気的に接続されている。そして、ＩＧＢＴ素子２ａとダイオード素子２ｂは、基板上面導体層２ｄと、配線２ｆにより電気的に接続されている。
ＩＧＢＴ素子２ａが発生する熱を効率よく冷媒に放出するために、絶縁基板２ｅは熱伝導性の優れたものを用いる。具体的に、絶縁基板２ｅを構成する材料としては、例えば窒化ケイ素、窒化アルミニウム、アルミナ等のセラミックスが用いられる。絶縁基板２ｅがこのような材料により構成されることで、ＩＧＢＴ素子２ａからの熱を効率よく外部へ放出することができる。電子回路部２からの熱は、基板下面導体層２ｇ、はんだ１１、ベース１及び冷却フィン１ｅをこの順で伝わり、冷却フィン１ｅに接する冷媒に伝達される。
ＩＧＢＴ素子２ａが発生する熱を効率よく冷媒に放出するために、絶縁基板２ｅは熱伝導性の優れたものを用いる。具体的に、絶縁基板２ｅを構成する材料としては、例えば窒化ケイ素、窒化アルミニウム、アルミナ等のセラミックスが用いられる。絶縁基板２ｅがこのような材料により構成されることで、ＩＧＢＴ素子２ａからの熱を効率よく外部へ放出することができる。電子回路部２からの熱は、基板下面導体層２ｇ、はんだ１１、ベース１及び冷却フィン１ｅをこの順で伝わり、冷却フィン１ｅに接する冷媒に伝達される。
なお、パワー半導体装置１００において、絶縁基板２ｅの紙面横方向の長さは、基板上面導体層２ｄおよび基板下面導体層２ｇの紙面横方向の長さよりも長くなっている。そのため、電子回路部２の側面がベース１に接触する場合には、絶縁基板２ｅがベース１と接触する。これにより、ベース１と電子回路部２との間での電気的な絶縁を確保する。
また、基板上面導体層２ｄは、図２にその形状の一例を示すように、複数の独立したブロックに分割されている。
冷却ジャケット４は、図示しないボルト締結によってベース１に対して固定される。そして、冷却ジャケット４とベース１とにより形成される空間に、水等の冷媒が通流する。また、ベース１と冷却ジャケット４との接続面間には、Ｏリング等のシール部材５が設けられる。これにより、冷媒の漏出が防止される。
樹脂ケース６は、ベース１と後記する電極７とを電気的に絶縁するものである。すなわち、樹脂ケース６は、ベース１と電極７との間に配設される絶縁部材である。樹脂の具体例としては、ＰＢＴ（PolyButylene Terephtalate）、ＰＰＳ（PolyPhenylene Sulfide）等が挙げられる。樹脂ケース６は、図示しない接着剤によってベース１に対して固定されている。
また、電極７は、電子回路部２と配線２ｆを介して接続される接続端子であって、図示しない外部装置と接続される。
封止材９は、ベース１の縁部１ａおよび樹脂ケース６により囲まれて形成される空間に充填されるものである。封止材９の高さは、電子回路部２の高さよりも高い。これにより、電子回路部２が、湿気や埃等の外雰囲気から保護される。封止材９の具体例としては、電気絶縁性の高いシリコンゲル等である。
さらに図示はしていないが、封止材９の上面全体を覆うように樹脂製の蓋部材が配設されている。この蓋部材により、パワー半導体装置１００内部が外雰囲気から保護される。
また、基板上面導体層２ｄは、図２にその形状の一例を示すように、複数の独立したブロックに分割されている。
冷却ジャケット４は、図示しないボルト締結によってベース１に対して固定される。そして、冷却ジャケット４とベース１とにより形成される空間に、水等の冷媒が通流する。また、ベース１と冷却ジャケット４との接続面間には、Ｏリング等のシール部材５が設けられる。これにより、冷媒の漏出が防止される。
樹脂ケース６は、ベース１と後記する電極７とを電気的に絶縁するものである。すなわち、樹脂ケース６は、ベース１と電極７との間に配設される絶縁部材である。樹脂の具体例としては、ＰＢＴ（PolyButylene Terephtalate）、ＰＰＳ（PolyPhenylene Sulfide）等が挙げられる。樹脂ケース６は、図示しない接着剤によってベース１に対して固定されている。
また、電極７は、電子回路部２と配線２ｆを介して接続される接続端子であって、図示しない外部装置と接続される。
封止材９は、ベース１の縁部１ａおよび樹脂ケース６により囲まれて形成される空間に充填されるものである。封止材９の高さは、電子回路部２の高さよりも高い。これにより、電子回路部２が、湿気や埃等の外雰囲気から保護される。封止材９の具体例としては、電気絶縁性の高いシリコンゲル等である。
さらに図示はしていないが、封止材９の上面全体を覆うように樹脂製の蓋部材が配設されている。この蓋部材により、パワー半導体装置１００内部が外雰囲気から保護される。
ここで、パワー半導体装置１００における、ベース１と電子回路部２との関係について説明する。
電子回路部２は、図３に示すようにベース１の凹部１ｄで囲まれる空間内部に配設されている。凹部１ｄの内壁の各側面には突起１ｂを備えているので、絶縁基板２ｅがベース１と接触する場合には、絶縁基板２ｅと突起１ｂとが接触する。突起１ｂを備えずに、ただ単に電子回路部２を凹部１ｄで囲まれる空間内部に配設した場合は、電子回路部２の位置が突起１ｂによって決まらないので、電子回路部２の角部とベース１の凹部１ｄの角部とが近い、すなわち図３（ｂ）の距離Ｘ3が小さい位置で電子回路部２がベース１上に配設されることがある。Ｘ3が小さい場合、パワー半導体装置１００に温度負荷が作用する際に、電子回路部２の角部近傍においてベース１が熱変形しにくくなる分、はんだ１１への負荷が増加する。そのため、はんだ１１の熱疲労寿命の確保が課題となる。そこで、パワー半導体装置１００においては、突起１ｂを設けている。突起１ｂを設けることで、はんだ１１の寿命確保に必要な距離Ｘ3を、確実に確保することができる。
突起１ｂの位置は、図３（ｂ）に示した点Ａのように、複数のブロックに分割されている基板上面導体層２ｄの、分割位置に配設されていることが好ましい。突起１ｂが、例えば基板上面導体層２ｄの分割位置ではない点Ｂの位置に配設されている場合、基板上面導体層２ｄと突起１ｂとの最短距離はＸ1である。これに対して、点Ａの位置に配設されている場合は、基板上面導体層２ｄと突起１ｂとの最短距離はＸ2であり、Ｘ1よりも長くなる。そのため、通電される基板上面導体層２ｄと、無通電の金属部材であるベース１との空間距離を大きく確保することができ、電気的絶縁耐力が向上する。
突起１ｂの位置は、図３（ｂ）に示した点Ａのように、複数のブロックに分割されている基板上面導体層２ｄの、分割位置に配設されていることが好ましい。突起１ｂが、例えば基板上面導体層２ｄの分割位置ではない点Ｂの位置に配設されている場合、基板上面導体層２ｄと突起１ｂとの最短距離はＸ1である。これに対して、点Ａの位置に配設されている場合は、基板上面導体層２ｄと突起１ｂとの最短距離はＸ2であり、Ｘ1よりも長くなる。そのため、通電される基板上面導体層２ｄと、無通電の金属部材であるベース１との空間距離を大きく確保することができ、電気的絶縁耐力が向上する。
＜効果＞
パワー半導体装置１００の動作時、特にＩＧＢＴ素子２ａ及びダイオード素子２ｂの発熱が大きく、装置が高温になる。よって、熱膨張係数の異なる部材間には、大きな熱変形差が生じる。例えば、絶縁基板２ｄの熱膨張係数は、窒化ケイ素の場合で約２．５ｐｐｍ／Ｋ、アルミナの場合で約７．１ｐｐｍ／Ｋである。一方、ベース１の熱膨張係数は、アルミニウムの場合は約２４．０ｐｐｍ／Ｋ、銅の場合は約１６．９ｐｐｍ／Ｋである。このように、絶縁基板２ｄの熱膨張係数とベース１の熱膨張係数とは、大きく異なる。そのため、パワー半導体装置１００のオン／オフにより温度変化が繰り返されると、特に、絶縁基板２ｄとベース１とを接続する部材である、はんだ１１の熱疲労の抑制、すなわち、はんだ１１の熱疲労寿命の確保が課題となる。これに対し、パワー半導体装置１００においては、ベース１の底部１ｃの厚さが薄肉化されているため、底部１ｃの反り変形によって上記の熱変形差を吸収しやすく、はんだ１１への負荷が軽減される。その結果、はんだ１１の疲労寿命を向上することができる。
パワー半導体装置１００の動作時、特にＩＧＢＴ素子２ａ及びダイオード素子２ｂの発熱が大きく、装置が高温になる。よって、熱膨張係数の異なる部材間には、大きな熱変形差が生じる。例えば、絶縁基板２ｄの熱膨張係数は、窒化ケイ素の場合で約２．５ｐｐｍ／Ｋ、アルミナの場合で約７．１ｐｐｍ／Ｋである。一方、ベース１の熱膨張係数は、アルミニウムの場合は約２４．０ｐｐｍ／Ｋ、銅の場合は約１６．９ｐｐｍ／Ｋである。このように、絶縁基板２ｄの熱膨張係数とベース１の熱膨張係数とは、大きく異なる。そのため、パワー半導体装置１００のオン／オフにより温度変化が繰り返されると、特に、絶縁基板２ｄとベース１とを接続する部材である、はんだ１１の熱疲労の抑制、すなわち、はんだ１１の熱疲労寿命の確保が課題となる。これに対し、パワー半導体装置１００においては、ベース１の底部１ｃの厚さが薄肉化されているため、底部１ｃの反り変形によって上記の熱変形差を吸収しやすく、はんだ１１への負荷が軽減される。その結果、はんだ１１の疲労寿命を向上することができる。
ベース１の下部（冷却ジャケット４が固定される側）には、冷媒が通流している。そのため、ベース１の下部には、冷媒の圧力が印加される。そして、この圧力によるベース１の反り変形が大きい場合には、通流する冷媒が外部へ漏出することがある。これに対し、ベース１には、縁部１ａが形成されている。これにより、ベース１の底部を薄肉化しつつも、冷却ジャケット４との接続箇所においてはベース１の剛性を確保し、漏水を防止できる。
また、パワー半導体装置１００において、縁部１ａは電子回路部２を囲むように配設されており、突起１ｂは凹部１ｄの内壁の対向する側面に１つずつ以上配設されている（図３参照）。そのため、パワー半導体装置１００の製造時、突起１ｂの間に電子回路部２をはめ込むことで、電子回路部２の位置決めを行うことができる。電子回路部２とベース１とをはんだ付けする際に別途の位置決め冶具等の用意や取付け、取外しが不要となり、製造コストや製造時間を削減できる。
突起１ｂを備えずに、ただ単に凹部１ｄの内壁を用いて電子回路部２の位置決めをした場合は、電子回路部２の角部と凹部１ｄの角部とが近くなる（参照：図３（ｂ）の距離Ｘ3が小さくなる）ことがある。電子回路部２の角部と凹部１ｄの角部とが近い場合、前記のようにパワー半導体装置１００に温度負荷が作用する際、電子回路部２の角部近傍においてベース１が熱変形しにくくなる分、はんだ１１への負荷が増加し、はんだ１１の熱疲労寿命の確保が課題となる。これに対し、パワー半導体装置１００においては、突起１ｂを設けることで、はんだ１１の寿命確保に必須な電子回路部２の角部と凹部１ｄの角部との距離を確保する。
以上の効果を、図４〜図１０を参照しながらより詳細に説明する。
パワー電子回路部１００による効果を確認するために、本発明者は、図４に示すモデル部材１５０を作製した。図４（ｂ）には、図４（ａ）のＣ−Ｃ線断面図を示している。モデル部材１５０は、ＩＧＢＴ素子２ａと、ダイオード素子２ｂと、基板上面導体層２ｄと、絶縁基板２ｅと、基板下面導体層２ｇと、はんだ１１と、底部１ｃ（ベース）を備える。モデル部材１５０の基板上面導体層２ｄと基板下面導体層２ｇの材質は銅であり、絶縁基板２ｅの材質は窒化珪素である。ベースの材質はアルミニウムである。
本発明者は、モデル部材１５０を対象に、はんだ１１の寿命について検討した。図５は、モデル部材１５０全体の温度を１２５℃から−４０℃まで変化させた場合の変形を有限要素法による熱応力解析により計算し、−４０℃での変形形状を、変形量を１０倍に拡大して示したものである。
本発明者は、モデル部材１５０を対象に、はんだ１１の寿命について検討した。図５は、モデル部材１５０全体の温度を１２５℃から−４０℃まで変化させた場合の変形を有限要素法による熱応力解析により計算し、−４０℃での変形形状を、変形量を１０倍に拡大して示したものである。
図６に、ベース底部１ｃの厚さとはんだ１１の疲労寿命との関係を示す。図６は、図５の熱応力解析結果から、はんだ１１の塑性ひずみを取得して疲労寿命に換算し、ベース厚さ３ｍｍの場合のはんだ寿命を１として正規化したもの（寿命比）である。
図６に示すように、ベース底部１ｃの厚さが２ｍｍのとき、３ｍｍの場合と比較して、寿命が２０％向上する。また、厚さが１ｍｍのとき、３ｍｍの場合と比較して、寿命が６０％向上する。このように、ベース底部１ｃを薄肉化すればするほど、はんだ寿命が向上する。
次に、本発明者は、パワー半導体装置１００におけるベース１と冷却ジャケット４との間を通流する冷媒の漏出防止効果について検討した。まず、本発明者は、図７に示すモデル部材１６０を作製した。図７（ｃ）は、図７（ａ）のＤ−Ｄ線断面図を示している。モデル部材１６０は、基板上面導体層２ｄと、絶縁基板２ｅと、基板下面導体層２ｇと、はんだ１１と、ベース１を備える。また、冷却ジャケットに固定するためのボルト穴８を併せて示している。モデル部材１５０の基板上面導体層２ｄと基板下面導体層２ｇの材質は銅であり、絶縁基板２ｅの材質は窒化珪素である。ベースの材質はアルミニウムである。
次に、本発明者は、パワー半導体装置１００におけるベース１と冷却ジャケット４との間を通流する冷媒の漏出防止効果について検討した。まず、本発明者は、図７に示すモデル部材１６０を作製した。図７（ｃ）は、図７（ａ）のＤ−Ｄ線断面図を示している。モデル部材１６０は、基板上面導体層２ｄと、絶縁基板２ｅと、基板下面導体層２ｇと、はんだ１１と、ベース１を備える。また、冷却ジャケットに固定するためのボルト穴８を併せて示している。モデル部材１５０の基板上面導体層２ｄと基板下面導体層２ｇの材質は銅であり、絶縁基板２ｅの材質は窒化珪素である。ベースの材質はアルミニウムである。
前述したように、ベースを薄肉化することで、はんだ寿命を向上できる。しかし、ただ単にベースを薄肉化するとベースの剛性が低下する。特に前記したようにパワー半導体装置１００においては、ベース１の下面から冷媒の圧力が負荷されが、ベースの剛性を確保するため、図１や図７に示す縁部１ａを設けることで、冷媒圧力に対するベース１の反りを抑制し、冷媒の漏出を防止することができる。
図８は図７に示すモデル部材１６０のベース１下面から水圧を負荷する有限要素解析を実施し、ベース１の縁部１ａでの最大の反り量を比較したものである。横軸は、ベース縁部１ａの厚さＴ1（図７参照）であり、縦軸は、縁部１ａの厚さＴ1が２ｍｍのときの反り量を１として正規化したもの（反り量比）を示している。
図８に示すように、縁部１ａの厚さＴ1が５ｍｍのとき、２ｍｍの場合と比較して反り量が５０％に低減される。Ｔ1が６ｍｍのとき、２ｍｍの場合と比較して反り量が３８％に低減される。Ｔ1が７ｍｍのとき、２ｍｍの場合と比較して反り量が２６％に低減される。Ｔ1が８ｍｍのとき、２ｍｍの場合と比較して反り量が１８％に低減される。このように、ベース底部を薄肉化しても、縁部１ａの厚さＴ１を厚くすることで、反り量を大幅に低減できる。
次に、本発明者は、モデル部材１６０を対象に、パワー半導体装置１００のはんだ１１の寿命について検討した。前述したように、ベース底部１ｃを薄肉化し縁部１ａを厚肉化することで、はんだ寿命を向上し、かつ冷媒の漏出を防止することができる。しかし、ただ単に電子回路部２の近くにベース縁部１ａを配設すると、パワー半導体装置１００に温度負荷が作用する際に、電子回路部２の角部近傍においてベース１が熱変形しにくくなる分、はんだ１１への負荷が増加する。したがって、はんだ１１の熱疲労寿命の確保が課題となる。これに対し、図３に示した突起１ｂを設けることで、電子回路部２と縁部１ａとの距離を確保し、はんだ寿命を向上することができる。
図９は、モデル部材１６０全体の温度を１２５℃から−４０℃まで変化させた場合の変形を有限要素法による熱応力解析により計算し、−４０℃での変形形状を、変形量を１０倍に拡大して示したものである。
図９は、モデル部材１６０全体の温度を１２５℃から−４０℃まで変化させた場合の変形を有限要素法による熱応力解析により計算し、−４０℃での変形形状を、変形量を１０倍に拡大して示したものである。
図１０に、電子回路部２とベース１の縁部１ａとの距離（図７（ｂ）（ｃ）のＸ4）と、はんだ１１の疲労強度との関係を示す。図１０は、図９の熱応力解析結果から、はんだ１１の塑性ひずみを取得して疲労寿命に換算し、距離Ｘ4が３ｍｍの場合のはんだ寿命を１として正規化したもの（寿命比）である。
図１０に示すように、電子回路部２と縁部１ａとの距離Ｘ4が６ｍｍのとき、３ｍｍの場合と比較して、寿命が４０％向上する。また、距離Ｘ4が９ｍｍのとき、３ｍｍの場合と比較して、寿命が６０％向上する。このように、電子回路部２と縁部１ａとの距離を大きくすればするほど、はんだ寿命が向上する。
［２．第２実施例］
次に、図１１を参照しながら、第２実施例に係るパワー半導体装置２００を説明する。なお、図１に示すパワー半導体装置１００と同様の部材については同様の符号を付すものとし、その詳細な説明は省略する。
［２．第２実施例］
次に、図１１を参照しながら、第２実施例に係るパワー半導体装置２００を説明する。なお、図１に示すパワー半導体装置１００と同様の部材については同様の符号を付すものとし、その詳細な説明は省略する。
パワー半導体装置２００においては、パワー半導体装置１００における突起１ｂに勾配が付いている。
このように突起１ｂに勾配を付けることで、凹部１ｄを鋳造等で製造する場合に、型が抜きやすくなり生産性が向上する。さらに、図１１（ｂ）に示すように、突起１ｂと基板上面導体層との距離Ｘ5が大きくなり、電気的絶縁耐力が向上する。
［３．第３実施例］
次に、図１２を参照しながら、第３実施例に係るパワー半導体装置３００を説明する。なお、図１に示すパワー半導体装置１００と同様の部材については同様の符号を付すものとし、その詳細な説明は省略する。
このように突起１ｂに勾配を付けることで、凹部１ｄを鋳造等で製造する場合に、型が抜きやすくなり生産性が向上する。さらに、図１１（ｂ）に示すように、突起１ｂと基板上面導体層との距離Ｘ5が大きくなり、電気的絶縁耐力が向上する。
［３．第３実施例］
次に、図１２を参照しながら、第３実施例に係るパワー半導体装置３００を説明する。なお、図１に示すパワー半導体装置１００と同様の部材については同様の符号を付すものとし、その詳細な説明は省略する。
パワー半導体装置３００においては、パワー半導体装置１００における凹部１ｄの角部に、凹部１ｄと一体かつ同じ深さの円形凹部１ｆを備える。
このように凹部１ｄの角部に円形凹部１ｆを備えることで、凹部１ｄを機械加工で削り出す場合、大きな加工ツールでも角部を加工しやすくなり、製造速度が向上する。さらに、電子回路部２を取り付けた場合、電子回路部２とベース縁部１ａとの距離（パワー半導体装置１００における、図３（ｂ）のＸ2に相当する距離）が長くなり、はんだの熱疲労寿命が向上する。
［４．第４実施例］
次に、図１３を参照しながら、第４実施例に係るパワー半導体装置４００を説明する。なお、図１に示すパワー半導体装置１００と同様の部材については同様の符号を付すものとし、その詳細な説明は省略する。
［４．第４実施例］
次に、図１３を参照しながら、第４実施例に係るパワー半導体装置４００を説明する。なお、図１に示すパワー半導体装置１００と同様の部材については同様の符号を付すものとし、その詳細な説明は省略する。
パワー半導体装置４００においては、ベース１の底部１ｃに、第２凹部１ｇを備える。第２凹部１ｇの外形は、接合前のはんだ１１よりも大きくとる。これにより、電子回路部２をベース１にはんだ接続する際には、第２凹部１ｇで囲まれる空間内にはんだ１１を入れ込むことができ、はんだ１１を位置決めできる。パワー半導体装置１００は、突起１ｂを備えることで、製造時の電子回路部２の位置決めをしやすくしているが、パワー半導体装置４００では、突起１ｂでの位置決めに加え、第２凹部１ｇによってはんだ１１の位置決めもできるため、位置決めが容易になり、製造性が向上する。
［５．第５実施例］
次に、図１４を参照しながら、第４実施例に係るパワー半導体装置５００を説明する。なお、図１に示すパワー半導体装置１００と同様の部材については同様の符号を付すものとし、その詳細な説明は省略する。
［５．第５実施例］
次に、図１４を参照しながら、第４実施例に係るパワー半導体装置５００を説明する。なお、図１に示すパワー半導体装置１００と同様の部材については同様の符号を付すものとし、その詳細な説明は省略する。
パワー半導体装置５００においては、突起１ｂが角柱形状である。パワー半導体装置１００の突起形状は機械加工で削り出しのしやすい加工性に優れた形状である。一方、パワー半導体装置５００の突起は、絶縁基板２ｅと接触する場合に点ではなく面で接触するため、絶縁基板２ｅを傷つけにくい形状である。従って、絶縁基板２ｅの割れ等を防止できる。
［６．変形例］
前記した５つの実施例の他にも、本発明の要旨を損なわない範囲で前記実施例を適宜変形することが実施可能である。
［６．変形例］
前記した５つの実施例の他にも、本発明の要旨を損なわない範囲で前記実施例を適宜変形することが実施可能である。
例えば、冷却フィン１ｅの構成は図１に図示したピン形状に何ら限定されず、放熱を効率よく行える限り、任意の形状にすることができる。
電子回路部２の構成も前記の実施例に何ら限定されず、任意の電子回路部を同様に適用可能である。また、電極７の数も同様に任意に設定すればよい。
１ ベース
１ａ 縁部
１ｂ 突起
１ｃ 底部
１ｄ 凹部
１ｅ 冷却フィン
１ｆ 円形凹部１ｆ
１ｇ 第２凹部
２ 電子回路部
２ａ ＩＧＢＴ素子
２ｂ ダイオード素子
２ｃ 素子下はんだ
２ｄ 基板上面導体層
２ｅ 絶縁基板
２ｆ 配線
２ｇ 基板下面導体層
４ 冷却ジャケット
５ シール部材
６ 樹脂ケース
７ 電極
８ ボルト穴
９ 封止材
１１ はんだ
１ａ 縁部
１ｂ 突起
１ｃ 底部
１ｄ 凹部
１ｅ 冷却フィン
１ｆ 円形凹部１ｆ
１ｇ 第２凹部
２ 電子回路部
２ａ ＩＧＢＴ素子
２ｂ ダイオード素子
２ｃ 素子下はんだ
２ｄ 基板上面導体層
２ｅ 絶縁基板
２ｆ 配線
２ｇ 基板下面導体層
４ 冷却ジャケット
５ シール部材
６ 樹脂ケース
７ 電極
８ ボルト穴
９ 封止材
１１ はんだ
Claims (8)
- ベースと、前記ベースに配設される電子回路部と、前記電子回路部を冷却する冷却フィンとを備えるパワー半導体装置であって、
前記ベースには凹部が設けられ、前記凹部の内壁には突起が設けられ、
前記電子回路部が絶縁基板と金属製導体層を備え、前記金属製導体層が２つ以上の領域に分割されており、
前記突起が、前記金属製導体層の分割箇所に近い位置において、前記絶縁基板の側面と接触している
ことを特徴とするパワー半導体装置。 - 請求項１に記載のパワー半導体装置であって、
前記突起が凹部の内壁の各側面に設けられる
ことを特徴とするパワー半導体装置。 - 請求項１または２に記載のパワー半導体装置であって、
前記電子回路部が前記凹部に囲まれる空間内部に配設されている
ことを特徴とするパワー半導体装置。 - 請求項１〜３のいずれか１項に記載のパワー半導体装置であって、
前記凹部の底部の厚さが２ｍｍ以下である
ことを特徴とするパワー半導体装置。 - 請求項１〜４のいずれか１項に記載のパワー半導体装置であって、
前記凹部に囲まれる空間にゲルが充填されている
ことを特徴とするパワー半導体装置。 - 請求項１〜５のいずれか１項に記載のパワー半導体装置であって、
前記電子回路部が、前記ベースに対してはんだを介して固定されている
ことを特徴とするパワー半導体装置。 - 請求項１〜６のいずれか１項に記載のパワー半導体装置であって、
前記突起に勾配がある
ことを特徴とするパワー半導体装置。 - 請求項１〜７のいずれか１項に記載のパワー半導体装置であって、
前記ベースが、アルミニウムを含む部材である
ことを特徴とするパワー半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013014974A JP6138500B2 (ja) | 2013-01-30 | 2013-01-30 | パワー半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013014974A JP6138500B2 (ja) | 2013-01-30 | 2013-01-30 | パワー半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2014146723A JP2014146723A (ja) | 2014-08-14 |
| JP6138500B2 true JP6138500B2 (ja) | 2017-05-31 |
Family
ID=51426727
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013014974A Active JP6138500B2 (ja) | 2013-01-30 | 2013-01-30 | パワー半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6138500B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017199829A (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 日産自動車株式会社 | パワーモジュール構造 |
| KR101914927B1 (ko) * | 2016-09-08 | 2018-11-05 | 주식회사 이지트로닉스 | 전력용 반도체의 냉각 모듈 |
| CN107219232B (zh) * | 2017-04-07 | 2020-03-17 | 江苏理工学院 | 一种可自动检测栅极腐蚀装置 |
| JP7059714B2 (ja) * | 2018-03-15 | 2022-04-26 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置及び電力変換装置の製造方法 |
| WO2020245880A1 (ja) * | 2019-06-03 | 2020-12-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュールおよび電力変換装置 |
| JP7270743B2 (ja) * | 2019-07-26 | 2023-05-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュール |
| JP2021111669A (ja) * | 2020-01-08 | 2021-08-02 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および電力変換装置 |
| US20230076271A1 (en) * | 2020-01-28 | 2023-03-09 | Kyocera Corporation | Electronic component mounting package and electronic device |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61172393A (ja) * | 1985-01-26 | 1986-08-04 | イビデン株式会社 | 電子部品搭載用基板およびその製造方法 |
| JPS6442135A (en) * | 1987-08-07 | 1989-02-14 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device |
| JP2518775Y2 (ja) * | 1989-04-05 | 1996-11-27 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
| JPH0629421A (ja) * | 1992-07-09 | 1994-02-04 | Ibiden Co Ltd | 電子部品搭載用基板 |
| JPH07202354A (ja) * | 1993-12-28 | 1995-08-04 | Sony Corp | プリント基板 |
| JPH09121018A (ja) * | 1995-10-26 | 1997-05-06 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JP3301577B2 (ja) * | 1996-02-22 | 2002-07-15 | 日本特殊陶業株式会社 | 電子部品用パッケージ |
| JP2000049253A (ja) * | 1998-07-31 | 2000-02-18 | Nakatogawa Giken:Kk | 電子部品用パッケージ及びその製造法 |
| JP3578335B2 (ja) * | 2000-06-29 | 2004-10-20 | 株式会社デンソー | 電力用半導体装置 |
| JP4172767B2 (ja) * | 2003-02-25 | 2008-10-29 | 京セラ株式会社 | 配線基板 |
| JP4037777B2 (ja) * | 2003-03-10 | 2008-01-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送装置 |
| JP2007266086A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Toyota Motor Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP4989552B2 (ja) * | 2008-05-08 | 2012-08-01 | トヨタ自動車株式会社 | 電子部品 |
| US20100148357A1 (en) * | 2008-12-16 | 2010-06-17 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of packaging integrated circuit dies with thermal dissipation capability |
| JP5588956B2 (ja) * | 2011-11-30 | 2014-09-10 | 株式会社 日立パワーデバイス | パワー半導体装置 |
-
2013
- 2013-01-30 JP JP2013014974A patent/JP6138500B2/ja active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2014146723A (ja) | 2014-08-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6138500B2 (ja) | パワー半導体装置 | |
| JP5588956B2 (ja) | パワー半導体装置 | |
| JP4450230B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP6257478B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
| US10163752B2 (en) | Semiconductor device | |
| JP2012256746A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2014183058A (ja) | パワー半導体モジュール | |
| JP7040032B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP5836298B2 (ja) | 半導体装置 | |
| CN111373527B (zh) | 半导体装置 | |
| JP6948855B2 (ja) | パワー半導体装置及びそれを用いた電力変換装置 | |
| WO2013118275A1 (ja) | 半導体装置 | |
| JP6200759B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP5101971B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2009170645A (ja) | 電力変換装置及びその製造方法 | |
| JP7059714B2 (ja) | 電力変換装置及び電力変換装置の製造方法 | |
| JP5125530B2 (ja) | 電力変換装置 | |
| US10251256B2 (en) | Heat dissipating structure | |
| JP6488658B2 (ja) | 電子装置 | |
| KR101443970B1 (ko) | 전력 모듈 패키지 | |
| JP5687928B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2010087367A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP6603868B2 (ja) | コンデンサとこのコンデンサの製造方法 | |
| JP2022050058A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2017063162A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150225 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150225 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160215 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160223 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160420 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160906 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161102 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20170110 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20170112 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170405 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170426 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6138500 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |