JP3301577B2 - 電子部品用パッケージ - Google Patents
電子部品用パッケージInfo
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- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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Description
の電子部品の封止に用いられる電子部品用パッケージに
関し、詳しくはセラミック製パッケージ本体に銅タング
ステン等の金属からなる放熱部材(ヒートシンク)が固
着されてなる電子部品用パッケージ(以下、単に「パッ
ケージ」ともいう)に関する。
セラミックパッケージであって、集積回路チップ等の電
子部品(以下、単に集積回路チップともいう)が放熱部
材に直接固着(接合)されるヒートスラグ型のパッケー
ジ61の一例を示している。このものは、パッケージ本
体(以下、単に本体ともいう)62と放熱部材81等か
ら構成されており、本体62のボンディングパッド63
の形成面64の内側が上下(上面から下面)に貫通(開
口)していると共に、その貫通孔65に、本体62の下
面66側から段付き状(縦断面凸型)をなす放熱部材8
1がその上段部82を隙間嵌め状態で挿入され、下段部
83の上面(肩面)84を本体62の下面66にロー付
けにより固着された構成とされている。
放熱部材81の上段部82の上面がダイアタッチ面(集
積回路チップが固着される部位)85をなし、このダイ
アタッチ面85と本体62の貫通孔65の内側面68の
上寄り部位とでダイアタッチキャビティを構成してい
る。なお、パッケージ本体62は、放熱部材81とのロ
ー付け面とされる下面66の貫通孔65の周縁面がW
(タングステン)やMo(モリブデン)等でメタライズ
され、その上にNi(ニッケル)鍍金が施されており、
放熱部材81は、Ni鍍金が施されたCu−W(銅タン
グステン)等から形成されている。
放熱部材81がロー付けにより一体化された後、腐食防
止等のため、放熱部材81のダイアタッチ面(部)85
及び外部の放熱面及び本体62のボンディングパッド
(以下、単にパッドともいう)63、ピン等の入出力端
子(図示せず)等の全体にNi鍍金及びAu(金)鍍金
が施される。一方、放熱部材81の上段部82はパッケ
ージ本体62の貫通孔65に隙間嵌めされていることか
ら、その貫通孔65の内側面68と放熱部材81の上段
部82の側面86との間には、図示のように所定幅Wで
溝状の隙間(空隙)Sが平面視枠状にできる。この隙間
(以下、単に隙間ともいう)Sは、奥所が閉塞されてい
ることから鍍金液の洗浄工程において洗浄液(以下、単
に洗浄液という)が環流し難く、鍍金液が残留し易いと
ころである。
ると、それが触れている表面の鍍金に変質や変色を起こ
し、そのような変質がダイアタッチ面85などにも拡散
(拡大)し、パッケージ61の外観不良の原因となって
しまう。また、ダイアタッチ面85に、図中、2点鎖線
で示したように集積回路チップ91がロー付けにより固
着された後においては、集積回路チップ91の性能の低
下や寿命の低下を招くといった問題を生じる原因ともな
る。この問題の解消のためには、この隙間Sを大きくす
れば良いわけであるが、その様にすれば今度は、本体6
2のパッド63から集積回路チップの入出力端子(以
下、単に端子ともいう)92までの距離が大きくなり、
したがってボンディングワイヤ(一部のみ図示)93の
長大化を招き、同ワイヤがもつインダクタンスが大きく
なり好ましくない。このようなことから、従来よりその
隙間Sの幅Wは、洗浄液の環流に支障のない範囲でなる
べく小さく設定されていた。
ワイヤ(以下、単にワイヤともいう)93が長くなるこ
とにより特に影響を大きく受ける配線は、必ずしもその
全てではなく、一般には電源配線やアース配線などの一
部である。これらはノイズの影響を少しでも小さくする
ため、ワイヤの長さを極力小さくしたいという要求が強
いためである。したがって、集積回路チップ91のこの
ような電源等についての端子92から本体62のボンデ
ィングパッド63までの距離は極力小さくすべきであ
る。
のであって、その目的とするところは、段付きの放熱部
材を備えたヒートスラグ型のパッケージ等のように、放
熱部材の側面とこれに対面する本体の内側面とで形成さ
れる隙間における洗浄液の環流に支障を及ぼすことな
く、しかも電源配線用のボンディングワイヤなどのよう
に、その長さを特に短くしたいとの要求が強いものにつ
いて選択的にその長さを短くできるようにすることにあ
る。
め、本発明は、パッケージ本体の内側面と放熱部材の側
面との間に隙間が保持されると共に、該パッケージ本体
は該隙間に沿って(該内側面に沿って)、複数のボンデ
ィングパッドが形成されたボンディングパッド形成面を
備えてなる電子部品用パッケージにおいて、前記隙間に
沿って形成されたボンディングパッド形成面のうち、隙
間側の所定の部分に、下方に隙間を保持してパッケージ
本体の内側に突出する突出部が形成され、該突出部の上
面に、前記ボンディングパッド形成面に形成されたボン
ディングパッドが延設されてその内側先端が、該突出部
以外のボンディングパッド形成面に形成されたボンディ
ングパッドの内側先端よりも内側に位置していることに
ある。
る貫通孔に、段付き状に形成された放熱部材がその上段
部を隙間嵌め状態で挿入されることにより、該パッケー
ジ本体の貫通孔の内側面と該放熱部材の上段部の側面と
の間に隙間が保持されると共に、該パッケージ本体は該
隙間に沿って(該内側面に沿って)、複数のボンディン
グパッドが形成されたボンディングパッド形成面を備え
てなる電子部品用パッケージにおいては、前記隙間に沿
って形成されたボンディングパッド形成面のうち、隙間
側の所定の部分に、下方に隙間を保持して前記貫通孔の
内側に突出する突出部が形成され、該突出部の上面に、
前記ボンディングパッド形成面に形成されたボンディン
グパッドが延設されてその内側先端が、該突出部以外の
ボンディングパッド形成面に形成されたボンディングパ
ッドの内側先端よりも内側に位置していることにある。
に、板状に形成された放熱部材が配置され、該パッケー
ジ本体のキャビティの内側面と該放熱部材の側面との間
に隙間が保持されると共に、該パッケージ本体は該隙間
に沿って(該内側面に沿って)、複数のボンディングパ
ッドが形成されたボンディングパッド形成面を備えてな
る電子部品用パッケージにおいては、前記隙間に沿って
形成されたボンディングパッド形成面のうち、隙間側の
所定の部分に、下方に隙間を保持して前記キャビティ側
に突出する突出部が形成され、該突出部の上面に、前記
ボンディングパッド形成面に形成されたボンディングパ
ッドが延設されてその内側先端が、該突出部以外のボン
ディングパッド形成面に形成されたボンディングパッド
の内側先端よりも内側に位置していることにある。
ングパッド形成面側から見ると、隙間は、突出部のある
部位では見掛上小さくなるが、突出部の下方には所定幅
で存在する。したがって、洗浄液が隙間を環流する際、
突出部のある部位では洗浄液はその下方の隙間(スペー
ス)を流路として環流することができる。一方、突出部
はいずれもパッケージの内側に突出しており、その上面
に延設されたボンディングパッドの内側先端が、突出部
以外のボンディングパッド形成面に形成されたボンディ
ングパッドの内側先端よりも内側に位置している。した
がって、本体のボンディングパッドのパッケージの内側
先端と、放熱部材に固着される集積回路チップの入出力
端子との距離は、突出部以外に形成されたパッドの内側
先端と集積回路チップの端子との距離よりも、突出部に
形成されたパッドの内側先端と集積回路チップの端子と
の距離の方が小さい。したがって、この突出部及びその
ボンディングパッドを集積回路チップの例えば電源配線
用の端子に対応する位置に設ければ、洗浄液の環流に支
障を与えることなく、しかも同配線用のボンディングワ
イヤを短くすることができる。
に説明する。図中1は、ヒートスラグ型のパッケージで
あって、セラミック製ラミネートタイプのパッケージ本
体2と放熱部材21とを主体として次のように構成され
ている。すなわち、セラミック製のパッケージ本体2
は、所定の導体ペーストの印刷されたグリーンシートを
所定枚数(図4参照、本例では4層3a〜3d)、積
層、熱圧着して焼成することにより形成されており、平
面視、中央に略正方形で上下(上面から下面)に貫通
(開口)する貫通孔4を備えて略正方形の枠状に形成さ
れている。そして、本例では本体2の上面の貫通孔
(内)寄り部位はセラミック層1層分(3d)低位とさ
れ、上から2層目のセラミック層3cの上面がボンディ
ングパッド形成面5とされ、多数のボンディングパッド
6,6がパッケージ1の内側(中央側)に向かって延設
されている。なお、本体2の下面7側における貫通孔4
の開口の周縁面には、図示はしないが所定の幅でもって
Wメタライズ層が本体2と同時焼成により形成され、そ
の表面にはNi鍍金が施されている。
面5をなすセラミック層1層分(3c)が、平面視、そ
の所定の部分(本例では、貫通孔4の各辺に各3箇所)
について貫通孔4の内側面8から内方に突出して台形状
の突出部9をなしており、この突出部9の上面にボンデ
ィングパッド6が延設されており、その内側先端6a
が、他のボンディングパッド6の内側先端6bよりパッ
ケージ1の内側つまり中央寄りに位置している。
にその下面7側から段付き状をなす放熱部材21がその
上段部22を隙間嵌め状態で挿入され、その中央に位置
決めされ、下段部23の上面(肩面)24を本体2の下
面7側におけるNi鍍金付きWメタライズ層(図示せ
ず)にロー付けにより固着されている。なお、放熱部材
21は銅タングステンなどから形成されるが、本体2の
貫通孔4の内側面8の平面形状より大きい略正方形板状
をなす下段部23と、これと同芯状で貫通孔4の内側面
8の平面形状よりやや小さい略正方形板状に形成された
上段部22とからなる断面凸型をなし、その全面にNi
鍍金が施されている。なお、放熱部材21の上段部22
の上面がダイアタッチ面25をなし、このダイアタッチ
面25はボンディングパッド形成面5より略セラミック
層1層分低位とされ、貫通孔4の内側面8の上寄り部位
とでダイアタッチキャビティを形成している。
は、本体2の貫通孔4の内側面8と放熱部材21の上段
部22の側面26との間に、洗浄液の環流に支障のない
所定の幅Wの隙間Sが保持されている。この隙間Sは、
突出部9のある部位では、平面視、狭くなっているが、
突出部9の下方では洗浄液の環流に支障のない所定の幅
W(例えば0.25mm)が確保されている。しかも、
本例では突出部9の下面9aから隙間Sの溝底Sa(放
熱部材21の下段部23の上面24)までの高さが、隙
間Sの幅Wより大きく、放熱部材21の上段部22の側
面26の高さと略同じかそれ以上に形成されており、環
流のための流路断面積として十分な大きさが確保されて
いる。
腐食防止等のために放熱部材21等に鍍金(Ni鍍金、
Au鍍金)を施した後で、その鍍金液を洗浄する際に
は、洗浄液は、隙間Sを突出部9のない部位では従来と
全く同様に環流することができるし、突出部9のある部
位ではその下(トンネル状部分)を潜り抜ける形で環流
することができる。このように本例では、洗浄液が隙間
Sの全体にわたって環流することができるので、鍍金液
の残留を防止できる。
ィングパッド6の内側先端6aは、他のボンディングパ
ッドの内側先端6bより距離K分、内側(パッケージ中
央側)に位置している。したがってその後、図中2点鎖
線で示したように、集積回路チップ91がダイアタッチ
面25に固着された後でワイヤボンディングする際に
は、突出部9に形成されたボンディングパッド6の内側
先端6aについては他のボンディングパッドの内側先端
6bに比べて、距離K分、集積回路チップ91の入出力
端子92までの距離が短いから、ボンディングワイヤ9
3の短小化を図ることができる。
各辺に突出部9をそれぞれ3か所づつ設けたが、突出部
9の位置や数、或いはその幅や突出量は、洗浄液の環流
に支障を与えない範囲で、かつ集積回路チップの電源用
の端子など、ボンディングワイヤが短くされることが要
求される端子に対応させ、放熱部材や集積回路チップに
干渉しない範囲で適宜に設計すればよい。なお、突出部
9の平面視形状等についても適宜の形状に設計すればよ
い。本例では、セラミック製ラミネート(積層)タイプ
のパッケージとして具体化した場合を説明したが、本発
明はこれに限られるものではない。
形成面5が隙間Sに沿って1段形成されただけの本体2
において実施された形態を説明したが、本発明において
は、図5及び図6に示したパッケージ1のように、隙間
Sに沿って形成されたボンディングパッド形成面5に加
えて、その外側にかつそれより高い位置にさらにボンデ
ィングパッド形成面15及びボンディングパッド16を
備えた本体2においても同様に具体化できる。なお、図
5及び図6に示したものは、上記の形態に対してセラミ
ック層を1層(3e)分増やし、上記したように隙間S
に沿って形成されたボンディングパッド形成面5の外側
の上段にさらにボンディングパッド形成面15を備える
点が前記実施の形態例1と相違するのみであるから、同
一部位には同一の符号を付しその説明を省略する。な
お、ボンディングパッド形成面が3段以上あるもので
も、同様に具体化できることは明らかである。
パッケージ31ついて説明するが、このものは、パッケ
ージ本体32の中央にキャビティ(内側空所)34が凹
設され、その底面34aに板状に形成された放熱部材5
1がロー付けされたパッケージにおいて実施した点が相
違するだけで、その作用、効果も含め、基本的には前記
の形態と共通することから、相違点を中心として説明
し、適宜その説明を省略する。
32は、略正方形板状をなし中央に同芯状にて略正方形
のキャビティ34が凹設され、その底面34aにキャビ
ティ34の平面形状よりやや小さく四角板状に形成され
た放熱部材51が配置され、ロー付けにより固着されて
いる。しかして、パッケージ本体32のキャビティ34
の内側面38と放熱部材51の側面56とに所定幅Wの
隙間Sが保持されている。なお、パッケージ本体32は
この隙間Sに沿って、多数のボンディングパッド36が
形成されたボンディングパッド形成面35を備えてい
る。
ンディングパッド形成面35のうち、前例と同様にその
上から見た所定の部分が、下方に隙間Sを保持して内側
(パッケージ中央側)に突出して突出部39をなしてお
り、突出部39の上面に、ボンディングパッド形成面に
形成されたボンディングパッド36が延設され、その内
側先端36aが、突出部39以外のボンディングパッド
形成面に形成されたボンディングパッド36の内側先端
36bよりも距離K分、パッケージ中央側に位置してい
る。したがって、その後、図中2点鎖線で示したよう
に、集積回路チップ91がダイアタッチ面55に固着さ
れた後でワイヤボンディングする際には、突出部39に
形成されたボンディングパッド36の内側先端36aに
ついては他のボンディングパッドの内側先端36bに比
べ、距離K分、集積回路チップ91の入出力端子92ま
での距離が短いから、ボンディングワイヤ93の短小化
を図ることができる。
ートタイプ(図10参照、本例では6層3a〜3f)の
ものであるが、突出部39は、隙間Sに沿うボンディン
グパッド形成面35をなす1層のセラミック層33e及
びそのすぐ下のセラミック層33dの2層分の厚さとさ
れており、突出部39の下における隙間Sの高さは、セ
ラミック層33cの1層分の厚さとされている。そし
て、本例では、突出部39の下面39aが、放熱部材5
1の上面(ダイアタッチ面)55よりやや下に位置し、
放熱部材51の側面56の上寄り部位と突出部39の先
端面の下寄り部位とが微小な間隙になるように設定され
ている。したがって、突出部39の下に洗浄液の流路を
確保しつつ、放熱部材51を固着する際の位置決め精度
を高められるように構成されている。
においては隙間Sの高さが幅Wに対して小さく設定され
ているが、突出部39自体の厚さが大きく確保されてい
ることから、片持梁状態にあるもののその分強度が大き
いので、突出量をより大きくできる。したがって、それ
に形成されるボンディングパッド36の内側先端36a
を一層パッケージの中央側に近付けることができる。
形成面35が、隙間Sに沿って形成された1段だけのも
のにおいて実施したものを説明したが、上記したのと同
様に、その隙間Sに沿って形成されたボンディングパッ
ド形成面35に加えて、その外側でそれより高位にさら
にボンディングパッド形成面を適数備えたものにおいて
も同様に具体化できる。
GA(ピングリッドアレイ)、LGA(ランドグリッド
アレイ)やチップキャリアなどの各種のセラミック製等
の電子部品用パッケージに広く適用できる。また、ラミ
ネート(積層)タイプのパッケージ以外であっても具体
化できる。さらに、ワイヤボンディングの他、TAB
(Tape Automated Bonding)によって端子とボンディン
グパッドを接続する場合にも適用できる。
に対面する本体の内側面とで形成される隙間は、ボンデ
ィングパッド形成面側から見ると、突出部のある部位で
は見掛上小さくなるが、突出部の下方には所定幅存在す
る。したがって、その隙間における洗浄液の環流に支障
を及ぼすことはない。そして、突出部はパッケージの内
側に突出しており、その上面に延設されたボンディング
パッドの内側先端が、突出部以外のボンディングパッド
形成面に形成されたボンディングパッドの内側先端より
も内側に位置しているから、この突出部およびそのボン
ディングパッドを集積回路チップの例えば電源配線用の
端子に対応する位置に設ければ、洗浄液の環流に支障を
与えることなく、しかも同配線用のボンディングワイヤ
を短くすることができるなど、ワイヤの長さを特に短く
したいとの要求が強いものについて選択的にその長さを
短くすることができる。
例1の平面図。
成面を2段備えた電子部品用パッケージの平面図。
例2の平面図。
側先端 8 貫通孔の内側面 9,39 突出部 21,51 放熱部材 22 放熱部材の上段部 26 放熱部材の上段部の側面 34 キャビティ 34a キャビティの底面 38 キャビティの内側面 56 放熱部材の側面 91 集積回路チップ S 隙間
Claims (3)
- 【請求項1】 パッケージ本体の内側面と放熱部材の側
面との間に隙間が保持されると共に、該パッケージ本体
は該隙間に沿って、複数のボンディングパッドが形成さ
れたボンディングパッド形成面を備えてなる電子部品用
パッケージにおいて、前記隙間に沿って形成されたボン
ディングパッド形成面のうち、隙間側の所定の部分に、
下方に隙間を保持してパッケージ本体の内側に突出する
突出部が形成され、該突出部の上面に、前記ボンディン
グパッド形成面に形成されたボンディングパッドが延設
されてその内側先端が、該突出部以外のボンディングパ
ッド形成面に形成されたボンディングパッドの内側先端
よりも内側に位置していることを特徴とする電子部品用
パッケージ。 - 【請求項2】 パッケージ本体の上下に貫通する貫通孔
に、段付き状に形成された放熱部材がその上段部を隙間
嵌め状態で挿入されることにより、該パッケージ本体の
貫通孔の内側面と該放熱部材の上段部の側面との間に隙
間が保持されると共に、該パッケージ本体は該隙間に沿
って、複数のボンディングパッドが形成されたボンディ
ングパッド形成面を備えてなる電子部品用パッケージに
おいて、前記隙間に沿って形成されたボンディングパッ
ド形成面のうち、隙間側の所定の部分に、下方に隙間を
保持して前記貫通孔の内側に突出する突出部が形成さ
れ、該突出部の上面に、前記ボンディングパッド形成面
に形成されたボンディングパッドが延設されてその内側
先端が、該突出部以外のボンディングパッド形成面に形
成されたボンディングパッドの内側先端よりも内側に位
置していることを特徴とする電子部品用パッケージ。 - 【請求項3】 パッケージ本体のキャビティの底面に、
板状に形成された放熱部材が配置され、該パッケージ本
体のキャビティの内側面と該放熱部材の側面との間に隙
間が保持されると共に、該パッケージ本体は該隙間に沿
って、複数のボンディングパッドが形成されたボンディ
ングパッド形成面を備えてなる電子部品用パッケージに
おいて、前記隙間に沿って形成されたボンディングパッ
ド形成面のうち、隙間側の所定の部分に、下方に隙間を
保持して前記キャビティ側に突出する突出部が形成さ
れ、該突出部の上面に、前記ボンディングパッド形成面
に形成されたボンディングパッドが延設されてその内側
先端が、該突出部以外のボンディングパッド形成面に形
成されたボンディングパッドの内側先端よりも内側に位
置していることを特徴とする電子部品用パッケージ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6182196A JP3301577B2 (ja) | 1996-02-22 | 1996-02-22 | 電子部品用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP6182196A JP3301577B2 (ja) | 1996-02-22 | 1996-02-22 | 電子部品用パッケージ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09232469A JPH09232469A (ja) | 1997-09-05 |
JP3301577B2 true JP3301577B2 (ja) | 2002-07-15 |
Family
ID=13182138
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP6182196A Expired - Lifetime JP3301577B2 (ja) | 1996-02-22 | 1996-02-22 | 電子部品用パッケージ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3301577B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SE515661C2 (sv) | 1998-12-22 | 2001-09-17 | Ericsson Telefon Ab L M | Trådbondningskompensering |
EP1746648A3 (en) * | 2005-07-22 | 2008-09-03 | Marvell World Trade Ltd. | Packaging for high speed integrated circuits |
JP6138500B2 (ja) * | 2013-01-30 | 2017-05-31 | 株式会社 日立パワーデバイス | パワー半導体装置 |
JP6258768B2 (ja) * | 2013-05-30 | 2018-01-10 | 京セラ株式会社 | 配線基板および電子装置 |
-
1996
- 1996-02-22 JP JP6182196A patent/JP3301577B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH09232469A (ja) | 1997-09-05 |
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