JP6116705B2 - Ge量子ドットの成長方法、Ge量子ドット複合材及びその応用 - Google Patents
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Description
前記洗浄の代表的なフローとしては、(i)Siウェハーを順次に分析用試薬のトルエン、四塩化炭素、アセトン、無水エタノールを用いてそれぞれ3回超音波洗浄し、一回ごとに約3minとし、洗浄の間に脱イオン水で3回洗い流し、これによって、Si表面における有機汚染物を除去する。(ii)Siウェハーを沸騰したH2SO4とH2O2の混合液に3min浸漬し、次に脱イオン水で3回洗浄することによって、Si表面に残された金属と有機物を除去する。(iii)SiウェハーをHFとC2H5OHの混合液に1min浸漬し、脱イオン水で3回洗い流すことによって、希釈したHF酸溶液を用いた化学エッチングによりSi02層を除去し、水素パッシベーションした表面を形成する。(iv)洗浄したSiウェハーを乾燥の高純度N2ガスで乾かし、真空室に輸送して、後続の成長を行う。
洗浄フローは極めて複雑で、該洗浄フローを生産ラインに導入するのは煩瑣である。
しかし、該方法にも、二つの顕著な欠点が存在する:(1)ゲルマニウム量子におけるマトリックス元素と欠陥の含有量が高い点である。これは相分離過程において、マトリックス元素はGe量子ドットに入ることは不可避であり、特にSiが存在する場合、SiとGeが互いに無限度に融合しうるため、シリコンゲルマニウム合金を形成しやすいからとともに、気相堆積法に比べて、このような相分離方法は、量子ドットの内部に欠陥を形成しやすいから、量子ドットの電気光学特性に厳しく影響する。(2)Ge量子ドットの形態と均一性が悪い点である。相分離過程において、Ge量子ドットの結晶化過程が周囲のマトリックスに制限され、その形態と均一性が自己組織化成長した量子ドットの場合と比べれば、結晶品質面で、ある程度劣っている。
(1)ベースを提供して、ベースにおける汚染物を洗浄して除去するステップと、
(2)ステップ(1)の前記ベースにグラフェン層を形成するステップと、
(3)ステップ(2)の前記グラフェン層にGe膜を形成するステップと、
(4)ステップ(3)で得られた、順次にグラフェン層とGe膜が形成されたベースに、アニールを行って、Ge量子ドットを成長させるステップとを含む。
(1)ベースを提供し、それぞれ水道水、脱イオン水及びエタノールおよび/またはアセトンの混合物を用いて順次に超音波洗浄し、超音波洗浄のステップを1〜5回繰返して、ベースにおける汚染物を除去するステップと、
(2)化学気相堆積法でステップ(1)における前記ベースにグラフェン層を成長させ、又はポリメタクリル酸メチル転写法で、既存のグラフェン層をステップ(1)における前記ベースに成長したグラフェン層に転写するステップと、
(3)高純度のゲルマニウムターゲットをターゲット材として、80〜300WのスパッタリングRF電力、10〜50sccmのArガス流量下で、RFマグネトロンスパッタリング法を用いて、ステップ(2)における前記グラフェン層に60〜1200s堆積して、Ge膜を形成するステップと、
(4)ステップ(3)で得られた、グラフェン層とGe膜が順次に形成されたベースに、500〜800℃で1〜20minアニールを行って、Ge量子ドットを成長させるステップとを含む。
(2)グラフェン層をGe量子ドットの成長界面とすることで、Ge量子ドットの低マトリックス元素含有量と低欠陥率を確保し、且つGe量子ドットの自己組織化成長過程を確保し、形態と均一性に優れたGe量子ドットを形成する。
(3)グラフェン層をGe量子ドットの成長界面とする上に、さらに工業で汎用するマグネトロンスパッタリング装置と汎用のアニール装置を用いてGe量子ドットを成長させることが実現し、それによりGe量子ドットの成長技術に係る条件と成長のコストを低下させ、量子ドット製品の産業への普及に寄与する。
(4)グラフェンの優れた電気光学特性と、Ge量子ドットのバンドギャップ調整性を組み合わせることで、生産の基礎を築き、得られたグラフェン−Ge量子ドット複合材は優れた性能を備え、バンドギャップ(Eg)が0.66−3.25eVにおいて変化できるとともに、グラフェンを導電性電極として使用できるため、本方法では量子ドットを用いたデバイスのプロセス・フローの簡略化を図ることができる。
実施例1
(1)シリコンベースを提供し、それぞれ順次に水道水を用いて3min、脱イオン水を用いて5min、アセトンを用いて5min超音波洗浄し、超音波洗浄のステップを2回繰返して、ベースにおける汚染物を除去するステップと、
(2)ステップ(1)で洗浄して得られたシリコンベースを管状炉の反応室に入れ、反応室を密閉し、管状炉がアルゴンガス雰囲気に浸っているようにアルゴンガスを導入し、炭素源ガスとしてメタンガスを導入し、反応室を1000℃まで加熱して、20min保温し、反応終了後、アルゴンガスの雰囲気下で反応室を冷却し、ベースに成長した厚み5〜15nmのグラフェン層が得られるステップと、
(3)高純度のゲルマニウムターゲットをターゲット材として、300WのスパッタリングRF電力、50sccmのArガスの流量下で、RFマグネトロンスパッタリング法を用いて、ステップ(2)で得られた、ベースに成長したグラフェン層に1200s堆積して、厚みが7〜15nmのGe膜を形成するステップと、
(4)ステップ(3)で得られた、グラフェン層とGe膜が順次に形成されたベースに、800℃で20minアニールを行い、Ge量子ドットを成長させるステップとを含む。
実施例2
(1)シリコンベースを提供し、それぞれ順次に水道水を用いて4min、脱イオン水を用いて4min、アセトンを用いて10min超音波洗浄し、超音波洗浄のステップを4回繰り返して、ベースにおける汚染物を除去するステップと、
(2)ステップ(1)で洗浄して得られたシリコンベースを管状炉の反応室に入れ、反応室を密閉し、管状炉がアルゴンガスの雰囲気に浸っているようにアルゴンガスを導入し、炭素源ガスとしてメタンガスを導入し、反応室を1200℃まで加熱し、15min保温し、反応終了後、アルゴンガスの雰囲気下で反応室を冷却し、ベースに成長した厚みl〜8nmのグラフェン層を得るステップと、
(3)高純度のゲルマニウムターゲットをターゲット材として、80WのスパッタリングRF電力、10sccmのArガスの流量下で、RFマグネトロンスパッタリング法を用いて、ステップ(2)で得られた、ベースに成長させたグラフェン層に60s堆積し、厚み3〜10nmのGe膜を形成するステップと、
(4)ステップ(3)で得られた、グラフェン層とGe膜が順次に形成されたベースに、500℃で1minアニールを行い、Ge量子ドットを成長させるステップとを含む。
実施例3
(1)シリコンベースを提供し、それぞれ順次に水道水を用いて5min、脱イオン水を用いて5min、アセトンを用いて10min超音波洗浄し、超音波洗浄のステップを1回繰り返して、ベースにおける汚染物を除去するステップと、
(2)ステップ(1)で洗浄して得られたシリコンベースを管状炉の反応室に入れ、反応室を密閉し、管状炉がヘリウムガスの雰囲気に浸っているようにヘリウムガスを導入し、精密流量ポンプを起動させ、純度が99.9%のエタノールを毛細管を介して18μL/minの速度で反応室に注入し、反応室を900℃まで加熱し、30min保温し、反応終了後、ヘリウムガスの雰囲気下で反応室を冷却し、ベースに成長した、厚みが20〜30nmのグラフェン層を得るステップと、
(3)高純度のゲルマニウムターゲットをターゲット材として、100WのスパッタリングRF電力、40sccmのArガスの流量下で、RFマグネトロンスパッタリング法を用いて、ステップ(2)で得られた、ベースに成長したグラフェン層に800s堆積し、厚みが5〜8nmのGe膜を形成するステップと、
(4)ステップ(3)で得られた、グラフェン層とGe膜が順次に形成されたベースに、700℃で17minアニールを行う、Ge量子ドットを成長させるステップとを含む。
実施例4
(1)ガラスベースを提供し、それぞれ順次に水道水を用いて4min、脱イオン水を用いて5min、アセトンを用いて13min超音波洗浄し、超音波洗浄のステップを4回繰返し、ベースにおける汚染物を除去するステップと、
(2)PDMSとPMMAを10:1の質量比で均一に混合して混合物を得、混合物を銅ベースにキャストし、PDMSが凝固するまで静置し、次に0.5mol/LのFeCl3溶液を用いたエッチングにより銅ベースを徹底的にエッチングして除去すると、グラフェン膜がPDMSベースに徹底的に貼りつき、それをステップ(1)で得られたシリコンベースに転写し、PDMSを剥離し、厚み8〜18nmのグラフェン層が形成されたシリコンベースを得るステップと、
(3)高純度のゲルマニウムターゲットをターゲット材として、200WのスパッタリングRF電力、30sccmのArガスの流量下で、RFマグネトロンスパッタリング法を用いて、ステップ(2)で得られた、ベースに成長したグラフェン層に700s堆積し、厚み7〜14nmのGe膜を形成するステップと、
(4)ステップ(3)で得られた、グラフェン層とGe膜が順次に形成されたベースに、600℃で14minアニールを行い、Ge量子ドットを成長させるステップとを含む。
Claims (9)
- (1)ベースを提供して、ベースにおける汚染物を洗浄して除去するステップと、
(2)ステップ(1)の前記ベースにグラフェン層を形成するステップと、
(3)ステップ(2)の前記グラフェン層にGe膜を形成するステップと、
(4)ステップ(3)で得られた、グラフェン層とGe膜が順次に形成されたベースに、アニールを行い、Ge量子ドットを成長させるステップとを含むことを特徴とするGe量子ドットの成長方法。 - ステップ(1)の前記ベースは、結晶性ベース、ガラス質ベースまたは金属箔から選ばれるいずれか一種であり、前記結晶性ベースはSi、GaNまたはAl2O3から選ばれるいずれか一種、前記ガラス質ベースは普通のガラス、石英ガラスまたは強化ガラスから選ばれるいずれか一種、前記金属箔は銅箔、ニッケル箔またはニッケル銅合金の金属箔から選ばれるいずれか一種であり、
ステップ(1)の前記ベースがシリコンウェハーである場合、洗浄ステップは、水道水を用いて3〜5min、脱イオン水を用いて3〜5min、エタノールおよび/またはアセトンにおいて5〜10min超音波洗浄することを繰り返して行うものである、ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - ステップ(2)において、ステップ(1)の前記ベースにグラフェン層を形成する方式として、直接にステップ(1)の前記ベースにグラフェン層を成長させ、
前記グラフェン層の成長方法は化学気相堆積法であり、
前記グラフェン層の厚みは1〜30nmであることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。 - ステップ(2)において、ステップ(1)の前記ベースにグラフェン層を形成する方式として、既存のグラフェン層をステップ(1)の前記ベースに転写し、
前記既存のグラフェン層の転写方法は、ポリメタクリル酸メチル転写法、熱剥離テープ転写法またはポリジメチルシロキサン転写法のうちのいずれか一種であり、
前記グラフェン層の厚みは1〜30nmであることを特徴とする請求項1または2に記載の方法。 - ステップ(3)の前記Ge膜の形成方法として、CVD、MBE、PLDまたはRFマグネトロンスパッタリング法から選ばれるいずれか一種であり、
前記RFマグネトロンスパッタリング法の条件は、具体的に、ターゲット材がゲルマニウムターゲットであり、スパッタリングRF電力を80〜300W、Arガス流量を10〜50sccm、堆積時間を60〜1200sとし、
前記Ge膜の厚みは1〜15nmであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。 - ステップ(4)の前記アニール温度は500〜800℃、アニール時間は1〜20minであり、
前記アニールは、保護性雰囲気または真空雰囲気であり、真空雰囲気の場合、圧力≦10-2Paの真空雰囲気において行われることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の方法。 - (1)ベースを提供し、それぞれ順次に水道水、脱イオン水及びエタノールおよび/またはアセトンの混合物を用いて超音波洗浄を行い、超音波洗浄のステップを1〜5回繰り返して、ベースにおける汚染物を除去するステップと、
(2)化学気相堆積法でステップ(1)の前記ベースにグラフェン層を成長させ、又はポリメタクリル酸メチル転写法で、既存のグラフェン層をステップ(1)の前記ベースに成長されたグラフェン層に転写するステップと、
(3)ゲルマニウムターゲットをターゲット材として、80〜300WのスパッタリングRF電力、10〜50sccmのArガス流量下で、RFマグネトロンスパッタリング法を用いて、ステップ(2)の前記グラフェン層に60〜1200s堆積して、Ge膜を形成するステップと、
(4)ステップ(3)で得られた、グラフェン層とGe膜が順次に形成されたベースに、500〜800℃で1〜20minアニールを行い、Ge量子ドットを成長するステップとを含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。 - 前記方法により調製してなるGe量子ドット複合材はグラフェン−Ge量子ドット複合材であり、
前記グラフェン−Ge量子ドット複合材のバンドギャップ(Eg)が0.66−3.25eVであることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法。 - 請求項1〜8のいずれか一項に記載のGe量子ドットの成長方法によって調製してなるグラフェン−Ge量子ドット複合材の使用であって、前記複合材の太陽電池、発光ダイオード(LED)、光電検出器等の光電変換デバイスの作製への使用。
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