JP2009190953A - 半導体基板の製造方法およびそれによって製造される半導体基板 - Google Patents
半導体基板の製造方法およびそれによって製造される半導体基板 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】単結晶の原炭化珪素基板10上に、90atm%以上のSi原子からなるシリコン供給部30を形成するシリコン供給部形成工程と、Si原子を10atm%以下とし、熱分解してC原子を供給可能な炭素供給部40を形成する炭素供給部形成工程と、シリコン供給部30および炭素供給部40が形成された原炭化珪素基板10を1800℃以上で熱処理する熱処理工程と、熱処理後において、原炭化珪素基板10に当接して形成される低転移欠陥炭化珪素層50を残して、低転移欠陥炭化珪素層50上の熱処理生成物60を除去する熱処理生成物除去工程とを有してなる半導体基板100の製造方法とする。
【選択図】図1
Description
ゲルマニウム原子の導入は、新たに転位欠陥を生み出す起源となりうるものであり、SiC基板10の結晶品質が極めて悪い場合には有効であるが、SiC基板10の品質がある程度高品質な場合には、基板1の転位欠陥5の一部は欠陥終端層2で終端できるものの、新たにバッファ層3中から転位欠陥が発生し、上層のSiCエピタキシャル層4に転位欠陥が到達してしまう欠点がある。
有機レジスト層を用いる場合に較べて、単位体積あたりのC原子供給量を大きくすることができる。
10 SiC基板(原炭化珪素基板)
5 微細欠陥部
30 Si層(シリコン層、シリコン供給部)
31 Si基板(シリコン基板、シリコン供給部)
32 Si混合物(シリコン粉末混合物、シリコン供給部)
40,41 C層(炭素含有層、炭素供給部)
42 C混合物(炭素粉末混合物、炭素供給部)
50 SiC層(低転移欠陥炭化珪素層)
60〜62 熱処理生成物
Claims (21)
- 炭化珪素からなる半導体基板の製造方法であって、
単結晶の原炭化珪素基板上に、90atm%以上のシリコン(Si)原子からなるシリコン供給部を形成する、シリコン供給部形成工程と、
前記原炭化珪素基板上に、シリコン(Si)原子を10atm%以下とし、熱分解して炭素(C)原子を供給可能な、炭素供給部を形成する、炭素供給部形成工程と、
前記シリコン供給部および炭素供給部が形成された原炭化珪素基板を、1800℃以上で熱処理する、熱処理工程と、
前記熱処理後において、前記原炭化珪素基板に当接して形成される低転移欠陥炭化珪素層を残して、前記低転移欠陥炭化珪素層上の熱処理生成物を除去する、熱処理生成物除去工程とを有してなることを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 前記シリコン供給部が、99atm%以上のシリコン(Si)原子を含有する、膜状のシリコン層であることを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記シリコン層が、単結晶シリコン層、多結晶シリコン層またはアモルファスシリコン層であることを特徴とする請求項2に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記シリコン層を、真空蒸着、スパッタ、イオンビームスパッタ、CVDまたは塗布により形成することを特徴とする請求項2または3に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記シリコン層の厚さが、1μm以上であることを特徴とする請求項2乃至4のいずれか一項に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記シリコン供給部が、99atm%以上のシリコン(Si)原子を含有する、シリコン基板であることを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記シリコン基板が、単結晶シリコン基板または多結晶シリコン基板であることを特徴とする請求項6に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記シリコン基板の厚さが、20μm以上であることを特徴とする請求項6または7に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記炭素供給部が、膜状の炭素含有層であり、
前記炭素供給部形成工程において、
前記炭素含有層を、前記シリコン供給部を覆うようにして形成することを特徴とする請求項1乃至8のいずれか一項に記載の半導体基板の製造方法。 - 前記炭素含有層が、有機レジスト層または無機炭素粒子を含有する有機材層であることを特徴とする請求項9に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記炭素含有層を、真空蒸着、スパッタ、イオンビームスパッタ、CVDまたは塗布により形成することを特徴とする請求項9または10に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記炭素含有層の厚さが、1μm以上であることを特徴とする請求項9乃至11のいずれか一項に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記シリコン供給部が、99atm%以上のシリコン(Si)原子を含有する、膜状のシリコン層であり、
前記炭素供給部が、膜状の炭素含有層であり、
前記シリコン供給部形成工程および前記炭素供給部形成工程により、
前記シリコン層と前記炭素含有層を、交互に繰り返し積層した状態で、前記原炭化珪素基板上に形成することを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の製造方法。 - 前記シリコン供給部が、シリコン粉末またはシリコン化合物粉末が混合されたシリコン粉末混合物であり、
前記炭素供給部が、炭素粉末または炭素化合物粉末が混合された炭素粉末混合物であり、
前記シリコン供給部形成工程および前記炭素供給部形成工程において、
前記シリコン粉末混合物と前記炭素粉末混合物を、混合した状態で、前記原炭化珪素基板上に配置することを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の製造方法。 - 前記原炭化珪素基板上に形成された前記シリコン粉末混合物と前記炭素粉末混合物の混合物の厚さが、1μm以上であることを特徴とする請求項14に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記熱処理工程において、
前記シリコン供給部および炭素供給部が形成された原炭化珪素基板を、2500℃以下で熱処理することを特徴とする請求項1乃至15のいずれか一項に記載の半導体基板の製造方法。 - 前記熱処理生成物除去工程後の半導体基板を前記原炭化珪素基板として、
前記シリコン供給部形成工程、前記炭素供給部形成工程、前記熱処理工程および前記熱処理生成物除去工程を、繰り返し実施することを特徴とする請求項1乃至16のいずれか一項に記載の半導体基板の製造方法。 - 炭化珪素からなる半導体基板であって、
単結晶の原炭化珪素基板上に、90atm%以上のシリコン(Si)原子からなるシリコン供給部を形成し、
前記原炭化珪素基板上に、シリコン(Si)原子を10atm%以下とし、熱分解して炭素(C)原子を供給可能な、炭素供給部を形成し、
前記シリコン供給部および炭素供給部が形成された原炭化珪素基板を、1800℃以上で熱処理し、
前記熱処理後において、前記原炭化珪素基板に当接して形成される低転移欠陥炭化珪素層を残して、前記低転移欠陥炭化珪素層上の熱処理生成物を除去して得られることを特徴とする半導体基板。 - 前記低転移欠陥炭化珪素層における転移欠陥密度が、前記原炭化珪素基板における転移欠陥密度の略1/10であることを特徴とする請求項18に記載の半導体基板。
- 前記低転移欠陥炭化珪素層上に、炭化珪素エピタキシャル層が形成されてなることを特徴とする請求項18または19に記載の半導体基板。
- 前記半導体基板が、新たな単結晶炭化珪素基板を製造するための種結晶基板として用いられることを特徴とする請求項18または19に記載の半導体基板。
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