JP2007095800A - 半導体基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】ミスフィット転位による結晶欠陥の発生が抑制されたSiCを備え、反りが低減された半導体基板の製造方法を提供する
【解決手段】半導体基板10は、Si基板12から自然酸化膜12aを除去した後、その表面にSi1−XGeX層13を成膜し、続いてSi1−XGeX層13を炭化させてSi1−X−YGeXCY層14を形成し、次いでSi1−X−YGeXCY層14の表面にヘテロエピタキシャル成長により3C−SiC層16を成膜することにより製造される。
【選択図】図3
【解決手段】半導体基板10は、Si基板12から自然酸化膜12aを除去した後、その表面にSi1−XGeX層13を成膜し、続いてSi1−XGeX層13を炭化させてSi1−X−YGeXCY層14を形成し、次いでSi1−X−YGeXCY層14の表面にヘテロエピタキシャル成長により3C−SiC層16を成膜することにより製造される。
【選択図】図3
Description
本発明は、高温デバイス,高耐圧電子デバイス等に応用可能なワイドギャップ半導体材料であるSiC(炭化珪素)を備えた半導体基板の製造方法に関する。
SiCは多数の結晶多形を持つ化合物半導体であり、そのうち、3C−SiC(立方晶炭化珪素)は、禁制帯幅が2.2eVで他の結晶多形に比べて小さいが、約1000cm2/V・sという比較的大きな電子移動度を有しているため、高温デバイスとして有望である。
3C−SiCは、昇華法や液相成長法では極めて小さな結晶しか得られない。そこで、大面積の結晶を得るために、異種基板上にヘテロエピタキシャル成長させる成膜方法が採られている。具体的には、Si基板の表面に炭化水素ガスを供給して加熱することでSi基板表面を炭化処理し、こうしてSi基板表面に化学的に薄い3C−SiC層を生成させた後、炭化水素と水素化珪素を同時に供給して3C−SiCをエピタキシャル成長させている(例えば、特許文献1参照)。
しかし、Siの格子定数は0.5431nmであり、3C−SiCの格子定数は0.4358nmであるため、これらの間には約20%の開きがある。また、SiCはSiとCの混晶ではなく、SiとCの比に自由度はない。そのため、SiとSiCとの界面での急激な格子不整合により3C−SiC膜にミスフィット転位が発生し、このミスフィット転位による結晶欠陥の生成がデバイス作製において大きな問題となっている。また、3C−SiCの熱膨張係数はSiの熱膨張係数の約1.3倍あるために、SiCをエピタキシャル成長させた後に基板全体に反りが発生するという問題や、熱応力により3C−SiC膜に亀裂や剥離等の欠陥が生ずるという問題がある。
特開平7−172997号公報
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであり、ミスフィット転位による結晶欠陥の発生が抑制されたSiCを備えた半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は基板の反りが低減され、熱応力による欠陥の発生が抑制されたSiCを備えた半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
本発明によれば、Si基板の表面にSi1−XGeX層を成膜する工程と、
前記Si1−XGeX層を炭化させてSi1−X−YGeXCY層を形成する工程と、
前記Si1−X−YGeXCY層の表面に3C−SiCをヘテロエピタキシャル成長により3C−SiC層を成膜する工程と、
を有することを特徴とする半導体基板の製造方法が提供される。
前記Si1−XGeX層を炭化させてSi1−X−YGeXCY層を形成する工程と、
前記Si1−X−YGeXCY層の表面に3C−SiCをヘテロエピタキシャル成長により3C−SiC層を成膜する工程と、
を有することを特徴とする半導体基板の製造方法が提供される。
ここで、Si1−X−YGeXCY層を形成する工程は、Si1−XGeX層を部分的に溶融させた状態においてハイドロカーボンを供給することにより行われることが好ましい。また、Si1−XGeX層を成膜する工程では、Si1−XGeXの熱膨張係数がSiCの熱膨張係数よりも大きくなるように、X>0.35とすることが好ましい。
なお、Si基板と3C−SiC層との間にSi1−X−YGeXCY層を介在させた半導体基板構造は、「冬木隆・畑山智亮,“SiGeC界面緩衝層を用いた3C−SiC/Siヘテロエピタキシー”,表面科学Vol.21,No.6,pp348−354,2000」に開示されているが、当該文献においては、Si1−X−YGeXCY層の形成は、Si基板の表面に(CH3)2GeH2を作用させることにより行っている。本発明に係る半導体基板の製造方法は、当該文献に開示された技術と異なることは明らかであり、当該文献に開示された技術と並立するものと考える。
本発明によれば、Si基板と3C−SiC層との間に、Siと3C−SiCとの間の格子不整合を緩やかなものする緩衝層としての役割を果たすSi1−X−YGeXCYを設けているために、3C−SiC層におけるミスフィット転位の発生と、これによる結晶欠陥の発生を抑制することができ、高品質な3C−SiC層を得ることができる。また、基板の反りを低減し、熱応力による欠陥の発生を抑制することができるという効果を奏する。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら詳細に説明する。図1に3C−SiCを備えた半導体基板の概略構造を示す断面図を示す。この半導体基板10は、Si基板12と、Si基板12上に形成されたSi1−X−YGeXCY層14と、Si1−X−YGeXCY層14上に形成された3C−SiC層16とを備えている。
Si基板12は、一般的にSi半導体デバイスの製造に使用されているもので、その表面がミラー指数で(001)面または(111)面となっているものを用いることができる。
Si1−X−YGeXCY層14は、Si1−XGeX膜を炭化処理することによって形成され、一般的に、0<X<0.95、0<Y<0.05である。Si1−XGeX膜の成膜は、GeがSiと同族元素であり、Siと全率固溶を示すことを利用して行われる。Si1−XGeX膜の格子定数はSiの格子定数よりも大きいが、Cを固溶させてSi1−X−YGeXCYとすることにより格子定数を小さくすることができるので、Siと3C−SiCとの格子不整合を緩和することができる。また、Si1−XGeX膜の熱膨張係数は、X>0.35の場合に、SiCの熱膨張係数よりも大きくなるので、これが3C−SiC層16による反りを打ち消す働きがあると考えられる。
3C−SiC層16は、Si1−X−YGeXCY層14上にヘテロエピタキシャル成長により成膜される単結晶膜である。
次に、この半導体基板10の製造方法について説明する。図2に半導体基板10の製造工程を示すフローチャートを示し、図3に半導体基板10の製造過程における構造の変化を示す。
最初に、Si基板12を準備する(図3(a))。通常、Si基板12の表面には自然酸化膜12aが形成されているために、Si基板12を水素雰囲気中で1000℃以上に加熱することにより除去する(STEP1,図3(b))。なお、この自然酸化膜12aの除去は、Si基板12をフッ酸流体により処理することにより、またはプラズマエッチング処理することにより、行ってもよい。
続いて、このSi基板12の表面にSi1−XGeX層13を成膜する(STEP2,図3(c))。このSi1−XGeX層13の成膜は、Si原料としてのSiH4と、Ge原料としてのGeH4とを、水素ガスをキャリアガスとして流し、Si基板12との反応温度を500℃〜900℃とすることにより行うことができる。膜厚は10nm〜5μmとすることが好ましい。膜厚が10nm未満の場合には、後にSi1−XGeX層をSi1−X−YGeXCY層としても緩衝層としての効果が得られず、一方、5μm超としても格子不整合を緩和する効果が顕著に向上することはなく、成膜時間が長くなりコストが嵩むという問題がある。このSi1−XGeX層13を形成することが、半導体基板10全体の反りを低減させる効果をもたらす。
次いで、Si1−XGeX層13を炭化させてSi1−X−YGeXCY層14を形成する(STEP3、図3(d))。このSi1−X−YGeXCY層14の形成は、Si1−XGeX層13を部分的に溶融させた状態で、C3H8(プロパン)等の炭化水素を供給することにより行うことができる。その処理シーケンスは、Si1−XGeX膜13の成膜温度より低い温度(例えば、400℃)から開始し、Si1−XGeX膜13が部分的に溶融する温度(例えば、1100℃〜1350℃)に昇温するパターンとすることが好ましい。この炭化処理時にSi1−XGeX膜13に部分的な溶融を誘発することにより、炭化層は基板からの応力から開放されて、欠陥を抑制することが可能となる。
次に、Si1−X−YGeXCY層14を形成した後に、その表面に3C−SiC層16をエピタキシャル成長により成膜する(STEP4、図3(e))。この工程は、Si源としてのSiH4等の水素化珪素化合物とC源としてのC3H8等の炭化水素を、3C−SiCの結晶成長温度である1100℃〜1350℃で反応させることによって行うことができる。3C−SiC層16の厚さはデバイス特性を考慮して設計されるが、結晶欠陥の対消滅が進行することを考慮して、5μm以上とすることが好ましい。
上述した製造方法により形成された3C−SiC層16は、Si1−X−YGeXCY層を介さずに直接にSi基板上に成長させた3C−SiC層と比べて、格子不整合によるミスフィット転位の発生が抑制された高品質な単結晶となる。
本発明は上述した実施の形態に限定されることなく、特許請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々の変形が可能であり、それらも本発明の範囲内に含まれるものであることは言うまでもない。
10…半導体基板、12…Si基板、12a…自然酸化膜、13…Si1−XGeX層、14…Si1−X−YGeXCY層、16…3C−SiC層。
Claims (3)
- Si基板の表面にSi1−XGeX層を成膜する工程と、
前記Si1−XGeX層を炭化させてSi1−X−YGeXCY層を形成する工程と、
前記Si1−X−YGeXCY層の表面にヘテロエピタキシャル成長により3C−SiC層を成膜する工程と、
を有することを特徴とする半導体基板の製造方法。 - 前記Si1−X−YGeXCY層を形成する工程は、前記Si1−XGeX層を部分的に溶融させた状態においてハイドロカーボンを供給することにより行われることを特徴とする請求項1に記載の半導体基板の製造方法。
- 前記Si1−XGeX層のX値を0.35超とすることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体基板の製造方法。
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---|---|---|---|---|
JP2008258410A (ja) * | 2007-04-05 | 2008-10-23 | Toyota Motor Corp | SiCGe結晶薄膜の製造方法 |
WO2011086929A1 (ja) * | 2010-01-15 | 2011-07-21 | 住友化学株式会社 | 半導体基板、電子デバイス及び半導体基板の製造方法 |
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2005
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