JP2008258410A - SiCGe結晶薄膜の製造方法 - Google Patents
SiCGe結晶薄膜の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】基板上のSiGe結晶薄膜を炭化することによりSiCGe結晶薄膜を製造する。
【選択図】図1
Description
本発明によりSiCGe結晶薄膜を成長させた。図1を参照しつつ手順を説明する。
基板上に成長している膜を評価するために下記の各測定を行なった。
結合状態を評価するためにFTIR(フーリエ変換赤外分光法)を行なった。図2に測定結果を示す。Si−C結合による796cm−1付近の強い吸収ピークが確認された。
結晶状態を評価するためにXRD(X線回折法)を行なった。36°付近の回折ピークが認められた。これは立方晶SiCの(111)面または六方晶SiCの(0001)面からの回折ピークに相当する。
XPS(X線光電子分光法)により、成長薄膜の表面から深さ方向の元素濃度プロファイルを求めた。図3に測定結果を示す。Ge濃度5at%、厚さ20nmのSiCGe膜と、厚さ40nmの遷移層が認められる。すなわち図1(3)の状態であり、表面に成長したSiCGe膜14の下に、成長母体であるSiGe膜12が残留している状態である。
12 SiGe膜
14 SiCGe膜
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- 基板上のSiGe結晶薄膜を炭化することによりSiCGe結晶薄膜を製造する方法。
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