JP6114029B2 - 光起電力素子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
以下、本発明の一実施の形態について説明する。
以下、本発明の一実施の形態について説明する。
以下、本発明の一実施の形態について説明する。
図6と図7を用いて本発明の第4の実施の形態について説明する。
2 N集電極
3 P集電極
4 N電極
5 P電極
6 i型非晶質シリコン膜
7 酸化シリコン
8 n型非晶質シリコン膜
9 p型非晶質シリコン膜
10 i型非晶質シリコン膜
11 窒化シリコン膜
12 N貫通孔
13 P貫通孔
14 n型ドーパント塗布層
15 p型ドーパント塗布層
16 i型非晶質シリコンカーボン膜
17 i型非晶質シリコン膜
18 光起電力素子
19 太陽電池モジュール
20 接続コネクタ
21 モジュール正極
22 モジュール負極
23 モジュール基板
24 第1の封止樹脂
25 第2の封止樹脂
26 保護シート
27 モジュール正極
28 モジュール負極
29 端部コネクタ
Claims (8)
- 結晶系半導体の一面に真性の非晶質系半導体膜を形成する工程と、
前記真性の非晶質系半導体膜の第1の領域に一導電型を示す不純物を含む第1のドーパント液を塗布する工程と、
前記真性の非晶質系半導体膜の第2の領域に前記一導電型と異なる他導電型を示す不純物を含む第2のドーパント液を塗布する工程と、
前記第1のドーパント液と前記第2のドーパント液を乾燥・熱処理して、前記真性の非晶質系半導体膜のみに不純物を拡散させ、それぞれ、第1の非晶質系半導体膜と第2の非晶質系半導体膜を形成する工程と、
熱処理により固体化した第1のドーパント液と第2のドーパント液を除去する工程と、
前記第1の領域上における前記第1の非晶質系半導体膜の領域に第1の電極を形成する工程と、
前記第2の領域上における前記第2の非晶質系半導体膜の領域に第2の電極を形成する工程を備えたことを特徴とする光起電力素子の製造方法。 - 結晶系半導体の一面に真性の非晶質系半導体膜を形成する工程と、
前記真性の非晶質系半導体膜の第1の領域に一導電型を示す不純物を含む第1のドーパント液を塗布し、乾燥する工程と、
前記真性の非晶質系半導体膜の第2の領域に前記一導電型と異なる他導電型を示す不純物を含む第2のドーパント液を、第1ドーパント液を覆うように塗布する工程と、
前記第1のドーパント液と前記第2のドーパント液を乾燥・熱処理して、前記真性の非晶質系半導体膜に不純物を拡散させ、それぞれ、第1の非晶質系半導体膜と第2の非晶質系半導体膜を形成する工程と、
熱処理により固体化した第1のドーパント液と第2のドーパント液を除去する工程と、
前記第1の領域上における前記第1の非晶質系半導体膜の領域に第1の電極を形成する工程と、
前記第2の領域上における前記第2の非晶質系半導体膜の領域に第2の電極を形成する工程を備えたことを特徴とする光起電力素子の製造方法。 - 一面および他面を有する結晶系半導体と、
前記結晶系半導体の前記一面に形成された真性の非晶質系半導体膜とを備え、
前記真性の非晶質系半導体膜の第1の領域のみに一導電型を示す不純物が拡散された第1の非晶質系半導体膜が形成され、
前記真性の非晶質系半導体膜の第2の領域のみに前記一導電型と異なる他導電型を示す不純物が拡散された第2の非晶質系半導体膜が形成され、
前記第1の領域における前記第1の非晶質系半導体膜上に第1の電極が形成され、
前記第2の領域における前記第2の非晶質系半導体膜上に第2の電極が形成され、
前記第1の電極が電気的に接続された第1の集電極と、前記第2の電極が電気的に接続された第2の集電極が設けられたことを特徴とする光起電力素子。 - 請求項3記載の光起電力素子において、前記結晶系半導体の前記一面に形成された真性の非晶質系半導体膜が、結晶シリコンの一面に形成された真性の非晶質シリコン薄膜であることを特長とする光起電力素子。
- 請求項3記載の光起電力素子において、前記結晶系半導体の前記一面に形成された真性の非晶質系半導体膜が、結晶シリコンの一面に順次形成された真性の非晶質シリコンカーボン薄膜と真性の非晶質シリコン薄膜であることを特長とする光起電力素子。
- 請求項3記載の光起電力素子において、前記結晶系半導体の他面の実質的に全面が光入射面であることを特徴とする光起電力素子。
- 請求項3記載の光起電力素子において、前記結晶系半導体の他面上に反射防止膜をさらに備えたことを特徴とする光起電力素子。
- 請求項3から請求項7に記載の光起電力素子を複数配置し、それぞれの光起電力素子を電気的に接続したことを特徴とする太陽電池モジュール。
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