JP6079118B2 - 発光層形成用インク組成物、発光素子の作製方法及びエレクトロルミネッセンスデバイス - Google Patents
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Description
前記発光素子は、基材上に、少なくとも第1の電極、発光層及び第2の電極を有し、前記第1の電極は陰極であり、第2の電極は陽極である逆層構成を有し、
前記発光層形成用インク組成物は、下記に示す量子ドット群から選択される量子ドットと、下記一般式(1)で表されるホスト化合物とを含有し、更に沸点が180〜320℃の範囲内にある下記に示す溶媒群Aから選ばれる少なくとも1種の溶媒Aを総溶媒量の10〜90質量%の範囲内で含有し、かつ沸点が60℃以上、180℃未満の範囲内にある下記に示す溶媒群Bから選ばれる少なくとも1種の溶媒Bを総溶媒量の10〜90質量%の範囲内で含有することを特徴とする発光層形成用インク組成物。
量子ドット群:Si、Ge、GaN、GaP、CdS、CdSe、CdTe、InP、InN、ZnS、In 2 S 3 、ZnO、CdO又はこれらの混合物
ホスト化合物:
溶媒群A:2,2−ジメチル−1,3−ベンゾジオキソール(182)、1,2−ジエチルベンゼン(184)、p−ジエチルベンゼン(184)、2−エチルアミソール(187)、2,3−ジヒドロベンゾフラン(189)、2,3−ジヒドロベンゾフラン(189)、3,5−ジメチルアミソール(193)、アリールフェニルエーテル(195)、2,5−ジメチルアミソール(195)、2,3−ジヒドロ−2−メチルベンゾフラン(198)、2,4−ジクロロトルエン(201)、N−メチルピロリドン(202)、アミルベンゼン(202)、4−エチルフェネトーレ(205)、1,2−ジメトキシベンゼン(207)、テトラリン(207)、1,3,5−トリクロロベンゼン(209)、ブトキシベンゼン(210)、ベンジルアセテート(212)、トリクロロベンゼン(213)、エチルベンゾエート(213)、安息香酸エチル(213)、1,4−ベンゾジオキサン(216)、酢酸ベンジル(216)、1,3−ジメトキシベンゼン(217)、2,2−ジメトキシトルエン(218)、ベンジルブチルエーテル(220)、4−t−ブチルアニソール(222)、trans−p−プロペニルアミソール(235)、シクロヘキシルベンゼン(239)、グリシジルフェニルエーテル(245)、1,2,4−トリメトキシベンゼン(247)、安息香酸ブチル(250)、1,3−ジプロポキシベンゼン(251)、p−アニスアルデヒドジメチルアセタール(253)、1−テトラロン(256)、1,2−メトキシ−4−(1−プロピニル)ベンゼン(264)、4−(1−プロペニル)−1,2−ジメトキシベンゼン(264)、3−フェニルオキシトルエン(272)、テトラヒドロ−2−フェノキシ−2H−ピラン(275)、ジベンジルエーテル(298)、ジフェニルエーテル(303)及びイソプロピルビフェニル(303)からなる群(カッコ内の数値は、沸点を表す。)
溶媒B:ベンゼン(80)、トルエン(110)、クロロベンゼン(132)、エチルベンゼン(136)、p−キシレン(138)、m−キシレン(139)、o−キシレン(144)、イソプロピルベンゼン(152)、アニソール(154)、o−クロロトルエン(159)、p−クロロトルエン(162)、1,2−メチレンジオキシベンゼン(172)、フェネトール(172)、2−メトキシトルエン(172)、m−ジクロロベンゼン(173)、ベンジルメチルエーテル(174)、3−メトキシトルエン(177)、4−メトキシトルエン(177)及びo−シメン(178)からなる群(カッコ内の数値は、沸点を表す。)
発光素子は、基材上に、第1の電極を形成する工程、発光層を形成する工程及び第2の電極を形成する工程を経て作製され、
前記第1の電極は陰極であり、第2の電極は陽極である逆層構成を有し、
前記発光層を形成する工程は、下記に示す量子ドット群から選択される量子ドットと、下記一般式(1)で表されるホスト化合物とを含有する発光層形成用インク組成物を用いて、液滴吐出法により発光層を形成する工程であり、
前記発光層形成用インク組成物が、更に沸点が180〜320℃の範囲内にある下記に示す溶媒群Aから選ばれる少なくとも1種の溶媒Aを発光層形成用インク組成物の総溶媒量の10〜90質量%の範囲内で含有し、かつ沸点が60℃以上、180℃未満の範囲内にある下記に示す溶媒群Bから選ばれる少なくとも1種の溶媒Bを発光層形成用インク組成物の総溶媒量の10〜90質量%の範囲内で含有することを特徴とする発光素子の作製方法。
量子ドット群:Si、Ge、GaN、GaP、CdS、CdSe、CdTe、InP、InN、ZnS、In 2 S 3 、ZnO、CdO又はこれらの混合物
ホスト化合物:
溶媒群A:2,2−ジメチル−1,3−ベンゾジオキソール(182)、1,2−ジエチルベンゼン(184)、p−ジエチルベンゼン(184)、2−エチルアミソール(187)、2,3−ジヒドロベンゾフラン(189)、2,3−ジヒドロベンゾフラン(189)、3,5−ジメチルアミソール(193)、アリールフェニルエーテル(195)、2,5−ジメチルアミソール(195)、2,3−ジヒドロ−2−メチルベンゾフラン(198)、2,4−ジクロロトルエン(201)、N−メチルピロリドン(202)、アミルベンゼン(202)、4−エチルフェネトーレ(205)、1,2−ジメトキシベンゼン(207)、テトラリン(207)、1,3,5−トリクロロベンゼン(209)、ブトキシベンゼン(210)、ベンジルアセテート(212)、トリクロロベンゼン(213)、エチルベンゾエート(213)、安息香酸エチル(213)、1,4−ベンゾジオキサン(216)、酢酸ベンジル(216)、1,3−ジメトキシベンゼン(217)、2,2−ジメトキシトルエン(218)、ベンジルブチルエーテル(220)、4−t−ブチルアニソール(222)、trans−p−プロペニルアミソール(235)、シクロヘキシルベンゼン(239)、グリシジルフェニルエーテル(245)、1,2,4−トリメトキシベンゼン(247)、安息香酸ブチル(250)、1,3−ジプロポキシベンゼン(251)、p−アニスアルデヒドジメチルアセタール(253)、1−テトラロン(256)、1,2−メトキシ−4−(1−プロピニル)ベンゼン(264)、4−(1−プロペニル)−1,2−ジメトキシベンゼン(264)、3−フェニルオキシトルエン(272)、テトラヒドロ−2−フェノキシ−2H−ピラン(275)、ジベンジルエーテル(298)、ジフェニルエーテル(303)及びイソプロピルビフェニル(303)からなる群(カッコ内の数値は、沸点を表す。)
溶媒B:ベンゼン(80)、トルエン(110)、クロロベンゼン(132)、エチルベンゼン(136)、p−キシレン(138)、m−キシレン(139)、o−キシレン(144)、イソプロピルベンゼン(152)、アニソール(154)、o−クロロトルエン(159)、p−クロロトルエン(162)、1,2−メチレンジオキシベンゼン(172)、フェネトール(172)、2−メトキシトルエン(172)、m−ジクロロベンゼン(173)、ベンジルメチルエーテル(174)、3−メトキシトルエン(177)、4−メトキシトルエン(177)及びo−シメン(178)からなる群(カッコ内の数値は、沸点を表す。)
前述のように、量子ドットが凝集すると濃度消光を起こし発光効率が低下するため、ホスト化合物中に分散させることが好ましいが、他方でホスト化合物が完全にアモルファスの状態の膜だとキャリア輸送性が不十分となるため、ある程度配向したホスト化合物中に量子ドット化合物が凝集していることが好ましい。ここで、好ましいホスト化合物の配向は芳香族環が基板に対して平行に配列した、いわゆる“Face−on”配向であることが好ましい。
図1は、参考例である発光素子(QLED)の構成(順層構成)の一例を示す概略断面図である。
(ii)可撓性支持基板/陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極/熱伝導層/封止用接着剤/封止部材
(iii)可撓性支持基板/陽極/正孔輸送層/発光層/正孔ブロック層/電子輸送層/陰極/熱伝導層/封止用接着剤/封止部材
(iv)可撓性支持基板/陽極/正孔輸送層/発光層/正孔ブロック層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極/熱伝導層/封止用接着剤/封止部材
(v)可撓性支持基板/陽極/陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔ブロック層/電子輸送層/陰極バッファー層/陰極/熱伝導層/封止用接着剤/封止部材
(vi)ガラス支持体/陽極/正孔注入層/発光層/電子注入層/陰極/封止部材
(vii)ガラス支持体/陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子注入層/陰極/封止部材
(viii)ガラス支持体/陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極/封止部材
(ix)可撓性支持基板/陽極/正孔注入層/発光層/(電子注入層)/陰極/熱伝導層/封止用接着剤/封止部材
(x)可撓性支持基板/陽極/正孔注入層/第1発光層/中間層/第2発光層/電子輸送層/陰極/熱伝導層/封止用接着剤/封止部材
(xi)可撓性支持基板/陽極/正孔注入層/第1発光層/電荷発生層/第2発光層/電子輸送層/陰極/熱伝導層/封止用接着剤/封止部材
また、逆層構成の発光素子として好ましい層構成(a)〜(k)を以下に示す。
(b)可撓性支持基板/陰極/電子輸送層/発光層/正孔輸送層/陽極/熱伝導層/封止用接着剤/封止部材
(c)可撓性支持基板/陰極/電子輸送層/正孔ブロック層/発光層/正孔輸送層/陽極/熱伝導層/封止用接着剤/封止部材
(d)可撓性支持基板/陰極バッファー層/陰極/電子輸送層/正孔ブロック層/発光層/正孔輸送層/陽極/熱伝導層/封止用接着剤/封止部材
(e)可撓性支持基板/陰極/陰極バッファー層/電子輸送層/正孔ブロック層/発光層/正孔輸送層/陽極バッファー層/陽極/熱伝導層/封止用接着剤/封止部材
(f)ガラス支持体/陰極/電子注入層/発光層/正孔注入層/陽極/封止部材
(g)ガラス支持体/陰極/電子注入層/発光層/正孔輸送層/正孔注入層/陽極/封止部材
(h)ガラス支持体/陰極/電子注入層/電子輸送層/発光層/正孔輸送層/正孔注入層/陽極/封止部材
(i)可撓性支持基板/陰極/(電子注入層)/発光層/正孔注入層/陽極/熱伝導層/封止用接着剤/封止部材
(j)可撓性支持基板/陰極/電子輸送層/第1発光層/中間層/第2発光層/正孔注入層/陽極/熱伝導層/封止用接着剤/封止部材
(k)可撓性支持基板/陰極/電子輸送層/第1発光層/電荷発生層/第2発光層/正孔注入層/陽極/熱伝導層/封止用接着剤/封止部材
≪発光素子の構成要素≫
《有機機能層》
次いで、本発明に係る発光素子を構成する有機機能層20の詳細について説明する。
本発明に係る発光素子を構成する発光層は、量子ドットと、ホスト化合物とを含有し、更に沸点が180〜320℃の範囲内にある溶媒Aを総溶媒量の10〜90質量%の範囲内で含有し、かつ沸点が60℃以上、180℃未満の範囲内にある溶媒Bを総溶媒量の10〜90質量%の範囲内で含有する発光層形成用インク組成物を用い、液滴吐出法により形成することを特徴とする。
本発明の発光層形成用インク組成物においては、量子ドットを含有することを特徴とする。
E∝h2/mR2
式(I)で示されるように、量子ドットのバンドギャップは、「R−2」に比例して大きくなり、いわゆる、量子ドット効果が得られる。このように、量子ドットの粒子径を制御、規定することによって、量子ドットのバンドギャップ値を制御することができる。すなわち、微粒子の粒子径を制御、規定することにより、通常の原子には無い多様性を持たせることができる。そのため、光によって励起させたり、量子ドットを含む有機EL素子に対して電圧をかけることで、量子ドットに電子とホールを閉じ込めて再結合させたりすることで電気エネルギーを所望の波長の光に変換して出射させることができる。本発明では、このような発光性の量子ドット材料を量子ドットと定義する。
量子ドットの構成材料としては、例えば、炭素、ケイ素、ゲルマニウム、錫等の周期表第14族元素の単体、リン(黒リン)等の周期表第15族元素の単体、セレン、テルル等の周期表第16族元素の単体、炭化ケイ素(SiC)等の複数の周期表第14族元素からなる化合物、酸化錫(IV)(SnO2)、硫化錫(II、IV)(Sn(II)Sn(IV)S3)、硫化錫(IV)(SnS2)、硫化錫(II)(SnS)、セレン化錫(II)(SnSe)、テルル化錫(II)(SnTe)、硫化鉛(II)(PbS)、セレン化鉛(II)(PbSe)、テルル化鉛(II)(PbTe)等の周期表第14族元素と周期表第16族元素との化合物、窒化ホウ素(BN)、リン化ホウ素(BP)、砒化ホウ素(BAs)、窒化アルミニウム(AlN)、リン化アルミニウム(AlP)、砒化アルミニウム(AlAs)、アンチモン化アルミニウム(AlSb)、窒化ガリウム(GaN)、リン化ガリウム(GaP)、砒化ガリウム(GaAs)、アンチモン化ガリウム(GaSb)、窒化インジウム(InN)、リン化インジウム(InP)、砒化インジウム(InAs)、アンチモン化インジウム(InSb)等の周期表第13族元素と周期表第15族元素との化合物(あるいはIII−V族化合物半導体)、硫化アルミニウム(Al2S3)、セレン化アルミニウム(Al2Se3)、硫化ガリウム(Ga2S3)、セレン化ガリウム(Ga2Se3)、テルル化ガリウム(Ga2Te3)、酸化インジウム(In2O3)、硫化インジウム(In2S3)、セレン化インジウム(In2Se3)、テルル化インジウム(In2Te3)等の周期表第13族元素と周期表第16族元素との化合物、塩化タリウム(I)(TlCl)、臭化タリウム(I)(TlBr)、ヨウ化タリウム(I)(TlI)等の周期表第13族元素と周期表第17族元素との化合物、酸化亜鉛(ZnO)、硫化亜鉛(ZnS)、セレン化亜鉛(ZnSe)、テルル化亜鉛(ZnTe)、酸化カドミウム(CdO)、硫化カドミウム(CdS)、セレン化カドミウム(CdSe)、テルル化カドミウム(CdTe)、硫化水銀(HgS)、セレン化水銀(HgSe)、テルル化水銀(HgTe)等の周期表第12族元素と周期表第16族元素との化合物(あるいはII−VI族化合物半導体)、硫化砒素(III)(As2S3)、セレン化砒素(III)(As2Se3)、テルル化砒素(III)(As2Te3)、硫化アンチモン(III)(Sb2S3)、セレン化アンチモン(III)(Sb2Se3)、テルル化アンチモン(III)(Sb2Te3)、硫化ビスマス(III)(Bi2S3)、セレン化ビスマス(III)(Bi2Se3)、テルル化ビスマス(III)(Bi2Te3)等の周期表第15族元素と周期表第16族元素との化合物、酸化銅(I)(Cu2O)、セレン化銅(I)(Cu2Se)等の周期表第11族元素と周期表第16族元素との化合物、塩化銅(I)(CuCl)、臭化銅(I)(CuBr)、ヨウ化銅(I)(CuI)、塩化銀(AgCl)、臭化銀(AgBr)等の周期表第11族元素と周期表第17族元素との化合物、酸化ニッケル(II)(NiO)等の周期表第10族元素と周期表第16族元素との化合物、酸化コバルト(II)(CoO)、硫化コバルト(II)(CoS)等の周期表第9族元素と周期表第16族元素との化合物、四酸化三鉄(Fe3O4)、硫化鉄(II)(FeS)等の周期表第8族元素と周期表第16族元素との化合物、酸化マンガン(II)(MnO)等の周期表第7族元素と周期表第16族元素との化合物、硫化モリブデン(IV)(MoS2)、酸化タングステン(IV)(WO2)等の周期表第6族元素と周期表第16族元素との化合物、酸化バナジウム(II)(VO)、酸化バナジウム(IV)(VO2)、酸化タンタル(V)(Ta2O5)等の周期表第5族元素と周期表第16族元素との化合物、酸化チタン(TiO2、Ti2O5、Ti2O3、Ti5O9等)等の周期表第4族元素と周期表第16族元素との化合物、硫化マグネシウム(MgS)、セレン化マグネシウム(MgSe)等の周期表第2族元素と周期表第16族元素との化合物、酸化カドミウム(II)クロム(III)(CdCr2O4)、セレン化カドミウム(II)クロム(III)(CdCr2Se4)、硫化銅(II)クロム(III)(CuCr2S4)、セレン化水銀(II)クロム(III)(HgCr2Se4)等のカルコゲンスピネル類、バリウムチタネート(BaTiO3)等が挙げられるが、SnS2、SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe等の周期表第14族元素と周期表第16族元素との化合物、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb等のIII−V族化合物半導体、Ga2O3、Ga2S3、Ga2Se3、Ga2Te3、In2O3、In2S3、In2Se3、In2Te3等の周期表第13族元素と周期表第16族元素との化合物、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdO、CdS、CdSe、CdTe、HgO、HgS、HgSe、HgTe等のII−VI族化合物半導体、As2O3、As2S3、As2Se3、As2Te3、Sb2O3、Sb2S3、Sb2Se3、Sb2Te3、Bi2O3、Bi2S3、Bi2Se3、Bi2Te3等の周期表第15族元素と周期表第16族元素との化合物、MgS、MgSe等の周期表第2族元素と周期表第16族元素との化合物が好ましく、中でも、Si、Ge、GaN、GaP、InN、InP、Ga2O3、Ga2S3、In2O3、In2S3、ZnO、ZnS、CdO、CdSがより好ましい。これらの物質は、毒性の高い陰性元素を含まないので耐環境汚染性や生物への安全性に優れており、また、可視光領域で純粋なスペクトルを安定して得ることができるので、発光素子の形成に有利である。これらの材料のうち、CdSe、ZnSe、CdSは、発光の安定性の点で好ましい。発光効率、高屈折率、安全性の経済性の観点から、ZnO、ZnSの量子ドットが好ましい。また、上記の材料は、1種で用いるものであってもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
αhν=B(hν−E0)2
したがって、吸収スペクトルを測定し、そこから(αhν)の0.5乗に対してhνをプロット(いわゆる、Taucプロット)し、直線区間を外挿したα=0におけるhνの値が求めようとする量子ドットのバンドギャップエネルギーE0となる。
量子ドットを含有している本発明の発光層形成用インク組成物を用いて発光層をインクジェット方式で形成する際、本発明の発光層形成用インク組成物においては、量子ドットの表面近傍に、表面修飾剤が付着していることが好ましい。これにより、発光層形成用インク組成物中における量子ドットの分散安定性を特に優れたものとすることができる。また、量子ドットの製造時において、量子ドット表面に表面修飾剤を付着させることにより、形成される量子ドットの形状が真球度の高いものとなり、また、量子ドットの粒子径分布を狭く抑えられるため、特に優れたものとすることができる。
量子ドットの製造方法としては、従来行われている下記のような量子ドットの製造方法等が挙げられるが、これらに限定されるものではなく公知の任意の方法を用いることができる。また、また、Aldrich社、CrystalPlex社、NNLab社等から市販品として購入することもできる。
まず、CdOパウダー(1.6mmol、0.206g;Aldrich、+99.99%)とオレイン酸(6.4mmol、1.8g;Aldrich、95%)とを40mlのトリオクチルアミン(TOA、Aldrich、95%)中で混合する。混合された溶液を高速で撹拌しながら150℃で熱処理し、N2を流しながら300℃まで温度を上昇させた。次いで、300℃で、トリオクチルホスフィン(TOP、Strem、97%)に添加された2.0モル/LのSe(Alfa Aesar)0.2mlを、上記Cd−含有混合物に高速で注入する。
のZn−オレイン酸溶液(100℃で加熱された)を前記Cd−含有反応媒質に2ml/minの速度で注入する。その後、TOA(1.12ml in 6ml)中の6.4mmolのn−オクタンチオールを、注射器ポンプを用いて1ml/minの速度で注入する。
CdSe/ZnSのコア/シェル構造を有する量子ドットを得ようとする場合、界面活性剤としてTOPO(trioctylphosphine oxide)を使用した有機溶媒に(CH3)2Cd(dimethyl cadmium)、TOPSe(trioctylphosphine selenide)などのコア(CdSe)に該当する前駆体物質を注入して結晶が生成されるようにし、結晶が一定の大きさで成長するように高温で一定時間維持した後、シェル(ZnS)に該当する前駆体物質を注入して既に生成されたコアの表面にシェルが形成されるようにすることで、TOPOでキャッピング(capping)されたCdSe/ZnSの量子ドットを得ることができる。
アルゴン気流下、トリ−n−オクチルホスフィンオキシド(TOPO)(関東化学社製)7.5gに、ステアリン酸(関東化学社製)2.9g、n−テトラデシルホスホン酸(AVOCADO社製)620mg、及び、酸化カドミニウム(和光純薬工業社製)250mgを加え、370℃に加熱混合した。これを270℃まで自然冷却させた後、あらかじめトリブチルホスフィン(関東化学社製)2.5mlにセレン(STREM CHEMICAL社製)200mgを溶解させた溶液を加え、減圧乾燥し、TOPOで被覆されたCdSe微粒子を得る。
本発明の発光層形成用インク組成物においては、量子ドットと共に、ホスト化合物を含有することを特徴とするが、本発明に適用可能なホスト化合物としては、特に制限はないが、リン光スペクトルにおける0−0遷移バンドに帰属される発光波長が413〜459nm(2.7〜3.0eV)の範囲という発光波長の短い化合物であり、すなわち三重項エネルギーの高い化合物であることが好ましい。
本発明の発光層形成用インク組成物においては、量子ドット、ホスト化合物と共に、沸点が180〜320℃の範囲内にある溶媒Aを総溶媒量の10〜90質量%の範囲内で含有し、かつ沸点が60℃以上、180℃未満の範囲内にある溶媒Bを総溶媒量の10〜90質量%の範囲内で含有することを特徴としている。
本発明に係る溶媒Aは、沸点が180〜320℃の範囲内にある溶媒であり、芳香族系溶媒であること、2つ以上の芳香族環を有する芳香族系溶媒であること、及び平板状分子であることが好ましい。
上記溶媒A群の中でも、2,2−ジメチル−1,3−ベンゾジオキソール、N−メチルピロリドン、トリクロロベンゼン、テトラリン、シクロヘキシルベンゼン、3−フェニルオキシトルエン、ジフェニルエーテル及びイソプロピルビフェニルからなる群より選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。
本発明に係る溶媒Bは、沸点が60℃以上、180℃未満の範囲内にある芳香族系溶媒であることが好ましい。
上記溶媒B群の中でも、o−キシレン、トルエン及び3−メトキシトルエンからなる群より選ばれる少なくとも一種であることが好ましい。
本発明に係る発光層形成用インク組成物においては、本発明の目的効果を損なわない範囲で、沸点が60〜120℃の範囲内にある非芳香族系溶媒Cを含有してもよい。
本発明の発光素子の作製方法においては、基材上に、第1の電極を形成する工程、発光層を形成する工程及び第2の電極を形成する工程を経て作製する発光素子の作製方法であって、前記発光層は、量子ドット、ホスト化合物と共に、沸点が180〜320℃の範囲内にある溶媒Aを総溶媒量の10〜90質量%の範囲内で含有し、かつ沸点が60℃以上、180℃未満の範囲内にある溶媒Bを総溶媒量の10〜90質量%の範囲内で含有する発光層形成用インク組成物を用いて、液滴吐出法により形成することを特徴としている。
本発明に係る発光素子においては、注入層は必要に応じて設けることができる。注入層としては電子注入層と正孔注入層があり、上記の如く陽極と発光層又は正孔輸送層の間、及び陰極と発光層又は電子輸送層との間に存在させてもよい。
正孔輸送層を構成する正孔輸送材料としては、上記正孔注入層で適用するのと同様の化合物を使用することができるが、さらには、ポルフィリン化合物、芳香族第3級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第3級アミン化合物を用いることが好ましい。
本発明に係る発光素子の有機機能層を構成する電子輸送層とは、電子を輸送する機能を有する材料からなり、広い意味で電子注入層、正孔ブロック層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は単層又は複数層設けることができる。
本発明に係る発光素子を構成する陽極としては、仕事関数の大きい(4eV以上)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としては、Au等の金属、CuI、インジウム−スズの複合酸化物(以下、ITOと略記。)、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXO(In2O3−ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。陽極は、これらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させ、フォトリソグラフィー法で所望の形状パターンを形成してもよく、あるいはパターン精度をあまり必要としない場合(100μm以上程度)は、上記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。あるいは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式等湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を10%より大きくすることが望ましく、また陽極としてのシート抵抗は数百Ω/□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常は、10〜1000nmの範囲であり、好ましくは10〜200nmの範囲で選ばれる。
一方、本発明に係る発光素子を構成する陰極としては、仕事関数の小さい(4eV以下)金属(電子注入性金属と称する)、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム/銅混合物、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、インジウム、リチウム/アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム/銀混合物、マグネシウム/アルミニウム混合物、マグネシウム/インジウム混合物、アルミニウム/酸化アルミニウム(Al2O3)混合物、リチウム/アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。インジウム−スズの複合酸化物(以下、ITOと略記。)、SnO2、ZnO等の導電性透明材料が挙げられる。また、IDIXO(In2O3−ZnO)等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。
本発明に係る発光素子に用いることのできる支持基板(以下、基体、基板、基材、支持体等ともいう。)としては、ガラス、プラスチック等、その材質には特に限定はなく、また透明であっても不透明であってもよい。支持基板側から光を取り出す場合には、支持基板は透明であることが好ましい。好ましく用いられる透明な支持基板としては、例えば、ガラス、石英、透明樹脂フィルムを挙げることができる。リジットな基板よりもフレキシブルな基板が、高温保存安定性や色度変動を抑制する効果が大きく発現するため、特に好ましい支持基板は、発光素子にフレキシブル性を与えることが可能な可撓性を備えた樹脂フィルムである。
7126−1987に準拠した方法で測定した酸素透過度が、1×10−3cm3/(m2・24h・atm)以下、水蒸気透過度が1×10−3g/(m2・24h・atm)以下の高バリア性フィルムであることが好ましく、前記の水蒸気透過度が1×10−5g/(m2・24h・atm)以下であることが、更に好ましい。
本発明に係る発光素子に適用可能な封止手段としては、例えば、封止部材と電極、支持基板とを封止接着剤で接着する方法を挙げることができる。
有機機能層を挟み支持基板と対向する側の封止膜、あるいは封止用フィルムの外側に、発光素子の機械的強度を高めるため、保護膜あるいは保護板を設けてもよい。特に、封止が封止膜により行われている場合には、その機械的強度は必ずしも高くないため、このような保護膜、保護板を設けることが好ましい。これに使用することができる材料としては、前記封止に用いたのと同様なガラス板、ポリマー板・フィルム、金属板・フィルム等を用いることができるが、軽量かつ薄膜化ということからポリマーフィルムを用いることが好ましい。
本発明に係る発光素子の製造方法の一例として、陽極/正孔注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極からなる発光素子の製造方法を説明する。
本発明のエレクトロルミネッセンスデバイス(以下、ELデバイスともいう)では本発明の発光層形成用インク組成物を用いて作製された発光素子が、量子ドットとして、発光極大波長が443〜496nmの範囲内にある量子ドットA(BQDともいう)と、発光極大波長が497〜564nmの範囲内にある量子ドットB(GQDともいう)と、発光極大波長が620〜729nmの範囲内にある量子ドットC(RQDともいう)とを含有し、発光素子がパターン状に形成されていることを特徴とする。
本発明に係る発光素子は、照明デバイス、表示デバイス、ディスプレイ、上述のような各種発光光源として用いることができる。
《発光素子の作製》
下記の方法に従って、発光素子1〜33を作製した。
(1.1)第1電極の形成
準備した厚さ0.5mmの白板ガラス基板上に、厚さ120nmのITO(インジウムチンオキシド)膜をスパッタ法により成膜し、フォトリソグラフィー法によりパターニングを行って、第1電極層(陰極)を形成した。
正孔阻止層の形成は、J.Am.Chem.Soc 2010,132, PP17381−17383に記載の方法に従って作製した。
無水酢酸亜鉛(シグマ−アルドリッチ社製 99.999%グレード) 157質量部
2−メトキシエタノール 960質量部
エタノールアミン 40質量部
(1.3)発光層1の形成
次いで、下記の発光層形成用インク組成物1を調製し、コニカミノルタIJ社製のインクジェットヘッドKM1024(ノズル数=1ヘッド当たり1024、360dpi(本発明でいうdpiとは、2.54cmあたりのドット数を表す。)、インク液滴量42pl)を用いて射出したのち、120℃で10分乾燥させることにより量子ドット1を含有する発光層1を形成した。なお、後述するPL発光効率(PLQE)は、この操作が完了した段階で測定した。
量子ドットBQD(サイトダイアグノスティクス社製 Trilite450(登録商標)、CdSe 発光波長:450nm) 2質量部
溶媒A:ドデカン(沸点:216℃) 1000質量部
(1.4)正孔輸送層、正孔注入層及び陽極の形成
続いて、発光層1を形成した基板を、大気に曝露することなく真空蒸着装置へ取り付けた。また、モリブデン製抵抗加熱ボートにSpiro−TPD(N−N′−(Bis(3−methylphenyl)−N,N′−bis(phenyl)−9,9−spirobifluorene)及びヘキサシアノヘキサアザトリフェニレン(HAT−CN)を入れたものを真空蒸着装置に取り付けた。
続いて、基板を大気に曝露することなく真空蒸着装置から取り出し、グローブボックス内でガラスキャップと熱硬化接着材としてエポキシ系接着剤を用いて封止し、比較例サンプル1(白色電界発光デバイス)を製作した。
(B)ジシアンジアミド(DICY)
(C)エポキシアダクト系硬化促進剤
〔発光素子2の作製〕
上記発光素子1の作製において、発光層の形成を、下記発光層形成用インク組成物2を用いて行った以外は同様にして、発光素子2を作製した。
量子ドットBQD(サイトダイアグノスティクス社製 Trilite450(登録商標)、CdSe 発光波長:450nm) 2質量部
溶媒B:o−キシレン(沸点:144℃) 1000質量部
〔発光素子3の作製〕
上記発光素子1の作製において、発光層の形成を、下記発光層形成用インク組成物3を用いて行った以外は同様にして、発光素子3を作製した。
量子ドットBQD(サイトダイアグノスティクス社製 Trilite450(登録商標)、CdSe 発光波長:450nm) 2質量部
ホスト化合物:例示化合物H−159 8質量部
溶媒A:ドデカン(沸点:216℃) 1000質量部
〔発光素子4の作製〕
上記発光素子1の作製において、発光層の形成を、下記発光層形成用インク組成物4を用いて行った以外は同様にして、発光素子4を作製した。
量子ドットBQD(サイトダイアグノスティクス社製 Trilite450(登録商標)、CdSe 発光波長:450nm) 2質量部
ホスト化合物:例示化合物H−159 8質量部
溶媒B:o−キシレン(沸点:144℃) 1000質量部
〔発光素子5の作製〕
上記発光素子1の作製において、発光層の形成を、下記発光層形成用インク組成物5を用いて行った以外は同様にして、発光素子5を作製した。
量子ドットBQD(サイトダイアグノスティクス社製 Trilite450(登録商標)、CdSe 発光波長:450nm) 2質量部
ホスト化合物:例示化合物H−159 8質量部
溶媒A:ドデカン(沸点:216℃) 950質量部
溶媒B:o−キシレン(沸点:144℃) 50質量部
〔発光素子6の作製〕
上記発光素子1の作製において、発光層の形成を、下記発光層形成用インク組成物6を用いて行った以外は同様にして、発光素子6を作製した。
量子ドットBQD(サイトダイアグノスティクス社製 Trilite450(登録商標)、CdSe 発光波長:450nm) 2質量部
ホスト化合物:例示化合物H−159 8質量部
溶媒A:ドデカン(沸点:216℃) 50質量部
溶媒B:o−キシレン(沸点:144℃) 950質量部
〔発光素子7の作製〕
上記発光素子1の作製において、発光層の形成を、下記発光層形成用インク組成物7を用いて行った以外は同様にして、発光素子7を作製した。
量子ドットBQD(サイトダイアグノスティクス社製 Trilite450(登録商標)、CdSe 発光波長:450nm) 2質量部
ホスト化合物:例示化合物H−159 8質量部
溶媒A:ドデカン(沸点:216℃) 950質量部
溶媒C:ヘキサン(沸点:69℃) 50質量部
〔発光素子8の作製〕
上記発光素子1の作製において、発光層の形成を、下記発光層形成用インク組成物8を用いて行った以外は同様にして、発光素子8を作製した。
量子ドットGQD(サイトダイアグノスティクス社製 Trilite540(登録商標)、CdSe 発光波長:540nm) 2質量部
溶媒A:ドデカン(沸点:216℃) 1000質量部
〔発光素子9の作製〕
上記発光素子1の作製において、発光層の形成を、下記発光層形成用インク組成物9を用いて行った以外は同様にして、発光素子9を作製した。
量子ドットRQD(サイトダイアグノスティクス社製 Trilite450(登録商標)、CdSe 発光波長:630nm) 2質量部
溶媒A:ドデカン(沸点:216℃) 1000質量部
〔発光素子10の作製〕
上記発光素子1の作製において、発光層の形成を、下記発光層形成用インク組成物10を用いて行った以外は同様にして、発光素子10を作製した。
量子ドットBQD(サイトダイアグノスティクス社製 Trilite450(登録商標)、CdSe 発光波長:450nm) 2質量部
ホスト化合物:例示化合物H−159 8質量部
溶媒A:2,2−ジメチル−1,3−ベンゾジオキソール(沸点:182℃)
130質量部
溶媒B:キシレン(沸点:144℃) 870質量部
〔発光素子11〜30の作製〕
上記発光素子10の作製において、発光層の形成に用いる発光層形成用インク組成物の構成として、量子ドットの種類、ホスト化合物の種類、溶媒A及び溶媒Bの種類と溶媒比を、表1及び表2に記載の構成に変更した以外は同様にして、発光素子11〜30を作製した。
上記発光素子10の作製において、発光層の形成を、下記発光層形成用インク組成物31を用いて行った以外は同様にして、発光素子31を作製した。
量子ドットBQD(サイトダイアグノスティクス社製 Trilite450(登録商標)、CdSe 発光波長:450nm) 2質量部
ホスト化合物:例示化合物H−115 8質量部
溶媒A:イソプロピルビフェニル(沸点:303℃) 100質量部
溶媒B:キシレン(沸点:144℃) 700質量部
溶媒C:ヘキサン(沸点:69℃) 200質量部
〔発光素子32の作製〕
上記発光素子31の作製の発光層の形成において、量子ドットBQDに代えて、量子ドットGQDを用いた以外は同様にして、発光素子32を作製した。
上記発光素子31の作製の発光層の形成において、量子ドットBQDに代えて、量子ドットRQDを用いた以外は同様にして、発光素子33を作製した。
BQD:サイトダイアグノスティクス社製 Trilite450(登録商標)、CdSe 発光波長:450nm
GQD:サイトダイアグノスティクス社製 Trilite540(登録商標)、CdSe 発光波長:540nm
RQD:サイトダイアグノスティクス社製 Trilite630(登録商標)、CdSe 発光波長:630nm
(ホスト化合物)
〈溶媒A〉
DMBO:2,2−ジメチル−1,3−ベンゾジオキソール(沸点:182℃)
NMP:N−メチルピロリドン(沸点:202℃)
TCB:トリクロロベンゼン(沸点:213℃)
CHB:シクロヘキシルベンゼン(沸点:239℃)
POT:3−フェニルオキシトルエン(沸点:272℃)
DPE:ジフェニルエーテル(沸点:303℃)
IPBP:イソプロピルビフェニル(沸点:303℃)
〈溶媒B〉
MT:3−メトキシトルエン(沸点:177℃)
《発光素子の評価》
〔発光層のPLQEの測定〕
下記の方法に従って、発光素子を構成する発光層のPL量子収率(PLQE)を測定した。PLQEは、各発光素子の発光層まで形成した段階での試料を用いて測定した。
○:PLQEが、60%以上、70%未満である
△:PLQEが、50%以上、60%未満である
×:PLQEが、50%未満である
〔発光効率の評価〕
各発光素子に対し、23℃で、2.5mA/cm2の定電流条件下で発光させ、発光開始直後の発光輝度Lを、分光放射輝度計CS−2000(コニカミノルタオプティクス社製)を用いて測定した。
各発光素子を連続駆動させ、上記分光放射輝度計CS−2000を用いて輝度を測定し、測定した輝度が、初期の輝度が半減するまでの時間(LT50)を求めた。駆動条件は、連続駆動開始時に、青発光(BQD)、赤発光(RQD)の場合は100cd/m2、緑発光(GQD)の場合は1000cd/m2となる電流値とした。
各表示素子の作製に用いた発光層形成用インク組成物を、コニカミノルタIJ社製のインクジェットヘッドKM1024(ノズル数256)を用いて、23℃、55%RHの環境下で、インク液温度を30℃に保温しながら、インク液滴量を42plの条件で、1時間の連続吐出を行った後、10分間休止し、次いで1時間の連続吐出を行う操作を、計12時間行った後、インクジェットヘッドの256個のノズルにおける発光層形成用インク組成物の射出状態(液滴の飛翔状態)を目視観察し、ノズルつまりに起因してノズル欠や斜め出射が発生しているノズル数比率を測定し、下記の基準に従って、吐出安定性の評価を行った。
○:ノズル欠や斜め出射が発生しているノズル数が、1.0%以上、2.0%未満である
△:ノズル欠や斜め出射が発生しているノズル数が、2.0%以上、5.0%未満である
×:ノズル欠や斜め出射が発生しているノズル数が、5.0%以上である
以上により、得られた結果を、表3に示す。
《エレクトロルミネッセンスデバイスの作製》
下記の方法に従って、図5に記載の発光素子をストライプ状に配列した各エレクトロルミネッセンスデバイス(ELデバイス)を作製した。
実施例1に記載の青色発光素子(図5に記載のBD)である発光素子3と、緑色発光素子(図5に記載のGD)である発光素子8と、赤色発光素子(図5に記載のRD)である発光素子9とを、図5に示すようなストライプ状に配列して、白色発光のELデバイス1を作製した。
実施例1に記載の青色発光素子(図5に記載のBD)である発光素子10〜31のそれぞれと共に、緑色発光素子(図5に記載のGD)である発光素子32と、赤色発光素子(図5に記載のRD)である発光素子33とを、図5に示すようなストライプ状に配列して、白色発光のELデバイス2〜23を作製した。
上記作製した各ELデバイスに通電し、各色発光素子の印加電圧を制御して、調色適性を確認した結果、本発明のELデバイスは、比較例に対し、同じ駆動電圧で比較した際の発光輝度、および寿命に優れていることを確認することができた。また、本発明の青色発光素子を用いた場合には、青成分の発光輝度が十分高いため、色温度の高い発光色に調色可能であった。
2 陽極
3 正孔注入層
4 正孔輸送層
5 発光層
6 電子輸送層
7 電子注入層
8 陰極
9 封止接着剤
10 可撓性封止部材
11 量子ドット
20 有機機能層
100 有機エレクトロルミネッセンス素子
ELD エレクトロルミネッセンスデバイス
F 基板
BD 青色発光素子
GD 緑色発光素子
RD 赤色発光素子
Claims (7)
- 発光素子を構成する発光層を液滴吐出法で形成するのに用いる発光層形成用インク組成物であって、
前記発光素子は、基材上に、少なくとも第1の電極、発光層及び第2の電極を有し、前記第1の電極は陰極であり、第2の電極は陽極である逆層構成を有し、
前記発光層形成用インク組成物は、下記に示す量子ドット群から選択される量子ドットと、下記一般式(1)で表されるホスト化合物とを含有し、更に沸点が180〜320℃の範囲内にある下記に示す溶媒群Aから選ばれる少なくとも1種の溶媒Aを総溶媒量の10〜90質量%の範囲内で含有し、かつ沸点が60℃以上、180℃未満の範囲内にある下記に示す溶媒群Bから選ばれる少なくとも1種の溶媒Bを総溶媒量の10〜90質量%の範囲内で含有することを特徴とする発光層形成用インク組成物。
量子ドット群:Si、Ge、GaN、GaP、CdS、CdSe、CdTe、InP、InN、ZnS、In 2 S 3 、ZnO、CdO又はこれらの混合物
ホスト化合物:
溶媒群A:2,2−ジメチル−1,3−ベンゾジオキソール(182)、1,2−ジエチルベンゼン(184)、p−ジエチルベンゼン(184)、2−エチルアミソール(187)、2,3−ジヒドロベンゾフラン(189)、2,3−ジヒドロベンゾフラン(189)、3,5−ジメチルアミソール(193)、アリールフェニルエーテル(195)、2,5−ジメチルアミソール(195)、2,3−ジヒドロ−2−メチルベンゾフラン(198)、2,4−ジクロロトルエン(201)、N−メチルピロリドン(202)、アミルベンゼン(202)、4−エチルフェネトーレ(205)、1,2−ジメトキシベンゼン(207)、テトラリン(207)、1,3,5−トリクロロベンゼン(209)、ブトキシベンゼン(210)、ベンジルアセテート(212)、トリクロロベンゼン(213)、エチルベンゾエート(213)、安息香酸エチル(213)、1,4−ベンゾジオキサン(216)、酢酸ベンジル(216)、1,3−ジメトキシベンゼン(217)、2,2−ジメトキシトルエン(218)、ベンジルブチルエーテル(220)、4−t−ブチルアニソール(222)、trans−p−プロペニルアミソール(235)、シクロヘキシルベンゼン(239)、グリシジルフェニルエーテル(245)、1,2,4−トリメトキシベンゼン(247)、安息香酸ブチル(250)、1,3−ジプロポキシベンゼン(251)、p−アニスアルデヒドジメチルアセタール(253)、1−テトラロン(256)、1,2−メトキシ−4−(1−プロピニル)ベンゼン(264)、4−(1−プロペニル)−1,2−ジメトキシベンゼン(264)、3−フェニルオキシトルエン(272)、テトラヒドロ−2−フェノキシ−2H−ピラン(275)、ジベンジルエーテル(298)、ジフェニルエーテル(303)及びイソプロピルビフェニル(303)からなる群(カッコ内の数値は、沸点を表す。)
溶媒B:ベンゼン(80)、トルエン(110)、クロロベンゼン(132)、エチルベンゼン(136)、p−キシレン(138)、m−キシレン(139)、o−キシレン(144)、イソプロピルベンゼン(152)、アニソール(154)、o−クロロトルエン(159)、p−クロロトルエン(162)、1,2−メチレンジオキシベンゼン(172)、フェネトール(172)、2−メトキシトルエン(172)、m−ジクロロベンゼン(173)、ベンジルメチルエーテル(174)、3−メトキシトルエン(177)、4−メトキシトルエン(177)及びo−シメン(178)からなる群(カッコ内の数値は、沸点を表す。) - 前記沸点が180〜320℃の範囲内にある溶媒Aが、2,2−ジメチル−1,3−ベンゾジオキソール、N−メチルピロリドン、トリクロロベンゼン、テトラリン、シクロヘキシルベンゼン、3−フェニルオキシトルエン、ジフェニルエーテル及びイソプロピルビフェニルからなる群より選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項1に記載の発光層形成用インク組成物。
- 前記沸点が60℃以上、180℃未満の範囲内にある溶媒Bが、o−キシレン、トルエン及び3−メトキシトルエンからなる群より選ばれる少なくとも一種であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の発光層形成用インク組成物。
- 更に、沸点が60℃以上、180℃未満の範囲内にある非芳香族系炭化水素溶媒を含有することを特徴とする請求項1から請求項3までのいずれか一項に記載の発光層形成用インク組成物。
- 請求項1から請求項5までのいずれか一項に記載の発光層形成用インク組成物を用いた発光素子の作製方法であって、
発光素子は、基材上に、第1の電極を形成する工程、発光層を形成する工程及び第2の電極を形成する工程を経て作製され、
前記第1の電極は陰極であり、第2の電極は陽極である逆層構成を有し、
前記発光層を形成する工程は、下記に示す量子ドット群から選択される量子ドットと、下記一般式(1)で表されるホスト化合物とを含有する発光層形成用インク組成物を用いて、液滴吐出法により発光層を形成する工程であり、
前記発光層形成用インク組成物が、更に沸点が180〜320℃の範囲内にある下記に示す溶媒群Aから選ばれる少なくとも1種の溶媒Aを発光層形成用インク組成物の総溶媒量の10〜90質量%の範囲内で含有し、かつ沸点が60℃以上、180℃未満の範囲内にある下記に示す溶媒群Bから選ばれる少なくとも1種の溶媒Bを発光層形成用インク組成物の総溶媒量の10〜90質量%の範囲内で含有することを特徴とする発光素子の作製方法。
量子ドット群:Si、Ge、GaN、GaP、CdS、CdSe、CdTe、InP、InN、ZnS、In 2 S 3 、ZnO、CdO又はこれらの混合物
ホスト化合物:
溶媒群A:2,2−ジメチル−1,3−ベンゾジオキソール(182)、1,2−ジエチルベンゼン(184)、p−ジエチルベンゼン(184)、2−エチルアミソール(187)、2,3−ジヒドロベンゾフラン(189)、2,3−ジヒドロベンゾフラン(189)、3,5−ジメチルアミソール(193)、アリールフェニルエーテル(195)、2,5−ジメチルアミソール(195)、2,3−ジヒドロ−2−メチルベンゾフラン(198)、2,4−ジクロロトルエン(201)、N−メチルピロリドン(202)、アミルベンゼン(202)、4−エチルフェネトーレ(205)、1,2−ジメトキシベンゼン(207)、テトラリン(207)、1,3,5−トリクロロベンゼン(209)、ブトキシベンゼン(210)、ベンジルアセテート(212)、トリクロロベンゼン(213)、エチルベンゾエート(213)、安息香酸エチル(213)、1,4−ベンゾジオキサン(216)、酢酸ベンジル(216)、1,3−ジメトキシベンゼン(217)、2,2−ジメトキシトルエン(218)、ベンジルブチルエーテル(220)、4−t−ブチルアニソール(222)、trans−p−プロペニルアミソール(235)、シクロヘキシルベンゼン(239)、グリシジルフェニルエーテル(245)、1,2,4−トリメトキシベンゼン(247)、安息香酸ブチル(250)、1,3−ジプロポキシベンゼン(251)、p−アニスアルデヒドジメチルアセタール(253)、1−テトラロン(256)、1,2−メトキシ−4−(1−プロピニル)ベンゼン(264)、4−(1−プロペニル)−1,2−ジメトキシベンゼン(264)、3−フェニルオキシトルエン(272)、テトラヒドロ−2−フェノキシ−2H−ピラン(275)、ジベンジルエーテル(298)、ジフェニルエーテル(303)及びイソプロピルビフェニル(303)からなる群(カッコ内の数値は、沸点を表す。)
溶媒B:ベンゼン(80)、トルエン(110)、クロロベンゼン(132)、エチルベンゼン(136)、p−キシレン(138)、m−キシレン(139)、o−キシレン(144)、イソプロピルベンゼン(152)、アニソール(154)、o−クロロトルエン(159)、p−クロロトルエン(162)、1,2−メチレンジオキシベンゼン(172)、フェネトール(172)、2−メトキシトルエン(172)、m−ジクロロベンゼン(173)、ベンジルメチルエーテル(174)、3−メトキシトルエン(177)、4−メトキシトルエン(177)及びo−シメン(178)からなる群(カッコ内の数値は、沸点を表す。) - 請求項1から請求項5までのいずれか一項に記載の発光層形成用インク組成物を用いて作製された発光素子が、量子ドットとして、発光極大波長が443〜496nmの範囲内にある量子ドットAと、発光極大波長が497〜564nmの範囲内にある量子ドットBと、発光極大波長が620〜729nmの範囲内にある量子ドットCとを含有し、前記発光素子がパターン状に形成されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンスデバイス。
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