JP6070460B2 - 電流検知回路及びそれを備えた磁気検出装置 - Google Patents

Description

本発明は、コイルに流れる電流を検知する電流検知回路、及び、それを備えた磁気検出装置に関する。

従来、半導体基板上に形成される電流検知回路が知られている。例えば特許文献１には、コイル等の負荷に電流を流すための出力用ＭＯＳＦＥＴに対して並列に検出用ＭＯＳＦＥＴを設け、出力用ＭＯＳＦＥＴによって負荷に出力される出力電流を検出用ＭＯＳＦＥＴがミラーリングして電流検出を行うようにした構成が開示されている。この電流検出装置は、検出用ＭＯＳＦＥＴのサイズ（平面積）を出力用ＭＯＳＦＥＴのサイズよりも小さなサイズで形成することにより、そのサイズ比に応じた倍率で出力電流をミラーリングした微小な検出電流を検知して出力電流をモニタする構成である。

また従来、半導体基板上に渦巻き状の金属配線を形成することにより、半導体基板に対してコイルを一体的に形成することが公知である（例えば特許文献２）。

特開２０１１−９５１４６号公報 特開２００９−１８８３４３号公報

近年、半導体基板上に一体形成した金属配線のコイルに流れる電流を正確に検知できるようにすることが望まれている。ところが、特許文献１のような電流検出装置を採用すると回路構成が複雑であり、回路規模が大型化してしまうという問題がある。

そこで例えば図４に示すように比較的簡単な回路構成でコイルに流れる電流を検知することが考えられる。図４に示す回路例は、出力バッファ１０１と、コイル１０２と、出力バッファ１０１のレプリカ回路１０３と、コイル１０２のＭ倍（ただし、Ｍ＞１）の抵抗値を有する抵抗体１０４と、ＩＶ変換回路１０５と、を備えて構成される。

出力バッファ１０１は、Ｐ型及びＮ型の２つのＭＯＳトランジスタ１０１ａ，１０１ｂを直列接続された構成を有し、各ＭＯＳトランジスタ１０１ａ，１０１ｂのゲートに入力する駆動信号ＳＧ１，ＳＧ２に応じて、半導体基板上に形成される渦巻き状の金属配線によって構成されたコイル１０２に対してコイル電流Ｉcoilを出力する。

レプリカ回路１０３は、出力バッファ１０１と同じ駆動信号ＳＧ１，ＳＧ２に基づいて動作するＰ型及びＮ型の２つのＭＯＳトランジスタ１０３ａ，１０３ｂが直列接続された構成を有し、各ＭＯＳトランジスタ１０３ａ，１０３ｂのゲートに入力する駆動信号ＳＧ１，ＳＧ２に応じて、半導体基板上にポリシリコンで形成された抵抗体１０４に電流Ｉoutを出力する。ここで、レプリカ回路１０３のサイズを出力バッファ１０１のサイズの１／Ｍとすると、レプリカ回路１０３から出力される電流Ｉoutは、出力バッファ１０１からコイル１０２に出力されるコイル電流Ｉcoilの１／Ｍとなる。そして抵抗体１０４の抵抗値Ｒoutはコイル１０２の抵抗値ＲｃのＭ倍であるから、出力バッファ１０１の出力端子の電位Ｖ１とレプリカ回路１０３の出力端子の電位Ｖ２とが互いに等しくなる。

ＩＶ変換回路１０５は、抵抗１０６とオペアンプ１０７とを備え、抵抗体１０４に流れる電流Ｉoutを抵抗１０６に流してＩＶ変換を行う。すなわち、抵抗１０６の抵抗値をｒとすると、ＩＶ変換回路１０５の出力Ｖoutは、Ｖout＝−ｒ・Ｉoutとなる。ここで、抵抗体１０４に流れる電流Ｉoutは、Ｉout＝（１／Ｍ）・Ｉcoilであるから、ＩＶ変換回路１０５の出力Ｖoutは、Ｖout＝−（ｒ／Ｍ）・Ｉcoilとなる。したがって、図４に示す回路は、回路構成を複雑にすることなく、コイル１０２に流れる電流Ｉcoilを検知することができるという利点がある。

しかしその反面、図４に示すような簡単な回路構成を採用すると、半導体基板上において金属配線で形成されるコイル１０２と、ポリシリコンで形成される抵抗体１０４との温度特性が異なることに起因する電流検出精度が低下する問題が新たに発生する。例えば、抵抗体１０４は、温度変化に対する抵抗値変化を比較的小さな値に抑えることができるポリシリコンを選択して形成することにより、温度変化に対する抵抗値変化を小さく抑えることができるのに対し、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）などの金属配線で形成されるコイル１０２は、温度変化に対する抵抗値変化がポリシリコンよりも大きくなるため、抵抗体１０４の温度特性とコイル１０２の温度特性とが一致しなくなる。それ故、特に高温域においてコイル１０２の抵抗値Ｒｃと、抵抗体１０４の抵抗値Ｒoutとの関係が１：Ｍから大きくずれてしまい、抵抗体１０４に流れる電流Ｉoutがコイル電流Ｉcoilの１／Ｍ倍とならないため、コイル電流Ｉcoilを正確に検知することができなくなる。

本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、比較的簡単な回路構成でありながら、環境温度が変化しても、半導体基板に金属配線で形成されたコイルに流れる電流を正確に検知できるようにした電流検知回路及びそれを備えた磁気検出装置を提供することを目的とするものである。

上記目的を達成するため、第１に、本発明に係る電流検知回路は、半導体基板上の金属配線で構成されるコイルと、半導体基板上においてコイルの近傍位置に設けられ、コイルと同一の金属材料を配線して構成され、通電により磁場を発生させないように配線された抵抗体と、コイルの一端と抵抗体の一端とが互いに接続された共通端子を介してコイルと抵抗体とのそれぞれに対し、コイルと抵抗体との抵抗比に応じた電流を出力する出力回路と、抵抗体に流れる電流を検知することにより、コイルに流れる電流を検出する検出回路と、を備えることを特徴とする構成である。かかる構成によれば、コイルと抵抗体との抵抗値に関する温度特性を同一の状態に形成できるため、温度変化によってコイルと抵抗体との抵抗比が変化することはなく、抵抗体に流れる電流を検知することによってコイルに流れる電流を常に正確に検出することが可能になる。

第２に、本発明は、上記第１の構成において、抵抗体を、コイルの近傍位置においてコイルと同一の金属材料を偶数本並列に配線して形成したことを特徴とする構成である。かかる構成によれば、通電により磁場を発生させない抵抗体を比較的簡単に形成することができる。

第３に、本発明は、上記第１又は第２の構成において、抵抗体がコイルよりも大きい抵抗値を有するものとし、抵抗体に流れる電流を、コイルに流れる電流よりも小さくすることを特徴とする構成である。かかる構成によれば、消費電力を抑えることができる。

第４に、本発明に係る磁気検出装置は、上記第１乃至第３のいずれかの構成を有する電流検知回路と、外部磁場を検知する磁気検出手段と、を備え、コイルは、磁気検出手段の近傍に配置し、出力回路は、磁気検出手段で検知される外部磁場を打ち消す磁場を発生させるための電流を前記コイルに流し、検出回路は、抵抗体に流れる電流を検知することによって外部磁場に応じた電流若しくは電圧を出力することを特徴とする構成である。かかる構成によれば、任意の温度環境下において、外部磁場に応じた電流若しくは電圧を正確に出力することが可能である。

本発明によれば、回路構成を簡単にでき、しかも環境温度が変化してもコイルに流れる電流を常に正確に検出することが可能である。

電流検出デバイスの一構成例を示す図である。 電流検知回路を備えた磁気検出装置の一構成例を示す回路図である。 半導体基板上におけるコイルと抵抗体との形成パターンの一例を示す図である。 コイルに流れる電流を検知する一回路例を示す図である。

以下、本発明に関する好ましい実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。尚、以下に説明する実施形態において互いに共通する部材には同一符号を付しており、それらについての重複する説明は省略する。

図１は、本発明の電流検知回路を備えた磁気検出装置３を含む電流検出デバイス１の一構成例を示す図である。この電流検出デバイス１は、例えば図１（ａ）に示すように、Ｙ方向に沿ってバスバー２が配置されており、このバスバー２の周囲所定位置に磁気検出装置３が設けられた構成である。バスバー２には例えばＹ方向に電流Ｉが流れる。このとき、バスバー２の周囲には、アンペールの法則に従い、図１（ａ）に示すように右回りの磁場Ｂが発生する。この磁場Ｂは、バスバー２を流れる電流Ｉの大きさに比例する。

磁気検出装置３は、バスバー２の周囲に発生する磁場Ｂを所定位置で検出することにより、バスバー２に流れる電流Ｉを検出するものである。具体的に説明すると、磁気検出装置３は、図１（ｂ）に示すように、バスバー２に流れる電流Ｉによって発生する磁場Ｂの所定方向（例えばＸ方向）の磁場成分Ｂｘを検知し、磁気検出装置３の内部においてその磁場成分Ｂｘを打ち消す磁場Ｂ１を発生させることにより、電流Ｉによって発生する磁場Ｂを検出するように構成される。

図２は、磁気検出装置３の一構成例を示す回路図である。磁気検出装置３は、図２（ａ）に示すように、磁気検出素子１０と、アンプ１１と、コイル１２と、抵抗体１３と、ＩＶ変換回路１４とを備えて構成される。磁気検出装置３は、これら磁気検出素子１０、アンプ１１、コイル１２、抵抗体１３およびＩＶ変換回路１４のそれぞれを半導体基板上に一体形成したものである。また磁気検出装置３は、アンプ１１の一部と、コイル１２と、抵抗体１３と、ＩＶ変換回路１４とによって構成される電流検知回路４を備えている。すなわち、電流検知回路４は、図２（ｂ）に示すように、アンプ１１の出力段に設けられた出力回路２０と、コイル１２と、抵抗体１３と、ＩＶ変換回路１４とを備えて構成される。

磁気検出素子１０は、バスバー２に流れる電流Ｉによって発生する磁場Ｂの所定方向の磁場成分Ｂｘ（外部磁場Ｂｘ）を検知する素子であり、例えば外部磁場Ｂｘに応じて電気的抵抗が変化する磁気抵抗効果素子によって構成される。図２（ａ）に示す例では、磁気抵抗効果素子の中でも、特に抵抗変化が大きい巨大磁気抵抗効果（Giant Magneto Resistive effect：ＧＭＲ）を発揮するＧＭＲ素子を用いた場合を例示している。磁気検出素子１０は、外部磁場Ｂｘに応じて抵抗値を変化させると、それに伴い、アンプ１１に接続された接点（アンプ１１の入力）の電位を変化させる。

アンプ１１は、磁気検出素子１０によって検出される外部磁場Ｂｘに応じてその外部磁場Ｂｘを打ち消すための磁場Ｂ１を発生させるべく、コイル１２に対して外部磁場Ｂｘに応じたコイル電流Ｉcoilを出力する。例えば、磁気検出素子１０の抵抗値変化に伴ってアンプ１１の入力電位が変化すると、アンプ１１は、その入力電位の変化分に応じたコイル電流Ｉcoilをコイル１２に出力する。

またアンプ１１は、図２（ｂ）に示すようにＰ型及びＮ型の２つのＭＯＳトランジスタ２１，２２を直列接続した出力回路２０を有し、各ＭＯＳトランジスタ２１，２２のゲートに入力する駆動信号ＳＧ１，ＳＧ２に応じたコイル電流Ｉcoilをコイル１２に出力するように構成される。

コイル１２は、半導体基板上において磁気検出素子１０の近傍位置に形成されるものであり、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）などの金属配線が渦巻き状に形成されることによって構成される。このコイル１２は、アンプ１１から出力されるコイル電流Ｉcoilにより、磁気検出素子１０に作用している外部磁場Ｂｘを打ち消す磁場Ｂ１を発生させ、磁気検出素子１０に印加する。またコイル１２は、金属配線の材料、断面積および配線長さに応じた抵抗値Ｒ１を有しており、この抵抗値Ｒ１は環境温度が変化することに伴って変動する。

抵抗体１３は、コイル１２と同様、半導体基板上に形成されるものであり、例えばコイル１２の抵抗値Ｒ１のＭ倍（ただし、Ｍ≧１）の抵抗値Ｒ２となるように形成されている。つまり、コイル１２と抵抗体１３との抵抗比は、Ｒ１：Ｒ２＝１：Ｍとなる。尚、Ｍの値は１０以上であることが好ましい。この抵抗体１３の一端は、アンプ１１の出力端子（出力回路２０の出力端子）に接続されており、コイル１２の一端とも繋がっている。また抵抗体１３の他端は、ＩＶ変換回路１４に接続されている。したがって、アンプ１１がコイル１２に対してコイル電流Ｉcoilを出力すると、抵抗体１３には、コイル電流Ｉcoilの１／Ｍに相当する出力電流Ｉoutが流れるようになる。すなわち、アンプ１１は、コイル１２に対して磁気検出素子１０によって検出される外部磁場Ｂｘに応じたコイル電流Ｉcoilを出力すると共に、抵抗体１３に対してコイル電流Ｉcoilの１／Ｍの出力電流Ｉoutを出力する。

この抵抗体１３は、半導体基板上においてコイル１２の近傍位置に設けられ、コイル１２と同一の金属材料を配線して構成される。図３は、半導体基板上におけるコイル１２と抵抗体１３との形成パターンの一例を示す図である。図３（ａ）に示すように、コイル１２及び抵抗体１３は、多層構造を有する半導体基板９の特定の金属配線層に形成される。コイル１２は、第１コイル１２ａと第２コイル１２ｂの２つのコイルで構成される。第１コイル１２ａは、第１接点Ｐ１から第２接点Ｐ２まで右回りで漸次内側に向かっていく渦巻き状の金属配線パターンによって構成され、第２コイル１２ｂは、第３接点Ｐ３から第４接点Ｐ４まで左回りで漸次外側に向かっていく渦巻き状の金属配線パターンによって構成される。第２接点Ｐ２と第３接点Ｐ３とは、コンタクトホールなどを介して別の金属配線層に形成される金属配線２４に接続されており、この金属配線２４を介して互いに導通している。また第１接点Ｐ１はアンプ１１の出力端子に接続されており、第４接点Ｐ４は基準電位に接続される。

したがって、アンプ１１によってコイル１２にコイル電流Ｉcoilが流れると、そのコイル電流Ｉcoilは、第２接点Ｐ２と第３接点Ｐ３との間の領域ＡＲにおいて同一方向に流れる電流となり、当該領域ＡＲの上方若しくは下方に一定方向の磁場Ｂ１を発生させる。本実施形態では、図３（ｂ）に示すように、そのような領域ＡＲの上方若しくは下方においてコイル１２に近接した位置に磁気検出素子１０が設けられ、コイル１２で発生する一定方向の磁場Ｂ１を磁気検出素子１０に対して均一に印加できる構成となっている。ただし、コイル１２は、必ずしも２つのコイル１２ａ，１２ｂを備えたものに限られず、１つのコイルで構成されたものであっても構わない。

一方、抵抗体１３は、第１コイル１２ａ及び第２コイル１２ｂで構成されるコイル１２に隣接した位置にコイル１２と同じ金属材料を用いて形成された金属配線パターンによって構成される。ただし、この抵抗体１３は、通電により磁場を発生させないように配線されており、例えば図３（ａ）に示すように、第５接点Ｐ５から第６接点Ｐ６までコイル１２と同じ金属材料を矩形波状に偶数本の並列な配線を折り返した状態に配線して形成される。ここで抵抗体１３の配線パターンとして偶数本の並列な配線を折り返す理由は、各並列な配線の個々の配線パターンにより発生する磁場をそれに隣接する別の個々の配線パターンにより発生する磁場で打ち消すためである。すなわち、図３（ｃ）に示すように、並列に配線された偶数本の各配線パターンでは、互いに隣接する２つの配線パターンにおいてそれぞれ逆方向に電流が流れる。そのため、１つの配線パターンに電流が流れることによって発生する磁場は、それに隣接する他の配線パターンに電流が流れることによって発生する磁場により打ち消される。そして並列に配線する配線パターンの数を偶数本にすることにより、抵抗体１３全体として、外部に磁場を生じさせないようにしている。

また抵抗体１３は、配線幅をコイル１２よりも小さくしたり、或いは、配線長をコイル１２よりも長くしたりすることにより、コイル１２の抵抗値Ｒ１に対してＭ倍の抵抗値Ｒ２となるように予め設計される。また配線幅や配線長を調整するだけでなく、金属配線の膜厚をコイル１２よりも薄く形成することにより、コイル１２と抵抗体１３との抵抗比を１：Ｍとなるように調整しても良い。

このようにコイル１２と同じ半導体基板９に形成される抵抗体１３は、コイル１２と同じ金属材料を用いた金属配線により構成されるため、抵抗体１３の温度特性とコイル１２の温度特性とは互いに同じ特性を示すものとなる。すなわち、温度変化によってコイル１２の抵抗値Ｒ１が変化するときには、抵抗体１３の抵抗値Ｒ２もコイル１２の抵抗値Ｒ１と同じ割合で変化するようになる。その結果、環境温度がどのような温度に変化しても、コイル１２と抵抗体１３との抵抗比が１：Ｍに保持されるようになる。

図２に戻り、ＩＶ変換回路１４は、抵抗体１３に流れる電流を検知することにより、コイル１２に流れるコイル電流Ｉcoilを検出する検出回路である。このＩＶ変換回路１４は、抵抗１５とオペアンプ１６とを備えており、抵抗体１３に流れる電流Ｉoutを抵抗１５に流してＩＶ変換を行うように構成される。すなわち、抵抗１５の抵抗値をＲ３とすると、ＩＶ変換回路１４の出力Ｖoutは、Ｖout＝−Ｒ３・Ｉoutとなる。

抵抗１５は、温度変化に対する抵抗値変化が所定値よりも小さな低温度感度のポリシリコンを選択して半導体基板９に形成した抵抗である。そのため、抵抗体１３と比較して抵抗１５の面積をかなり小さなサイズに形成できる。また仮に環境温度が変化した場合であっても、抵抗１５の抵抗値Ｒ３をあまり変化させないように構成できる。それ故、どのような温度環境下で使用される場合であっても、ＩＶ変換回路１４の出力Ｖoutは、Ｖout＝−Ｒ３・Ｉoutとなる。ここで、抵抗体１３に流れる電流Ｉoutは、Ｉout＝（１／Ｍ）・Ｉcoilであるから、ＩＶ変換回路１４の出力Ｖoutは、Ｖout＝−（Ｒ３／Ｍ）・Ｉcoilとなる。したがって、図２（ｂ）に示す電流検知回路４は、回路構成を複雑にすることなく、コイル１２に流れる電流Ｉcoilを正確に検知することができるという利点がある。

特に本実施形態では、コイル１２と抵抗体１３とが半導体基板９において互いに近傍位置に設けられており、同一の温度条件下で動作する。加えて、コイル１２と抵抗体１３とは互いに同一の金属材料によって構成されるため、上述したように抵抗値に関する温度特性が同一である。そのため、環境温度が変化した場合であっても、コイル１２の抵抗値Ｒ１と、抵抗体１３の抵抗値Ｒ２との関係が１：Ｍからずれることはなく、どのような温度環境下においても抵抗体１３に流れる電流Ｉoutをコイル電流Ｉcoilの１／Ｍ倍に保持することができる。それ故、上述したＶout＝−（Ｒ３／Ｍ）・Ｉcoilが常に成立し、ＩＶ変換回路１４の出力Ｖoutに基づいて、コイル１２に流れる電流Ｉcoilを常に正確に検知することができるという利点がある。

またＩＶ変換回路１４の出力Ｖoutは、磁気検出素子１０が検知する外部磁場Ｂｘに応じた出力信号となる。そのため、出力Ｖoutに基づいて外部磁場Ｂｘ（および、磁場Ｂ）を常に正確に検知することも可能である。したがって、磁気検出装置３は、磁気検出素子１０に作用する外部磁場Ｂｘ（および、磁場Ｂ）を常に正確に検知することが可能である。

またＩＶ変換回路１４の出力Ｖoutは、バスバー２に流れる電流Ｉに応じた出力信号となる。そのため、出力Ｖoutに基づいてバスバー２に流れる電流Ｉを常に正確に検知することも可能である。それ故、本実施形態の磁気検出装置３は、電流検出デバイス１においてバスバー２に流れる電流Ｉを検知する電流検知センサーとしても利用可能である。

さらに本実施形態では、コイル１２と抵抗体１３が同じ金属材料であり、抵抗比１：Ｍが温度によらずに保たれている。したがって、コイル電流Ｉcoilの１／Ｍ倍の電流を別途生成するためのレプリカ回路を設ける必要がない。そのため、図４の回路構成と比較すると、本実施形態の回路構成は更に簡単なものとなり、回路規模を大幅に縮小化できるという利点もあり、電流検知回路４及びそれを備えた磁気検出装置３の大幅な小型化を実現することも可能である。

以上のように本実施形態の電流検知回路４は、半導体基板９に金属配線で構成されたコイル１２と、その半導体基板９においてコイル１２の近傍位置に設けられ、コイル１２と同一の金属材料を配線して構成され、通電により磁場を発生させないように配線された抵抗体１３とを有しており、コイル１２と抵抗体１３との抵抗値に関する温度特性が同一であり、温度変化によってコイル１２と抵抗体１３との抵抗比が変化しないように構成されている。そして出力回路２０がコイル１２と抵抗体１３のそれぞれに対してコイル１２と抵抗体１３との抵抗比に応じた電流Ｉcoil，Ｉoutを出力し、ＩＶ変換回路１４が抵抗体１３に流れる電流Ｉoutを検知することにより、コイル１２に流れる電流Ｉcoilを常時正確に検出することが可能になる。

また抵抗体１３の抵抗値Ｒ２を、コイル１２の抵抗値Ｒ１よりも大きな値とすることにより、抵抗体１３に流れる電流Ｉoutを、コイル１２に流れる電流Ｉcoilよりも小さくすることができる。その結果、コイル電流Ｉcoilを検知するための出力電流Ｉoutを小さくすることができるので、電流検知回路４における消費電力を抑えることが可能である。

また本実施形態の磁気検出装置３は、磁気検出素子１０の近傍にコイル１２が配置されており、アンプ１１の出力回路２０が磁気検出素子１０で検知される外部磁場Ｂｘを打ち消すような磁場Ｂ１を発生させるためのコイル電流Ｉcoilをコイル１２に流すように構成される。そして検出回路であるＩＶ変換回路１４は、抵抗体１３に流れる電流Ｉoutを検知することによって外部磁場Ｂｘに応じた磁気信号（電流若しくは電圧）を常時正確に出力することができる構成となっている。

以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上述したものに限定されるものではなく、種々の変形例が適用可能である。例えば、上記実施形態では、抵抗体１３に流れる電流Ｉoutを検知する検出回路として、抵抗１５とオペアンプ１６とを備えたＩＶ変換回路１４を例示した。しかし、抵抗体１３に流れる電流Ｉoutを検知する検出回路は、上述したＩＶ変換回路１４に限られず、他の任意の回路を採用しても良い。

３…磁気検出装置、４…電流検知回路、９…半導体基板、１０…磁気検出素子、１１…アンプ、１２…コイル、１３…抵抗体、１４…ＩＶ変換回路（検出回路）、２０…出力回路

Claims (4)

1. 半導体基板上の金属配線で構成されるコイルと、
   前記半導体基板上において前記コイルの近傍位置に設けられ、前記コイルと同一の金属材料を配線して構成され、通電により磁場を発生させないように配線された抵抗体と、
   前記コイルの一端と前記抵抗体の一端とが互いに接続された共通端子を介して前記コイルと前記抵抗体とのそれぞれに対し、前記コイルと前記抵抗体との抵抗比に応じた電流を出力する出力回路と、
   前記抵抗体に流れる電流を検知することにより、前記コイルに流れる電流を検出する検出回路と、
   を備えることを特徴とする電流検知回路。
2. 前記抵抗体は、前記コイルの近傍位置において前記コイルと同一の金属材料を偶数本並列に配線して形成されることを特徴とする請求項１に記載の電流検知回路。
3. 前記抵抗体は、前記コイルよりも大きい抵抗値を有し、
   前記抵抗体に流れる電流は、前記コイルに流れる電流よりも小さいことを特徴とする請求項１又は２に記載の電流検知回路。
4. 請求項１乃至３のいずれかに記載の電流検知回路と、
   外部磁場を検知する磁気検出手段と、
   を備え、
   前記コイルは、前記磁気検出手段の近傍に配置され、
   前記出力回路は、前記磁気検出手段で検知される外部磁場を打ち消す磁場を発生させるための電流を前記コイルに流し、
   前記検出回路は、前記抵抗体に流れる電流を検知することによって外部磁場に応じた電流若しくは電圧を出力することを特徴とする磁気検出装置。

Images