JP6033358B2 - 気孔直径の多峰性分布をもつ研磨パッド - Google Patents
気孔直径の多峰性分布をもつ研磨パッド Download PDFInfo
- Publication number
- JP6033358B2 JP6033358B2 JP2015088319A JP2015088319A JP6033358B2 JP 6033358 B2 JP6033358 B2 JP 6033358B2 JP 2015088319 A JP2015088319 A JP 2015088319A JP 2015088319 A JP2015088319 A JP 2015088319A JP 6033358 B2 JP6033358 B2 JP 6033358B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing pad
- polishing
- closed cell
- distribution
- diameter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 241
- 239000011148 porous material Substances 0.000 title claims description 138
- 238000009826 distribution Methods 0.000 title claims description 121
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 49
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 39
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 39
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 39
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 35
- 230000002902 bimodal effect Effects 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 21
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 17
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims description 7
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 claims description 7
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 21
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 239000003361 porogen Substances 0.000 description 8
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- -1 aromatic diamine compound Chemical class 0.000 description 6
- 239000012948 isocyanate Substances 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 150000002513 isocyanates Chemical class 0.000 description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- QCCDYNYSHILRDG-UHFFFAOYSA-K cerium(3+);trifluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[Ce+3] QCCDYNYSHILRDG-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 2
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N molybdenum disulfide Chemical compound S=[Mo]=S CWQXQMHSOZUFJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- NYPFJVOIAWPAAV-UHFFFAOYSA-N sulfanylideneniobium Chemical compound [Nb]=S NYPFJVOIAWPAAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 239000000454 talc Substances 0.000 description 2
- 229910052623 talc Inorganic materials 0.000 description 2
- FAWYJKSBSAKOFP-UHFFFAOYSA-N tantalum(iv) sulfide Chemical compound S=[Ta]=S FAWYJKSBSAKOFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N tungsten disulfide Chemical compound S=[W]=S ITRNXVSDJBHYNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011437 Amygdalus communis Nutrition 0.000 description 1
- 241000220304 Prunus dulcis Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000020224 almond Nutrition 0.000 description 1
- 125000006157 aromatic diamine group Chemical group 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000009415 formwork Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 239000004848 polyfunctional curative Substances 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/11—Lapping tools
- B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
- B24B37/26—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Manufacture Of Porous Articles, And Recovery And Treatment Of Waste Products (AREA)
Description
本出願は、2010年10月15日に出願された米国仮特許出願第61/393,746号の利益を主張し、この出願の全内容は本明細書において参照として援用される。
本発明の実施形態は、化学機械研磨(CMP)、特に、気孔直径の多峰性分布をもつ研磨パッドの分野のものである。
一般にCMPと略される化学機械平坦化または化学機械研磨は、半導体ウェハまたは他の基板を平坦化するために半導体製造で使用される技法である。
本発明は、例えば、以下を提供する。
(項目1)
半導体基板を研磨するための研磨パッドであって、
熱硬化性ポリウレタン材料と、
上記熱硬化性ポリウレタン材料中に配置され、直径の多峰性分布を有する複数の独立気泡孔と
を含む、均質研磨体
を含む、研磨パッド。
(項目2)
上記独立気泡孔の各々が物理的シェルを含む、項目1に記載の研磨パッド。
(項目3)
上記直径の多峰性分布が小直径モードと大直径モードとを含む直径の二峰性分布である、項目1に記載の研磨パッド。
(項目4)
上記大直径モードの最大占有率の直径値が、上記小直径モードの最大占有率の直径値の約2倍である、項目3に記載の研磨パッド。
(項目5)
上記大直径モードの上記最大占有率の上記直径値が約40ミクロンであり、上記小直径モードの上記最大占有率の上記直径値が約20ミクロンである、項目4に記載の研磨パッド。
(項目6)
上記大直径モードの上記最大占有率の上記直径値が約80ミクロンであり、上記小直径モードの上記最大占有率の上記直径値が約40ミクロンである、項目4に記載の研磨パッド。
(項目7)
上記大直径モードの上記最大占有率の上記直径値が、上記小直径モードの上記最大占有率の上記直径値よりも約4倍大きい、項目3に記載の研磨パッド。
(項目8)
上記大直径モードの上記最大占有率の上記直径値が約80ミクロンであり、上記小直径モードの上記最大占有率の上記直径値が約20ミクロンである、項目7に記載の研磨パッド。
(項目9)
上記小直径モードの上記独立気泡孔の上記最大占有率の上記直径が、高度に均一な研磨スラリー分布を上記研磨パッドの研磨面に与えるのに好適であり、上記大直径モードの上記独立気泡孔の上記最大占有率の上記直径が、上記小直径モードの上記独立気泡孔で使用するための研磨スラリーを貯蔵するための貯蔵所を提供するのに好適である、項目3に記載の研磨パッド。
(項目10)
上記小直径モードの上記独立気泡孔の上記最大占有率の上記直径が、高度に均一な研磨スラリー分布を上記研磨パッドの研磨面に与えるのに好適であり、上記大直径モードの上記独立気泡孔の上記最大占有率の上記直径が、上記研磨パッドの調節の間ダイヤモンドチップを受け入れるための場所を提供するのに好適である、項目3に記載の研磨パッド。
(項目11)
上記小直径モードの上記独立気泡孔の上記最大占有率の上記直径が、研磨プロセスの間、不十分なヒートシンクをもたらし、上記大直径モードの上記独立気泡孔の上記最大占有率の上記直径が、研磨プロセスの間、過大なヒートシンクをもたらすのに好適であり、上記小直径モードの上記独立気泡孔と上記大直径モードの上記独立気泡孔との組合せが、上記研磨プロセスの間、熱的安定性をもたらすのに好適である。項目3に記載の研磨パッド。
(項目12)
上記大直径モードの占有率が上記小直径モードの占有率と部分的に重なる、項目3に記載の研磨パッド。
(項目13)
上記大直径モードの上記占有率が上記小直径モードの上記占有率との重なりを実質的に有しない、項目3に記載の研磨パッド。
(項目14)
上記大直径モードの全占有率が上記小直径モードの全占有率に等しくない、項目3に記載の研磨パッド。
(項目15)
上記大直径モードの上記全占有率が上記小直径モードの上記全占有率にほぼ等しい、項目3に記載の研磨パッド。
(項目16)
上記直径の多峰性分布が、小直径モード、中直径モード、および大直径モードを含む三峰性分布の直径である、項目1に記載の研磨パッド。
(項目17)
上記大直径モードの上記最大占有率の上記直径値が約80ミクロンであり、上記中直径モードの最大占有率の直径値が約40ミクロンであり、上記小直径モードの上記最大占有率の上記直径値が約20ミクロンである、項目16に記載の研磨パッド。
(項目18)
上記直径の多峰性分布が、上記熱硬化性ポリウレタン材料の全体にわたって実質的に均等に分配される、項目1に記載の研磨パッド。
(項目19)
上記均質研磨体が、
第1の溝付き面と、
上記第1の面の反対側の第2の平面であり、上記直径の多峰性分布が、上記熱硬化性ポリウレタン材料の全体にわたり上記第1の溝付き面から上記第2の平面までの傾斜を伴って傾斜化される、第2の平面と
をさらに含む、項目1に記載の研磨パッド。
(項目20)
上記直径の多峰性分布が、上記第1の溝付き面の近傍で小直径モードを含み、上記第2の平面の近傍で大直径モードを含む、直径の二峰性分布である、項目19に記載の研磨パッド。
(項目21)
上記均質研磨体が成形均質研磨体である、項目1に記載の研磨パッド。
(項目22)
上記均質研磨体が、上記均質研磨体の全体にわたってほぼ均等に分配された不透明潤滑剤をさらに含む、項目1に記載の研磨パッド。
(項目23)
上記均質研磨体中に配置され、共有結合された局所区域透明(LAT)領域をさらに含む、項目1に記載の研磨パッド。
(項目24)
半導体基板を研磨するための研磨パッドを製造する方法であって、
形成型枠中に混合物を形成するためにプレポリマーと硬化剤とを混合する工程と、
熱硬化性ポリウレタン材料と、上記熱硬化性ポリウレタン材料中に配置された複数の独立気泡孔とを含む成形均質研磨体を提供するために上記混合物を硬化させる工程であって、上記複数の独立気泡孔が直径の多峰性分布を有する、工程と
を含む、方法。
(項目25)
上記混合する工程が、各々が物理的シェルを有する上記独立気泡孔を提供するために複数のポロゲンを上記プレポリマーおよび上記硬化剤に添加する工程をさらに含む、項目24に記載の方法。
(項目26)
上記混合する工程が、各々が物理的シェルを有しない上記独立気泡孔を提供するために上記プレポリマーおよび上記硬化剤に、またはそこから形成された生成物にガスを注入する工程をさらに含む、項目24に記載の方法。
(項目27)
上記混合する工程が、各々が物理的シェルを有する上記独立気泡孔の第1の部分を提供するために複数のポロゲンを上記プレポリマーおよび上記硬化剤に添加する工程をさらに含み、上記混合する工程が、各々が物理的シェルを有しない上記独立気泡孔の第2の部分を提供するために上記プレポリマーおよび上記硬化剤に、またはそこから形成された生成物にガスを注入する工程をさらに含む、項目24に記載の方法。
(項目28)
上記プレポリマーがイソシアネートであり、上記混合する工程が、各々が物理的シェルを有しない上記独立気泡孔を提供するために上記プレポリマーおよび上記硬化剤に水を添加する工程をさらに含む、項目24に記載の方法。
(項目29)
上記混合物を硬化させる工程が、上記熱硬化性ポリウレタン材料の全体にわたって上記直径の多峰性分布を実質的に均等に分配する工程を含む、項目24に記載の方法。
(項目30)
上記成形均質研磨体が、第1の溝付き面と、上記第1の面の反対側の第2の平面とをさらに含み、上記混合物を硬化させる工程が、上記直径の多峰性分布を、上記熱硬化性ポリウレタン材料の全体にわたり上記第1の溝付き面から上記第2の平面までの傾斜を伴って傾斜化させる工程を含む、項目24に記載の方法。
(項目31)
上記直径の多峰性分布が、上記第1の溝付き面の近傍で小直径モードを含み、上記第2の平面の近傍で大直径モードを含む、直径の二峰性分布である、項目30に記載の方法。
(項目32)
上記プレポリマーと上記硬化剤とを混合する工程が、それぞれ、イソシアネートと芳香族ジアミン化合物とを混合する工程を含む、項目24に記載の方法。
(項目33)
上記混合する工程が、不透明成形均質研磨体を提供するために不透明潤滑剤を上記プレポリマーおよび上記硬化剤に添加する工程をさらに含む、項目24に記載の方法。
(項目34)
上記混合物を硬化させる工程が、先ず上記形成型枠中で部分的に硬化させる工程と、次に炉中でさらに硬化させる工程とを含む、項目24に記載の方法。
Claims (7)
- 半導体基板を研磨するための研磨パッドであって、
均質研磨体であって、前記均質研磨体は、第1の溝付き面と、前記第1の面の反対側の第2の平面とを有し、前記均質研磨体は、
熱硬化性ポリウレタン材料と、
前記熱硬化性ポリウレタン材料中に配置され、直径の多峰性分布を有する複数の独立気泡孔であって、前記直径の多峰性分布のモードのうちの少なくとも一つの前記独立気泡孔の各々が、前記熱硬化性ポリウレタン材料とは異なる物理的シェルを含み、前記直径の多峰性分布は、前記第1の溝付き面の近傍で小直径モードが優勢であり、かつ、前記第2の平面の近傍で大直径モードが優勢である、直径の二峰性分布である、独立気泡孔と
を含む、均質研磨体
を含む、研磨パッドであって、
ここで、前記均質研磨体が、前記均質研磨体の全体にわたってほぼ均等に分配された不透明潤滑剤をさらに含む、研磨パッド。 - 前記直径の多峰性分布のモードのうちの全ての前記独立気泡孔の各々が、前記熱硬化性ポリウレタン材料とは異なる物理的シェルを含む、請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記大直径モードの最大占有率の直径値が、前記小直径モードの最大占有率の直径値の約2倍である、請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記小直径モードの前記独立気泡孔の前記最大占有率の前記直径が、高度に均一な研磨スラリー分布を前記研磨パッドの研磨面に与えるのに好適であり、前記大直径モードの前記独立気泡孔の前記最大占有率の前記直径が、前記小直径モードの前記独立気泡孔で使用するための研磨スラリーを貯蔵するための貯蔵所を提供するのに好適である、請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記小直径モードの前記独立気泡孔の前記最大占有率の前記直径が、高度に均一な研磨スラリー分布を前記研磨パッドの研磨面に与えるのに好適であり、前記大直径モードの前記独立気泡孔の前記最大占有率の前記直径が、前記研磨パッドの調節の間ダイヤモンドチップを受け入れるための場所を提供するのに好適である、請求項1に記載の研磨パッド。
- 小直径気孔は、小さすぎるので放熱に応じることができず、その一方で、大直径気孔は、研磨プロセスの間、過剰な放熱に応じることになり、前記小直径モードの前記独立気泡孔と前記大直径モードの前記独立気泡孔との組合せが、前記研磨プロセスの間、熱的安定性をもたらすのに好適である、請求項1に記載の研磨パッド。
- 前記均質研磨体中に配置され、共有結合された局所区域透明(LAT)領域をさらに含む、請求項1に記載の研磨パッド。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US39374610P | 2010-10-15 | 2010-10-15 | |
US61/393,746 | 2010-10-15 | ||
US12/979,123 US8702479B2 (en) | 2010-10-15 | 2010-12-27 | Polishing pad with multi-modal distribution of pore diameters |
US12/979,123 | 2010-12-27 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013533944A Division JP5856622B2 (ja) | 2010-10-15 | 2011-10-11 | 気孔直径の多峰性分布をもつ研磨パッド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015181173A JP2015181173A (ja) | 2015-10-15 |
JP6033358B2 true JP6033358B2 (ja) | 2016-11-30 |
Family
ID=45934559
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013533944A Active JP5856622B2 (ja) | 2010-10-15 | 2011-10-11 | 気孔直径の多峰性分布をもつ研磨パッド |
JP2015088319A Active JP6033358B2 (ja) | 2010-10-15 | 2015-04-23 | 気孔直径の多峰性分布をもつ研磨パッド |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013533944A Active JP5856622B2 (ja) | 2010-10-15 | 2011-10-11 | 気孔直径の多峰性分布をもつ研磨パッド |
Country Status (10)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8702479B2 (ja) |
EP (1) | EP2627478B8 (ja) |
JP (2) | JP5856622B2 (ja) |
KR (3) | KR101584277B1 (ja) |
CN (1) | CN103153540B (ja) |
IL (1) | IL225390A (ja) |
MY (1) | MY167541A (ja) |
SG (1) | SG189053A1 (ja) |
TW (2) | TWI533368B (ja) |
WO (1) | WO2012051197A1 (ja) |
Families Citing this family (53)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8702479B2 (en) | 2010-10-15 | 2014-04-22 | Nexplanar Corporation | Polishing pad with multi-modal distribution of pore diameters |
US8968058B2 (en) | 2011-05-05 | 2015-03-03 | Nexplanar Corporation | Polishing pad with alignment feature |
KR20130095430A (ko) * | 2012-02-20 | 2013-08-28 | 케이피엑스케미칼 주식회사 | 연마패드 및 그 제조방법 |
TWI626120B (zh) * | 2013-01-21 | 2018-06-11 | 智勝科技股份有限公司 | 研磨墊 |
TWI626119B (zh) * | 2013-01-21 | 2018-06-11 | 智勝科技股份有限公司 | 切割裝置、研磨墊的製造方法 |
US9649742B2 (en) | 2013-01-22 | 2017-05-16 | Nexplanar Corporation | Polishing pad having polishing surface with continuous protrusions |
US20150038066A1 (en) * | 2013-07-31 | 2015-02-05 | Nexplanar Corporation | Low density polishing pad |
US9238294B2 (en) * | 2014-06-18 | 2016-01-19 | Nexplanar Corporation | Polishing pad having porogens with liquid filler |
US9873180B2 (en) | 2014-10-17 | 2018-01-23 | Applied Materials, Inc. | CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes |
US10875145B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads produced by an additive manufacturing process |
US11745302B2 (en) | 2014-10-17 | 2023-09-05 | Applied Materials, Inc. | Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process |
US10875153B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-12-29 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pad materials and formulations |
US9776361B2 (en) | 2014-10-17 | 2017-10-03 | Applied Materials, Inc. | Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles |
US10399201B2 (en) | 2014-10-17 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pads having compositional gradients by use of an additive manufacturing process |
US10821573B2 (en) | 2014-10-17 | 2020-11-03 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads produced by an additive manufacturing process |
KR102295988B1 (ko) | 2014-10-17 | 2021-09-01 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 애디티브 제조 프로세스들을 이용한 복합 재료 특성들을 갖는 cmp 패드 구성 |
US10946495B2 (en) * | 2015-01-30 | 2021-03-16 | Cmc Materials, Inc. | Low density polishing pad |
US9630293B2 (en) * | 2015-06-26 | 2017-04-25 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Chemical mechanical polishing pad composite polishing layer formulation |
JP2017064891A (ja) * | 2015-10-02 | 2017-04-06 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド |
WO2017074773A1 (en) | 2015-10-30 | 2017-05-04 | Applied Materials, Inc. | An apparatus and method of forming a polishing article that has a desired zeta potential |
US10593574B2 (en) | 2015-11-06 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables |
US10391605B2 (en) | 2016-01-19 | 2019-08-27 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process |
CN117283450A (zh) * | 2016-01-19 | 2023-12-26 | 应用材料公司 | 多孔化学机械抛光垫 |
JP6818489B2 (ja) * | 2016-09-30 | 2021-01-20 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド及びその製造方法 |
KR101853021B1 (ko) | 2017-01-12 | 2018-04-30 | 에스케이씨 주식회사 | 다공성 폴리우레탄 연마패드 및 이의 제조방법 |
US10596763B2 (en) | 2017-04-21 | 2020-03-24 | Applied Materials, Inc. | Additive manufacturing with array of energy sources |
KR101835090B1 (ko) * | 2017-05-29 | 2018-03-06 | 에스케이씨 주식회사 | 다공성 폴리우레탄 연마패드 및 이를 사용하여 반도체 소자를 제조하는 방법 |
KR101835087B1 (ko) * | 2017-05-29 | 2018-03-06 | 에스케이씨 주식회사 | 다공성 폴리우레탄 연마패드 및 이를 사용하여 반도체 소자를 제조하는 방법 |
US11471999B2 (en) | 2017-07-26 | 2022-10-18 | Applied Materials, Inc. | Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods |
US11072050B2 (en) | 2017-08-04 | 2021-07-27 | Applied Materials, Inc. | Polishing pad with window and manufacturing methods thereof |
WO2019032286A1 (en) | 2017-08-07 | 2019-02-14 | Applied Materials, Inc. | ABRASIVE DISTRIBUTION POLISHING PADS AND METHODS OF MAKING SAME |
KR101949905B1 (ko) * | 2017-08-23 | 2019-02-19 | 에스케이씨 주식회사 | 다공성 폴리우레탄 연마패드 및 이의 제조방법 |
KR102088919B1 (ko) * | 2017-09-11 | 2020-03-13 | 에스케이씨 주식회사 | 다공성 폴리우레탄 연마패드 및 이의 제조방법 |
WO2019050365A1 (ko) * | 2017-09-11 | 2019-03-14 | 에스케이씨 주식회사 | 다공성 폴리우레탄 연마패드 및 이의 제조방법 |
KR101949911B1 (ko) * | 2017-09-11 | 2019-02-19 | 에스케이씨 주식회사 | 다공성 폴리우레탄 연마패드 및 이의 제조방법 |
KR102054309B1 (ko) | 2018-04-17 | 2019-12-10 | 에스케이씨 주식회사 | 다공성 연마 패드 및 이의 제조방법 |
WO2020050932A1 (en) | 2018-09-04 | 2020-03-12 | Applied Materials, Inc. | Formulations for advanced polishing pads |
CN113614196B (zh) * | 2019-01-31 | 2023-09-29 | 普瑞恩有限公司 | 用于抛光硬质基材的多峰金刚石磨料包或浆料 |
US11851570B2 (en) | 2019-04-12 | 2023-12-26 | Applied Materials, Inc. | Anionic polishing pads formed by printing processes |
TWI738323B (zh) * | 2019-05-07 | 2021-09-01 | 美商Cmc材料股份有限公司 | 化學機械拋光墊及化學機械拋光晶圓之方法 |
KR102293781B1 (ko) | 2019-11-11 | 2021-08-25 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 연마패드, 이의 제조방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
KR102293765B1 (ko) * | 2019-11-21 | 2021-08-26 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 연마패드, 이의 제조방법, 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
US11813712B2 (en) | 2019-12-20 | 2023-11-14 | Applied Materials, Inc. | Polishing pads having selectively arranged porosity |
US11806829B2 (en) | 2020-06-19 | 2023-11-07 | Applied Materials, Inc. | Advanced polishing pads and related polishing pad manufacturing methods |
KR102415203B1 (ko) | 2020-08-24 | 2022-06-30 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 연마패드 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
KR102413115B1 (ko) | 2020-08-24 | 2022-06-24 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 연마패드 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
KR102237346B1 (ko) | 2020-08-24 | 2021-04-07 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 연마패드 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
US20220059401A1 (en) | 2020-08-24 | 2022-02-24 | Skc Solmics Co., Ltd. | Polishing pad and method for preparing semiconductor device using the same |
KR102410612B1 (ko) | 2020-08-24 | 2022-06-20 | 에스케이씨솔믹스 주식회사 | 연마패드 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조방법 |
US11878389B2 (en) | 2021-02-10 | 2024-01-23 | Applied Materials, Inc. | Structures formed using an additive manufacturing process for regenerating surface texture in situ |
CN113183008B (zh) * | 2021-03-31 | 2022-11-25 | 安徽禾臣新材料有限公司 | 一种多孔聚氨酯抛光垫及其抛光垫凹部成型方法 |
KR20240029288A (ko) | 2022-08-26 | 2024-03-05 | 에스케이엔펄스 주식회사 | 연마시트의 제조방법 및 이를 이용한 연마패드의 제조방법 |
CN115368652B (zh) * | 2022-10-24 | 2023-01-24 | 北京中科海势科技有限公司 | 一种轻薄保暖调温改性聚合物气凝胶复合材料及其制备方法 |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
MY114512A (en) * | 1992-08-19 | 2002-11-30 | Rodel Inc | Polymeric substrate with polymeric microelements |
US6126532A (en) * | 1997-04-18 | 2000-10-03 | Cabot Corporation | Polishing pads for a semiconductor substrate |
US6231942B1 (en) * | 1998-01-21 | 2001-05-15 | Trexel, Inc. | Method and apparatus for microcellular polypropylene extrusion, and polypropylene articles produced thereby |
JPH11322877A (ja) | 1998-05-12 | 1999-11-26 | Dainippon Ink & Chem Inc | 微細泡含有成形物の製造方法及び微細泡含有成形物用ウレタン樹脂組成物 |
JP2000344902A (ja) * | 1999-06-04 | 2000-12-12 | Fuji Spinning Co Ltd | 研磨パッド用ウレタン成形物の製造法及び研磨パッド用ウレタン成形物 |
JP2003131001A (ja) | 2001-05-25 | 2003-05-08 | Shipley Co Llc | 多孔性光学物質 |
JP2003062748A (ja) * | 2001-08-24 | 2003-03-05 | Inoac Corp | 研磨用パッド |
US20050276967A1 (en) * | 2002-05-23 | 2005-12-15 | Cabot Microelectronics Corporation | Surface textured microporous polishing pads |
US6913517B2 (en) * | 2002-05-23 | 2005-07-05 | Cabot Microelectronics Corporation | Microporous polishing pads |
US7025668B2 (en) | 2002-06-18 | 2006-04-11 | Raytech Innovative Solutions, Llc | Gradient polishing pad made from paper-making fibers for use in chemical/mechanical planarization of wafers |
JP4659338B2 (ja) * | 2003-02-12 | 2011-03-30 | Hoya株式会社 | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法並びにそれに使用する研磨パッド |
US7704125B2 (en) * | 2003-03-24 | 2010-04-27 | Nexplanar Corporation | Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof |
JP4555559B2 (ja) * | 2003-11-25 | 2010-10-06 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨布及び研磨布の製造方法 |
US20050171224A1 (en) | 2004-02-03 | 2005-08-04 | Kulp Mary J. | Polyurethane polishing pad |
US7195544B2 (en) | 2004-03-23 | 2007-03-27 | Cabot Microelectronics Corporation | CMP porous pad with component-filled pores |
JP2005335028A (ja) * | 2004-05-28 | 2005-12-08 | Filwel:Kk | 精密研磨用の研磨布及びその製造方法 |
US8075372B2 (en) * | 2004-09-01 | 2011-12-13 | Cabot Microelectronics Corporation | Polishing pad with microporous regions |
TWI385050B (zh) * | 2005-02-18 | 2013-02-11 | Nexplanar Corp | 用於cmp之特製拋光墊及其製造方法及其用途 |
US7435364B2 (en) | 2005-04-11 | 2008-10-14 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Method for forming a porous polishing pad |
TWI378844B (en) | 2005-08-18 | 2012-12-11 | Rohm & Haas Elect Mat | Polishing pad and method of manufacture |
TW200709892A (en) | 2005-08-18 | 2007-03-16 | Rohm & Haas Elect Mat | Transparent polishing pad |
US8133938B2 (en) | 2005-11-01 | 2012-03-13 | Ppg Industries Ohio, Inc. | Radiation diffraction colorants |
WO2008029538A1 (fr) * | 2006-09-08 | 2008-03-13 | Toyo Tire & Rubber Co., Ltd. | Tampon à polir |
SG177961A1 (en) | 2007-01-15 | 2012-02-28 | Toyo Tire & Rubber Co | Polishing pad and method for producing the same |
JP4986129B2 (ja) | 2007-01-15 | 2012-07-25 | 東洋ゴム工業株式会社 | 研磨パッド |
US8052507B2 (en) | 2007-11-20 | 2011-11-08 | Praxair Technology, Inc. | Damping polyurethane CMP pads with microfillers |
US8684794B2 (en) * | 2008-04-11 | 2014-04-01 | Fns Tech Co., Ltd. | Chemical mechanical planarization pad with void network |
TWI465315B (zh) | 2008-11-12 | 2014-12-21 | Bestac Advanced Material Co Ltd | 可導電之拋光墊及其製造方法 |
KR101186531B1 (ko) | 2009-03-24 | 2012-10-08 | 차윤종 | 폴리우레탄 다공질체의 제조방법과 그 제조방법에 따른 폴리우레탄 다공질체 및 폴리우레탄 다공질체를 구비한 연마패드 |
JP5322730B2 (ja) | 2009-03-30 | 2013-10-23 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド |
US8702479B2 (en) | 2010-10-15 | 2014-04-22 | Nexplanar Corporation | Polishing pad with multi-modal distribution of pore diameters |
JP5687119B2 (ja) | 2011-04-15 | 2015-03-18 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド及びその製造方法 |
JP5687118B2 (ja) | 2011-04-15 | 2015-03-18 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド及びその製造方法 |
JP5945874B2 (ja) | 2011-10-18 | 2016-07-05 | 富士紡ホールディングス株式会社 | 研磨パッド及びその製造方法 |
-
2010
- 2010-12-27 US US12/979,123 patent/US8702479B2/en active Active
-
2011
- 2011-10-11 KR KR1020147024352A patent/KR101584277B1/ko active IP Right Grant
- 2011-10-11 WO PCT/US2011/055796 patent/WO2012051197A1/en active Application Filing
- 2011-10-11 EP EP11773633.0A patent/EP2627478B8/en active Active
- 2011-10-11 SG SG2013021316A patent/SG189053A1/en unknown
- 2011-10-11 CN CN201180049789.4A patent/CN103153540B/zh active Active
- 2011-10-11 KR KR1020137010017A patent/KR20130093121A/ko active Search and Examination
- 2011-10-11 JP JP2013533944A patent/JP5856622B2/ja active Active
- 2011-10-11 MY MYPI2013001300A patent/MY167541A/en unknown
- 2011-10-11 KR KR1020157020203A patent/KR101608901B1/ko active IP Right Grant
- 2011-10-14 TW TW100137387A patent/TWI533368B/zh active
- 2011-10-14 TW TW105103194A patent/TWI591709B/zh active
-
2013
- 2013-03-21 IL IL225390A patent/IL225390A/en active IP Right Grant
-
2014
- 2014-02-19 US US14/183,894 patent/US9555518B2/en active Active
-
2015
- 2015-04-23 JP JP2015088319A patent/JP6033358B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103153540B (zh) | 2016-11-16 |
TWI533368B (zh) | 2016-05-11 |
JP2015181173A (ja) | 2015-10-15 |
KR101584277B1 (ko) | 2016-01-12 |
KR20140112577A (ko) | 2014-09-23 |
TW201620030A (zh) | 2016-06-01 |
TWI591709B (zh) | 2017-07-11 |
IL225390A (en) | 2017-01-31 |
US9555518B2 (en) | 2017-01-31 |
TW201225169A (en) | 2012-06-16 |
KR101608901B1 (ko) | 2016-04-04 |
WO2012051197A1 (en) | 2012-04-19 |
EP2627478B8 (en) | 2017-08-02 |
IL225390A0 (en) | 2013-06-27 |
EP2627478B1 (en) | 2017-05-31 |
JP5856622B2 (ja) | 2016-02-10 |
US20140167305A1 (en) | 2014-06-19 |
SG189053A1 (en) | 2013-05-31 |
MY167541A (en) | 2018-09-05 |
JP2013539927A (ja) | 2013-10-28 |
US20120094586A1 (en) | 2012-04-19 |
CN103153540A (zh) | 2013-06-12 |
EP2627478A1 (en) | 2013-08-21 |
US8702479B2 (en) | 2014-04-22 |
KR20130093121A (ko) | 2013-08-21 |
KR20150092347A (ko) | 2015-08-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6033358B2 (ja) | 気孔直径の多峰性分布をもつ研磨パッド | |
JP6415521B2 (ja) | 低密度研磨パッド | |
JP6309559B2 (ja) | 上に別個の突起を有する均一な本体を有する研磨パッド | |
EP3250343B1 (en) | Low density polishing pad | |
KR102391135B1 (ko) | 액체 충전제를 갖는 포로겐을 갖는 연마 패드 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160608 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160810 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161004 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161025 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6033358 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |