JP5940653B2 - 選択的パッケージ機能のためのマイクロエレクトロニクス基板 - Google Patents
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Description
Claims (10)
- 基板コアと、
前記基板コアの第1表面に形成された第1の配線網と、
前記基板コアの第2表面に形成された第2の配線網と、
前記基板コアの前記第1表面から前記基板コアの前記第2表面まで延在する少なくとも1つの導電ビアであり、前記第1の配線網内の少なくとも1つの導電配線を、前記第2の配線網内の少なくとも1つの導電配線に電気的に接続する少なくとも1つの導電ビアと、
前記第2の配線網内又は上に形成された少なくとも1つの外部コンタクトランドと、
前記少なくとも1つの外部コンタクトランドに取り付けられた少なくとも1つの外部インターコネクトと、
複数のコンタクトランドが画成された第1のコンタクトゾーンであり、該複数のコンタクトランドは前記第1の配線網内又は上に形成されている、第1のコンタクトゾーンと、
複数のコンタクトランドが画成された第2のコンタクトゾーンであり、該複数のコンタクトランドは前記第1の配線網内又は上に形成されている、第2のコンタクトゾーンと
を有し、
前記第1のコンタクトゾーンは、前記第2のコンタクトゾーンの少なくとも一部に重なっており、少なくとも1つのコンタクトランドが、前記第1のコンタクトゾーンの前記複数のコンタクトランドと前記第2のコンタクトゾーンの前記複数のコンタクトランドとの間で共通であり、
前記第1のコンタクトゾーンは、第1のマイクロエレクトロニクスデバイスを取り付けるように適応されており、前記第2のコンタクトゾーンは、前記第1のマイクロエレクトロニクスデバイスとは異なる機能を有する第2のマイクロエレクトロニクスデバイスを取り付けるように適応されている、
基板。 - 前記第1のコンタクトゾーンの前記複数のコンタクトランドのうち、前記第1のコンタクトゾーンの前記複数のコンタクトランドと前記第2のコンタクトゾーンの前記複数のコンタクトランドとの間で共通ではない何れのコンタクトランドも、前記第1のマイクロエレクトロニクスデバイスの動作に専用であり、前記第2のコンタクトゾーンの前記複数のコンタクトランドのうち、前記第1のコンタクトゾーンの前記複数のコンタクトランドと前記第2のコンタクトゾーンの前記複数のコンタクトランドとの間で共通ではない何れのコンタクトランドも、前記第2のマイクロエレクトロニクスデバイスの動作に専用である、請求項1に記載の基板。
- 前記第1のコンタクトゾーンは、前記第1のコンタクトゾーンの前記複数のコンタクトランド内に、前記第2のコンタクトゾーンの前記複数のコンタクトランドより多数のコンタクトランドを有し、且つ前記第1のコンタクトゾーンは、前記第2のコンタクトゾーンの全体に重なっている、請求項1に記載の基板。
- 基板コアと、
前記基板コアの第1表面に形成された第1の配線網と、
前記基板コアの第2表面に形成された第2の配線網と、
前記基板コアの前記第1表面から前記基板コアの前記第2表面まで延在する少なくとも1つの導電ビアであり、前記第1の配線網内の少なくとも1つの導電配線を、前記第2の配線網内の少なくとも1つの導電配線に電気的に接続する少なくとも1つの導電ビアと、
前記第2の配線網内又は上に形成された少なくとも1つの外部コンタクトランドと、
前記少なくとも1つの外部コンタクトランドに取り付けられた少なくとも1つの外部インターコネクトと、
前記第1の配線網内又は上に形成された第1の複数のコンタクトランドと、
前記第1の配線網内又は上に形成された第2の複数のコンタクトランドと
を有し、
前記第1の複数のコンタクトランドのうちの少なくとも1つのコンタクトランドが、前記第2の複数のコンタクトランド内に含まれ、
前記第1の複数のコンタクトランドは、第1のマイクロエレクトロニクスデバイスを取り付けるように適応されており、前記第2の複数のコンタクトランドは、前記第1のマイクロエレクトロニクスデバイスとは異なる機能を有する第2のマイクロエレクトロニクスデバイスを取り付けるように適応されている、
基板。 - 前記第1の複数のコンタクトランドのうち、前記第1の複数のコンタクトランドと前記第2の複数のコンタクトランドとの間で共通ではない何れのコンタクトランドも、前記第1のマイクロエレクトロニクスデバイスの動作に専用であり、前記第2の複数のコンタクトランドのうち、前記第1の複数のコンタクトランドと前記第2の複数のコンタクトランドとの間で共通ではない何れのコンタクトランドも、前記第2のマイクロエレクトロニクスデバイスの動作に専用である、請求項4に記載の基板。
- 前記第1の複数のコンタクトランドは、前記第2の複数のコンタクトランドより多数のコンタクトランドを有し、且つ前記第2の複数のコンタクトランドは、前記第1の複数のコンタクトランドに含まれている、請求項4に記載の基板。
- 基板と、
前記基板に取り付けられた少なくとも1つのマイクロエレクトロニクスデバイスと
を有し、
前記基板は:
基板コアと、
前記基板コアの第1表面に形成された第1の配線網と、
前記基板コアの第2表面に形成された第2の配線網と、
前記基板コアの前記第1表面から前記基板コアの前記第2表面まで延在する少なくとも1つの導電ビアであり、前記第1の配線網内の少なくとも1つの導電配線を、前記第2の配線網内の少なくとも1つの導電配線に電気的に接続する少なくとも1つの導電ビアと、
前記第2の配線網内又は上に形成された少なくとも1つの外部コンタクトランドと、
前記少なくとも1つの外部コンタクトランドに取り付けられた少なくとも1つの外部インターコネクトと、
複数のコンタクトランドが画成された第1のコンタクトゾーンであり、前記第1の配線網内又は上に形成された第1のコンタクトゾーンと、
複数のコンタクトランドが画成された第2のコンタクトゾーンであり、当該第2のコンタクトゾーンは前記第1の配線網内又は上に形成され、前記第1のコンタクトゾーンが、当該第2のコンタクトゾーンの少なくとも一部に重なっており、少なくとも1つのコンタクトランドが、前記第1のコンタクトゾーンの前記複数のコンタクトランドと当該第2のコンタクトゾーンの前記複数のコンタクトランドとの間で共通である、第2のコンタクトゾーンと
を有し、
前記少なくとも1つのマイクロエレクトロニクスデバイスは、前記第1のコンタクトゾーン及び前記第2のコンタクトゾーンのうちの一方に取り付けられ、
前記第1のコンタクトゾーンは、第1のマイクロエレクトロニクスデバイスを取り付けるように適応されており、前記第2のコンタクトゾーンは、前記第1のマイクロエレクトロニクスデバイスとは異なる機能を有する第2のマイクロエレクトロニクスデバイスを取り付けるように適応されている、
システム。 - 前記第1のコンタクトゾーンの前記複数のコンタクトランドのうち、前記第1のコンタクトゾーンの前記複数のコンタクトランドと前記第2のコンタクトゾーンの前記複数のコンタクトランドとの間で共通ではない何れのコンタクトランドも、前記第1のマイクロエレクトロニクスデバイスの動作に専用であり、前記第2のコンタクトゾーンの前記複数のコンタクトランドのうち、前記第1のコンタクトゾーンの前記複数のコンタクトランドと前記第2のコンタクトゾーンの前記複数のコンタクトランドとの間で共通ではない何れのコンタクトランドも、前記第2のマイクロエレクトロニクスデバイスの動作に専用である、請求項7に記載のシステム。
- 基板に取り付けられたマイクロエレクトロニクスデバイスを含んだ少なくとも1つのマイクロエレクトロニクスデバイスパッケージ
を有し、
前記基板は:
基板コアと、
前記基板コアの第1表面に形成された第1の配線網と、
前記基板コアの第2表面に形成された第2の配線網と、
前記基板コアの前記第1表面から前記基板コアの前記第2表面まで延在する少なくとも1つの導電ビアであり、前記第1の配線網内の少なくとも1つの導電配線を、前記第2の配線網内の少なくとも1つの導電配線に電気的に接続する少なくとも1つの導電ビアと、
前記第2の配線網内又は上に形成された少なくとも1つの外部コンタクトランドと、
前記少なくとも1つの外部コンタクトランドに取り付けられた少なくとも1つの外部インターコネクトと、
複数のコンタクトランドが画成された第1のコンタクトゾーンであり、前記第1の配線網内又は上に形成された第1のコンタクトゾーンと、
複数のコンタクトランドが画成された第2のコンタクトゾーンであり、当該第2のコンタクトゾーンは前記第1の配線網内又は上に形成され、前記第1のコンタクトゾーンが、当該第2のコンタクトゾーンの少なくとも一部に重なっており、少なくとも1つのコンタクトランドが、前記第1のコンタクトゾーンの前記複数のコンタクトランドと当該第2のコンタクトゾーンの前記複数のコンタクトランドとの間で共通である、第2のコンタクトゾーンと
を有し、
前記マイクロエレクトロニクスデバイスは、前記第1のコンタクトゾーン及び前記第2のコンタクトゾーンのうちの一方に取り付けられ、
前記第1のコンタクトゾーンは、第1のマイクロエレクトロニクスデバイスを取り付けるように適応されており、前記第2のコンタクトゾーンは、前記第1のマイクロエレクトロニクスデバイスとは異なる機能を有する第2のマイクロエレクトロニクスデバイスを取り付けるように適応されている、
システム。 - 前記第1のコンタクトゾーンの前記複数のコンタクトランドのうち、前記第1のコンタクトゾーンの前記複数のコンタクトランドと前記第2のコンタクトゾーンの前記複数のコンタクトランドとの間で共通ではない何れのコンタクトランドも、前記第1のマイクロエレクトロニクスデバイスの動作に専用であり、前記第2のコンタクトゾーンの前記複数のコンタクトランドのうち、前記第1のコンタクトゾーンの前記複数のコンタクトランドと前記第2のコンタクトゾーンの前記複数のコンタクトランドとの間で共通ではない何れのコンタクトランドも、前記第2のマイクロエレクトロニクスデバイスの動作に専用である、請求項9に記載のシステム。
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JP2005101082A (ja) * | 2003-09-22 | 2005-04-14 | Sharp Corp | ランドパターン構造 |
EP1806957B1 (en) * | 2004-10-29 | 2010-08-18 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer substrate incorporating chip type electronic component and production method therefor |
JP2006303003A (ja) * | 2005-04-18 | 2006-11-02 | Toshiba Corp | プリント基板、および情報処理装置 |
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