JP5930518B2 - 化合物半導体薄膜の製造方法 - Google Patents
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Description
Claims (6)
- IB族元素と、IIIB族元素と、VIB族元素とを含む化合物半導体薄膜の製造方法であって、
(a)スパッタリング法により、基板上に、該IB族元素と、該IIIB族元素のIn元素及びGa元素と、該VIB族元素とからなる(IB族元素)−(Inx、Ga1−x)−(VIB族元素)2(但し、0<x<1である)の組成を有する複数の膜を、少なくとも2層毎に、その各層の膜中のIn元素含量(x)が同じであり、かつその各層の膜中のGa元素含量(1−x)が同じであり、そして該少なくとも2層毎に、In元素含量(x)が下層から上層へと増加し、かつGa元素含量(1−x)が下層から上層へと減少するように形成した後、その上に、該組成を有し、In元素含量がその下の膜中のIn元素含量よりも少なく、かつGa元素含量がその下の膜中のGa元素含量よりも多い膜を形成し、基板上に化合物半導体薄膜の前駆体薄膜を形成する工程と、
(b)該工程(a)で形成される前駆体薄膜に対して、その前駆体薄膜の1層の形成毎に、該VIB族元素の蒸気を供給し、接触させながら行う熱処理を施して、該IB族元素、IIIB族元素及びVIB族元素を含む化合物半導体薄膜を形成する工程とを含むことを特徴とする化合物半導体薄膜の製造方法。 - 前記工程(a)において、該複数の膜を形成した後にその上に形成する膜が、少なくとも2層であり、その層中のIn元素含量が下層から上層へと減少し、かつGa元素含量が下層から上層へと増加するように形成することを特徴とする請求項1記載の化合物半導体薄膜の製造方法。
- IB族元素と、IIIB族元素と、VIB族元素とを含む化合物半導体薄膜の製造方法であって、
(a)スパッタリング法により、基板上に、該IB族元素と該IIIB族元素のGa元素とからなる(IB族元素)y−(Ga1−y)(但し、0<y<1である)の組成を有する複数の膜を、少なくとも2層毎に、その各層の膜中のIB族元素含量(y)が同じであり、かつその各層の膜中Ga元素含量(1−y)が同じであり、そして該少なくとも2層毎に、IB族元素含量(y)が下層から上層へと増加し、かつGa元素含量(1−y)が下層から上層へと減少するように形成し、その際に、該複数の膜の各層の上にIn元素からなる膜を形成した後、最上層のIn元素からなる膜の上に、該組成を有し、IB族元素含量がその下の膜中のIB族元素含量よりも少なく、かつGa元素含量がその下の膜中のGa元素含量よりも多い膜を形成し、その膜の上にIn元素からなる膜を形成し、基板上に化合物半導体薄膜の前駆体薄膜を形成する工程と、
(b)該工程(a)で形成される前駆体薄膜に対して、IB族元素及びGa元素からなる膜とIn元素からなる膜との1組の形成毎に、該VIB族元素の蒸気を供給し、接触させながら行う熱処理を施して、該IB族元素、IIIB族元素及びVIB族元素を含む化合物半導体薄膜を形成する工程と
を含むことを特徴とする化合物半導体薄膜の製造方法。 - 前記工程(a)において、該最上層のIn元素からなる膜の上に形成する膜が、少なくとも2層であり、その層中のIB族元素含量が下層から上層へと減少し、かつGa元素含量が下層から上層へと増加するように形成することを特徴とする請求項3記載の化合物半導体薄膜の製造方法。
- 前記工程(a)における基板の温度が、25〜200℃であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の化合物半導体薄膜の製造方法。
- 前記工程(b)における基板の温度が、400〜600℃であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の化合物半導体薄膜の製造方法。
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