JP6133691B2 - 太陽電池 - Google Patents
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Description
極小領域のAg/(Ag+Cu)の最大値は、極小領域に接する領域のAg/(Ag+Cu)の最大値よりも大きいことが好ましい。極小領域は、AgまたはAgおよびCuと、GaおよびInの少なくとも1つと、SおよびSeの少なくとも1つとからなるカルコパイライト型結晶構造を有するp型化合物半導体材料を含むことが好ましい。
図2は、本発明の太陽電池の構成の一例を示す断面図である。図2に示す太陽電池10では、基板11上に、裏面電極12、光電変換層13、バッファ層14、高抵抗バッファ層15、透明導電膜16および表面電極17が順に設けられている。なお、「裏面電極12」および「表面電極17」は、それぞれ、特許請求の範囲における「第一電極」および「第二電極」に相当する。以下、太陽電池10の各構成を説明する。
基板11は、その上に裏面電極12などを積層するための基板であり、たとえば、青板ガラスなどのガラス基板、ステンレス板などの金属基板またはポリイミド膜などの樹脂基板であることが好ましい。基板11の厚さは特に限定されない。
裏面電極12は、基板11上に設けられ、MoまたはTiなどの高耐蝕性且つ高融点の金属からなることが好ましい。裏面電極12の厚さは、200〜2000nm程度であることが好ましい。裏面電極12は、たとえば、高耐蝕性且つ高融点の金属をターゲットとしてスパッタ法などにより形成されることが好ましい。
光電変換層13は、裏面電極12上に設けられ、光吸収により電荷を生じる層である。光電変換層13は、伝導帯下端エネルギーの極小点を含む極小領域を有する。極小領域の価電子帯上端エネルギーの少なくとも一部は、極小領域に接する領域の価電子帯上端エネルギーの最小値よりも小さい。ここで、「最小値」は、最も小さい値を示す。「伝導帯下端エネルギーの極小点」は、光電変換層13の伝導帯下端エネルギーをその光電変換層13の厚さ方向に走査したとき、そのエネルギーが減少から増加に変化する点を意味する。「極小領域に接する領域」は、極小領域に接するすべての領域を意味する。「極小領域の価電子帯上端エネルギーの少なくとも一部は、極小領域に接する領域の価電子帯上端エネルギーの最小値よりも小さい」は、極小領域の価電子帯上端エネルギーの少なくとも一部が極小領域に接する領域の価電子帯上端エネルギーの最小値よりも小さければ特に制限されず、たとえば、極小領域の価電子帯上端エネルギーの少なくとも一部が極小領域に接する領域の価電子帯上端エネルギーの最小値よりも少なくとも50meV小さいことを意味する。ここで、極小領域に接する領域の価電子帯上端エネルギーは一定である。光電子分光法にしたがって、光電変換層13の価電子帯上端エネルギーを測定することができる。光吸収スペクトルにより測定したバンドギャップと上記価電子帯上端エネルギーとから、伝導帯下端エネルギーを求めることができる。
バッファ層14は、光電変換層13上に設けられ、光電変換層13と高抵抗バッファ層15との間の接合を緩衝する役割を担う。バッファ層14が形成されていれば、pnホモ接合が形成され、シャントパスの形成を防止することができる。このような効果を得るためには、光電変換層13または高抵抗バッファ層15とバッファ層14とのバンドラインナップなどを考慮してバッファ層14の材料を選択することが好ましい。たとえば、バッファ層14の材料としては、Zn(S,O,OH)系、In(S,O,OH)系、CdS、ZnMgO、ZnO、ZnSe、In2S3またはZnInSe2などが挙げられる。バッファ層14の厚さは、特に限定されず、たとえば20nm以上200nm以下であることが好ましい。バッファ層14は、たとえば、溶液成長法、真空蒸着法、スパッタ法、原子層堆積法、イオン層ガス反応法または有機金属気相成長法などといった方法により形成されることが好ましい。
高抵抗バッファ層15は、バッファ層14上に設けられ、バッファ層14よりも高抵抗であり、光電変換層13とバッファ層14との界面におけるシャントパスの形成を防止する役割がある。これは、バッファ層14を溶液成長法により形成した場合、形成されたバッファ層14には厚さが局所的に薄い部分が存在し、その部分においてシャントパスが形成されるおそれがあるからである。高抵抗バッファ層15の材料としては、たとえば、ZnOなどが挙げられる。高抵抗バッファ層15の厚さは、特に限定されず、たとえば10nm以上200nm以下であることが好ましい。高抵抗バッファ層15は、たとえば、溶液成長法、真空蒸着法、スパッタ法、原子層堆積法、イオン層ガス反応法または有機金属気相成長法などといった方法により形成されることが好ましい。
透明導電膜16は、高抵抗バッファ層15上に設けられ、光を取り込むと共に、裏面電極12と対になって光電変換層13で生成されたキャリアが流れる電極として機能する。そのため、透明導電膜16を構成する材料は、光透過性且つ導電性を有していれば特に制限されない。たとえば、透明導電膜16は、III族元素がドーパントとして添加された酸化亜鉛膜であることが好ましく、より好ましくは、Al2O3−ZnOなどのターゲットを用いてスパッタ法により形成されたものである。ここで、ドーパントとしてのIII族元素としては、たとえば、B、Al、GaまたはInなどを用いることができる。
表面電極17は透明導電膜16上に設けられ、その構成は特に限定されない。表面電極17の材料は、導電性を有する材料であれば特に限定されず、たとえばAlまたはAgからなることが好ましい。表面電極17は、たとえば、Al金属またはAg金属をターゲットとする抵抗加熱もしくは電子ビームなどの真空蒸着法、スパッタリング法、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法、または、MBE(Molecular Beam Epitaxy)法などにより形成されても良いし、アルミニウム粉末または銀粉末などを含んだ導電性ペーストを塗布(スクリーン印刷)してから焼成することにより形成されても良い。表面電極17のパターニングには、たとえば、フォトプロセスを用いたエッチング法、リフトオフ法、または、メタルマスクを用いて堆積させる方法などの既存の手法を用いることができる。
以下に示す方法にしたがって図2に示す太陽電池10を製造することができる。まず、たとえばスパッタ法などにより、基板11上に裏面電極12を形成する。次に、裏面電極12上に光電変換層13を形成する。光電変換層13は、たとえば、多元蒸着法、セレン化法またはスパッタ法などといった真空プロセスを用いて成膜するという真空成膜法により形成されても良いし、ナノ粒子塗布法、電着法または溶液法などといった真空プロセスを用いて成膜するという非真空成膜法により形成されても良い。
実験1では、光電変換層と、CdSからなるバッファ層と、ZnOからなる透明導電膜との積層構造に対して、1次元デバイスシミュレータを用いてシミュレーションを行った。光電変換層とバッファ層との間にCu欠損層(OVC:Ordered Vacancy Compound)が形成されていることを考慮してシミュレーションを行った。光電変換層は、ZnOからなる透明導電膜側から、厚さが400nmのCuIn1-xGaxSe2(x=0.15)膜と、厚さが40nmのAgInSe2膜と、厚さが2.8μmのCuIn1-xGaxSe2(x=0.20)膜とが積層されてなる構造であるとした。電子親和力は、CuIn1-xGaxSe2(x=0.15)を4.28eVとし、AgInSe2を4.35eVとし、CuIn1-xGaxSe2(x=0.20)を4.26eVとした。バンドギャップエネルギーは、CuIn1-xGaxSe2(x=0.15)を1.08eV、AgInSe2を1.24eVとし、CuIn1-xGaxSe2(x=0.20)を1.10eVとした。
比較実験1では、実験1における厚さが40nmのAgInSe2膜を厚さが40nmのCuInSe2膜に置き換えたこと以外は実験1と同じとした。光電変換層は、ZnOからなる透明導電膜側から、厚さが400nmのCuIn1-xGaxSe2(x=0.15)膜と、厚さが40nmのCuInSe2膜と、厚さが2.8μmのCuIn1-xGaxSe2(x=0.20)膜とが積層されてなる構造であるとした。電子親和力は、CuIn1-xGaxSe2(x=0.15)を4.28eVとし、CuInSe2を4.35eVとし、CuIn1-xGaxSe2(x=0.20)を4.26eVとした。バンドギャップエネルギーは、CuIn1-xGaxSe2(x=0.15)を1.08eVとし、CuInSe2を1.01eVとし、CuIn1-xGaxSe2(x=0.20)を1.10eVとした。
実験2では、光電変換層を構成する、材料組成の異なる各層の厚さを変更したことを除いては実験1と同様の方法にしたがって、シミュレーションを行った。実験1と同様、光電変換層とバッファ層との間にCu欠損層が形成されていることを考慮してシミュレーションを行った。光電変換層は、ZnOからなる透明導電膜側から、厚さが400nmのCuIn1-xGaxSe2(x=0.15)膜と、厚さが240nmのAgInSe2膜と、厚さが2.6μmのCuIn1-xGaxSe2(x=0.20)膜とが積層されてなる構造とした。光電変換層のトータルの厚さは実験1と同じとした。電子親和力は、CuIn1-xGaxSe2(x=0.15)を4.28eVとし、AgInSe2を4.35eVとし、CuIn1-xGaxSe2(x=0.20)を4.26eVとした。バンドギャップエネルギーは、CuIn1-xGaxSe2(x=0.15)を1.08eVとし、AgInSe2を1.24eVとし、CuIn1-xGaxSe2(x=0.20)を1.10eVとした。
比較実験2では、実験2における厚さが240nmのAgInSe2膜を厚さが240nmのCuInSe2膜に置き換えたこと以外は実験2と同じとした。光電変換層は、ZnOからなる透明導電膜側から、厚さが400nmのCuIn1-xGaxSe2(x=0.15)膜と、厚さが240nmのCuInSe2膜と、厚さが2.6μmのCuIn1-xGaxSe2(x=0.20)膜とが積層されてなる構造とした。電子親和力は、CuIn1-xGaxSe2(x=0.15)を4.28eVとし、CuInSe2を4.35eVとし、CuIn1-xGaxSe2(x=0.20)を4.26eVとした。バンドギャップエネルギーは、CuIn1-xGaxSe2(x=0.15)を1.08eV、CuInSe2を1.01eVとし、CuIn1-xGaxSe2(x=0.20)を1.10eVとした。
実験3では、光電変換層における極小領域の材料組成をAgCuInSe2(Cuの一部をAgに置換)に変更したこと以外は実験1と同様の方法にしたがって、シミュレーションを行った。実験1、2と同様、光電変換層とバッファ層との間にCu欠損層が形成されていることを考慮してシミュレーションを行った。光電変換層は、ZnOからなる透明導電膜側から、厚さが400nmのCuIn1-xGaxSe2(x=0.15)膜と、厚さが40nmのAgyCu(1-y)InSe2膜(y=0.75)と、厚さが2.8μmのCuIn1-xGaxSe2(x=0.20)膜とが積層されてなる構造とした。光電変換層のトータルの膜厚は実験1、2と同じとした。電子親和力は、CuIn1-xGaxSe2(x=0.15)を4.28eVとし、AgCuInSe2を4.35eVとし、CuIn1-xGaxSe2(x=0.20)を4.26eVとした。バンドギャップエネルギーは、CuIn1-xGaxSe2(x=0.15)を1.08eVとし、AgCuInSe2を1.15eVとし、CuIn1-xGaxSe2(x=0.20)を1.10eVとした。
比較実験3では、実験3における厚さが40nmのAgCuInSe2膜を厚さが40nmのCuInSe2膜に置き換えたこと以外は実験3と同じとした。太陽電池の積層方向における再結合速度の計算結果および太陽電池の電流−電圧特性の計算結果はそれぞれ比較実験1と同様であった。
実験4では、光電変換層における極小領域とCu欠損層との距離が異なったことを除いては実験1と同様の方法にしたがって、シミュレーションを行った。実験1〜3と同様、光電変換層とバッファ層との間にCu欠損層が形成されていることを考慮してシミュレーションを行った。光電変換層は、ZnOからなる透明導電膜側から、厚さが600nmのCuIn1-xGaxSe2(x=0.15)膜と、厚さが40nmのAgInSe2膜と、厚さが2.6μmのCuIn1-xGaxSe2(x=0.20)膜とが積層されてなる構造とした。光電変換層のトータルの厚さは実験1〜3と同じとした。電子親和力は、CuIn1-xGaxSe2(x=0.15)を4.28eVとし、AgInSe2を4.35eVとし、CuIn1-xGaxSe2(x=0.20)を4.26eVとした。バンドギャップエネルギーは、CuIn1-xGaxSe2(x=0.15)を1.08eVとし、AgInSe2を1.24eVとし、CuIn1-xGaxSe2(x=0.20)を1.10eVとした。
比較実験4では、実験4における厚さが40nmのAgInSe2膜を厚さが40nmのCuInSe2膜に置き換えたこと以外は実験4と同じとした。光電変換層は、ZnOからなる透明導電膜側から、厚さが600nmのCuIn1-xGaxSe2(x=0.15)膜と、厚さが40nmのCuInSe2膜と、厚さが2.6μmのCuIn1-xGaxSe2(x=0.20)膜とが積層されてなる構造とした。電子親和力は、CuIn1-xGaxSe2(x=0.15)を4.28eVとし、CuInSe2を4.35eVとし、CuIn1-xGaxSe2(x=0.20)を4.26eVとした。バンドギャップエネルギーは、CuIn1-xGaxSe2(x=0.15)を1.08eVとし、CuInSe2を1.01eVとし、CuIn1-xGaxSe2(x=0.20)を1.10eVとした。
Claims (3)
- 基板と、前記基板上に順に設けられた第一電極、光電変換層および第二電極とを備えた太陽電池であって、
前記光電変換層は、伝導帯下端エネルギーの極小点を含む極小領域を有し、
前記極小領域の価電子帯上端エネルギーの少なくとも一部は、前記極小領域に接する領域の価電子帯上端エネルギーの最小値よりも小さく、
前記光電変換層は、CuおよびAgの少なくとも1つと、Al、GaおよびInの少なくとも1つと、S、SeおよびTeの少なくとも1つとからなるカルコパイライト型結晶構造を有するp型化合物半導体材料を含み、
前記極小領域は、AgまたはAgおよびCuと、GaおよびInの少なくとも1つと、SおよびSeの少なくとも1つとからなるカルコパイライト型結晶構造を有するp型化合物半導体材料を含み、
前記極小領域に接する領域は、CuまたはCuおよびAgと、GaおよびInの少なくとも1つと、SおよびSeの少なくとも1つとからなるカルコパイライト型結晶構造を有するp型化合物半導体材料を含む、太陽電池。 - 前記極小領域のAg/(Ag+Cu)の最大値は、前記極小領域に接する領域のAg/(Ag+Cu)の最大値よりも大きい請求項1に記載の太陽電池。
- 基板と、前記基板上に順に設けられた第一電極、光電変換層および第二電極とを備えた太陽電池であって、
前記光電変換層は、第1の光電変換層と、第2の光電変換層と、第3の光電変換層とを有し、
前記第2の光電変換層は、AgまたはAgおよびCuと、GaおよびInの少なくとも1つと、SおよびSeの少なくとも1つとからなるカルコパイライト型結晶構造を有するp型化合物半導体材料を含み、
前記第1の光電変換層、および、前記第3の光電変換層は、CuまたはCuおよびAgと、GaおよびInの少なくとも1つと、SおよびSeの少なくとも1つとからなるカルコパイライト型結晶構造を有するp型化合物半導体材料を含み、
前記第2の光電変換層は、前記第1の光電変換層と前記第3の光電変換層とに挟まれ、 前記第2の光電変換層のGa/(In+Ga)の最小値は、前記第1の光電変換層および前記第3の光電変換層のそれぞれのGa/(In+Ga)の最小値よりも小さく、
前記第2の光電変換層のAg/(Ag+Cu)の最大値は、前記第1の光電変換層および前記第3の光電変換層のそれぞれのAg/(Ag+Cu)の最大値よりも大きい太陽電池。
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