JP2013044049A - 化合物半導体薄膜の製造方法、化合物半導体薄膜の前駆体薄膜、及び化合物半導体薄膜 - Google Patents
化合物半導体薄膜の製造方法、化合物半導体薄膜の前駆体薄膜、及び化合物半導体薄膜 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013044049A JP2013044049A JP2011185276A JP2011185276A JP2013044049A JP 2013044049 A JP2013044049 A JP 2013044049A JP 2011185276 A JP2011185276 A JP 2011185276A JP 2011185276 A JP2011185276 A JP 2011185276A JP 2013044049 A JP2013044049 A JP 2013044049A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- group
- film
- compound semiconductor
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 335
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 168
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 166
- 239000002243 precursor Substances 0.000 title claims abstract description 96
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 326
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 53
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 41
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 34
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 27
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 12
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 29
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 11
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 8
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 293
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 32
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 5
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910021476 group 6 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】(a)スパッタリング法により、基板上に、(IB族元素)−(Inx、Ga1−x)−(VIB族元素)2(但し、0<x<1である)の組成を有する複数の膜を、この複数の膜中のIn元素含量(x)が下層から上層へと増加し、かつGa元素含量(1−x)が下層から上層へと減少するように形成した後、その上に、上記組成を有し、In元素含量がその下の膜中のIn元素含量よりも少なく、Ga元素含量がその下の膜中のGa元素含量よりも多い膜を形成し、基板上に前駆体薄膜を形成する工程と、(b)工程(a)で形成される前駆体薄膜の少なくとも1層の形成毎に、VIB族元素の蒸気を供給し、接触させながら熱処理を施す工程とを含む。
【選択図】図1
Description
Claims (20)
- IB族元素と、IIIB族元素と、VIB族元素とを含む化合物半導体薄膜の製造方法であって、
(a)スパッタリング法により、基板上に、該IB族元素と、該IIIB族元素のIn元素及びGa元素と、該VIB族元素とからなる(IB族元素)−(Inx、Ga1−x)−(VIB族元素)2(但し、0<x<1である)の組成を有する複数の膜を、該複数の膜中のIn元素含量(x)が下層から上層へと増加し、かつGa元素含量(1−x)が下層から上層へと減少するように形成した後、その上に、該組成を有し、In元素含量がその下の膜中のIn元素含量よりも少なく、かつGa元素含量がその下の膜中のGa元素含量よりも多い膜を形成し、基板上に化合物半導体薄膜の前駆体薄膜を形成する工程と、
(b)該工程(a)で形成される前駆体薄膜に対して、その前駆体薄膜の少なくとも1層の形成毎に、該VIB族元素の蒸気を供給し、接触させながら行う熱処理を施して、該IB族元素、IIIB族元素及びVIB族元素を含む化合物半導体薄膜を形成する工程とを含むことを特徴とする化合物半導体薄膜の製造方法。 - 前記工程(a)において、該組成を有する複数の膜を、少なくとも2層毎に、その各層の膜中のIn元素含量(x)が同じであり、かつその各層の膜中のGa元素含量(1−x)が同じであり、そして該少なくとも2層毎に、In元素含量が下層から上層へと増加し、かつGa元素含量が下層から上層へと減少するように形成することを特徴とする請求項1に記載の化合物半導体薄膜の製造方法。
- 前記工程(a)において、該複数の膜を形成した後にその上に形成する膜が、少なくとも2層であり、その層中のIn元素含量が下層から上層へと減少し、かつGa元素含量が下層から上層へと増加するように形成することを特徴とする請求項1又は2記載の化合物半導体薄膜の製造方法。
- IB族元素と、IIIB族元素と、VIB族元素とを含む化合物半導体薄膜の製造方法であって、
(a)スパッタリング法により、基板上に、該IB族元素と該IIIB族元素のGa元素とからなる(IB族元素)y−(Ga1−y)(但し、0<y<1である)の組成を有する複数の膜を、該複数の膜中のIB族元素含量(y)が下層から上層へと増加し、かつGa元素含量(1−y)が下層から上層へと減少するように形成し、その際に、該複数の膜の各層の上にIn元素からなる膜を形成した後、最上層のIn元素からなる膜の上に、該組成を有し、IB族元素含量がその下の膜中のIB族元素含量よりも少なく、かつGa元素含量がその下の膜中のGa元素含量よりも多い膜を形成し、その膜の上にIn元素からなる膜を形成し、基板上に化合物半導体薄膜の前駆体薄膜を形成する工程と、
(b)該工程(a)で形成される前駆体薄膜に対して、IB族元素及びGa元素からなる膜とIn元素からなる膜との少なくとも1組の形成毎に、該VIB族元素の蒸気を供給し、接触させながら行う熱処理を施して、該IB族元素、IIIB族元素及びVIB族元素を含む化合物半導体薄膜を形成する工程とを含むことを特徴とする化合物半導体薄膜の製造方法。 - 前記工程(a)において、該組成を有する複数の膜を、少なくとも2層毎に、その各層の膜中のIB族元素含量(y)が同じであり、かつその各層の膜中Ga元素含量(1−y)が同じであり、そして該少なくとも2層毎に、IB族元素含量が下層から上層へと増加し、かつGa元素含量が下層から上層へと減少するように形成することを特徴とする請求項4に記載の化合物半導体薄膜の製造方法。
- 前記工程(a)において、該最上層のIn元素からなる膜の上に形成する膜が、少なくとも2層であり、その層中のIB族元素含量が下層から上層へと減少し、かつGa元素含量が下層から上層へと増加するように形成することを特徴とする請求項4又は5記載の化合物半導体薄膜の製造方法。
- 前記工程(a)における基板の温度が、25〜200℃であることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の化合物半導体薄膜の製造方法。
- 前記工程(b)における基板の温度が、400〜600℃であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載の化合物半導体薄膜の製造方法。
- IB族元素と、IIIB族元素と、VIB族元素とを含む化合物半導体薄膜の前駆体薄膜であって、
該IB族元素と、該IIIB族元素のIn元素及びGa族元素と、該VIB族元素とからなる(IB族元素)−(Inx、Ga1−x)−(VIB族元素)2(但し、0<x<1である)の組成を有する複数の膜からなり、該複数の膜中のIn元素含量(x)が下層から上層へと増加し、かつGa元素含量(1−x)が下層から上層へと減少するように形成されてなり、そして該複数の膜の最上層の上に、該組成を有し、In元素含量がその下の膜中のIn元素含量よりも少なく、かつGa元素含量がその下の膜中のGa元素含量よりも多い膜を有することを特徴とする化合物半導体薄膜の前駆体薄膜。 - 前記複数の膜が、少なくとも2層毎に、その各層の膜中のIn元素含量(x)が同じであり、かつその各層の膜中のGa元素含量(1−x)が同じであり、そして該少なくとも2層毎に、In元素含量が下層から上層へと増加し、かつGa元素含量が下層から上層へと減少する膜であることを特徴とする請求項9に記載の化合物半導体薄膜の前駆体薄膜。
- 前記複数の膜の最上層の上に形成される膜が、少なくとも2層からなり、その層中のIn元素含量が下層から上層へと減少し、かつGa元素含量が下層から上層へと増加する膜であることを特徴とする請求項9又は10記載の化合物半導体薄膜の前駆体薄膜。
- IB族元素とIIIB族元素とを含む化合物半導体薄膜の前駆体薄膜であって、
該IB族元素と該IIIB族元素のGa元素とからなる(IB族元素)y−(Ga1−y)(但し、0<y<1である)の組成を有する膜とその上に形成されたIIIB族元素のIn元素からなる膜との1組の層を複数有する複数の膜からなり、該IB族元素及びGa元素からなる膜中の、IB族元素含量が下層から上層へと増加し、かつGa元素含量が下層から上層へと減少するように形成されてなり、そして該複数の膜の最上層のIn元素からなる膜の上に、該組成を有し、該IB族元素含量がその下の膜中のIB族元素含量よりも少なく、かつ該Ga元素含量がその下の膜中のGa元素含量よりも多い膜と、その上に形成されたIn元素からなる膜とを有することを特徴とする化合物半導体薄膜の前駆体薄膜。 - 前記複数の膜におけるIB族元素及びGa元素からなる膜が、少なくとも2層毎に、その各層の膜中のIB族元素含量(y)が同じであり、かつその各層の膜中のGa元素含有量(1−y)が同じであり、そして該少なくとも2層毎に、IB族元素含量が下層から上層へと増加し、かつGa元素含量が下層から上層へと減少する膜であることを特徴とする請求項12に記載の化合物半導体薄膜の前駆体薄膜。
- 前記最上層のIn元素からなる膜の上に形成される膜が、少なくとも2層からなり、その層中のIB族元素含量が下層から上層へと減少し、かつGa元素含量が下層から上層へと増加する膜であることを特徴とする請求項12又は13記載の化合物半導体薄膜の前駆体薄膜。
- IB族元素と、IIIB族元素と、VIB族元素とを含む化合物半導体薄膜であって、
該IB族元素と、該IIIB族元素のIn元素及びGa族元素と、該VIB族元素とからなる(IB族元素)−(Inx、Ga1−x)−(VIB族元素)2(但し、0<x<1である)の組成を有する複数の膜からなり、該複数の膜中のIn元素含量(x)が下層から上層へと増加し、かつGa元素含量(1−x)が下層から上層へと減少するように形成されてなり、そして該複数の膜の最上層の上に、該組成を有し、In元素含量がその下の膜中のIn元素含量よりも少なく、かつGa元素含量がその下の膜中のGa元素含量よりも多い膜を有する化合物半導体薄膜の前駆体薄膜に対して、その前駆体薄膜の少なくとも1層毎に、該VIB族元素の蒸気で熱処理が施されて形成されてなる化合物半導体薄膜であることを特徴とする化合物半導体薄膜。 - 前記複数の膜が、少なくとも2層毎に、その各層の膜中のIn元素含量(x)が同じであり、かつその各層の膜中のGa元素含量(1−x)が同じであり、そして該少なくとも2層毎に、In元素含量が下層から上層へと増加し、かつGa元素含量が下層から上層へと減少する膜であることを特徴とする請求項15に記載の化合物半導体薄膜。
- 前記複数の膜の最上層の上に形成される膜が、少なくとも2層からなり、
その層中のIn元素含量が下層から上層へと減少し、かつGa元素含量が下層から上層へと増加する膜であることを特徴とする請求項16又は17記載の化合物半導体薄膜。 - IB族元素と、IIIB族元素と、VIB族元素とを含む化合物半導体薄膜であって、
該IB族元素と該IIIB族元素のGa元素とからなる(IB族元素)y−(Ga1−y)(但し、0<y<1である)の組成を有する膜とその上に形成されたIIIB族元素のIn元素からなる膜との1組の層を複数有する複数の膜からなり、該IB族元素及びGa元素からなる膜中の、IB族元素含量が下層から上層へと増加し、かつGa元素含量が下層から上層へと減少するように形成されてなり、そして該複数の膜の最上層のIn元素からなる膜の上に、該組成を有し、該IB族元素含量がその下の膜中のIB族元素含量よりも少なく、かつGa元素含量がその下の膜中のGa元素含量よりも多い膜と、その上に形成されたIn元素からなる膜とを有する化合物半導体薄膜の前駆体薄膜に対して、該組成を有する膜とその上に形成されたIn元素からなる膜との少なくとも1組の形成毎に、該VIB族元素の蒸気で熱処理が施されて形成されてなる化合物半導体薄膜であることを特徴とする化合物半導体薄膜。 - 前記複数の膜が、少なくとも2層毎に、その各層の膜中のIB族元素含量が同じであり、かつその各層の膜中のGa元素含有量が同じであり、そして該少なくとも2層毎に、IB族元素含量が下層から上層へと増加し、かつGa元素含量が下層から上層へと減少する膜であることを特徴とする請求項18に記載の化合物半導体薄膜。
- 前記最上層のIn元素からなる膜の上に形成される膜が、少なくとも2層からなり、その層中のIB族元素含量が下層から上層へと減少し、かつGa元素含量が下層から上層へと増加する膜であることを特徴とする請求項18又は19記載の化合物半導体薄膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011185276A JP5930518B2 (ja) | 2011-08-26 | 2011-08-26 | 化合物半導体薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011185276A JP5930518B2 (ja) | 2011-08-26 | 2011-08-26 | 化合物半導体薄膜の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013044049A true JP2013044049A (ja) | 2013-03-04 |
JP5930518B2 JP5930518B2 (ja) | 2016-06-08 |
Family
ID=48008185
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011185276A Active JP5930518B2 (ja) | 2011-08-26 | 2011-08-26 | 化合物半導体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5930518B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014232764A (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-11 | シャープ株式会社 | 太陽電池 |
JP2017034186A (ja) * | 2015-08-05 | 2017-02-09 | 株式会社豊田中央研究所 | 光吸収層及びその製造方法、並びに、光電変換素子 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07216533A (ja) * | 1994-02-01 | 1995-08-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カルコパイライト構造半導体薄膜の製造方法 |
JP2002083824A (ja) * | 2000-09-06 | 2002-03-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 化合物半導体薄膜ならびにその製造方法および製造装置 |
JP2003273135A (ja) * | 2002-03-18 | 2003-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 化合物半導体薄膜の製造方法 |
JP2004031551A (ja) * | 2002-06-25 | 2004-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 化合物半導体薄膜の製造方法 |
JP2007335792A (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜太陽電池 |
JP2010192690A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Tdk Corp | 太陽電池の製造方法 |
WO2011052574A1 (ja) * | 2009-10-27 | 2011-05-05 | キヤノンアネルバ株式会社 | カルコパイライト型化合物薄膜の製造方法およびそれを用いた薄膜太陽電池の製造方法 |
-
2011
- 2011-08-26 JP JP2011185276A patent/JP5930518B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07216533A (ja) * | 1994-02-01 | 1995-08-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | カルコパイライト構造半導体薄膜の製造方法 |
JP2002083824A (ja) * | 2000-09-06 | 2002-03-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 化合物半導体薄膜ならびにその製造方法および製造装置 |
JP2003273135A (ja) * | 2002-03-18 | 2003-09-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 化合物半導体薄膜の製造方法 |
JP2004031551A (ja) * | 2002-06-25 | 2004-01-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 化合物半導体薄膜の製造方法 |
JP2007335792A (ja) * | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜太陽電池 |
JP2010192690A (ja) * | 2009-02-18 | 2010-09-02 | Tdk Corp | 太陽電池の製造方法 |
WO2011052574A1 (ja) * | 2009-10-27 | 2011-05-05 | キヤノンアネルバ株式会社 | カルコパイライト型化合物薄膜の製造方法およびそれを用いた薄膜太陽電池の製造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014232764A (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-11 | シャープ株式会社 | 太陽電池 |
JP2017034186A (ja) * | 2015-08-05 | 2017-02-09 | 株式会社豊田中央研究所 | 光吸収層及びその製造方法、並びに、光電変換素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5930518B2 (ja) | 2016-06-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105428457B (zh) | 一种工业化沉积cigs太阳电池吸收层的方法及设备 | |
JP5575852B2 (ja) | グラフェンを含む導電性薄膜および透明導電膜 | |
CN101853900B (zh) | 生产黄铜矿型太阳能电池的方法 | |
KR101930140B1 (ko) | 전자 디바이스의 제조 방법 및 적층체 | |
JP2003273135A (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 | |
JP2012007194A (ja) | 成膜装置および光電変換素子の製造方法 | |
US11869768B2 (en) | Method of forming transition metal dichalcogenide thin film | |
JP3831592B2 (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 | |
JP5930518B2 (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 | |
JP4474324B2 (ja) | 成膜装置 | |
US20100210065A1 (en) | Method of manufacturing solar cell | |
WO2012090506A1 (ja) | 成膜装置および光電変換素子の製造方法 | |
US20210074543A1 (en) | Method of forming transition metal dichalcogenidethin film and method of manufacturing electronic device including the same | |
JP2005126756A (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法および製造装置 | |
WO2012046746A1 (ja) | 化合物半導体薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法、およびIn-Cu合金スパッタリングターゲット | |
JP2003282600A (ja) | 光吸収層の作製方法および装置 | |
KR101969976B1 (ko) | Cigs 박막의 제조방법, 이에 의해 제조된 cigs 박막 및 이를 포함하는 태양전지 | |
JP2014152085A (ja) | Cigs膜の製法およびその製法を用いるcigs太陽電池の製法 | |
KR101990192B1 (ko) | 그래핀 박막 제조방법 | |
JP2011060839A (ja) | 電極膜、電極膜付きガラス基板及びその製造方法 | |
KR20140066189A (ko) | Cigs막의 제법 및 그것을 이용하는 cigs 태양 전지의 제법 | |
JP2017050337A (ja) | Cigs半導体前駆体膜の製造方法およびそれを用いたcigs半導体膜の製造方法並びにそれらを用いたcigs太陽電池の製造方法 | |
JP2003282908A (ja) | 光吸収層の作製方法および装置 | |
JP2010034206A (ja) | 圧電素子及び圧電素子の製造方法 | |
JP2004031551A (ja) | 化合物半導体薄膜の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140609 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150130 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150225 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20150422 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150427 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150916 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151113 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160406 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160425 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5930518 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |