JP5928865B2 - 非接触給電装置の制御方法 - Google Patents

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Description

本発明は、コイル相互間の磁気結合を利用して負荷に電力を供給する方法として、主に空間を介して電力を供給する非接触給電装置の制御方法に関する。
電磁誘導によるコイル相互間の磁気結合を利用して負荷に電力を供給する方法として、非接触給電が知られている。その原理は、複数のコイルを、空間を介して磁気的に結合することによっていわばトランスを形成し、前記コイル間の電磁誘導を利用して電力を授受するものである。
例えば、電力供給源に相当する一次側コイルを給電線としてレール状に配置し、二次側コイル及び受電回路を一体化して移動体を構成すると共に、一次側コイルと二次側コイルとを対向させることにより、前記給電線に沿って移動する移動体に非接触給電することが可能である。
ここで、図27は、特許文献1に記載された非接触給電装置の従来技術を示している。図27において、高周波電源100の両端には、コイルとしての一次側給電線110が接続されている。一次側給電線110には受電コイル120が磁気的に結合しており、一次側給電線110と受電コイル120とは一種のトランスを構成している。
受電コイル120の両端は、共振コンデンサCを介して全波整流回路10の交流端子に接続されている。ここで、受電コイル120と共振コンデンサCとは、直列共振回路を構成している。
全波整流回路10は、ダイオードD,D,D,Dをブリッジ接続して構成されている。
全波整流回路10の直流端子には、全波整流回路10の直流出力電圧が基準電圧値となるように制御する定電圧制御回路20が接続されている。この定電圧制御回路20は、例えば、リアクトルL、ダイオードD、平滑コンデンサC及び半導体スイッチSWからなる昇圧チョッパ回路により構成されている。また、平滑コンデンサCの両端には、負荷Rが接続されている。
なお、図27では、半導体スイッチSWをスイッチングするための制御装置を省略してある。
図27の従来技術では、高周波電源100により一次側給電線110に高周波電流を流し、受電コイル120を介して供給された高周波電力を全波整流回路10に入力して直流電力に変換している。
一般に、この種の非接触給電装置では、一次側給電線110と受電コイル120との間のギャップ長の変化や両者の位置ズレにより、受電コイル120に誘起される電圧が変化し、これによって全波整流回路10の直流出力電圧が変動する。また、負荷Rの特性も、全波整流回路10の直流出力電圧が変動する原因となる。
このため、図27の従来技術では、全波整流回路10の直流出力電圧を定電圧制御回路20によって一定値に制御している。
なお、非接触給電装置では、コイルを介して供給される電流の周波数が高いほど、電力伝送を行うために必要な励磁インダクタンスは小さくてよく、コイルやその周辺に配置するコアを小型化することができる。しかし、高周波電源装置や受電回路を構成する電力変換器では、回路を流れる電流の周波数が高いほど半導体スイッチのスイッチング損失が増大して給電効率が低下するため、非接触給電される電力の周波数は数kHz〜数十kHzに設定するのが一般的である。
特開2002−354711号公報(段落[0028]〜[0031],[0041]〜[0045]、図1,図6等)
図27に示した非接触給電装置、特に、共振コンデンサCの後段の受電回路には、以下の問題点がある。
(1)受電回路が全波整流回路10及び定電圧制御回路20によって構成されているため、回路全体が大型化し、設置スペースの増大やコストの増加を招く。
(2)全波整流回路10のダイオードD,D,D,Dに加え、定電圧制御回路20のリアクトルL、半導体スイッチSW、ダイオードDでも損失が発生するため、これらの損失が給電効率の低下要因となっている。
そこで、本発明の目的は、回路素子による損失を低減させ、高効率で安定した給電を行う非接触給電装置の制御方法を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明に係る非接触給電装置は、交流電源に接続された一次側給電線との磁気結合により非接触にて電力を授受する受電コイルと、この受電コイルに共振コンデンサを介して接続された受電回路とを備え、この受電回路から負荷に直流電圧を供給するものである。
ここで、受電回路は、半導体スイッチとダイオードとの逆並列接続回路を各アームに備えたブリッジ回路と、平滑コンデンサとを備えており、本発明では、ブリッジ回路の上アームまたは下アームのいずれか一方、あるいは、上下アームの両方の半導体スイッチに、コンデンサを並列に接続して構成される。
この非接触給電装置の制御方法としては、停電等によって受電コイルに対する給電が停止された期間では、全ての半導体スイッチをオフ状態とし、給電が開始された時には、受電コイルの電流のゼロクロスを検出した後に、各半導体スイッチのスイッチング動作を行う。
他の制御方法として、受電コイルに対する給電停止期間では、上アームまたは下アームの半導体スイッチをオン状態とし、給電が開始された時には、受電コイルの電流のゼロクロスを検出した後に、各半導体スイッチのスイッチング動作を行っても良い。
また、別の制御方法として、受電コイルに対する給電停止期間では、全ての半導体スイッチを、受電コイルへの給電停止により受電コイルの電流がゼロになる直前のスイッチング状態に保ち、受電コイルに対する給電が開始された時には、受電コイルの電流のゼロクロスを検出した後に、各半導体スイッチのスイッチング動作を行ってもよい。
また、本発明に係る非接触給電装置の他の例として、前記ブリッジ回路を、半導体スイッチとダイオードとの逆並列接続回路からなるスイッチングアームを2個直列に接続したスイッチングアーム直列回路と、ダイオードを2個直列に接続したダイオード直列回路と、を並列に接続して構成しても良い。この場合、スイッチングアーム同士の接続点とダイオード同士の接続点とをブリッジ回路の交流端子とし、スイッチングアーム直列回路とダイオード直列回路との接続点をブリッジ回路の直流端子とする。
なお、この非接触給電装置において、少なくとも一つの半導体スイッチに、コンデンサを並列に接続しても良い。
この非接触給電装置の制御方法としては、受電コイルに対する給電停止期間では、全ての半導体スイッチをオフ状態とし、給電が開始された時には、受電コイルの電流のゼロクロスを検出した後に、各半導体スイッチのスイッチング動作を行う。
他の制御方法として、受電コイルに対する給電停止期間では、全ての半導体スイッチを、受電コイルへの給電停止により受電コイルの電流がゼロになる直前のスイッチング状態に保ち、給電が開始された時には、受電コイルの電流のゼロクロスを検出した後に、各半導体スイッチのスイッチング動作を行っても良い。
また、本発明に係る非接触給電装置の他の例として、受電回路内のブリッジ回路を、半導体スイッチとダイオードとの逆並列接続回路からなるスイッチングアームを2個直列に接続したスイッチングアーム直列回路と、共振コンデンサを2個直列に接続したコンデンサ直列回路と、を並列に接続して構成することにより、ブリッジ回路の中に共振コンデンサを組み込んでも良い。この場合、スイッチングアーム同士の接続点と共振コンデンサ同士の接続点とをブリッジ回路の交流端子とし、スイッチングアーム直列回路とコンデンサ直列回路との接続点をブリッジ回路の直流端子とする。
なお、この非接触給電装置において、少なくとも一つの半導体スイッチに、コンデンサを並列に接続しても良い。
この非接触給電装置の制御方法としては、受電コイルに対する給電停止期間では、全ての半導体スイッチをオフ状態とし、給電が開始された時には、受電コイルの電流のゼロクロスを検出した後に、各半導体スイッチのスイッチング動作を行う。
他の制御方法として、受電コイルに対する給電停止期間では、全ての半導体スイッチを、受電コイルへの給電停止により受電コイルの電流がゼロになる直前のスイッチング状態に保ち、給電が開始された時には、受電コイルの電流のゼロクロスを検出した後に、各半導体スイッチのスイッチング動作を行っても良い。
本発明によれば、従来技術のように定電圧制御回路を用いることなく、受電回路内のブリッジ回路を構成する半導体スイッチの駆動信号の位相制御によって直流出力電圧を一定に制御することができる。すなわち、受電回路をブリッジ回路及び平滑コンデンサのみによって構成可能であるため、回路構成の簡略化、小型化、低コスト化を図ることができる。同時に、回路の構成部品数を少なくして損失を低減し、高効率で安定した非接触給電が可能である。
本発明に係る非接触給電装置の第1実施形態を示す回路図である。 図1の動作説明図である。 図1の動作説明図である。 図2の所定期間におけるソフトスイッチングの動作説明図である。 本発明に係る非接触給電装置の第2実施形態を示す回路図である。 本発明に係る非接触給電装置の第3実施形態を示す回路図である。 本発明に係る制御方法の第1実施形態を示す動作説明図である。 本発明に係る制御方法の第2実施形態を示す動作説明図である。 本発明に係る制御方法の第3実施形態を示す動作説明図である。 本発明に係る非接触給電装置の第4実施形態を示す回路図である。 図10の動作説明図である。 本発明に係る非接触給電装置の第5実施形態を示す回路図である。 図11の所定期間におけるソフトスイッチングの動作説明図である。 本発明に係る非接触給電装置の第6実施形態を示す回路図である。 本発明に係る非接触給電装置の第7実施形態を示す回路図である。 本発明に係る制御方法の第4実施形態を示す動作説明図である。 本発明に係る制御方法の第5実施形態を示す動作説明図である。 本発明に係る非接触給電装置の第8実施形態を示す回路図である。 図18の動作説明図である。 図18の動作説明図である。 本発明に係る非接触給電装置の第9実施形態を示す回路図である。 図19の所定期間におけるソフトスイッチングの動作説明図である。 本発明に係る非接触給電装置の第10実施形態を示す回路図である。 本発明に係る非接触給電装置の第11実施形態を示す回路図である。 本発明に係る制御方法の第4実施形態を示す動作説明図である。 本発明に係る制御方法の第5実施形態を示す動作説明図である。 特許文献1に記載された従来技術の回路図である。
以下、図に沿って本発明の実施形態を説明する。なお、各実施形態では、主に受電コイル120の後段に接続された受電回路の構成が図27と異なるため、以下ではこの点を中心として各実施形態を説明する。また、各実施形態において、図27と同一機能を有する回路構成部品には同一符号を付してある。
図1は、本発明に係る非接触給電装置の第1実施形態を示す回路図であり、請求項1の発明に相当する。
図1において、310は受電回路である。この受電回路310は、ブリッジ接続された半導体スイッチQ,Q,Q,Qと、各スイッチQ,Q,Q,Qにそれぞれ逆並列に接続されたダイオードD,D,D,Dと、下アームのスイッチQ,Qにそれぞれ並列に接続されたコンデンサC,Cと、これらの素子からなるブリッジ回路(ブリッジインバータ)の直流端子間に接続された平滑コンデンサCと、を備えている。ブリッジ回路の交流端子間には、共振コンデンサCと受電コイル120との直列回路が接続され、平滑コンデンサCの両端には、負荷Rが接続されている。
また、200は、半導体スイッチQ,Q,Q,Qをスイッチングするための駆動信号を生成する制御装置である。この制御装置200は、電流検出手段CTにより検出した受電コイル120の電流iと受電回路310の直流出力電圧Vとに基づいて、前記駆動信号を生成する。
次に、図1に示した非接触給電装置の通常時の動作を説明する。
図1に示す回路は、受電コイル120と負荷Rとの間で、双方向の電力供給が可能である。以下では、受電コイル120から負荷Rに電力を供給する場合と、負荷Rから受電コイル120に電力を供給する場合の二種類の回路動作について説明する。
始めに、受電コイル120から負荷Rに電力を供給する場合の動作を説明する。
図2は、図1の受電コイル120を流れる電流iとブリッジ回路の交流電圧vの動作波形、及び、半導体スイッチQ,Q,Q,Qの駆動信号を示している。
図2に示すように、半導体スイッチQ,Q,Q,Qは、電流iに同期した一定周波数にてスイッチングする。以下に、図2の各期間I〜VIにおける動作を説明する。
(1)期間I(スイッチQ,Qがオン):受電コイル120の電流iは、共振コンデンサC→スイッチQ→ダイオードD→受電コイル120の経路で流れ、ブリッジ回路の電圧vは、図示のように零電圧レベルとなる。
(2)期間II(スイッチQ,Qがオン):電流iは、共振コンデンサC→ダイオードD→平滑コンデンサC→ダイオードD→受電コイル120の経路で流れ、電圧vは、図示のように直流出力電圧Vに相当する正電圧レベルとなる。この期間では、電流iにより平滑コンデンサCが充電される。
(3)期間III(スイッチQ,Qがオン):この期間では、電流iの極性が反転し、共振コンデンサC→受電コイル120→スイッチQ→平滑コンデンサC→スイッチQの経路で電流iが流れ、平滑コンデンサCが放電する。
(4)期間IV(スイッチQ,Qがオン):電流iは、共振コンデンサC→受電コイル120→ダイオードD→スイッチQの経路で流れ、電圧vは、図示のように零電圧レベルとなる。
(5)期間V(スイッチQ,Qがオン):電流iは、共振コンデンサC→受電コイル120→ダイオードD→平滑コンデンサC→ダイオードDの経路で流れ、電圧vは、図示のように直流出力電圧Vに相当する負電圧レベルとなる。この期間では、電流iにより平滑コンデンサCが充電される。
(6)期間VI(スイッチQ,Qがオン):この期間では、電流iの極性が反転し、共振コンデンサC→スイッチQ→平滑コンデンサC→スイッチQ→受電コイル120の経路で電流iが流れ、平滑コンデンサCが放電する。
以後は、期間Iのスイッチングモードに遷移し、同じ動作が繰り返される。
次に、負荷Rから受電コイル120に電力を供給する場合について説明する。
図3は、図2と同様に、受電コイル120を流れる電流iとブリッジ回路の交流電圧vの動作波形、及び、半導体スイッチQ,Q,Q,Qの駆動信号を示している。
図3に示すように、半導体スイッチQ,Q,Q,Qは、電流iに同期した一定周波数にてスイッチングする。図3における半導体スイッチQ,Q,Q,Qの駆動信号は、図2に示した半導体スイッチQ,Q,Q,Qの駆動信号に対して、電流iの半周期分だけずらした信号となっている。以下に、図3の各期間I’〜VI’における動作を説明する。
(1)期間I’(スイッチQ,Qがオン):受電コイル120の電流iは、共振コンデンサC→受電コイル120→スイッチQ→ダイオードDの経路で流れ、ブリッジ回路の交流電圧vは、図示のとおり零電圧レベルとなる。
(2)期間II’(スイッチQ,Qがオン):電流iは、共振コンデンサC→受電コイル120→スイッチQ→平滑コンデンサC→スイッチQの経路で流れ、平滑コンデンサCが放電する。
(3)期間III’(スイッチQ,Qがオン):この期間では、電流iの極性が反転し、共振コンデンサC→ダイオードD→平滑コンデンサC→ダイオードD→受電コイル120の経路で電流iが流れ、電圧vは、期間II’から引き続いて直流出力電圧Vに相当する正電圧レベルとなる。この期間では、電流iにより平滑コンデンサCが充電される。
(4)期間IV’(スイッチQ,Qがオン):電流iは、共振コンデンサC→ダイオードD→スイッチQ→受電コイル120の経路で流れ、交流電圧vは、図示のように零電圧レベルとなる。
(5)期間V’(スイッチQ,Qがオン):電流iは、共振コンデンサC→スイッチQ→平滑コンデンサC→スイッチQ→受電コイル120の経路で流れ、平滑コンデンサCが放電する。
(6)期間VI’(スイッチQ,Qがオン):この期間では、電流iの極性が反転し、共振コンデンサC→受電コイル120→ダイオードD→平滑コンデンサC→ダイオードDの経路で電流iが流れ、電圧vは、期間V’から引き続いて直流出力電圧Vに相当する負電圧レベルとなる。この期間では、電流iにより平滑コンデンサCが充電される。
以後は、期間I’のスイッチングモードに遷移し、同じ動作が繰り返される。
以上のように、半導体スイッチQ,Q,Q,Qを制御することで、ブリッジ回路の交流電圧vは、直流出力電圧Vを波高値とする正負電圧に制御される。一次側給電線110から受電回路310への給電電力は、図2に示した受電コイル120の電流iとブリッジ回路の電圧vとの積であり、制御装置200が、直流出力電圧Vの検出値に基づいて半導体スイッチQ,Q,Q,Qの駆動信号の位相を調整することで、給電電力の制御、すなわち直流出力電圧Vの一定制御が可能となる。また、受電回路310をブリッジ回路によって構成することで、負荷Rが回生負荷の場合でも電力を一定に保つ動作が可能である。
更に、図2及び図3に示した各期間が切り替わるときの半導体スイッチのオン・オフ動作は、下アーム側の半導体スイッチQ,Qに並列接続されたコンデンサC,Cの作用により、いわゆるソフトスイッチングを行うことができる。
図4に、図2の期間I(スイッチQ,Qがオン)→期間II(スイッチQ,Qがオン)の移行時における半導体スイッチQ,Qの動作波形を示す。期間Iでは受電コイル120の電流iがスイッチQに流れており、期間IIに移行するスイッチング動作として、制御装置200から出力される駆動信号に基づき、スイッチQがターンオフする。このとき、電流iはスイッチQに並列接続されたコンデンサCの充電電流となって流れ、スイッチQに印加される電圧VQxの立ち上がりに図示のような遅れが生じる。
これにより、スイッチQは零電圧スイッチングとなり、スイッチング動作に伴う損失を低減することができる。また、コンデンサCの充電後、電流iは上アーム側のダイオードDに転流する。スイッチQへの駆動オン信号が、ダイオードDへの転流動作後に入力されるように、スイッチQのオフ信号に対して遅延時間を設けておくことで、スイッチQのオン動作に伴うスイッチング損失は生じない。
なお、ここでは期間I→期間IIの移行時を例として述べたが、その他の期間の移行時における半導体スイッチのオン・オフ動作もこれと同様に、スイッチQ,Qに並列接続されたコンデンサC,Cの充放電作用により、零電圧スイッチングを行うことが可能である。
また、半導体スイッチにコンデンサを並列接続する例としては、図5の第2実施形態に示すように、上アーム側のスイッチQ,Qに接続し、または、図6の第3実施形態に示すように、上下アームの全ての半導体スイッチQ,Q,Q,Qに接続しても良い。これらの場合にも、零電圧スイッチングを行うことができる。
次いで、本発明に係る制御方法の第1実施形態を説明する。なお、以下に説明する制御方法の各実施形態は、停電等によって受電コイル120への給電が一旦停止され、その後に給電が再開される場合のものである。
図7は、図1の回路を対象として、一次側給電線110の給電停止〜再起動における受電コイル120の電流i、ブリッジ回路の交流電圧vの動作波形、及び、半導体スイッチQ,Q,Q,Qの駆動信号を示している。
通常の給電状態から図7のタイミング(a)で給電停止となった場合、図1における電流検出手段CTにより電流iの消失を検出し、全ての半導体スイッチQ,Q,Q,Qをオフ状態にしてその状態を保持する。
次に、図7のタイミング(b)で給電が再開されると、受電コイル120には一次側給電線110の高周波電流に応じた電圧が誘起される。このとき、受電回路310内のブリッジ回路は、上述したように全ての半導体スイッチQ,Q,Q,Qがオフ状態になっているので、ダイオード全波整流回路と等価になる。
このため、図1における受電コイル120→ダイオードD→平滑コンデンサC→ダイオードD→共振コンデンサCの経路で共振電流が流れる。この電流は、図7のタイミング(c)で極性が反転し、受電コイル120→共振コンデンサC→ダイオードD→平滑コンデンサC→ダイオードDの経路で流れる。
制御装置200では、電流検出手段CTにより、タイミング(c)における電流iのゼロクロスを検出し、各半導体スイッチのスイッチング動作を再開するように制御する。
これにより、本実施形態では、給電再開時に、一時的にダイオードによる全波整流動作を行うことで、受電コイル120に流れる共振電流の経路を確保し、その後に電流iのゼロクロスを検出した後に所望のスイッチング動作を開始することで、正常に再起動できるようにしている。
以上の回路動作は、給電再開時の受電コイル誘起電圧>直流出力電圧V(平滑コンデンサC電圧)の条件において成り立つものである。接続される負荷Rの特性により、給電再開時の受電コイル誘起電圧<直流出力電圧Vとなる場合には、以下の第2実施形態及び第3実施形態によって再起動動作を行うことができる。
図8は、本発明に係る制御方法の第2実施形態を示す動作説明図であり、図7と同様に、一次側給電線110の給電停止〜再起動における電流i、電圧vの動作波形、及び、半導体スイッチQ,Q,Q,Qの駆動信号を示してある。
通常の給電状態から図8のタイミング(a)で給電停止となった場合、図1における電流検出手段CTにより電流iの消失を検出し、個々の半導体スイッチQ,Q,Q,Qを、「Q:オフ,Q:オン,Q:オフ,Q:オン」の状態に制御する。
このオン・オフ制御は、図2に示した期間Iに対応するもので、下アーム側の半導体スイッチQ,Qのみをオン状態としている。
次に、図8のタイミング(b)で給電が再開されると、受電コイル120には一次側給電線110の高周波電流に応じた電圧が誘起される。このとき、受電回路310のブリッジ回路の半導体スイッチは、上記のオン・オフ状態にあり、受電コイル120→スイッチQ→ダイオードD→共振コンデンサCの経路で共振電流が流れる。この電流は図8のタイミング(c)で極性が反転し、受電コイル120→共振コンデンサC→スイッチQ→ダイオードDの経路で流れる。
制御装置200では、電流検出手段CTにより、タイミング(c)における電流iのゼロクロスを検出し、各半導体スイッチのスイッチング動作を再開するように制御する。つまり、タイミング(a)からタイミング(b)までの給電停止期間では、下アーム側の半導体スイッチQ,Qをオン状態に保持しておくことで、給電再開時の受電コイル120に流れる共振電流の経路を確保し、正常に再起動できるようにしている。
なお、図8では、給電停止期間に下アーム側の半導体スイッチQ,Qのみをオン状態とした例を示したが、上アーム側の半導体スイッチQ,Qのみをオン状態としても、前記同様に、給電再開時の受電コイル120に流れる共振電流の経路を確保できると共に、電流iのゼロクロス検出後に所望のスイッチング動作を再開することができる。
次いで、図9は、本発明に係る制御方法の第3実施形態を示す動作説明図であり、図7,図8と同様に、一次側給電線110の給電停止〜再起動における電流i、電圧vの動作波形、及び、半導体スイッチQ,Q,Q,Qの駆動信号を示してある。
この実施形態では、通常の給電状態から図9のタイミング(a)で給電停止となった場合、受電コイル120の電流iの消失を電流検出手段CTにより検出し、各半導体スイッチQ,Q,Q,Qを、電流iが消失する直前の制御状態と同様にしてその状態を保持する。
この時の半導体スイッチQ,Q,Q,Qのオン・オフ制御は、図2における期間IIまたは期間Vに対応している。図9では、電流iが負であるため、半導体スイッチQ,Q,Q,Qが、図2の期間Vと同じスイッチング状態で保持されている場合を示している。
次に、図9のタイミング(b)で給電が再開されると、受電コイル120には、一次側給電線110の高周波電流に応じた電圧が誘起される。このとき、受電回路310のブリッジインバータ回路の半導体スイッチは、上記のオン・オフ状態、つまり、「Q:オフ,Q:オン,Q:オン,Q:オフ」となっている。
このため、受電コイル120→ダイオードD→平滑コンデンサD→ダイオードD→共振コンデンサCの経路で共振電流が流れようとするが、給電再開時の受電コイル120の誘起電圧<直流出力電圧Vである場合、この経路では電流iが流れ得ない。
次いで、図9のタイミング(c)で電流iの極性が反転すると、電流iは共振コンデンサC→スイッチQ→平滑コンデンサC→スイッチQ→受電コイル120の経路で流れ始めるので、平滑コンデンサCの放電期間となる。更に、図9のタイミング(d)で電流iの極性が反転し、受電コイル120→ダイオードD→平滑コンデンサC→ダイオードD→共振コンデンサCの経路で電流iが流れ、平滑コンデンサCの充電期間となる。
制御装置200では、図9のタイミング(d)で電流検出手段CTにより電流iのゼロクロスを検出し、図2に示した通常動作と同様のスイッチング動作を再開するように制御するため、各半導体スイッチは、「Q:オン,Q:オフ,Q:オン,Q:オフ」の状態に移行し、図2に示した期間IVと同様の経路で電流iが流れる。
つまり、半導体スイッチを、受電コイル120の電流iが消失するタイミング(図9のタイミング(a))の直前のスイッチング状態に保持することにより、給電再開時の受電コイル120に流れる共振電流の経路を確保し、電流iのゼロクロスを検出してスイッチング動作を再開することで正常に再起動可能としている。
次に、図10は、本発明に係る非接触給電装置の第4実施形態を示す回路図である。
図1,図5,図6に示した非接触給電装置では、半導体スイッチQ,Q,Q,Qをブリッジ接続して受電回路を構成することで、後段に力行負荷、回生負荷のどちらが接続されても、直流出力電圧Vを一定に制御できる特徴がある。しかしながら、半導体スイッチを4つ必要とすることから、冷却手段等を考慮に入れると、装置の大型化及びコスト増大のおそれがある。
そこで、この第4実施形態の非接触給電装置は、力行負荷のみに対応させて回生負荷には対応しないことで、装置の小型化、低コスト化を図っている。
図10において、受電回路340は、半導体スイッチQにダイオードDを逆並列に接続したアームと、半導体スイッチQにダイオードDを逆並列に接続したアームと、を直列に接続したスイッチングアーム直列回路を有すると共に、ダイオードD,Dを直列に接続したダイオード直列回路を有している。そして、これらのスイッチングアーム直列回路とダイオード直列回路とが並列に接続され、ダイオード直列回路の両端に平滑コンデンサCが接続されている。なお、スイッチングアーム直列回路の内部接続点とダイオード直列回路の内部接続点とがブリッジ回路の交流端子となり、ダイオード直列回路の両端が直流端子となっている。受電回路340以外の構成は、前述した各実施形態と同様である。
制御装置200は、受電回路340の直流出力電圧Vと受電コイル120の電流iの検出信号に基づいて、半導体スイッチQ,Qの駆動信号を生成する。
図11は、図10の回路の動作説明図であり、電流i、電圧vの動作波形、及び半導体スイッチQ,Qの駆動信号を示している。
図11に示すように、各半導体スイッチQ,Qは、受電コイル120の電流iに同期した一定周波数にてスイッチング動作を行う。以下に、図11の各期間i〜ivの動作を説明する。
(1)期間i(スイッチQがオン、ダイオードDが導通):電流iは、共振コンデンサC→スイッチQ→ダイオードD→受電コイル120の経路で流れ、電圧vは図示のとおり零電圧レベルとなる。
(2)期間ii(スイッチQがオン、ダイオードDが導通):電流iは、共振コンデンサC→ダイオードD→平滑コンデンサC→ダイオードD→受電コイル120の経路で流れ、電圧vは、図示のように直流出力電圧Vに相当する正電圧レベルとなる。この期間では、電流iにより平滑コンデンサCが充電される。
(3)期間iii(スイッチQがオン、ダイオードDが導通):電流iは、共振コンデンサC→受電コイル120→ダイオードD→スイッチQの経路で流れ、電圧vは、図示のように零電圧レベルとなる。
(4)期間iv(スイッチQがオン、ダイオードDが導通):電流iは、共振コンデンサC→受電コイル120→ダイオードD→平滑コンデンサC→ダイオードDの経路で流れ、電圧vは、図示のように直流出力電圧Vに相当する負電圧レベルとなる。この期間では、電流iにより平滑コンデンサCが充電される。
以後は、期間iのスイッチングモードに遷移し、同様の動作が繰り返される。
以上のように、半導体スイッチQ,Qを制御することで、ブリッジ回路の交流電圧vは、直流出力電圧Vを波高値とする正負電圧に制御される。一次側給電線110から受電回路340への給電電力は、図11に示した電流iと電圧vとの積であり、制御装置200が、直流出力電圧Vの検出値に基づいて半導体スイッチQ,Qの駆動信号の位相を調整することで、給電電力の制御、すなわち直流出力電圧Vの一定制御が可能となる。
なお、図12は、本発明に係る非接触給電装置の第5実施形態を示す回路図である。この実施形態は、図1の第1実施形態と同様の着想により、下アーム側の半導体スイッチQにコンデンサCを接続したものである。この第5実施形態によれば、図11に示した各期間が切り替わるときの半導体スイッチのオン・オフ動作時に、いわゆるソフトスイッチングを行うことができる。
図13は、図11に示した期間i→期間iiにおける半導体スイッチQ,Qの動作波形図である。この動作波形図は、前述した図4の期間I→期間IIにおける半導体スイッチQ,Qの動作波形図と同一であるため、ここでは説明を省略する。
なお、期間i→期間iiの移行時だけでなく、その他の期間の移行時における半導体スイッチのオン・オフ動作も、スイッチQに並列接続されたコンデンサCの充放電作用によって零電圧スイッチングを行うことができる。
また、半導体スイッチにコンデンサを並列接続する例としては、図14の第6実施形態に示すように、上アーム側のスイッチQに接続し、または、図15の第7実施形態に示すように、上下アームの半導体スイッチQ,Qに接続しても良い。これらの場合にも、零電圧スイッチングが可能である。
次に、図16は、本発明に係る制御方法の第4実施形態を示す動作説明図であり、一次側給電線110の給電停止〜再起動における電流i、電圧vの動作波形、及び、半導体スイッチQ,Qの駆動信号を示してある。
通常の給電状態から図16のタイミング(a)で受電コイル120による給電が停止された場合、図10における電流検出手段CTにより電流iの消失を検出し、両方のスイッチQ,Qをオフ状態にしてその状態を保持する。
その後、図16のタイミング(b)で給電が再開されると、受電コイル120には一次側給電線110の高周波電流に応じた電圧が誘起される。このとき、受電回路340のブリッジ回路は、上述したようにスイッチQ,Qがオフ状態であるため、ダイオード全波整流回路と等価となる。このため、受電コイル120→ダイオードD→平滑コンデンサC→ダイオードD→共振コンデンサCの経路で共振電流が流れる。この電流は図16のタイミング(c)で極性が反転し、受電コイル120→共振コンデンサC→ダイオードD→平滑コンデンサC→ダイオードDの経路で流れる。
制御装置200では、電流検出手段CTにより、タイミング(c)における電流iのゼロクロスを検出し、各半導体スイッチQ,Qのスイッチング動作を再開するように制御する。これにより、給電再開時は、一時的にダイオードによる全波整流動作を行うことで、受電コイル120に流れる共振電流の経路を確保し、電流iのゼロクロスを検出した後に、所望のスイッチング動作を開始させて正常に再起動できるようにしている。
なお、以上の回路動作は、給電再開時の受電コイル誘起電圧>直流出力電圧V(平滑コンデンサC電圧)の条件において成り立つものである。このため、接続される負荷特性によって給電再開時の受電コイル誘起電圧<直流出力電圧Vとなる場合には、以下の第5実施形態に係る制御方法により再起動動作を行うことができる。
図17は、本発明に係る制御方法の第5実施形態を示す動作説明図であり、図16と同様に、一次側給電線110の給電停止〜再起動における電流i、電圧vの動作波形、及び、半導体スイッチQ,Qの駆動信号を示してある。
通常の給電状態から図17のタイミング(a)で受電コイル120による給電が停止された場合、この実施形態では、電流iの消失を電流検出手段CTにて検出し、各スイッチQ,Qを電流iが消失する直前の制御状態と同様にしてその状態を保持する。
この時のオン・オフ制御は、図11に示した期間iiまたは期間ivに対応している。図17では、電流iが負であるため、半導体スイッチQ,Qが、図11の期間ivと同じスイッチング状態で保持されている場合を示している。
次に、図17のタイミング(b)で給電が再開されると、受電コイル120には、一次側給電線110の高周波電流に応じた電圧が誘起される。このとき、受電回路340のブリッジ回路は、上記のオン・オフ状態(スイッチQがオフ、スイッチQがオン)にあり、受電コイル120→ダイオードD→平滑コンデンサC→ダイオードD→共振コンデンサCの経路で共振電流が流れようとするが(図17に破線で示す)、給電再開時の受電コイル誘起電圧<直流出力電圧Vである場合、この経路では電流が流れ得ない。
次に、図17のタイミング(c)で極性が反転すると、電流iは共振コンデンサC→スイッチQ→ダイオードD→受電コイル120の経路で流れ始め、電圧vは図示のとおり零電圧レベルとなる。更に、図17のタイミング(d)で電流iの極性が反転すると、制御装置200では、電流検出手段CTの出力から電流iのゼロクロスを検出する。
そして、制御装置200は、図11に示した通常動作と同様のスイッチング動作を再開するように制御するため、スイッチQがオン、スイッチQがオフの状態に移行し、図11に示した期間iiiと同様の経路で電流が流れる。
つまり、スイッチQ,Qを電流iの消失直前と同様の制御状態としておいても、給電再開時の受電コイル120に流れる共振電流の経路を確保し、電流iのゼロクロスを検出してスイッチング動作を再開することで、正常に再起動可能としている。
次に、図18は、本発明に係る非接触給電装置の第8実施形態を示す回路図である。図10,図12,図14,図15に示した非接触給電装置では、ブリッジ回路をスイッチングアーム直列回路とダイオード直列回路とにより構成することで、半導体スイッチの個数を減らし、装置の小型化、低コスト化を図っている。しかしながら、これらの非接触給電装置は後段に接続される負荷が力行負荷である場合にのみ対応しており、回生負荷である場合には対応していない。
そこで、この第8実施形態の非接触給電装置は、装置の小型化、低コスト化を図りつつ、力行負荷及び回生負荷のどちらにも対応できる構成としている。
図18において、受電回路380は、半導体スイッチQにダイオードDを逆並列に接続したアームと、半導体スイッチQにダイオードDを逆並列に接続したアームと、を直列に接続したスイッチングアーム直列回路を有すると共に、共振コンデンサC,Cを直列に接続したコンデンサ直列回路を有している。なお、共振コンデンサC,Cについては、図6等におけるコンデンサC,Cと接続位置が同様であるため、同一の参照符号を用いることとする。
そして、これらのスイッチングアーム直列回路とコンデンサ直列回路とが並列に接続され、コンデンサ直列回路の両端に平滑コンデンサCが接続されている。なお、スイッチングアーム直列回路の内部接続点とコンデンサ直列回路の内部接続点とがブリッジ回路の交流端子となり、コンデンサ直列回路の両端が直流端子となる。ブリッジ回路の交流端子には受電コイル120が接続され、直流端子には負荷Rが接続されている。
制御装置200は、受電回路380の直流出力電圧Vと受電コイル120の電流iの検出信号とに基づいて、半導体スイッチQ,Qの駆動信号を生成する。
次に,図18に示した非接触給電装置の通常時の動作を説明する。
図18に示す回路は、受電コイル120と負荷Rとの間で、双方向の電力供給が可能である。以下では、受電コイル120から負荷Rに電力を供給する場合と、負荷Rから受電コイル120に電力を供給する場合の二種類の回路動作について説明する。
始めに、受電コイル120から負荷Rに電力を供給する場合の動作を説明する。
図19は、図18の受電コイル120を流れる電流iとブリッジ回路の交流電圧vの動作波形、及び半導体スイッチQ,Qの駆動信号を示している。図19に示すように、各半導体スイッチQ,Qは、受電コイル120の電流iに同期した一定周波数にてスイッチング動作を行う。以下に、図19の各期間i〜ivの動作を説明する。
(1)期間i(スイッチQがオン):電流iは、受電コイル120→スイッチQ→コンデンサCの経路で流れ、コンデンサCが放電する。このとき、電圧vはコンデンサCの電圧に相当する負電圧レベルとなる。
(2)期間ii(スイッチQがオン):電流iは、受電コイル120→ダイオードD→平滑コンデンサC→コンデンサCの経路で流れ、平滑コンデンサCが充電され、コンデンサCが放電する。このとき、電圧vは、直流出力電圧VとコンデンサCの電圧の差に相当する電圧レベルとなる。
(3)期間iii(スイッチQがオン):電流iは、受電コイル120→コンデンサC→スイッチQの経路で流れ、コンデンサCが放電する。このとき、電圧vはコンデンサCの電圧に相当する正電圧レベルとなる。
(4)期間iv(スイッチQがオン):電流iは、受電コイル120→コンデンサC→平滑コンデンサC→ダイオードDの経路で流れ、平滑コンデンサCが充電され、コンデンサCが放電する。このとき、電圧vはコンデンサCと直流出力電圧Vの電圧との差に相当する電圧レベルとなる。
以後は、期間iのスイッチングモードに遷移し、同様の動作が繰り返される。
次に、負荷Rから受電コイル120に電力を供給する場合について説明する。
図20は、図19と同様に、受電コイル120を流れる電流iとブリッジ回路の交流電圧vの動作波形、及び、半導体スイッチQ,Qの駆動信号を示している。
図20に示すように、各半導体スイッチQ,Qは、受電コイル120の電流iに同期した一定周波数にてスイッチング動作を行う。以下に、図20の各期間i’〜iv ’の動作を説明する。
(1)期間i’(スイッチQがオン):電流iは、受電コイル120→コンデンサC→ダイオードDの経路で流れ、コンデンサCが充電される。このとき、電圧vはコンデンサCの電圧に相当する負電圧レベルとなる。
(2)期間ii’(スイッチQがオン):電流iは、受電コイル120→コンデンサC→平滑コンデンサC→スイッチQの経路で流れ、平滑コンデンサCが放電し、コンデンサCが充電される。このとき、電圧vは直流出力電圧VとコンデンサCの電圧との差に相当する電圧レベルとなる。
(3)期間iii’(スイッチQがオン):電流iは、受電コイル120→ダイオードD→コンデンサCの経路で流れ、コンデンサCが充電される。このとき、電圧vはコンデンサCの電圧に相当する正電圧レベルとなる。
(4)期間iv’(スイッチQがオン):電流iは、受電コイル120→スイッチQ→平滑コンデンサC→コンデンサC→受電コイル120の経路で流れ、平滑コンデンサCが放電し、コンデンサCが充電される。このとき、電圧vはコンデンサCと直流出力電圧Vの電圧との差に相当する電圧レベルとなる。
以後は、期間i’のスイッチングモードに遷移し、同様の動作が繰り返される。
以上のように、半導体スイッチQ,Qを制御することで、ブリッジ回路の交流電圧vは、コンデンサC,Cの電圧、または、直流出力電圧VとコンデンサC,Cの電圧との差に制御される。一次側給電線110から受電回路380への給電電力は、図19に示した電流iと電圧vとの積であり、制御装置200が、直流出力電圧Vの検出値に基づいて半導体スイッチQ,Qの駆動信号の位相を調整することで、給電電力の制御、すなわち直流出力電圧Vの一定制御が可能となる。
なお、図21は、本発明に係る非接触給電装置の第9実施形態を示す回路図であり、390は受電回路である。この実施形態は、図1の第1実施形態と同様の着想により、下アーム側の半導体スイッチQにコンデンサCを接続したものである。この第9実施形態によれば、図19及び図20に示した各期間が切り替わるときの半導体スイッチのオン・オフ動作時に、いわゆるソフトスイッチングを行うことができる。
図22は、図19に示した期間i→期間iiにおける半導体スイッチQ,Qの動作波形図である。この動作波形図は、前述した図4の期間I→期間IIにおける半導体スイッチQ,Qの動作波形図と同一であるため、ここでは説明を省略する。
なお、期間i→期間iiの移行時だけでなく、その他の期間の移行時における半導体スイッチのオン・オフ動作も、スイッチQに並列接続されたコンデンサCの充放電作用によって零電圧スイッチングを行うことができる。
また、半導体スイッチにコンデンサを並列接続する例としては、図23の第10実施形態に係る非接触給電装置400のように、上アーム側のスイッチQにコンデンサCを並列に接続し、または、図24の第11実施形態に係る非接触給電装置410のように、上下アームの半導体スイッチQ,QにコンデンサC,Cをそれぞれ並列に接続しても良い。これらの場合にも、零電圧スイッチングが可能である。
次に、図25は、前述した図16と同様に、本発明に係る制御方法の第4実施形態を示す動作説明図であり、一次側給電線110の給電停止〜再起動における電流i、電圧vの動作波形、及び、半導体スイッチQ,Qの駆動信号を示してある。この制御方法は、図18,図21,図23,図24に示した非接触給電装置の第8実施形態〜第11実施形態に適用されるものであり、基本的な再起動方法は、図16の動作説明図により説明した方法とほぼ同様である。
すなわち、図25のタイミング(a)で受電コイル120による給電の停止、電流iの消失を検出し、スイッチQ,Qをオフ状態にしてその状態を保持する。そして、タイミング(b)で給電が再開されると、受電コイル120には一次側給電線110の高周波電流に応じた電圧が誘起され、受電コイル120→共振コンデンサC→平滑コンデンサC→ダイオードDの経路で共振電流が流れる。この電流はタイミング(c)で極性が反転し、受電コイル120→ダイオードD→平滑コンデンサC→共振コンデンサCの経路で流れる。
制御装置200では、電流検出手段CTにより、タイミング(c)における電流iのゼロクロスを検出し、その後に各半導体スイッチQ,Qのスイッチング動作を再開して再起動を可能にしている。
図26は,前述した図17と同様に、本発明に係る制御方法の第5実施形態を示す動作説明図であり,一次側給電線110の給電停止〜再起動における電流i、電圧vの動作波形、及び、半導体スイッチQ,Qの駆動信号を示してある。この制御方法も図18,図21,図23,図24に示した非接触給電装置の第8実施形態〜第11実施形態に適用されるものであり、基本的な再起動方法は、図17の動作説明図により説明した方法とほぼ同様である。
すなわち、図26のタイミング(a)で受電コイル120による給電の停止、電流iの消失を検出し、スイッチQ,Qを電流消失直前の制御状態と同様にしてその状態を保持する。次に、タイミング(b)で給電が再開されると、受電コイル120→共振コンデンサC→平滑コンデンサC→ダイオードDの経路で共振電流が流れようとするが(図26に破線で示す)、給電再開時の受電コイル誘起電圧<直流出力電圧Vである場合、この経路では電流が流れ得ない。
次に、タイミング(c)で極性が反転すると、電流iは受電コイル120→スイッチQ→共振コンデンサCの経路で流れ始める。そして、タイミング(d)で電流iの極性が反転すると、制御装置200は電流iのゼロクロスを検出し、スイッチQをオン、スイッチQをオフ状態に移行させて通常と同様のスイッチング動作を再開し、正常な再起動を可能にしている。
本発明は、非接触状態で電源が供給される各種の電気・電子機器、電気車両等に利用することができる。
100:高周波電源
110:一次側給電線
120:受電コイル
200:制御装置
310,320,330,340,350,360,370,380,390,400,410:受電回路
C:共振コンデンサ
CT:電流検出手段
,Q,Q,Q:半導体スイッチ
,D,D,D:ダイオード
,C,C,C:コンデンサ
:平滑コンデンサ
R:負荷

Claims (5)

  1. 外部との磁気結合により非接触にて電力を授受するコイルと、前記コイルの一端が共振コンデンサを介して一方の交流端子に接続され、かつ、前記コイルの他端が他方の交流端子に接続されたブリッジ回路と、前記ブリッジ回路の直流端子間に接続された平滑コンデンサと、を備え、前記平滑コンデンサの両端に負荷が接続された非接触給電装置であって、前記ブリッジ回路が、半導体スイッチとダイオードとの逆並列接続回路を上下アームにそれぞれ有し、 前記ブリッジ回路の上アームまたは下アームのいずれか一方の半導体スイッチ、あるいは、上下アームの両方の半導体スイッチに、コンデンサを並列に接続してなる非接触給電装置における、前記半導体スイッチのスイッチング動作を制御する制御方法において、
    前記コイルに対する外部からの給電が停止している期間では、前記ブリッジ回路の上アームまたは下アームの半導体スイッチをオン状態とし、給電が開始された時には、前記コイルの電流のゼロクロスを検出した後に、前記ブリッジ回路の各半導体スイッチのスイッチング動作を行うことを特徴とする非接触給電装置の制御方法。
  2. 外部との磁気結合により非接触にて電力を授受するコイルと、前記コイルの一端が共振コンデンサを介して一方の交流端子に接続され、かつ、前記コイルの他端が他方の交流端子に接続されたブリッジ回路と、前記ブリッジ回路の直流端子間に接続された平滑コンデンサと、を備え、前記平滑コンデンサの両端に負荷が接続された非接触給電装置であって、前記ブリッジ回路が、半導体スイッチとダイオードとの逆並列接続回路を上下アームにそれぞれ有し、 前記ブリッジ回路の上アームまたは下アームのいずれか一方の半導体スイッチ、あるいは、上下アームの両方の半導体スイッチに、コンデンサを並列に接続してなる非接触給電装置における、前記半導体スイッチのスイッチング動作を制御する制御方法において、
    前記コイルに対する外部からの給電が停止している期間では、前記ブリッジ回路の全ての半導体スイッチを、前記コイルに対する給電の停止により前記コイルの電流がゼロになる直前のスイッチング状態に保ち、前記コイルに対する給電が開始された時には、前記コイルの電流のゼロクロスを検出した後に、前記ブリッジ回路の各半導体スイッチのスイッチング動作を行うことを特徴とする非接触給電装置の制御方法。
  3. 外部との磁気結合により非接触にて電力を授受するコイルと、前記コイルの一端が共振コンデンサを介して一方の交流端子に接続され、かつ、前記コイルの他端が他方の交流端子に接続されたブリッジ回路と、前記ブリッジ回路の直流端子間に接続された平滑コンデンサと、を備え、前記平滑コンデンサの両端に負荷が接続された非接触給電装置であって、前記ブリッジ回路が、半導体スイッチとダイオードとの逆並列接続回路からなるスイッチングアームを2個直列に接続したスイッチングアーム直列回路と、ダイオードを2個直列に接続したダイオード直列回路と、を有し、前記スイッチングアーム同士の接続点と前記ダイオード同士の接続点とを前記ブリッジ回路の前記交流端子とし、前記スイッチングアーム直列回路と前記ダイオード直列回路との接続点を前記ブリッジ回路の前記直流端子とした非接触給電装置における、前記半導体スイッチのスイッチング動作を制御する制御方法において、
    前記コイルに対する外部からの給電が停止している期間では、全ての前記半導体スイッチを、前記コイルに対する給電の停止により前記コイルの電流がゼロになる直前のスイッチング状態に保ち、前記コイルに対する給電が開始された時には、前記コイルの電流のゼロクロスを検出した後に、各半導体スイッチのスイッチング動作を行うことを特徴とする非接触給電装置の制御方法。
  4. 外部との磁気結合により非接触にて電力を授受するコイルと、前記コイルの一端が一方の交流端子に接続され、かつ、前記コイルの他端が他方の交流端子に接続されたブリッジ回路と、前記ブリッジ回路の直流端子間に接続された平滑コンデンサと、を備え、前記平滑コンデンサの両端に負荷が接続された非接触給電装置であって、前記ブリッジ回路が、半導体スイッチとダイオードとの逆並列接続回路からなるスイッチングアームを2個直列に接続したスイッチングアーム直列回路と、共振コンデンサを2個直列に接続したコンデンサ直列回路と、を有し、 前記スイッチングアーム同士の接続点と前記共振コンデンサ同士の接続点とを前記ブリッジ回路の前記交流端子とし、前記スイッチングアーム直列回路と前記コンデンサ直列回路との接続点を前記ブリッジ回路の前記直流端子とした非接触給電装置における、前記半導体スイッチのスイッチング動作を制御する制御方法において、
    前記コイルに対する外部からの給電が停止している期間では、全ての前記半導体スイッチを、前記コイルに対する給電の停止により前記コイルの電流がゼロになる直前のスイッチング状態に保ち、前記コイルに対する給電が開始された時には、前記コイルの電流のゼロクロスを検出した後に、各半導体スイッチのスイッチング動作を行うことを特徴とする非接触給電装置の制御方法。
  5. 請求項3または4に記載した非接触給電装置の制御方法において、
    少なくとも一つの半導体スイッチに、コンデンサが並列に接続されていることを特徴とする非接触給電装置の制御方法。
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