JP5927316B2 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
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Description
る均一な素子特性を兼ね備えた新たな半導体材料として、酸化物半導体が注目されている
。
ム(Ga)を含む酸化物(In−Ga−Zn−O組成を持つ材料)を用いた電界効果トラ
ンジスタが提案されている。
、低コスト化が課題である。
る酸化物半導体材料の提供ならびにこれを用いた電界効果トランジスタの提供を目的とす
る。
n−O組成を持つ材料)を酸化物半導体材料として用いる。このとき、酸化物半導体膜中
におけるSiの含有量は、4mol%以上8mol%以下とする。
、ドレイン電極と、を備え、酸化物半導体膜は、インジウムとシリコンと亜鉛を含む酸化
物であり、酸化物半導体膜中におけるシリコンの含有量は、4mol%以上8mol%以
下であることを特徴とする電界効果トランジスタである。
ジスタを低コストで提供することができる。
。ただし、発明は以下の説明に限定されず、その発明の趣旨およびその範囲から逸脱する
ことなく、その態様および詳細をさまざまに変更し得ることは当業者であれば容易に理解
される。したがって、発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるもの
ではない。
図1は、酸化物半導体を用いた電界効果トランジスタの断面模式図である。この電界効
果トランジスタは、基板10,下地絶縁膜20,ゲート電極30,ゲート絶縁膜40,酸
化物半導体膜50および金属膜60で構成されている。なお、酸化物半導体膜50は、I
n−Si−Zn−O膜である。
だし、電界効果トランジスタの構造はこれに限定されるものではなく、任意のトップゲー
ト構造、ボトムゲート構造によって構成することができる。
は、ガラス基板のなかでも、歪点が730℃以上のものを用いるとよい。また、耐熱性を
考えると、酸化ホウ酸(B2O3)より、酸化バリウム(BaO)を多く含むガラス基板
が好適である。
どの絶縁体からなる基板を、基板10として用いてもよい。他にも、結晶化ガラスなどを
、基板10として用いることができる。
下地絶縁膜20は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜あるいは窒化
酸化シリコン膜から選ばれた一または複数の膜により形成することができる。
はない。つまり、絶縁表面を有する基板10上に、ゲート電極30を形成できればよい。
は、アルミニウム(Al),クロム(Cr),銅(Cu),タンタル(Ta),チタン(
Ti),モリブデン(Mo)あるいはタングステン(W)から選ばれた元素、またはこれ
らの元素を成分とする合金などを用いることができる。例えば、チタン膜−アルミニウム
膜−チタン膜の3層構造あるいはモリブデン膜−アルミニウム膜−モリブデン膜の3層構
造などを用いることができる。なお、金属導電膜は3層構造に限られず、単層、または2
層構造、あるいは4層以上の積層構造であってもよい。
膜であることが望まれる。そのため、特に、μ波(2.45GHz)を用いた高密度プラ
ズマCVD法により、ゲート絶縁膜40を成膜することが適している。ゲート絶縁膜40
成膜時のプラズマダメージを減らすためである。この結果、ゲート絶縁膜40で生じる欠
陥を低減することが可能となり、その後形成する酸化物半導体膜50との界面の状態を良
好にすることができる。仮に、酸化物半導体膜50と、ゲート絶縁膜40との界面の状態
が不良であるとすると、電界効果トランジスタの代表的な信頼性評価試験であるバイアス
・温度(BT)試験において、不純物と酸化物半導体の主成分との結合手が切断されるこ
とで生成された不対結合手により、しきい値電圧のシフトが誘発される結果となる。
また、ゲート絶縁膜40としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、窒
化酸化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、窒化酸
化アルミニウムまたは酸化ハフニウムなどの膜を用いることができる。
は、4mol%以上8mol%以下である。
(水素化合物ともいう)などの不純物を意図的に排除したのち、これらの不純物の排除工
程において同時に減少してしまう酸素を供給することで、高純度化および電気的にi型(
真性)化されている。電界効果トランジスタの電気的特性の変動を抑制するためである。
がって、酸化物半導体膜50に含まれる水素は、5×1019atoms/cm3以下、
好ましくは5×1018atoms/cm3以下、より好ましくは5×1017atom
s/cm3以下、さらに好ましくは5×1016atoms/cm3未満とするとよい。
当該水素濃度は、二次イオン質量分析法(SIMS;Secondary Ion Ma
ss Spectrometry)により測定できる。
ャリアが誘起されにくい。そのため、酸化物半導体膜50を用いた電界効果トランジスタ
においては、トンネル電流が発生し難く、ひいては、オフ電流が流れ難いといえる。
においては、衝突イオン化ならびにアバランシェ降伏が起きにくい。したがって、酸化物
半導体膜50を用いた電界効果トランジスタは、ホットキャリア劣化への耐性があるとい
える。ホットキャリア劣化の主な要因は、アバランシェ降伏によってキャリアが増大し、
高速に加速されたキャリアがゲート絶縁膜へ注入されることであるためである。
、アルミニウム(Al),クロム(Cr),銅(Cu),タンタル(Ta),チタン(T
i),モリブデン(Mo)あるいはタングステン(W)などの金属材料、またはこれらの
金属材料を成分とする合金材料を用いることができる。また、金属膜60は、アルミニウ
ム(Al),銅(Cu)などの金属膜の片面または両面に、クロム(Cr),タンタル(
Ta),チタン(Ti),モリブデン(Mo)またはタングステン(W)などの高融点金
属膜を積層させた構成としてもよい。なお、シリコン(Si),チタン(Ti),タンタ
ル(Ta),タングステン(W),モリブデン(Mo),クロム(Cr),ネオジム(N
d),スカンジウム(Sc)またはイットリウム(Y)など、アルミニウム膜に生ずるヒ
ロックやウィスカーの発生を防止する元素が添加されているアルミニウム材料を用いるこ
とで、耐熱性にすぐれた金属膜60を得ることができる。
図1に示す構成の電界効果トランジスタの作製工程について、図25(A)−(D)お
よび図26(A)−(D)に基づいて説明する。
図25(B) 下地絶縁膜20上に、導電膜35を成膜する。
図25(C) 第1のフォトリソグラフィ工程により、ゲート電極30を形成する。
図25(D) ゲート電極30上に、ゲート絶縁膜40を成膜する。
図26(A) ゲート絶縁膜40上に、酸化物半導体膜55を成膜する。
図26(B) 酸化物半導体膜55をエッチングして、酸化物半導体膜50を形成する。
図26(C) 酸化物半導体膜50上に、金属膜65を成膜する。
図26(D) 金属膜65をエッチングして、金属膜60を形成する。
以上の工程により、図1に示す電界効果トランジスタが得られる。
程に用いるレジストマスクは、インクジェット法で形成してもよい。レジストマスクをイ
ンクジェット法で形成すると、フォトマスクを使用しないため、製造コストを低減できる
。
ば、スパッタリング法によって成膜する。この成膜の前処理として、スパッタリング装置
の予備加熱室において、ゲート電極30が形成された基板10を予備加熱することによっ
て、基板10に吸着した水素ならびに水分などの不純物を脱離および排気するとよい。そ
の後形成されるゲート絶縁膜40および酸化物半導体膜50に、水素ならびに水分などの
不純物が極力含まれないようにするためである。また、ゲート絶縁膜40までが形成され
た基板10を予備加熱してもよい。
0℃以下であれば、さらに好適である。また、予備加熱室における排気手段は、クライオ
ポンプを用いることが適切である。
スパッタリング法によって成膜する。
室温以上400℃未満の温度に加熱する。それから、処理室内の残留水分を除去しつつ、
水素および水分が除去されたスパッタガスを導入しながら、基板10とターゲットとの間
に電圧を印加することによって、基板10上に酸化物半導体膜55を成膜する。
である。例として、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプなど
があげられる。また、排気手段として、ターボポンプにコールドトラップを加えたものを
用いることもできる。処理室内より、水(H2O)など水素原子を含む化合物(より好ま
しくは炭素原子を含む化合物も)等を排気することにより、当該処理室において成膜した
酸化物半導体膜55に含まれる不純物の濃度を低減できる。また、クライオポンプにより
処理室内に残留する水分を除去しつつスパッタ成膜を行うことにより、酸化物半導体膜5
5を成膜する際の基板10の温度を、室温以上400℃未満とすることができる。
て、ゲート絶縁膜40の表面に付着しているゴミを除去するとよい。逆スパッタとは、タ
ーゲット側に電圧を印加せずに、基板側にRF電源を用いて電圧を印加することにより生
じる反応性プラズマによって、基板表面を洗浄する方法である。なお、逆スパッタは、ア
ルゴン雰囲気中で行う。また、アルゴンにかえて、窒素、ヘリウムあるいは酸素などを用
いてもよい。
脱水化または脱水素化のために熱処理を行う。脱水化または脱水素化のための加熱処理の
温度は、350℃以上750℃以下が適切である。
に、酸化物半導体膜50が形成された基板10を導入し、窒素雰囲気下において行う。そ
の後、同じ炉に高純度の酸素ガス、高純度の一酸化二窒素(N2O)ガスまたは超乾燥エ
ア(露点が−40℃以下、好ましくは−60℃以下で、窒素と酸素が4対1の割合で混合
された気体)を導入して冷却を行う。酸素ガスまたはN2Oガスには、水、水素などが含
まれないことが望まれる。また、酸素ガスまたはN2Oガスの純度を、6N(99.99
99%)以上、好ましくは7N(99.99999%)以上、(すなわち酸素ガスまたは
N2Oガス中の不純物濃度を1ppm以下、好ましくは0.1ppm以下)とすることが
適切である。
hermal Anneal)装置、LRTA(Lamp Rapid Thermal
Anneal)装置などのRTA(Rapid Thermal Anneal)装置
を用いることもできる。
の成膜工程の後に行ってもよい。
ターゲット組成の異なる4種類のIn−Si−Zn−O膜を成膜し、その特性を比較し
た。ターゲット組成は、次の[1]−[4]のとおりである。
[1]In2O3:ZnO=1:2[mol](Si=0[mol%]),
[2]In2O3:ZnO:SiO2=1:2:0.2[mol](Si=2[mol%
]),
[3]In2O3:ZnO:SiO2=1:2:0.4[mol](Si=4[mol%
]),
[4]In2O3:ZnO:SiO2=1:2:1.0[mol](Si=8[mol%
])。
中のSi含有量との比較を示すグラフである。このグラフの、横軸はターゲット中Si含
有量(mol%)を表し、縦軸は膜中Si含有量(mol%)を表している。このグラフ
より、ターゲット中Si含有量と、膜中Si含有量はほとんど一致していることがわかる
。
また、膜中Si含有量は、ラザフォード後方散乱分析法(RBS)により測定した値であ
る。そして、その数値は、表1に示すとおりである。すなわち、本明細書中において、S
i含有量を、Si=0,2,4,8[mol%]のように記しているのは、簡便のために
すぎない。
ラフである。このグラフの、横軸はX線の照射角度を表し、縦軸はピークの大きさを表し
ている。このグラフより、膜中Si含有量が上昇するほど、In−Zn−Oに起因した3
0−35deg.で生じるブロードなピークは弱まることがわかる。
すグラフである。このグラフの、横軸は膜中Si含有量を表し、左縦軸はHall効果移
動度を表し、右縦軸はキャリア密度を表している。このグラフより、膜中Si含有量が上
昇するほど、Hall効果移動度(グラフは丸印)およびキャリア密度(グラフはバツ印
)は減少することがわかる。
0/cm3以下であることが読み取れる。同様に、Si含有量が4mol%のとき、Ha
ll効果移動度は20cm2/Vs以下であることが読み取れる。
50のキャリア密度を制御できることがわかる。
0nmのIn−Si−Zn−O膜を、450℃のN2雰囲気において1時間熱処理したも
のである。
図5ないし図16は、図1に示す電界効果トランジスタのId−Vg特性[log(I
d)−Vg]を示すグラフである。これらのグラフの、横軸はゲート電圧値Vg[V]を
表し、左縦軸はドレイン電流値Id[A](グラフは実線)を表し、右縦軸は電界効果移
動度μFE[cm2/Vs](グラフは破線)を表している。なお、ここでのId−Vg
特性の測定は、ドレイン電圧値Vd[V]を1V又は10Vとし、−30V乃至30Vの
ゲート電圧Vg[V]を印加する条件下で行った。
mのSiON膜を、金属膜60として厚さ100nmのTi膜を使用した。また、酸化物
半導体膜50の膜厚は20nm,チャネル長Lは10μm,チャネル幅Wは50μmであ
る。また、この電界効果トランジスタにおける酸化物半導体膜50の成膜は、ガス比がA
r/O2=67/33[%]、全圧が0.4Paである雰囲気中で、室温の基板に対し、
100WのDC電源を使用したスパッタリング法で行った。
トランジスタのId−Vg特性を示すグラフである。また、この3つのグラフは、それぞ
れ酸化物半導体膜50成膜後の熱処理条件が異なる電界効果トランジスタのId−Vg特
性を測定したものである。図5の電界効果トランジスタは、350℃のN2雰囲気におい
て、1時間熱処理したものである。図6の電界効果トランジスタは、450℃のN2雰囲
気において、1時間熱処理したものである。図7の電界効果トランジスタは、600℃の
N2雰囲気において1時間熱処理した後、450℃のN2:O2=4:1雰囲気(以下、
この雰囲気を「乾燥air」とも記す)において1時間熱処理したものである。
下、オン電流は1×10−5A以上、オン/オフ比108以上の優れたスイッチング特性
が得られていることがわかる。また、電界効果移動度μFEは、45cm2/Vsに達し
ている。
いことがわかる。また、この電界効果トランジスタはノーマリーオンとなっていることが
わかる。
果トランジスタのId−Vg特性を示すグラフである。また、この3つのグラフは、それ
ぞれ酸化物半導体膜50成膜後の熱処理条件が異なる電界効果トランジスタのId−Vg
特性を測定したものである。図8の電界効果トランジスタは、350℃のN2雰囲気にお
いて、1時間熱処理したものである。図9の電界効果トランジスタは、450℃のN2雰
囲気において、1時間熱処理したものである。図10の電界効果トランジスタは、600
℃のN2雰囲気において1時間熱処理した後、450℃のN2:O2=4:1(乾燥ai
r)雰囲気において1時間熱処理したものである。
下、オン電流は1×10−5A以上、オン/オフ比108以上の優れたスイッチング特性
が得られていることがわかる。また、電界効果移動度μFEは、22cm2/Vsに達し
ている。
ないことがわかる。また、この電界効果トランジスタはノーマリーオンとなっていること
がわかる。
効果トランジスタのId−Vg特性を示すグラフである。また、この3つのグラフは、そ
れぞれ酸化物半導体膜50成膜後の熱処理条件が異なる電界効果トランジスタのId−V
g特性を測定したものである。図11の電界効果トランジスタは、350℃のN2雰囲気
において、1時間熱処理したものである。図12の電界効果トランジスタは、450℃の
N2雰囲気において、1時間熱処理したものである。図13の電界効果トランジスタは、
600℃のN2雰囲気において1時間熱処理した後、450℃のN2:O2=4:1(乾
燥air)雰囲気において1時間熱処理したものである。
A以下、オン電流は1×10−5A以上、オン/オフ比108以上の優れたスイッチング
特性が得られていることがわかる。また、電界効果移動度μFEは、10cm2/Vsに
達している。
効果トランジスタのId−Vg特性を示すグラフである。また、この3つのグラフは、そ
れぞれ酸化物半導体膜50成膜後の熱処理条件が異なる電界効果トランジスタのId−V
g特性を測定したものである。図14の電界効果トランジスタは、350℃のN2雰囲気
において、1時間熱処理したものである。図15の電界効果トランジスタは、450℃の
N2雰囲気において、1時間熱処理したものである。図16の電界効果トランジスタは、
600℃のN2雰囲気において1時間熱処理した後、450℃のN2:O2=4:1(乾
燥air)雰囲気において1時間熱処理したものである。
A以下、オン電流は1×10−6A以上、オン/オフ比107以上の優れたスイッチング
特性が得られていることがわかる。ただし、電界効果移動度μFEの値は極めて小さい。
降することがわかる。一方、Siを含有させない場合、あるいはSi含有量が少ない場合
は、酸化物半導体膜50成膜後の熱処理温度が高温になるほどしきい値電圧が下降し、ト
ランジスタがノーマリーオンとなることがわかる。
図17ないし図24は、図1に示すトランジスタのバイアス・温度(BT)試験結果を
示すグラフである。これらのグラフの、横軸はゲート電圧値Vg[V]を表し、左縦軸は
ドレイン電流値Id[A](グラフは試験前:太実線、試験後:太破線)を表し、右縦軸
は電界効果移動度μFE[cm2/Vs](グラフは試験前:実線、試験後:破線)を表
している。
のSiON膜を成膜し、さらに厚さ20nmの酸化物半導体膜50を成膜した後、350
℃のN2:O2=4:1(乾燥air)雰囲気において1時間熱処理し、金属膜60とし
て厚さ100nmのTi膜を成膜した後、さらに250℃のN2雰囲気において1時間熱
処理したものである。また、この電界効果トランジスタの、チャネル長Lは20μm、チ
ャネル幅Wも20μmである。
Vのゲート電圧(−BT)を印加する条件で行う。なお、本BT試験においては、ドレイ
ン電圧値Vd[V]は1V又は10Vとした。
効果トランジスタの試験結果を示すグラフである。図17は、+BT試験の結果を示して
おり、しきい値電圧の変化量は2.66Vである。図18は、−BT試験の結果を示して
おり、しきい値電圧の変化量は−3.42Vである。
効果トランジスタの試験結果を示すグラフである。図19は、+BT試験の結果を示して
おり、しきい値電圧の変化量は2.90Vである。図20は、−BT試験の結果を示して
おり、しきい値電圧の変化量は−2.59Vである。
効果トランジスタの試験結果を示すグラフである。図21は、+BT試験の結果を示して
おり、しきい値電圧の変化量は6.04Vである。図22は、−BT試験の結果を示して
おり、しきい値電圧の変化量は−0.22Vである。
効果トランジスタの試験結果を示すグラフである。図23は、+BT試験の結果を示して
おり、しきい値電圧の変化量は14.48Vである。図24は、−BT試験の結果を示し
ており、しきい値電圧の変化量は−0.12Vである。
化量は増加し、−BT試験によるしきい値電圧の変化量は減少することがわかる。したが
って、−BTストレスが常にかかる素子においては、Siを含有させることは有効である
といえる。ただし、Si含有量が少ない場合は、−BT試験によるしきい値電圧の変動の
改善に関して顕著な効果は見られない。
を用いると、高温の熱処理に耐えることができ、かつ、−BTストレスに対し有効な電界
効果トランジスタを作製することができる。
20 下地絶縁膜
30 ゲート電極
35 導電膜
40 ゲート絶縁膜
50 酸化物半導体膜
55 酸化物半導体膜
60 金属膜
65 金属膜
Claims (1)
- ゲート電極と、前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上の酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜上のソース電極と、前記酸化物半導体膜上のドレイン電極と、を有し、
前記酸化物半導体膜は、インジウムとシリコンと亜鉛とを含み、
前記酸化物半導体膜中におけるシリコンの含有量は、2mol%以上4mol%以下であり、
前記酸化物半導体膜を形成後、窒素雰囲気において、350度以上450度以下の温度で1時間の熱処理を行い、
前記熱処理後、前記ソース電極及び前記ドレイン電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
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