JP5921186B2 - インクジェットヘッド基板の加工方法 - Google Patents
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Description
本発明はインクジェットヘッド基板の加工方法に関する。
半導体素子等が形成されたシリコン基板に、レーザーにてインク供給のための貫通孔を形成する方法がある。しかし、レーザー加工により発生する異物（デブリ）が半導体素子に付着し、吐出性能、実装工程に影響を与える場合があった。特許文献１には半導体素子等が形成されたシリコン基板面に予め樹脂からなる保護膜を形成し、レーザー加工により発生した異物（デブリ）を保護膜で受け、保護膜を除去することで半導体素子に異物（デブリ）が付着するのを防止する方法が開示されている。
しかしながら、特許文献１に開示された方法では、レーザー加工前に保護膜としての樹脂を塗布する工程と、レーザー加工後に保護膜として塗布した樹脂を除去する工程が必要となる。該方法ではレーザー加工のための工程数が多く、レーザー加工工程を簡略化することが難しい。本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、レーザー加工により生じる異物から基板表面を保護するための保護膜の形成工程及び該保護膜の除去工程を省略することができるインクジェットヘッド基板の加工方法を提供することを目的とする。
本発明に係るインクジェットヘッド基板の加工方法は、
（ａ１）基板上にバリア層を形成し、該バリア層上にシード層を形成する工程と、
（ｂ１）前記シード層上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対しインクジェットヘッドと本体とを電気的に接合するパッド部に対応したパターニングを行う工程と、
（ｃ１）前記パターニングされたレジスト膜の開口部にパッド部を形成する工程と、
（ｄ１）前記レジスト膜を除去する工程と、
（ｅ１）前記基板表面からレーザー加工を行う工程と、
（ｆ１）前記基板を異方性エッチングし、インク供給口を形成する工程と、
（ｇ１）前記バリア層及び前記シード層を除去する工程と、
をこの順序で含むインクジェットヘッド基板の加工方法であって、前記レーザー加工が前記基板を貫通する加工である。
（ａ１）基板上にバリア層を形成し、該バリア層上にシード層を形成する工程と、
（ｂ１）前記シード層上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対しインクジェットヘッドと本体とを電気的に接合するパッド部に対応したパターニングを行う工程と、
（ｃ１）前記パターニングされたレジスト膜の開口部にパッド部を形成する工程と、
（ｄ１）前記レジスト膜を除去する工程と、
（ｅ１）前記基板表面からレーザー加工を行う工程と、
（ｆ１）前記基板を異方性エッチングし、インク供給口を形成する工程と、
（ｇ１）前記バリア層及び前記シード層を除去する工程と、
をこの順序で含むインクジェットヘッド基板の加工方法であって、前記レーザー加工が前記基板を貫通する加工である。
また、本発明に係るインクジェットヘッド基板の加工方法は、
（ａ２）基板上にバリア層を形成し、該バリア層上にシード層を形成する工程と、
（ｂ２）前記基板表面からレーザー加工を行う工程と、
（ｃ２）前記シード層上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対しインクジェットヘッドと本体とを電気的に接合するパッド部に対応したパターニングを行う工程と、
（ｄ２）前記パターニングされたレジスト膜の開口部にパッド部を形成する工程と、
（ｅ２）前記レジスト膜を除去する工程と、
（ｆ２）前記基板を異方性エッチングし、インク供給口を形成する工程と、
（ｇ２）前記バリア層及び前記シード層を除去する工程と、
をこの順序で含むインクジェットヘッド基板の加工方法であって、前記レーザー加工が前記基板を貫通する加工である。
（ａ２）基板上にバリア層を形成し、該バリア層上にシード層を形成する工程と、
（ｂ２）前記基板表面からレーザー加工を行う工程と、
（ｃ２）前記シード層上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対しインクジェットヘッドと本体とを電気的に接合するパッド部に対応したパターニングを行う工程と、
（ｄ２）前記パターニングされたレジスト膜の開口部にパッド部を形成する工程と、
（ｅ２）前記レジスト膜を除去する工程と、
（ｆ２）前記基板を異方性エッチングし、インク供給口を形成する工程と、
（ｇ２）前記バリア層及び前記シード層を除去する工程と、
をこの順序で含むインクジェットヘッド基板の加工方法であって、前記レーザー加工が前記基板を貫通する加工である。
本発明によれば、レーザー加工により発生する異物から基板表面を保護するための保護膜の形成工程および該保護膜の除去工程を省略することができる。
図５に、本発明に係る方法を用いて製造されるインクジェットヘッドの一例を示す。図５に示すインクジェットヘッドは、シリコンからなる基板１上に、インク吐出エネルギー発生素子６が所定のピッチで２列並んで形成されている。基板１上には、流路１２及びインク吐出エネルギー発生素子６の上方に開口するインク吐出口１３が、流路形成部材１４及び樹脂からなるインク吐出口形成部材１６により形成されている。本発明では、流路１２及びインク吐出口１３を形成する流路形成部材１４及びインク吐出口形成部材１６をノズルとする。基板１上には、インクジェットヘッドと本体とを電気的に接合するパッド部９が形成されている。また、インク供給口１１がインク吐出エネルギー発生素子６の２つの列の間に形成されている。インク供給口１１は、流路１２を介して各インク吐出口１３に連通している。このインクジェットヘッドは、インク供給口１１を介して流路１２内に充填されたインクに、インク吐出エネルギー発生素子６が発生する圧力を加えることによって、インク吐出口１３からインク液滴を吐出させ、被記録媒体に付着させることにより記録を行う。
（第一の実施形態）
本発明に係るインクジェットヘッド基板の加工方法の第一の実施形態は、以下の工程（ａ１）から（ｇ１）をこの順序で含む。
（ａ１）基板上にバリア層を形成し、該バリア層上にシード層を形成する工程、
（ｂ１）前記シード層上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対しインクジェットヘッドと本体とを電気的に接合するパッド部に対応したパターニングを行う工程、
（ｃ１）前記パターニングされたレジスト膜の開口部にパッド部を形成する工程、
（ｄ１）前記レジスト膜を除去する工程、
（ｅ１）前記基板表面からレーザー加工を行う工程、
（ｆ１）前記基板を異方性エッチングし、インク供給口を形成する工程、
（ｇ１）前記バリア層及び前記シード層を除去する工程。
本発明に係るインクジェットヘッド基板の加工方法の第一の実施形態は、以下の工程（ａ１）から（ｇ１）をこの順序で含む。
（ａ１）基板上にバリア層を形成し、該バリア層上にシード層を形成する工程、
（ｂ１）前記シード層上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対しインクジェットヘッドと本体とを電気的に接合するパッド部に対応したパターニングを行う工程、
（ｃ１）前記パターニングされたレジスト膜の開口部にパッド部を形成する工程、
（ｄ１）前記レジスト膜を除去する工程、
（ｅ１）前記基板表面からレーザー加工を行う工程、
（ｆ１）前記基板を異方性エッチングし、インク供給口を形成する工程、
（ｇ１）前記バリア層及び前記シード層を除去する工程。
図１から図３を用いて、本発明に係るインクジェットヘッド基板の加工方法の第一の実施形態を説明する。図１（Ａ）ａは図５のａ−ａ断面を、図１（Ａ）ｂは図５のｂ−ｂ断面をそれぞれ表している。図１（Ｂ）〜（Ｄ）、図２（Ａ）、（Ｂ）、図３（Ｃ）、（Ｄ）に関しても同様である。図２（Ａ）ｃは図２（Ａ）の上面図を表している。図２（Ｂ）、図３（Ｃ）、（Ｄ）に関しても同様である。
図１（Ａ）に示される基板１上には、犠牲層７、層間絶縁層２および複数の発熱抵抗体等のインク吐出エネルギー発生素子（ヒータ）６が配置されている。基板１には、シリコン基板を用いることができる。ヒータ６には、例えば発熱抵抗体としてＴａＳｉＮを用いることができる。犠牲層７は、例えばアルミニウム、アルミニウム化合物、アルミニウムとシリコンの化合物、アルミニウム銅等を含むことができる。これらは一種のみを含んでもよく、二種以上を含んでもよい。層間絶縁層２には、ＳｉＯ、ＳｉＮ等を用いることができる。ヒータ６に接続されている配線やそのヒータ６を駆動するための半導体素子は不図示とした。ヒータ６、犠牲層７およびその他の素子や配線を絶縁保護層３で覆う。絶縁保護層３には、ＳｉＯ、ＳｉＮ等を用いることができる。絶縁保護層３上にバリア層４を形成する。バリア層４は、後述するシード層５が絶縁保護層３に拡散するのを防止するとともに、シード層５の密着性を向上させる。バリア層４は、Ｔｉ、Ｗ、Ｔｉ及びＷを含む化合物、並びにＴｉＮからなる群から選択される少なくとも一種を含むことが好ましい。バリア層４の厚さは１７０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下であることが好ましく、１８０ｎｍ以上、２５０ｎｍ以下であることがより好ましい。次に、バリア層４上に後述するパッド部９を形成するためのシード層５を形成する。シード層５は、後述するレーザー加工において発生する異物の保護膜としても機能する。シード層５は、後述する異方性エッチングにおいて用いるエッチング液に不溶な金属で形成されることが、シード層５をエッチング保護膜としても使用することができるため好ましい。具体的には、シード層５は、Ａｕ、Ａｇ及びＣｕからなる群から選択される少なくとも一種を含むことが好ましい。シード層５の厚さは１０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であることが好ましく、４５ｎｍ以上、５５ｎｍ以下であることがより好ましい。
次に、図１（Ｂ）に示すように、シード層５上にレジスト膜８を塗布により形成し、露光し、現像し、パターニングされたレジスト膜８を形成する。レジスト膜８の形成に用いる薬液としては、市販品では、例えばＰＭＥＲ Ｐ−ＬＡ３００ＰＭ（商品名、東京応化工業（株）製）等を用いることができる。該薬液の塗布方法は特に限定されない。レジスト膜８の厚みは、１０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下であることが好ましく、４５ｎｍ以上、５５ｎｍ以下であることがより好ましい。レジスト膜８の形成は、該薬液の塗布以外にも、レジスト膜８の貼り付け等により行われてもよい。レジスト膜８に対し露光、現像を行うことにより、インクジェットヘッドと本体とを電気的に接合する後述するパッド部９に対応したパターニングを行う。露光方法は、該パターニングを正確に行うことができれば特に限定されない。現像に用いる薬液としては、市販品では、例えばＮＭＤ−３（商品名、東京応化工業（株）製）等を用いることができる。
次に、図１（Ｃ）に示すように、パターニングされたレジスト膜８をめっきマスクとしてめっきをすることで、パターニングされたレジスト膜８の開口部にパッド部９を形成する。パッド部９の材料には、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ等を用いることができるが、シード層５と同じ材料を用いることが好ましい。これらは一種のみを用いてもよく、二種以上を併用してもよい。めっきの方法は、パターニングされたレジスト膜８の開口部を十分にパッド部９の材料で満たし、パッド部９を形成できる方法であれば、特に限定されない。また、パターニングされたレジスト膜８の開口部を十分にパッド部９の材料で満たし、パッド部９を形成できる方法であれば、めっき以外の方法によりパッド部９を形成してもよい。
次に、図１（Ｄ）に示すように、めっきマスクとして使用したパターニングされたレジスト膜８を、剥離液を用いて除去する。剥離液としては、レジスト膜８の材料にもよるが、市販品では、例えばマイクロポジットリムーバー１１１２Ａ（商品名、ローム・アンド・ハース電子材料（株）製）等を用いることができる。
次に、図２（Ａ）に示すように、パッド部９が形成された基板１の表面から犠牲層７に相当する部分に対しレーザーにて加工を行う。これにより、レーザー貫通孔１５を形成する。レーザー加工深さは、シード層５、バリア層４、絶縁保護層３、層間絶縁層２および基板１を同時に加工できる深さであれば特に限定されず、基板１を貫通しても、貫通しなくてもよいが、基板１を貫通することが好ましい。レーザースポット径は、レーザーが犠牲層７の枠内に収まる径とすることができ、例えば１０μｍ以上、２００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上、３０μｍ以下がより好ましい。レーザー加工パターンとしては、犠牲層７の枠内であれば、連続した加工でつながった線状のパターンでも、点を組み合わせたパターンでもよく、その後の異方性エッチングによってインク供給口１１が開口するパターンであれば特に限定されない。また、レーザー種に関しては、シード層５、バリア層４、絶縁保護層３、層間絶縁層２および基板１を加工できるものであれば特に限定されない。レーザー種としては、例えばＹＡＧレーザー等を用いることができる。なお、レーザー加工により溶融して発生した異物（デブリ）１０がレーザー貫通孔１５の周囲（基板１の両面）に付着する。本発明では、該レーザー加工を行う工程の前に、レーザー加工により発生する異物（デブリ）１０から基板１表面を保護するための保護膜の形成工程を含まないことができる。
次に、図２（Ｂ）に示すように、基板１に異方性エッチングにてインク供給口１１を形成する。エッチング液としては、例えばＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）、水および任意でシリコンを含む液を用いることができる。ＴＭＡＨの濃度としては、水溶媒に対しＴＭＡＨが８〜２５質量％であることが好ましい。シリコンの含有量は、ＴＭＡＨ水溶液に対しシリコンが０〜８質量％であることが好ましい。異方性エッチングする際のエッチング液の温度は、８０℃以上、９０℃以下であることが好ましい。エッチング液には、前記エッチング液以外にも、シード層５およびパッド部９を溶かさないエッチング液であれば他の液を用いてもよい。また、シード層５及びパッド部９上にエッチング液の保護膜を形成してからエッチングを行ってもよい。エッチング液の保護膜には、例えばＯＢＣ（商品名、東京応化工業（株）製）を用いることができる。しかしながら、工程の簡略化の観点からエッチング液の保護膜を別途設けず、シード層５をエッチング液の保護膜として用いることが好ましい。基板１の表面は、エッチング液に不溶なシード層５およびパッド部９、または該保護膜で覆われているためエッチングされない。一方、基板１の裏面は、エッチング液に耐える膜で覆われていないため、基板１の裏面から基板１の表面側へ向かってエッチングが進む。それと同時に、レーザー加工時に発生し基板１の裏面に付着した異物（デブリ）１０がリフトオフされるため、エッチング後の基板１の裏面には、異物（デブリ）１０は残らない。エッチング液の保護膜を形成した場合には、エッチング後に該保護膜を除去する。
次に、図３（Ｃ）に示すように、バリア層４およびシード層５を除去する。シード層５を除去する際に用いる薬液としては、シード層５の種類にもよるが、よう素、よう化カリウム等を含む薬液を用いることができる。バリア層４を除去する際に用いる薬液としては、バリア層４の種類にもよるが、過酸化水素水等を含む薬液を用いることができる。この工程により、レーザー加工時に発生し基板１の表面に付着した異物（デブリ）１０もリフトオフされる。
次に、図３（Ｄ）に示すように、流路１２を形成するため、絶縁保護層３上に流路形成部材１４を形成する。流路形成部材１４を形成する方法は特に限定されず、例えば感光性ドライフィルムの貼り付けにより形成することができる。流路形成部材１４に対し、流路１２の流路壁となる領域を露光する。その後、インク吐出口１３を形成するため、流路形成部材１４上にインク吐出口形成部材１６を形成する。インク吐出口形成部材１６の形成方法は特に限定されず、例えば感光性ドライフィルムの貼り付けまたは感光性樹脂の塗布により行うことができる。インク吐出口形成部材１６の表面に撥水材を塗布してもよい。インク吐出口形成部材１６に対し、インク吐出口１３に相当する部分以外の領域を露光する。その後、流路形成部材１４およびインク吐出口形成部材１６の未露光部の現像を行うことで、流路１２とインク吐出口１３を形成する。以上の工程により、図５に示すインクジェットヘッドが完成する。
以上のように、本実施形態に係る方法によれば、パッド部９を形成する際に使用したシード層５を、そのままレーザー加工の際に生じる異物（デブリ）１０の保護膜として使用することができる。このため、レーザー加工により発生する（デブリ）１０から基板１の表面を保護するための保護膜の形成工程および該保護膜の除去工程を省略することができる。また、シード層５の材料として異方性エッチングの際に用いるエッチング液に不溶な金属を用いた場合には、シード層５を異方性エッチングの保護膜としても使用することができる。
（第二の実施形態）
本発明に係るインクジェットヘッド基板の加工方法の第二の実施形態は、以下の工程（ａ２）から（ｇ２）をこの順序で含む。
（ａ２）基板上にバリア層を形成し、該バリア層上にシード層を形成する工程、
（ｂ２）前記基板表面からレーザー加工を行う工程、
（ｃ２）前記シード層上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対しインクジェットヘッドと本体とを電気的に接合するパッド部に対応したパターニングを行う工程、
（ｄ２）前記パターニングされたレジスト膜の開口部にパッド部を形成する工程、
（ｅ２）前記レジスト膜を除去する工程、
（ｆ２）前記基板を異方性エッチングし、インク供給口を形成する工程、
（ｇ２）前記バリア層及び前記シード層を除去する工程。
本発明に係るインクジェットヘッド基板の加工方法の第二の実施形態は、以下の工程（ａ２）から（ｇ２）をこの順序で含む。
（ａ２）基板上にバリア層を形成し、該バリア層上にシード層を形成する工程、
（ｂ２）前記基板表面からレーザー加工を行う工程、
（ｃ２）前記シード層上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対しインクジェットヘッドと本体とを電気的に接合するパッド部に対応したパターニングを行う工程、
（ｄ２）前記パターニングされたレジスト膜の開口部にパッド部を形成する工程、
（ｅ２）前記レジスト膜を除去する工程、
（ｆ２）前記基板を異方性エッチングし、インク供給口を形成する工程、
（ｇ２）前記バリア層及び前記シード層を除去する工程。
本実施形態は、レーザー加工を行う工程が、バリア層４およびシード層５を形成する工程の直後に行われる点のみが第一の実施形態と異なる。
図４を用いて、本発明に係るインクジェットヘッド基板の加工方法の第二の実施形態を説明する。図４（Ａ）から図４（Ｄ）に示す工程以外は第一の実施形態と同様であるため説明を省略する。本実施形態では、図４（Ａ）に示す工程の前に図１（Ａ）に示す工程を行い、図４（Ｄ）に示す工程の後に図２（Ｂ）に示す工程以降の工程を行う。
図４（Ａ）に示すように、シード層５が形成された基板１の表面から犠牲層７に相当する部分に対しレーザーにて加工を行う。レーザー加工深さ、レーザースポット径、レーザー加工パターン及びレーザー種は、第一の実施形態と同様とすることができる。
次に、図４（Ｂ）に示すように、レーザー貫通孔１５の形成されたシード層５上にレジスト膜８を形成し、露光し、現像し、パターニングされたレジスト膜８を形成する。レジスト膜８の形成は、レジスト膜８を貼り付けて形成することができる。レジスト膜の材料、レジスト膜の厚み、露光方法および現像に用いる薬液は、第一の実施形態と同様とすることができる。
次に、図４（Ｃ）に示すように、パターニングされたレジスト膜８をめっきマスクとしてめっきをすることで、パターニングされたレジスト膜８の開口部にパッド部９を形成する。パッド部９の材料およびパッド部９の形成方法は第一の実施形態と同様とすることができる。
次に、図４（Ｄ）に示すように、めっきマスクとして使用したレジスト膜８を、剥離液を用いて除去する。剥離液は第一の実施形態と同様のものを用いることができる。
以下、本発明の実施例を示すが、これらは本発明を何ら限定するものではない。
（実施例１）
図１から図３を用いて、本実施例に係るインクジェットヘッド基板の加工方法を説明する。
図１から図３を用いて、本実施例に係るインクジェットヘッド基板の加工方法を説明する。
図１（Ａ）に示される基板１上には、犠牲層７、層間絶縁層２および複数の発熱抵抗体であるインク吐出エネルギー発生素子（ヒータ）６が配置されている。基板１にはシリコン基板を用いた。ヒータ６にはＴａＳｉＮからなる発熱抵抗体を用いた。犠牲層７にはアルミニウムを用いた。ヒータ６に接続されている配線やそのヒータ６を駆動するための半導体素子は不図示とした。ヒータ６、犠牲層７およびその他の素子や配線を絶縁保護層３で覆った。絶縁保護層３上にバリア層４を形成した。バリア層４の材料にはＴｉＷを用いた。バリア層４の厚さは２００ｎｍであった。次に、バリア層４上に、後述するパッド部９を形成するためのシード層５を形成した。シード層５の材料にはＡｕを用いた。シード層５の厚さは５０ｎｍであった。
次に、図１（Ｂ）に示すように、シード層５上にレジスト膜８を塗布により形成し、露光し、現像してレジスト膜８をパターニングすることでめっきマスクを形成した。レジスト膜８の形成には、ＰＭＥＲ Ｐ−ＬＡ３００ＰＭ（商品名、東京応化工業（株）製）を主成分とした薬液を使用した。現像には、ＮＭＤ−３（商品名、東京応化工業（株）製）を使用した。
次に、図１（Ｃ）に示すように、パターニングされたレジスト膜８であるめっきマスクを使用し、めっきをすることでパッド部９を形成した。パッド部９の材料にはシード層５の材料と同じくＡｕを用いた。
次に、図１（Ｄ）に示すように、パターニングされたレジスト膜８であるめっきマスクを剥離液にて除去した。剥離液には、マイクロポジットリムーバー１１１２Ａ（商品名、ローム・アンド・ハース電子材料（株）製）を使用した。
次に、図２（Ａ）に示すように、パッド部９が形成された基板１の表面から犠牲層７に相当する部分に対しレーザーにて加工を行った。加工深さについては、基板１の反対側の面まで貫通させた。これにより、レーザー貫通孔１５を形成した。レーザースポット径は３０μｍに調整した。レーザーの加工パターンは、犠牲層７の枠内に直線状に点を並べたパターンで加工した。またレーザー種としては、ＹＡＧレーザーを用いた。
次に、図２（Ｂ）に示すように、基板１に異方性エッチングにてインク供給口１１を形成した。エッチング液には、水溶媒に対しＴＭＡＨが２２質量％含まれる水溶液を使用した。エッチングの際のエッチング液の液温は８３℃であった。
次に、図３（Ｃ）に示すように、シード層５およびバリア層４を除去した。シード層５を除去する際には、よう素、よう化カリウムを主成分とする薬液を使用した。また、バリア層４を除去する際には、過酸化水素水を使用した。
次に、図３（Ｄ）に示すように、流路１２を形成するため、絶縁保護層３上に感光性ドライフィルムを貼り付けて流路形成部材１４を形成した。流路形成部材１４に対し、流路壁に相当する領域を露光した。また、インク吐出口１３を形成するため、流路形成部材１４上に感光性樹脂の塗布により、インク吐出口形成部材１６を形成した。インク吐出口形成部材１６に対し、インク吐出口１３に相当する部分以外の領域を露光した。その後、現像を行うことで、流路１２とインク吐出口１３とを形成した。これにより、インクジェットヘッドを製造した。
（実施例２）
図４を用いて、本実施例に係るインクジェットヘッド基板の加工方法を説明する。本実施例は、レーザー貫通孔１５を形成する工程が、シード層５を形成する工程の直後に行われる点のみが実施例１と異なる。
図４を用いて、本実施例に係るインクジェットヘッド基板の加工方法を説明する。本実施例は、レーザー貫通孔１５を形成する工程が、シード層５を形成する工程の直後に行われる点のみが実施例１と異なる。
図１（Ａ）に示すように、実施例１と同様にして基板１上に絶縁保護層３、バリア層４及びシード層５を形成した。
図４（Ａ）に示すように、シード層５が形成された基板１の表面から犠牲層７に相当する部分に対しレーザーにて加工を行った。レーザー加工深さ、レーザースポット径、レーザー加工パターン及びレーザー種は実施例１と同様とした。
次に、図４（Ｂ）に示すように、レーザー貫通孔１５の形成されたシード層５上にレジスト膜８を貼り付けて形成し、露光し、現像してパターニングされたレジスト膜８であるめっきマスクを形成した。レジスト膜８の形成には、ＰＭＥＲ Ｐ−ＬＡ３００ＰＭ（商品名、東京応化工業（株）製）を主成分としたドライフィルムを使用した。現像には、ＮＭＤ−３（商品名、東京応化工業（株）製）を使用した。
次に、図４（Ｃ）に示すように、パターニングされたレジスト膜８であるめっきマスクを使用し、めっきをすることでパッド部９を形成した。パッド部の材料には、シード層５の材料と同じくＡｕを用いた。
次に、図４（Ｄ）に示すように、レジスト膜８によって形成されためっきマスクを、剥離液にて除去した。剥離液には、マイクロポジットリムーバー１１１２Ａ（商品名：ローム・アンド・ハース電子材料（株）製）を使用した。
以下、図２（Ｂ）に示す工程以降の工程を実施例１と同様にして行い、インクジェットヘッドを製造した。
１ 基板
２ 層間絶縁層
３ 絶縁保護層
４ バリア層
５ シード膜
６ インク吐出エネルギー発生素子（ヒータ）
７ 犠牲層
８ レジスト膜
９ パッド部
１０ 異物（デブリ）
１１ インク供給口
１２ 流路
１３ インク吐出口
１４ 流路形成部材
１５ レーザー貫通孔
１６ インク吐出口形成部材
２ 層間絶縁層
３ 絶縁保護層
４ バリア層
５ シード膜
６ インク吐出エネルギー発生素子（ヒータ）
７ 犠牲層
８ レジスト膜
９ パッド部
１０ 異物（デブリ）
１１ インク供給口
１２ 流路
１３ インク吐出口
１４ 流路形成部材
１５ レーザー貫通孔
１６ インク吐出口形成部材
Claims (8)
- （ａ１）基板上にバリア層を形成し、該バリア層上にシード層を形成する工程と、
（ｂ１）前記シード層上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対しインクジェットヘッドと本体とを電気的に接合するパッド部に対応したパターニングを行う工程と、
（ｃ１）前記パターニングされたレジスト膜の開口部にパッド部を形成する工程と、
（ｄ１）前記レジスト膜を除去する工程と、
（ｅ１）前記基板表面からレーザー加工を行う工程と、
（ｆ１）前記基板を異方性エッチングし、インク供給口を形成する工程と、
（ｇ１）前記バリア層及び前記シード層を除去する工程と、
をこの順序で含むインクジェットヘッド基板の加工方法であって、
前記レーザー加工が前記基板を貫通する加工であるインクジェットヘッド基板の加工方法。 - （ａ２）基板上にバリア層を形成し、該バリア層上にシード層を形成する工程と、
（ｂ２）前記基板表面からレーザー加工を行う工程と、
（ｃ２）前記シード層上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜に対しインクジェットヘッドと本体とを電気的に接合するパッド部に対応したパターニングを行う工程と、
（ｄ２）前記パターニングされたレジスト膜の開口部にパッド部を形成する工程と、
（ｅ２）前記レジスト膜を除去する工程と、
（ｆ２）前記基板を異方性エッチングし、インク供給口を形成する工程と、
（ｇ２）前記バリア層及び前記シード層を除去する工程と、
をこの順序で含むインクジェットヘッド基板の加工方法であって、
前記レーザー加工が前記基板を貫通する加工であるインクジェットヘッド基板の加工方法。 - 前記レーザー加工を行う工程の前に、レーザー加工により発生する異物から基板表面を保護するための保護膜の形成工程を含まない請求項１又は２に記載のインクジェットヘッド基板の加工方法。
- 前記シード層が、Ａｕ、Ａｇ及びＣｕからなる群から選択される少なくとも一種を含む請求項１から３のいずれか１項に記載のインクジェットヘッド基板の加工方法。
- 前記シード層の厚さが１０ｎｍ以上、５００ｎｍ以下である請求項１から４のいずれか１項に記載のインクジェットヘッド基板の加工方法。
- 前記バリア層が、Ｔｉ、Ｗ、Ｔｉ及びＷを含む化合物、並びにＴｉＮからなる群から選択される少なくとも一種を含む請求項１から５のいずれか１項に記載のインクジェットヘッド基板の加工方法。
- 前記バリア層の厚さが１７０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下である請求項１から６のいずれか１項に記載のインクジェットヘッド基板の加工方法。
- 前記レーザー加工がさらに前記バリア層と前記シード層とを貫通する加工である請求項１から７のいずれか１項に記載のインクジェットヘッド基板の加工方法。
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