JP2018153978A - シリコン基板の加工方法および液体吐出ヘッドの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】シリコン基板の裏面側に基板強度を高めるための梁を形成する。【解決手段】シリコン基板の加工方法は、液体を吐出する吐出口の流路が形成される側の面であるおもて面に、シリコン基板よりもエッチング速度が速い犠牲層が島状に形成されたシリコン基板を用意する工程と、この面の反対側の面である裏面に、犠牲層に対向する裏面の部分を開口させないマスク層を形成する工程と、シリコン基板の裏面の開口から未貫通孔を形成する工程と、未貫通孔が形成されたシリコン基板に異方性エッチングを施すことにより、裏面側に梁を形成する工程と含む。【選択図】図2
Description
本発明は、シリコン基板の加工方法および液体吐出ヘッドの製造方法に関する。
凹部、貫通穴、表面膜を形成するなどしてシリコン基板を加工し、その加工したシリコン基板を電子デバイスの部品であるMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)に適用することが知られている。このような加工が行われたシリコン基板は、インクジェット記録方式等に適用される液体吐出ヘッドの一部に使用される。また、シリコン基板において形成されるインク供給口の内部に梁を形成することで、基板の強度を高めることが知られている。
特許文献1には、基板の裏面に梁を有するインク供給口を形成する技術が記載されている。特許文献1に記載されている技術は、以下の通りである。梁が形成される部分の基板の裏面にマスクが形成される。インク供給口が形成される部分にシリコン加工(レーザー溝加工・ドライエッチング)が行われる。その後、おもて面と裏面との両側からエッチングが行われる。この結果、梁を形成したい基板の裏面の部分にはシリコンが残り、梁が形成されることになる。
シリコン基板のおもて面に、インクを吐出する吐出エネルギー発生素子およびインク吐出口などのインク流路形成部材を形成し、その後、シリコン基板の裏面からエッチングを行うことでインク供給口の開口部を形成する方法がある。このような方法の場合、シリコン基板のおもて面にインク流路形成部材などが形成されているので、特許文献1に記載されているような、おもて面と裏面との両側からエッチングを行う技術を適用することができない。
本発明は、シリコン基板の裏面側に基板強度を高めるための梁を形成するシリコン基板の加工方法および液体吐出ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様にかかるシリコン基板の加工方法は、液体を吐出する吐出口の流路が形成される側の面であるおもて面に、シリコン基板よりもエッチング速度が速い犠牲層が島状に形成されたシリコン基板を用意する工程と、前記シリコン基板の前記おもて面の反対側の面である裏面に、前記犠牲層に対向する前記裏面の部分を開口させないマスク層を形成する工程と、前記シリコン基板の裏面の開口から未貫通孔を形成する工程と、前記未貫通孔が形成された前記シリコン基板に異方性エッチングを施すことにより、前記裏面側に梁を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
本発明によれば、シリコン基板の裏面側に基板強度を高めるための梁を形成することができる。
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の実施形態は本発明を限定するものではなく、また、本実施形態で説明されている特徴の組み合わせの全てが本発明の解決手段に必須のものとは限らない。なお、同一の構成については、同じ符号を付して説明する。また、実施形態に記載されている構成要素の相対配置、形状等は、あくまで例示であり、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。
本実施形態で説明するシリコン基板の加工方法は、インクジェット記録ヘッド等のデバイス(構造体)の製造工程において、インクジェット記録ヘッドの液体供給口のような貫通穴をシリコン基板に形成する際に用いることができる。特に、シリコン基板の一方の面から、インクジェット記録ヘッドの液体供給口のような貫通穴を形成する際に用いることができる。シリコン基板の一方の面とは、吐出口や吐出口と連通する流路が形成される側の面(以下、「おもて面」という)の反対側の面(以下、「裏面」という)である。本実施形態で説明する例は、シリコン基板の裏面側から貫通穴が形成される形態である。おもて面のことを第1の面といい、裏面のことを第2の面ということもある。
シリコン基板の裏面からエッチングを行うことでインク供給口を形成するときに、シリコン基板の裏面に梁を形成するには、次の第1の方法がある。第1の方法では、梁を形成したい部分がエッチングされないように、裏面の梁を形成したい部分にマスクが形成される。そして、異方性エッチングを行うことによって、梁を有するインク供給口が形成される。しかしながら、単にマスクを形成して異方性エッチングを行う第1の方法では、インク供給口の形成に要するエッチングの時間が長くなる。このため、梁を形成したい部分に対してもエッチングが進んでしまい、必要な梁が形成できない。このため、基板の強度が低下してしまう。
エッチングの速度を速めるために、シリコン基板のおもて面の全面に犠牲層が配置される第2の方法が想定される。犠牲層とは、シリコン基板よりもエッチング速度が早い層である。このエッチング速度は、シリコン基板及び犠牲層を同じエッチング液でエッチングした時のエッチングの速度であり、特にはシリコン基板のエッチング液に対するエッチング速度である。犠牲層は、供給口のおもて面側の開口幅を規定するための層である。そして、第2の方法においては、梁を形成しない裏面からおもて面に対して未貫通孔が形成される。その後、裏面からエッチングが行われる。未貫通孔から犠牲層にエッチングが進み犠牲層の部分に開口が形成される。その後、エッチングが犠牲層側(おもて面側)からも進む。このため、第1の方法よりもエッチング時間が短く済むので、必要な梁を形成することはできる。しかしながら、この第2の方法では、おもて面のインク供給口の開口幅が均一に開口できず、吐出性能が低下してしまう。
本実施形態では、シリコン基板のエッチング処理に先立って、裏面に梁を形成する部分のおもて面に犠牲層を配置する。つまり、犠牲層を、おもて面(第1の面)の全面に配置するのではなく、島状に犠牲層を形成する。そして、シリコン基板の裏面側(第2の面側)から、梁を形成しない部分にレーザ光を照射し未貫通孔を形成する。その後、裏面からエッチングを行うことによって、インク供給口および梁が形成される。
図1は、液体吐出ヘッド用基板の一例であるインクジェット記録ヘッド用基板の斜視図である。図1に示すインクジェット記録ヘッド用基板は、本実施形態で説明するシリコン基板の加工方法を用いて加工されたシリコン基板1を含む。つまり、本実施形態で説明する製造方法によって製造されたインクジェット記録ヘッド用基板を示している。
図1に示すインクジェット記録ヘッド用基板は、シリコン基板1のおもて面上に、インクを吐出する吐出エネルギー発生素子としてのヒータをなす電熱変換素子2が配置されている。シリコン基板1のおもて面上にはまた、インク吐出口19を含むインク流路形成部材18、および外部から電力を受ける金バンプ15が形成されている。シリコン基板1には、インク供給口9が形成される。インク供給口9は、上部および下部が開口している。インク供給口9の上部は、インク流路形成部材18に形成されたインク流路と連通している。インク供給口9から供給されたインクは、インク流路を介してインク吐出口19に供給される。そして、電熱変換素子2の制御に応じてインク吐出口19からインクが吐出される。本実施形態で説明するシリコン基板の加工方法は、このようなインク供給口9の内部に梁13を形成する工程を含むものである。
図2は、図1のシリコン基板1の一部を部分的に取り出した図である。つまり、図2は、本実施形態で説明する加工方法を用いて加工された加工済みのシリコン基板1の一例を示している。図2(a)は、シリコン基板1の平面図、図2(b)は、図2(a)のa−a線断面図である。
本実施形態において用いるシリコン基板1は、裏面が(100)面の結晶軸を有する単結晶シリコンである。このシリコン基板1のおもて面上には、前述のとおり電熱変換素子2が形成されている。シリコン基板1のおもて面上には、電熱変換素子2の保護層として、耐エッチング性を有する不図示のパッシベイション層が形成されている。なお、電熱変換素子2には、この素子を駆動させるための制御信号入力電極が、電気的に接続されている。シリコン基板1には、インク供給口9が形成されており、基板を貫通する貫通口(インク供給口)が形成されている。また、図2では示していないが、図1で示したようにインク吐出口19を含むインク流路形成部材18が、このシリコン基板1のおもて面の上部に形成されている。
インクジェット記録ヘッドを製造する際は、インク供給口9を形成する工程の前に、シリコン基板1に電熱変換素子2を形成し、さらに、シリコン基板1のおもて面にインク流路形成部材18を形成する工程が行われるのが好ましい。即ち、電熱変換素子2が形成されたシリコン基板1のおもて面に、液体(インク)を吐出するインク吐出口19と、インク吐出口19に連通する液体流路(インク流路)と、を有するインク流路形成部材18を形成する。その後、インク供給口9及び梁13を形成する工程が行われる。
図3は、シリコン基板1の一部分の平面と、a−a線断面とを示す図である。図3(a)から図3(d)に向かって、加工の各工程が行われる様子を模式的に示している。図3の(a)から(d)の左側が平面、右側が断面を示している。また、図4は、図3と同じ工程における同じ箇所の平面とb−b線断面とを示す図である。図5は、図3と同じ工程における同じ箇所の平面とc−c線断面とを示す図である。以下、図3から図5を参照しながら本実施形態のシリコン基板の加工方法を説明する。
<シリコン基板を用意する工程>
まず、インク供給口9が形成される対象のシリコン基板を用意する工程が行われる。用意されるシリコン基板は、上述したように、おもて面に電熱変換素子2やインク流路形成部材18が形成されたシリコン基板1である。シリコン基板1のおもて面に電熱変換素子2を含む各回路が形成される工程において、シリコン基板1のおもて面に、図3(a)に示すように、犠牲層6、パッシベイション層3、エッチングストップ層8が形成される。このとき、犠牲層6は、図3(a)に示すように、島状に形成される。島状に形成されるとは、犠牲層6が水平方向に連続して(切れ間なく)形成されるのではなく、一部が分断されて形成されることを示している。犠牲層6は、梁13が形成される裏面の位置に対向する、おもて面の位置に形成される。なお、後述する工程で形成されることになる梁13の位置と、犠牲層6が形成される位置とは完全に一致している必要はなく、ズレが生じていてもよい。犠牲層6は、シリコン基板1のおもて面においてインク供給口9が形成される範囲内の一部に形成されている。犠牲層6は、エッチングストップ層8で覆われ、エッチングストップ層8はパッシベイション層3で覆われる。図3では示されていないが、前述のようにパッシベイション層3の上部に電熱変換素子2やインク流路形成部材18が形成される。このように、犠牲層6が島状に形成されたシリコン基板1が用意される。犠牲層6は、例えば、Al−Si(アルミニウム−ケイ素)合金、導電膜の材料のAl−Cu(アルミニウム−銅)やCu(銅)などを用いて形成することができる。パッシベイション層3及びエッチングストップ層8は、SiO(シリコン酸化膜)やSiN(シリコン窒化膜)などを用いて形成することができる。
まず、インク供給口9が形成される対象のシリコン基板を用意する工程が行われる。用意されるシリコン基板は、上述したように、おもて面に電熱変換素子2やインク流路形成部材18が形成されたシリコン基板1である。シリコン基板1のおもて面に電熱変換素子2を含む各回路が形成される工程において、シリコン基板1のおもて面に、図3(a)に示すように、犠牲層6、パッシベイション層3、エッチングストップ層8が形成される。このとき、犠牲層6は、図3(a)に示すように、島状に形成される。島状に形成されるとは、犠牲層6が水平方向に連続して(切れ間なく)形成されるのではなく、一部が分断されて形成されることを示している。犠牲層6は、梁13が形成される裏面の位置に対向する、おもて面の位置に形成される。なお、後述する工程で形成されることになる梁13の位置と、犠牲層6が形成される位置とは完全に一致している必要はなく、ズレが生じていてもよい。犠牲層6は、シリコン基板1のおもて面においてインク供給口9が形成される範囲内の一部に形成されている。犠牲層6は、エッチングストップ層8で覆われ、エッチングストップ層8はパッシベイション層3で覆われる。図3では示されていないが、前述のようにパッシベイション層3の上部に電熱変換素子2やインク流路形成部材18が形成される。このように、犠牲層6が島状に形成されたシリコン基板1が用意される。犠牲層6は、例えば、Al−Si(アルミニウム−ケイ素)合金、導電膜の材料のAl−Cu(アルミニウム−銅)やCu(銅)などを用いて形成することができる。パッシベイション層3及びエッチングストップ層8は、SiO(シリコン酸化膜)やSiN(シリコン窒化膜)などを用いて形成することができる。
<エッチングマスク層形成工程>
次に、用意されたシリコン基板1の裏面に、裏面のうち犠牲層6に対向する部分を開口させないエッチングマスク層4を形成する工程が行われる。図3(a)に示すように、おもて面に犠牲層6、パッシベイション層3、およびエッチングストップ層8が形成されたシリコン基板1の裏面に、開口部5を有するエッチングマスク層4を形成する工程が行われる。エッチングマスク層4は、おもて面側の犠牲層6に対向する部分に開口(開口部)を有さない。一方で、おもて面側の犠牲層6に対向しない部分に開口(開口部5)を有する。シリコン基板1は、SiO層の熱酸化膜1aで覆われている。なお、犠牲層6を形成する工程においておもて面のインク供給口9に対応する熱酸化膜1aは除去されている。熱酸化膜1aは、バッファードフッ酸などを用いて除去することができる。エッチングマスク層4は、ポリアミドやポリイミドなどを用いて形成することができる。
次に、用意されたシリコン基板1の裏面に、裏面のうち犠牲層6に対向する部分を開口させないエッチングマスク層4を形成する工程が行われる。図3(a)に示すように、おもて面に犠牲層6、パッシベイション層3、およびエッチングストップ層8が形成されたシリコン基板1の裏面に、開口部5を有するエッチングマスク層4を形成する工程が行われる。エッチングマスク層4は、おもて面側の犠牲層6に対向する部分に開口(開口部)を有さない。一方で、おもて面側の犠牲層6に対向しない部分に開口(開口部5)を有する。シリコン基板1は、SiO層の熱酸化膜1aで覆われている。なお、犠牲層6を形成する工程においておもて面のインク供給口9に対応する熱酸化膜1aは除去されている。熱酸化膜1aは、バッファードフッ酸などを用いて除去することができる。エッチングマスク層4は、ポリアミドやポリイミドなどを用いて形成することができる。
エッチングマスク層4の未開口部の距離X1(マスク部分の距離)は、島状の犠牲層6の島の大きさと、シリコン基板1の結晶面とを考慮して決定される。具体的には、エッチングマスク層4の未開口部の距離X1は、以下の式1にあてはまると好ましい。即ち、Lが島状の大きさであり、未貫通孔7の深さを裏面と反対側の面(即ち、おもて面)からT1以上T2以下(μm)の深さとしたときに、
L−(T1/tan54.7°)×2≧X1≧L−(T2/tan54.7°)×2
・・・(式1)
との関係を満たすようにすることができる。
L−(T1/tan54.7°)×2≧X1≧L−(T2/tan54.7°)×2
・・・(式1)
との関係を満たすようにすることができる。
犠牲層6の島状の大きさLは、120μm以上1100μm以下とする。この場合、上記式1を適用とすると、エッチングマスク層4の未開口部距離X1は、98μm以上993μm以下の距離となる。未開口部距離X1が98μm以下の場合、エッチングで梁13が消失してしまう。また、未開口部距離X1が993μm以上の場合、梁13の幅が大きく形成され、これに伴い梁13の高さも高くなる。梁13の高さが高くなると、インク供給口におけるインクの流れが悪くなる。このため、インクジェット記録ヘッドの吐出特性が低下してしまう。
<供給口形成工程>
次に、エッチングマスク層4が形成されたシリコン基板1の裏面の開口(開口部5)から未貫通孔7を形成する工程が行われる。そして、未貫通孔7が形成されたシリコン基板1に異方性エッチングを施すことにより、裏面側に梁13を形成する工程が行われる。この梁13を形成する工程は、インク供給口9を形成する工程でもある。つまり、インク供給口9を形成する工程において、梁13も形成される。
次に、エッチングマスク層4が形成されたシリコン基板1の裏面の開口(開口部5)から未貫通孔7を形成する工程が行われる。そして、未貫通孔7が形成されたシリコン基板1に異方性エッチングを施すことにより、裏面側に梁13を形成する工程が行われる。この梁13を形成する工程は、インク供給口9を形成する工程でもある。つまり、インク供給口9を形成する工程において、梁13も形成される。
まず、図3(a)に示すように、シリコン基板1の裏面からエッチングマスク層4の開口部5にレーザ光を照射して、未貫通孔7を形成する工程が行われる。未貫通孔7を形成する工程では、YAGレーザのレーザ光を用いて未貫通孔7が形成される。レーザ光の出力及び周波数は適切な値に設定される。本実施形態では、未貫通孔7の直径をφ25μm程度に形成する。未貫通孔7の直径としては、φ5μm以上100μm以下であることが好ましい。未貫通孔7の直径が小さすぎる場合には、この後の工程で行われる異方性エッチングの際にエッチング液が未貫通孔7内に進入し難くなるので好ましくない。また、未貫通孔7の直径が大きすぎる場合には、所望の深さの未貫通孔7を形成するのに比較的長い時間を要するので好ましくない。未貫通孔7のピッチ距離は、25μm以上500μm以下程度であることが好ましい。
本実施形態では、シリコン基板1の厚さを725μmのものを用いる。未貫通孔の未貫通部分の深さ(即ち、シリコン基板1のおもて面から距離)は、15μm以上75μm以下とすることができる。15μm以下になると、おもて面に形成されているノズル材が熱の影響で変形をおこしてしまう。また75μm以上になると、エッチング時間が長くなり、梁13の部分が消失してしまう。未貫通孔7の加工は、任意の方法で行われてよい。例えば、YAGレーザの3倍波(THG:波長355nm)のレーザ光を用いて未貫通孔7の加工を行うことができる。しかしながら、シリコン基板1を形成する材料であるシリコンに対して穴加工が可能な波長であればよく、未貫通孔7の加工に用いるレーザ光をこのレーザ光に限定するものではない。また、未貫通孔は、レーザ加工ではなく、ドライエッチング法または機械加工によって形成されてもよい。
その後、図3(b)に示すように、未貫通孔7が形成されたシリコン基板1に異方性エッチングを施してインク供給口9を形成する工程が行われる。インク供給口9を形成するエッチング方法として、例えばTMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)やKOH(水酸化カリウム)等の強アルカリ溶液中にシリコン基板1を浸漬することにより、結晶異方性エッチングを行うことができる。図3(b)の段階では、未貫通孔7が形成された部分のみがシリコン基板1を貫通し、エッチングストップ層8で貫通が止まる(図4(b)および図5(b)も参照)。
その後、図3(c)に示すように、シリコン基板1を貫通した部分より、エッチングが横に広がり犠牲層6に到達する。そして、犠牲層6がエッチングされるとともにシリコン基板1のシリコン部のエッチングが進む。そして、おもて面のエッチングストップ層8の下部のシリコンも時間とともにエッチングされる。つまり、犠牲層6のおもて面から裏面の方向に対してもエッチングが進む。エッチングストップ層8の下のシリコンに横にエッチングが広がり、図4および図5に示すように、熱酸化膜1aの領域でエッチングが進まなくなる。
各々の膜下(層下)でのエッチング速度は、犠牲層6:0.83μm/min、エッチングストップ層8:0.15μm/min、熱酸化膜1a:0.05μm/minとエッチング速度差を持っている。犠牲層6は、シリコン基板1のエッチング速度よりも早い材料で形成されている。
その後、図3(d)、図4(d)、および図5(d)に示すように、エッチングでおもて面が均一に開口し、裏面に梁13が形成されたインク供給口9を作製することができる。梁13の大きさX2として70μm〜950μmサイズで作製できる。
本実施形態では、犠牲層6を島状に形成し、おもて面に犠牲層6を形成した部分には、エッチングが行われないようにエッチングマスク層4を形成する構成を採用した。そして、開口部5に未貫通孔7を形成して、異方性エッチングを行う構成を採用した。かかる構成によれば、未貫通孔7が形成された部分でまずエッチングがシリコン基板1を貫通しておもて面に到達する。その後、エッチングが横に広がることで犠牲層6に到達する。その後、おもて面側からもエッチングが進むことになる。この結果、おもて面のインク供給口9を均一に開口することができる。
なお、犠牲層6を島状に形成せずに、インク供給口9のおもて面の全面に形成すると、未貫通孔7が形成された部分でまずエッチングがシリコン基板1を貫通し、おもて面の全面に形成された犠牲層6にエッチングが到達する。この場合、未貫通孔7が形成された部分に対しては、未貫通孔7が形成されない部分よりもおもて面側のエッチングが早く進む。このため、未貫通孔7が形成された部分と、未貫通孔7が形成されない部分とでは、おもて面のインク供給口9の開口がばらついてしまうことになる。この例については、比較例として後述する。
このように、本実施形態では、シリコン基板1のインク供給口9内の裏面側に梁13を形成することができ、シリコン基板1の強度を上げることができる。このため、例えば、インク供給口9が開口した場合、梁13を形成することでシリコン基板1の変形を抑えることができ、生産効率及び品質が向上する。また、本実施形態では、犠牲層6を島状に形成することで、おもて面のインク供給口9が均一に開口することができ、インク吐出特性が低下することを抑制できる。
(実施例1)
図3に従い、インクジェット記録ヘッド用のシリコン基板1を作製した。以下の操作を各シリコン基板1について行った。
図3に従い、インクジェット記録ヘッド用のシリコン基板1を作製した。以下の操作を各シリコン基板1について行った。
まず、図3(a)、図4(a)、図5(a)に示すように、梁13を形成する部分に対応するシリコン基板1のおもて面のインク供給口9を形成する部分に、Al−Si(アルミニウム−ケイ素)合金からなる犠牲層6を島状に形成した。犠牲層6の島の寸法は、430μmとした。また、梁を形成しない部分は、シリコン基板1のおもて面に、エッチングストップ層8として、耐エッチング性を有するプラズマSiO(シリコン酸化膜)を形成した。犠牲層6やエッチングストップ層8は、エネルギー発生素子である電熱変換素子2などをシリコン基板1のおもて面に形成する工程と同一の工程において形成した。このようなシリコン基板1の裏面のシリコン基板1のSiO層(熱酸化層)1aに、ポリアミド樹脂を積層し、開口部5を有するポリアミド樹脂からなるエッチングマスク層4を形成した。おもて面に犠牲層6が形成されている部分には開口部5を形成しなかった。この開口部5内のSiO層(熱酸化層)1aをバッファードフッ酸などでエッチングして除去して、シリコン面を露出させた。
図3(a)、図4(a)、図5(a)に示すように、(100)面のシリコン基板1の裏面側からおもて面側に向けて、エッチングマスク層4の開口部5内に、未貫通孔7を形成した。未貫通孔7は、その直径をφ25μm程度、おもて面からの距離を50μm、各孔のピッチ距離を60μmで形成した。YAGレーザの3倍波(THG:波長355nm)のレーザ光を用いて未貫通孔7の加工を行った。
次に、図3(b)、図4(b)、図5(b)に示すように、シリコン基板1の裏面に形成されたポリアミド樹脂からなるエッチングマスク層4をマスクとして、エッチングを行った。エッチングは、TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)22質量%溶液を用い、温度80℃で5時間エッチングを行った。エッチングマスク層4の未開口部距離X1を500μmとした。このエッチング処理では、あるところではエッチング速度が遅い(111)面を形成しながら、またあるところでは、エッチング速度が速い(100)面及び(110)面に沿ってエッチングが進行する。最終的にはエッチング速度の遅い(111)面が形成される。
そして、図3(c)、図4(c)、図5(c)に示すように、TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)22質量%溶液を用い、温度80℃でさらに1時間エッチングを行った。エッチングマスク層4の開口部5内に未貫通孔7を形成した部分のおもて面が開口し横に広がり、犠牲層6部分のエッチングが進む。内部にはシリコンがおもて面まで繋がって残っている。
そして、図3(d)、図4(d)、図5(d)に示すように、TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)22質量%溶液を用い、温度80℃でさらに2時間エッチングを行った。内部のシリコンがエッチングされ、梁13が形成された。梁13の大きさX2は、450μmで形成された。また、おもて面の開口は、130μmで均一に開口した。
図示しないが、さらに、シリコン基板1のおもて面におけるインク供給口9の開口部位に形成されているSiO層1aをウェットエッチングで除去し、パッシベイション層3の一部をドライエッチングで除去した。
(比較例)
まず、図6(a)、図7(a)、図8(a)に示すように、シリコン基板1のおもて面のインク供給口を形成する部分の全面に、Al−Si(アルミニウム−ケイ素)合金からなる犠牲層6を形成した。また、シリコン基板1のおもて面に、保護層として、耐エッチング性を有するパッシベイション層3を形成した。犠牲層6やエッチングストップ層8は、電熱変換素子2などをシリコン基板1のおもて面に形成する工程と同一の工程において形成した。このようなシリコン基板1の裏面のSiO層(熱酸化層)1aに、ポリアミド樹脂を積層し、開口部5を有するポリアミド樹脂からなるエッチングマスク層4を形成した。開口部5の幅として、500μmとした。この開口部5内のSiO層1aをバッファードフッ酸などでエッチングして除去して、シリコン面を露出させた。(100)面のシリコン基板1の裏面側からおもて面側に向けて、エッチングマスク層4の開口部5内に、未貫通孔7の直径をφ25μm程度、おもて面からの距離を50μm、ピッチ距離60をμmで形成した。
まず、図6(a)、図7(a)、図8(a)に示すように、シリコン基板1のおもて面のインク供給口を形成する部分の全面に、Al−Si(アルミニウム−ケイ素)合金からなる犠牲層6を形成した。また、シリコン基板1のおもて面に、保護層として、耐エッチング性を有するパッシベイション層3を形成した。犠牲層6やエッチングストップ層8は、電熱変換素子2などをシリコン基板1のおもて面に形成する工程と同一の工程において形成した。このようなシリコン基板1の裏面のSiO層(熱酸化層)1aに、ポリアミド樹脂を積層し、開口部5を有するポリアミド樹脂からなるエッチングマスク層4を形成した。開口部5の幅として、500μmとした。この開口部5内のSiO層1aをバッファードフッ酸などでエッチングして除去して、シリコン面を露出させた。(100)面のシリコン基板1の裏面側からおもて面側に向けて、エッチングマスク層4の開口部5内に、未貫通孔7の直径をφ25μm程度、おもて面からの距離を50μm、ピッチ距離60をμmで形成した。
そして、図6(b)、図7(b)、図8(b)に示すように、シリコン基板1の裏面に形成されたポリアミド樹脂からなるエッチングマスク層4をマスクとして、エッチングを行った。エッチングは、TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)22質量%溶液を用い、温度80℃で5時間エッチングを行った。
そして、図6(c)、図7(c)、図8(c)に示すように、TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)22質量%溶液を用い、温度80℃でさらに1時間エッチングを行った。エッチングマスク層4の開口部5内に未貫通孔7を形成した部分のおもて面が開口し横に広がり、犠牲層6部分のエッチングが進む。内部にはシリコンがおもて面まで繋がって残っている。
そして、図6(d)、図7(d)、図8(d)に示すように、TMAH(水酸化テトラメチルアンモニウム)22質量%溶液を用い、温度80℃でさらに2時間エッチングを行った。内部のシリコンがエッチングされ、梁13が形成された。梁13の大きさX2として450μmで形成された。おもて面の開口については開口ばらつきが発生した。即ち、未貫通孔7を形成しない部分は130μmで開口したが、未貫通孔7を形成した部分は、148μmで開口した。
図示しないが、さらに、シリコン基板1のおもて面におけるインク供給口9の開口部位に形成されているSiO層1aをウェットエッチングで除去し、パッシベイション層3の一部をドライエッチングで除去した。
1 シリコン基板
4 エッチングマスク層
5 開口部
7 未貫通孔
9 インク供給口
13 梁
4 エッチングマスク層
5 開口部
7 未貫通孔
9 インク供給口
13 梁
Claims (14)
- 液体を吐出する吐出口の流路が形成される側の面であるおもて面に、シリコン基板よりもエッチング速度が速い犠牲層が島状に形成されたシリコン基板を用意する工程と、
前記シリコン基板の前記おもて面の反対側の面である裏面に、前記犠牲層に対向する前記裏面の部分を開口させないマスク層を形成する工程と、
前記シリコン基板の裏面の開口から未貫通孔を形成する工程と、
前記未貫通孔が形成された前記シリコン基板に異方性エッチングを施すことにより、前記裏面側に梁を形成する工程と、
を含むことを特徴とするシリコン基板の加工方法。 - 前記シリコン基板は、前記裏面が(100)面の結晶軸を有する単結晶シリコンの基板である、請求項1に記載のシリコン基板の加工方法。
- 前記犠牲層は、前記液体の供給口のおもて面側の開口幅を規定している、請求項1または2に記載のシリコン基板の加工方法。
- 前記梁を形成する工程は、前記液体の供給口を形成する工程を含む、請求項1から3のいずれか一項に記載のシリコン基板の加工方法。
- 前記未貫通孔は、レーザ加工、ドライエッチング、または機械加工によって形成される、請求項1から4のいずれか一項に記載のシリコン基板の加工方法。
- 前記おもて面から15μm以上75μm以下の深さで前記未貫通孔が形成される、請求項1から5のいずれか一項に記載のシリコン基板の加工方法。
- 前記未貫通孔のピッチ距離は、25μm以上500μm以下である、請求項1から6のいずれか一項に記載のシリコン基板の加工方法。
- 前記犠牲層の島状の大きさは、120μm以上1100μm以下である、請求項1から7のいずれか一項に記載のシリコン基板の加工方法。
- 前記犠牲層に対向する部分を開口させない部分の寸法をX1、前記犠牲層の島状の大きさをL、前記未貫通孔の深さを前記液体の吐出口の流路と連通することになる面からT1以上かつT2以下の深さとしたときに、
L−(T1/tan54.7°)×2≧X1≧L−(T2/tan54.7°)×2
の関係を満たすように前記マスク層が形成される、請求項1から8のいずれか一項に記載のシリコン基板の加工方法。 - 前記犠牲層に対向する部分を開口させないマスク部分の距離は、98μm以上993μm以下である、請求項1から9のいずれか一項に記載のシリコン基板の加工方法。
- 前記梁を形成する工程は、アルカリ溶液を用いた異方性エッチングにより行われ、
前記犠牲層は、前記アルカリ溶液に対するエッチング速度が前記シリコン基板のエッチング速度よりも速い、請求項1から10のいずれか一項に記載のシリコン基板の加工方法。 - 前記用意されるシリコン基板は、島状の犠牲層を含む部分がエッチングストップ層で覆われている、請求項1から11のいずれか一項に記載のシリコン基板の加工方法。
- 前記エッチングストップ層は、前記液体を吐出するための吐出エネルギー発生素子が前記シリコン基板に形成される工程と同一の工程で形成される、請求項12に記載のシリコン基板の加工方法。
- シリコン基板の第1の面に、前記シリコン基板よりもエッチング速度が速い犠牲層を島状に形成し、前記島状の犠牲層を含む部分を覆うエッチングストップ層を形成し、かつ液体を吐出するための吐出エネルギー発生素子を形成する工程と、
前記シリコン基板の前記第1の面にさらに、前記液体の流路形成部材を形成する工程と、
前記シリコン基板の前記第1の面の反対側の面である第2の面に、前記犠牲層に対向する前記第2の面の部分を開口させないマスク層を形成する工程と、
前記シリコン基板の前記第2の面の開口から未貫通孔を形成する工程と、
異方性エッチングを施すことにより、前記第2の面側に梁を形成する工程と、
を含むことを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。
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