JP5874745B2 - 含フッ素芳香族化合物及びその製造方法 - Google Patents
含フッ素芳香族化合物及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5874745B2 JP5874745B2 JP2013558743A JP2013558743A JP5874745B2 JP 5874745 B2 JP5874745 B2 JP 5874745B2 JP 2013558743 A JP2013558743 A JP 2013558743A JP 2013558743 A JP2013558743 A JP 2013558743A JP 5874745 B2 JP5874745 B2 JP 5874745B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- fluorine
- group
- substituent
- containing aromatic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 title claims description 89
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 title claims description 83
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 title claims description 82
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 79
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 27
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 211
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 94
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 70
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 61
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 42
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 claims description 30
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 29
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 claims description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 25
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 23
- HJUGFYREWKUQJT-UHFFFAOYSA-N tetrabromomethane Chemical compound BrC(Br)(Br)Br HJUGFYREWKUQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 15
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000005899 aromatization reaction Methods 0.000 claims description 7
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 7
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 5
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 5
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 95
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 90
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 84
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 55
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 49
- 239000000463 material Substances 0.000 description 46
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 42
- -1 acene compound Chemical class 0.000 description 40
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 39
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 37
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 36
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 35
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 33
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 23
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 21
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 238000004440 column chromatography Methods 0.000 description 19
- 239000012043 crude product Substances 0.000 description 19
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 18
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 17
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 15
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 15
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical group C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N phenylboronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=CC=C1 HXITXNWTGFUOAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229920003026 Acene Polymers 0.000 description 13
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 13
- PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L Sodium Sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O PMZURENOXWZQFD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 12
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 12
- 230000009878 intermolecular interaction Effects 0.000 description 11
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 10
- BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L potassium carbonate Chemical compound [K+].[K+].[O-]C([O-])=O BWHMMNNQKKPAPP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 10
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 10
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 9
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 9
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 8
- AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N para-benzoquinone Natural products O=C1C=CC(=O)C=C1 AZQWKYJCGOJGHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N tetramethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)C CZDYPVPMEAXLPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 125000000468 ketone group Chemical group 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 5
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000027 potassium carbonate Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 125000001544 thienyl group Chemical group 0.000 description 5
- 229910021595 Copper(I) iodide Inorganic materials 0.000 description 4
- UEXCJVNBTNXOEH-UHFFFAOYSA-N Ethynylbenzene Chemical group C#CC1=CC=CC=C1 UEXCJVNBTNXOEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HEDRZPFGACZZDS-MICDWDOJSA-N Trichloro(2H)methane Chemical compound [2H]C(Cl)(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-MICDWDOJSA-N 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-WFGJKAKNSA-N acetone d6 Chemical compound [2H]C([2H])([2H])C(=O)C([2H])([2H])[2H] CSCPPACGZOOCGX-WFGJKAKNSA-N 0.000 description 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 4
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010511 deprotection reaction Methods 0.000 description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FPGGTKZVZWFYPV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium fluoride Chemical compound [F-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC FPGGTKZVZWFYPV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PBKONEOXTCPAFI-UHFFFAOYSA-N 1,2,4-trichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C(Cl)=C1 PBKONEOXTCPAFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 1,2-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1Cl RFFLAFLAYFXFSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VTSDGYDTWADUJQ-UHFFFAOYSA-N 2-bromoanthracene-9,10-dione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(Br)=CC=C3C(=O)C2=C1 VTSDGYDTWADUJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-MZCSYVLQSA-N Deuterated methanol Chemical compound [2H]OC([2H])([2H])[2H] OKKJLVBELUTLKV-MZCSYVLQSA-N 0.000 description 3
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YGSFNCRAZOCNDJ-RLNBIOQVSA-N [2H]C([2H])([2H])C(=O)C([2H])([2H])[2H].[2H]C([2H])([2H])C(=O)C([2H])([2H])[2H] Chemical compound [2H]C([2H])([2H])C(=O)C([2H])([2H])[2H].[2H]C([2H])([2H])C(=O)C([2H])([2H])[2H] YGSFNCRAZOCNDJ-RLNBIOQVSA-N 0.000 description 3
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 3
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N dihydroxy(oxo)silane Chemical compound O[Si](O)=O IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 3
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 3
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VOAAEKKFGLPLLU-UHFFFAOYSA-N (4-methoxyphenyl)boronic acid Chemical compound COC1=CC=C(B(O)O)C=C1 VOAAEKKFGLPLLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUFYHUWBLXKCJM-UHFFFAOYSA-N 2,6-dibromoanthracene-9,10-dione Chemical compound BrC1=CC=C2C(=O)C3=CC(Br)=CC=C3C(=O)C2=C1 JUFYHUWBLXKCJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OPHYJEZJEABUET-UHFFFAOYSA-N 2,6-diiodoanthracene-9,10-dione Chemical compound IC1=CC=C2C(=O)C3=CC(I)=CC=C3C(=O)C2=C1 OPHYJEZJEABUET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HTFXWAOSQODIBI-UHFFFAOYSA-N 2-benzyl-1,3-dihydropyrrolo[3,4-c]pyridine Chemical compound C1C2=CC=NC=C2CN1CC1=CC=CC=C1 HTFXWAOSQODIBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BMQVXGRNMAVAEK-UHFFFAOYSA-N 2-iodoanthracene-9,10-dione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(I)=CC=C3C(=O)C2=C1 BMQVXGRNMAVAEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- COAUHYBSXMIJDK-UHFFFAOYSA-N 3,3-dichloro-1,1,1,2,2-pentafluoropropane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(Cl)Cl COAUHYBSXMIJDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RZVHIXYEVGDQDX-UHFFFAOYSA-N 9,10-anthraquinone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C(=O)C2=C1 RZVHIXYEVGDQDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940076442 9,10-anthraquinone Drugs 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MGNWQUVXYVJHGC-UHFFFAOYSA-N FC(c(cc1)ccc1-c(cc1)cc2c1c(C(F)(F)F)c(cccc1)c1c2C(F)(F)F)(F)F Chemical compound FC(c(cc1)ccc1-c(cc1)cc2c1c(C(F)(F)F)c(cccc1)c1c2C(F)(F)F)(F)F MGNWQUVXYVJHGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SYKQCICDDZFTAT-UHFFFAOYSA-N FC(c1c(ccc(-c2ccc[s]2)c2)c2c(C(F)(F)F)c2c1cc(-c1ccc[s]1)cc2)(F)F Chemical compound FC(c1c(ccc(-c2ccc[s]2)c2)c2c(C(F)(F)F)c2c1cc(-c1ccc[s]1)cc2)(F)F SYKQCICDDZFTAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005033 Fourier transform infrared spectroscopy Methods 0.000 description 2
- CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L Magnesium sulfate Chemical compound [Mg+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] CSNNHWWHGAXBCP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 125000003158 alcohol group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000005036 alkoxyphenyl group Chemical group 0.000 description 2
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- ZQBFAOFFOQMSGJ-UHFFFAOYSA-N hexafluorobenzene Chemical compound FC1=C(F)C(F)=C(F)C(F)=C1F ZQBFAOFFOQMSGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 2
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YZOGOBWHTVNKGA-UHFFFAOYSA-N pentacene-5,7,12,14-tetrone Chemical compound O=C1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3C(=O)C1=C2 YZOGOBWHTVNKGA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000012113 quantitative test Methods 0.000 description 2
- 125000004151 quinonyl group Chemical group 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- ARYHTUPFQTUBBG-UHFFFAOYSA-N thiophen-2-ylboronic acid Chemical compound OB(O)C1=CC=CS1 ARYHTUPFQTUBBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RCHUVCPBWWSUMC-UHFFFAOYSA-N trichloro(octyl)silane Chemical compound CCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl RCHUVCPBWWSUMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- 0 *c1c(cc(cccc2)c2c2)c2c(*)c2c1cc(cccc1)c1c2 Chemical compound *c1c(cc(cccc2)c2c2)c2c(*)c2c1cc(cccc1)c1c2 0.000 description 1
- IQJADVFBZGJGSI-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3-tetrachloro-2,2,3,3-tetrafluoropropane Chemical compound FC(F)(Cl)C(F)(F)C(Cl)(Cl)Cl IQJADVFBZGJGSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HJRXHKBZNQULJQ-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloro-2,2,3,3,3-pentafluoropropane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(F)C(Cl)(Cl)Cl HJRXHKBZNQULJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FOQPUTQZIDYREM-UHFFFAOYSA-N 1-(trifluoromethyl)anthracene Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(C(F)(F)F)=CC=CC3=CC2=C1 FOQPUTQZIDYREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UAJRSHJHFRVGMG-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-methoxybenzene Chemical group COC1=CC=C(C=C)C=C1 UAJRSHJHFRVGMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZPGMWBFCBUKITA-UHFFFAOYSA-N 2,2,3-trichloro-1,1,1,3,4,4,4-heptafluorobutane Chemical compound FC(F)(F)C(F)(Cl)C(Cl)(Cl)C(F)(F)F ZPGMWBFCBUKITA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WBHAUHHMPXBZCQ-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound COC1=CC=CC(C)=C1O WBHAUHHMPXBZCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 2-methylphenol;3-methylphenol;4-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(O)C=C1.CC1=CC=CC(O)=C1.CC1=CC=CC=C1O QTWJRLJHJPIABL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 3-(1h-benzimidazol-2-yl)-7-(diethylamino)chromen-2-one Chemical compound C1=CC=C2NC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 GOLORTLGFDVFDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004172 4-methoxyphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(OC([H])([H])[H])=C([H])C([H])=C1* 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VKYANHIEQDJQPG-UHFFFAOYSA-N COc(cc1)ccc1-c(cc1)cc2c1c(C(F)(F)F)c(cc(cc1)-c(cc3)ccc3OC)c1c2C(F)(F)F Chemical compound COc(cc1)ccc1-c(cc1)cc2c1c(C(F)(F)F)c(cc(cc1)-c(cc3)ccc3OC)c1c2C(F)(F)F VKYANHIEQDJQPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZYPMXORSYTHEN-UHFFFAOYSA-N COc(cc1)ccc1-c(cc1)cc2c1c(C(F)(F)F)c(ccc(-c1cccc(-c(cc3)cc4c3c(C(F)(F)F)c(cccc3)c3c4C(F)(F)F)c1)c1)c1c2C(F)(F)F Chemical compound COc(cc1)ccc1-c(cc1)cc2c1c(C(F)(F)F)c(ccc(-c1cccc(-c(cc3)cc4c3c(C(F)(F)F)c(cccc3)c3c4C(F)(F)F)c1)c1)c1c2C(F)(F)F LZYPMXORSYTHEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMUVUFYCLLTBRR-UHFFFAOYSA-N COc(cc1)ccc1C#Cc(cc1)cc2c1c(C(F)(F)F)c(cc(cc1)C#Cc(cc3)ccc3OC)c1c2C(F)(F)F Chemical compound COc(cc1)ccc1C#Cc(cc1)cc2c1c(C(F)(F)F)c(cc(cc1)C#Cc(cc3)ccc3OC)c1c2C(F)(F)F SMUVUFYCLLTBRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LATYKVZZMXNYEP-UHFFFAOYSA-N COc(cc1)ccc1C#Cc(cc1)cc2c1c(C(F)(F)F)c(cccc1)c1c2C(F)(F)F Chemical compound COc(cc1)ccc1C#Cc(cc1)cc2c1c(C(F)(F)F)c(cccc1)c1c2C(F)(F)F LATYKVZZMXNYEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000219 Ethylene vinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- GPGGDVYKNGOZNO-UHFFFAOYSA-N FC(c(cc1)ccc1-c1cc2c(C(F)(F)F)c(ccc(-c3ccc(C(F)(F)F)cc3)c3)c3c(C(F)(F)F)c2cc1)(F)F Chemical compound FC(c(cc1)ccc1-c1cc2c(C(F)(F)F)c(ccc(-c3ccc(C(F)(F)F)cc3)c3)c3c(C(F)(F)F)c2cc1)(F)F GPGGDVYKNGOZNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AVTKZPKHWIRLBG-UHFFFAOYSA-N FC(c1c(cc(cc2)-c3ccccc3)c2c(C(F)(F)F)c2c1ccc(-c1ccccc1)c2)(F)F Chemical compound FC(c1c(cc(cc2)-c3ccccc3)c2c(C(F)(F)F)c2c1ccc(-c1ccccc1)c2)(F)F AVTKZPKHWIRLBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTZWPBKCOBIVPX-UHFFFAOYSA-N FC(c1c(cc(cc2)C#Cc3ccccc3)c2c(C(F)(F)F)c2c1ccc(C#Cc1ccccc1)c2)(F)F Chemical compound FC(c1c(cc(cc2)C#Cc3ccccc3)c2c(C(F)(F)F)c2c1ccc(C#Cc1ccccc1)c2)(F)F HTZWPBKCOBIVPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KNGBERLAHGFCNI-UHFFFAOYSA-N FC(c1c(cc(cccc2)c2c2)c2c(C(F)(F)F)c2cc(cccc3)c3cc12)(F)F Chemical compound FC(c1c(cc(cccc2)c2c2)c2c(C(F)(F)F)c2cc(cccc3)c3cc12)(F)F KNGBERLAHGFCNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MUAMFIIOTGYVRZ-UHFFFAOYSA-N FC(c1c(cccc2)c2c(C(F)(F)F)c2c1ccc(-c1ccc[s]1)c2)(F)F Chemical compound FC(c1c(cccc2)c2c(C(F)(F)F)c2c1ccc(-c1ccc[s]1)c2)(F)F MUAMFIIOTGYVRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUENVCVNUQLKNR-UHFFFAOYSA-N FC(c1c(cccc2)c2c(C(F)(F)F)c2c1ccc(C#Cc1ccccc1)c2)(F)F Chemical compound FC(c1c(cccc2)c2c(C(F)(F)F)c2c1ccc(C#Cc1ccccc1)c2)(F)F QUENVCVNUQLKNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNVVUUSJHAEMPN-UHFFFAOYSA-N FC(c1c(cccc2)c2c(C(F)(F)F)c2cc3c(C(F)(F)F)c4ccccc4c(C(F)(F)F)c3cc12)(F)F Chemical compound FC(c1c(cccc2)c2c(C(F)(F)F)c2cc3c(C(F)(F)F)c4ccccc4c(C(F)(F)F)c3cc12)(F)F NNVVUUSJHAEMPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N Methyl tert-butyl ether Chemical compound COC(C)(C)C BZLVMXJERCGZMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003477 Sonogashira cross-coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006069 Suzuki reaction reaction Methods 0.000 description 1
- 235000005811 Viola adunca Nutrition 0.000 description 1
- 240000009038 Viola odorata Species 0.000 description 1
- 235000013487 Viola odorata Nutrition 0.000 description 1
- 235000002254 Viola papilionacea Nutrition 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005577 anthracene group Chemical group 0.000 description 1
- RGHILYZRVFRRNK-UHFFFAOYSA-N anthracene-1,2-dione Chemical compound C1=CC=C2C=C(C(C(=O)C=C3)=O)C3=CC2=C1 RGHILYZRVFRRNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004369 butenyl group Chemical group C(=CCC)* 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000480 butynyl group Chemical group [*]C#CC([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 150000008280 chlorinated hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- LSXDOTMGLUJQCM-UHFFFAOYSA-M copper(i) iodide Chemical compound I[Cu] LSXDOTMGLUJQCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229930003836 cresol Natural products 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000006471 dimerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000005274 electronic transitions Effects 0.000 description 1
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 1
- 239000003205 fragrance Substances 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000004255 ion exchange chromatography Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- IGKLGCQYPZTEPK-UHFFFAOYSA-N pentacene-1,2-dione Chemical compound C1=CC=C2C=C(C=C3C(C=C4C=CC(C(C4=C3)=O)=O)=C3)C3=CC2=C1 IGKLGCQYPZTEPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFCVADNIXDUEFZ-UHFFFAOYSA-N pentacene-6,13-dione Chemical compound C1=CC=C2C=C3C(=O)C4=CC5=CC=CC=C5C=C4C(=O)C3=CC2=C1 UFCVADNIXDUEFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002964 pentacenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000006340 pentafluoro ethyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 125000002255 pentenyl group Chemical group C(=CCCC)* 0.000 description 1
- 125000005981 pentynyl group Chemical group 0.000 description 1
- RPGWZZNNEUHDAQ-UHFFFAOYSA-N phenylphosphine Chemical compound PC1=CC=CC=C1 RPGWZZNNEUHDAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 229920001197 polyacetylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 125000004368 propenyl group Chemical group C(=CC)* 0.000 description 1
- 125000002568 propynyl group Chemical group [*]C#CC([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000000779 smoke Substances 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910000030 sodium bicarbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000017557 sodium bicarbonate Nutrition 0.000 description 1
- 229910052938 sodium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011152 sodium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000005063 solubilization Methods 0.000 description 1
- 230000007928 solubilization Effects 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000002233 thin-film X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C17/00—Preparation of halogenated hydrocarbons
- C07C17/35—Preparation of halogenated hydrocarbons by reactions not affecting the number of carbon or of halogen atoms in the reaction
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C29/00—Preparation of compounds having hydroxy or O-metal groups bound to a carbon atom not belonging to a six-membered aromatic ring
- C07C29/09—Preparation of compounds having hydroxy or O-metal groups bound to a carbon atom not belonging to a six-membered aromatic ring by hydrolysis
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C35/00—Compounds having at least one hydroxy or O-metal group bound to a carbon atom of a ring other than a six-membered aromatic ring
- C07C35/48—Halogenated derivatives
- C07C35/52—Alcohols with a condensed ring system
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C41/00—Preparation of ethers; Preparation of compounds having groups, groups or groups
- C07C41/01—Preparation of ethers
- C07C41/18—Preparation of ethers by reactions not forming ether-oxygen bonds
- C07C41/30—Preparation of ethers by reactions not forming ether-oxygen bonds by increasing the number of carbon atoms, e.g. by oligomerisation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C43/00—Ethers; Compounds having groups, groups or groups
- C07C43/02—Ethers
- C07C43/20—Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring
- C07C43/225—Ethers having an ether-oxygen atom bound to a carbon atom of a six-membered aromatic ring containing halogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
- C07D333/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom
- C07D333/02—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings
- C07D333/04—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings not substituted on the ring sulphur atom
- C07D333/06—Heterocyclic compounds containing five-membered rings having one sulfur atom as the only ring hetero atom not condensed with other rings not substituted on the ring sulphur atom with only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, directly attached to the ring carbon atoms
- C07D333/12—Radicals substituted by halogen atoms or nitro or nitroso radicals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
- H10K85/623—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene containing five rings, e.g. pentacene
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/655—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only sulfur as heteroatom
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C2603/00—Systems containing at least three condensed rings
- C07C2603/02—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems
- C07C2603/04—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings
- C07C2603/22—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing three rings containing only six-membered rings
- C07C2603/24—Anthracenes; Hydrogenated anthracenes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C2603/00—Systems containing at least three condensed rings
- C07C2603/02—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems
- C07C2603/52—Ortho- or ortho- and peri-condensed systems containing five condensed rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
- C09K2211/1007—Non-condensed systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1003—Carbocyclic compounds
- C09K2211/1011—Condensed systems
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
- C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
- C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
- C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
- C09K2211/1092—Heterocyclic compounds characterised by ligands containing sulfur as the only heteroatom
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
環基に置換基を持たないアセン化合物は、環の数が増加するに従って有機溶媒への溶解性は低下する。したがって、アセン化合物にウェットプロセスを適用することは困難である。またウェットプロセスを適用する場合には、溶媒や温度条件などの選択の幅が非常に狭い。
特許文献2には、重金属を用いたカップリング反応によるパーフルオロアルキル基を有するアセン化合物の製造方法が開示されている。該アセン化合物としては、アントラセンの6位と13位にnC8F17−が置換したが化合物が開示されている。
具体的には、低極性溶媒にも可溶であり、かつ、強い分子間相互作用による高キャリア移動度が望める化合物を提供することを第一の課題とする。また、キャリア移動度低下の一因である重金属のコンタミネーションが少ない化合物を提供することを第二の課題とする。
<1>
下記式(1)で表される化合物を式R 1 −Si(CH 3 ) 3 で表される化合物と反応させて下記式(1−1A)で表される化合物を得て、該式(1−1A)で表される化合物を脱保護処理して下記式(1−1B)で表される化合物を得て、該式(1−1B)で表される化合物を芳香族化する、下記式(2−1)で表される含フッ素芳香族化合物の製造方法。
X2〜X5はハロゲン原子または水素原子であり、これらは同一でも異なっていてもよい。
mとnは各々カッコ内に示す繰り返し単位構造A及びBの繰り返し数であり、mは0以上の整数、nは1以上の整数、m+nは2以上6以下の整数である。
L1及びL2は置換基を有してもよい炭素数1〜12の1価炭化水素基、置換基を有してもよい1価芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい1価複素芳香族基、ハロゲン原子、または水素原子であり、これらは同一でも異なっていてもよい。mが2以上の場合、構造A中に存在する複数のL1は、同一でも異なっていてもよく、また、構造A中に存在する複数のL2は、同一でも異なっていてもよい。
m及びnの少なくとも一方が2以上である場合、構造Aと構造Bが結合する順序は、ブロックでもランダムでもよい。]
<2>
前記式(1)で表わされる化合物と式R 1 −Si(CH 3 ) 3 で表される化合物とを反応させる際に炭酸塩を加える、上記<1>に記載の含フッ素芳香族化合物の製造方法。
<3>
前記芳香族化の際にトリフェニルホスフィン/四臭化炭素を用いる、上記<1>又は<2>に記載の含フッ素芳香族化合物の製造方法。
<4>
前記式(2−1)で表わされる含フッ素芳香族化合物が、下記式(3−1)で表わされる含フッ素芳香族化合物、下記式(4−1)で表わされる含フッ素芳香族化合物、又は下記式(5−1)で表わされる含フッ素芳香族化合物である、上記<1>〜<3>のいずれか一に記載の含フッ素芳香族化合物の製造方法。
<5>
上記<1>〜<4>のいずれか一に記載の製造方法により下記式(2−1)で表わされる化合物を得た後、X 2 〜X 5 の少なくとも一つがハロゲン原子である下記式(2−1)で表される化合物の該ハロゲン原子の少なくとも一つを、置換基を有してもよい炭素数1〜12の1価炭化水素基、置換基を有してもよい1価芳香族炭化水素基、または置換基を有してもよい1価複素芳香族基に置換する、下記式(2−2)で表される化合物の製造方法。
X 2 〜X 5 はハロゲン原子または水素原子であり、これらは同一でも異なっていてもよい。
R 2 〜R 5 は置換基を有してもよい炭素数1〜12の1価炭化水素基、置換基を有してもよい1価芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい1価複素芳香族基、ハロゲン原子、または水素原子であり、R 2 〜R 5 から選ばれる1以上の基は、置換基を有してもよい炭素数1〜12の1価炭化水素基、置換基を有してもよい1価芳香族炭化水素基、または置換基を有してもよい1価複素芳香族基である。R 2 〜R 5 は同一でも異なっていてもよい。
mとnは各々カッコ内に示す繰り返し単位構造A及びBの繰り返し数であり、mは0以上の整数、nは1以上の整数、m+nは2以上6以下の整数である。
L 1 及びL 2 は置換基を有してもよい炭素数1〜12の1価炭化水素基、置換基を有してもよい1価芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい1価複素芳香族基、ハロゲン原子、または水素原子であり、これらは同一でも異なっていてもよい。mが2以上の場合、構造A中に存在する複数のL 1 は、同一でも異なっていてもよく、また、構造A中に存在する複数のL 2 は、同一でも異なっていてもよい。
m及びnの少なくとも一方が2以上である場合、構造Aと構造Bが結合する順序は、ブロックでもランダムでもよい。]
<6>
前記式(2−1)で表わされる含フッ素芳香族化合物が、下記式(3−1)で表わされる含フッ素芳香族化合物であり、かつ、前記式(2−2)で表わされる含フッ素芳香族化合物が、下記式(3−2)で表わされる含フッ素芳香族化合物である組み合わせ、
前記式(2−1)で表わされる含フッ素芳香族化合物が、下記式(4−1)で表わされる含フッ素芳香族化合物であり、かつ、前記式(2−2)で表わされる含フッ素芳香族化合物が、下記式(4−2)で表わされる含フッ素芳香族化合物である組み合わせ、または
前記式(2−1)で表わされる含フッ素芳香族化合物が、下記式(5−1)で表わされる含フッ素芳香族化合物であり、かつ、前記式(2−2)で表わされる含フッ素芳香族化合物が、下記式(5−2)で表わされる含フッ素芳香族化合物である組み合わせである、
上記<5>に記載の含フッ素芳香族化合物の製造方法。
なお、式(X)で表される化合物を「化合物(X)」とも称する。
本発明の含フッ素芳香族化合物は、下記式(2−1)で表される化合物または式(2−2)で表される化合物から選ばれる。
X2〜X5はハロゲン原子または水素原子であり、これらは同一でも異なっていてもよい。
R2〜R5は置換基を有してもよい炭素数1〜12の1価炭化水素基、置換基を有してもよい1価芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい1価複素芳香族基、ハロゲン原子、または水素原子であり、R2〜R5から選ばれる1以上の基は、置換基を有してもよい炭素数1〜12の1価炭化水素基、置換基を有してもよい1価芳香族炭化水素基、または置換基を有してもよい1価複素芳香族基である。R2〜R5は同一でも異なっていてもよい。
mとnは各々カッコ内に示す繰り返し単位構造A及びBの繰り返し数であり、mは0以上の整数、nは1以上の整数、m+nは2以上6以下の整数である。
L1及びL2は置換基を有してもよい炭素数1〜12の1価炭化水素基、置換基を有してもよい1価芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい1価複素芳香族基、ハロゲン原子、または水素原子であり、これらは同一でも異なっていてもよい。mが2以上の場合、構造A中に存在する複数のL1は、同一でも異なっていてもよく、また、構造A中に存在する複数のL2は、同一でも異なっていてもよい。
m及びnの少なくとも一方が2以上である場合、構造Aと構造Bが結合する順序は、ブロックでもランダムでもよい。
本発明の化合物は、このような直鎖状パーフルオロアルキル基R1を分子中に2n(nは1以上の整数)有することにより、有機溶媒への溶解性を飛躍的に高めた。また、同一のベンゼン環に結合するR1同士はパラ位の関係にあり、このことは、含フッ素芳香族化合物を有機半導体材料として用いた場合に基板に対する配向性の向上と、薄膜の結晶性の観点から好ましい。さらにパーフルオロアルキル基は直鎖状であることで、フッ素原子の相互作用による分子間相互作用の向上の点で好ましい。
R1におけるアルキル鎖が長いほど、有機溶媒への溶解性は高くなる。また、縮合環の数が増えるにつれて、π−πスタッキングによる強い分子間相互作用により、キャリア移動度の増加が見込まれる。一般的に、π−πスタッキングによる強い分子間相互作用は有機溶媒への溶解性の低下を招くが、本発明において、直鎖状パーフルオロアルキル基の炭素数とπ−πスタッキングによるアセン材料の有機溶媒への溶解性を調査した結果、炭素数1〜3の直鎖状パーフルオロアルキル基を導入すると、π−πスタッキングによる強い分子間相互作用を損なうことなく、アセン材料の有機溶媒への溶解性が飛躍的に向上することが明らかとなった。
R1は特に炭素数1または2の直鎖状パーフルオロアルキル基、具体的にはトリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基が好ましい。なお、化合物中における複数のR1は同一の基である。
m及びnの少なくとも一方が2以上である場合、構造Aと構造Bが結合する順序はブロックでもランダムでもよい。構造Aと構造Bは交互に結合していてもよい。
X2〜X5のうち少なくとも一つはハロゲン原子であることが好ましい。これにより、ハロゲン原子をさらにR2〜R5で置換することで、含フッ素芳香族化合物に置換基をさらに導入することができる。この場合のR2〜R5は置換基を有してもよい炭素数1〜12の1価炭化水素基、置換基を有してもよい1価芳香族炭化水素基、または置換基を有してもよい1価複素芳香族基である。ハロゲン原子としてはフッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子が好ましく、反応性の観点から臭素原子及びヨウ素原子が特に好ましい。含フッ素芳香族化合物に置換基を導入する場合には、X2〜X5は1つまたは2つがハロゲン原子であるのが好ましく、2つの場合には、X3とX5またはX2とX4がハロゲン原子であるのが好ましい。
炭素数1〜12のアルキル基としては、直鎖構造または分岐構造の基が好ましく、例としては、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基、n−ドデシル基等が挙げられる。
炭素数2〜12のアルケニル基としては、ビニル基、プロペニル基、ブテニル基、ペンテニル基等が挙げられる。不飽和結合の位置は限定されず、1位が好ましい。
炭素数2〜12のアルキニル基としては、アセチル基、プロピニル基、ブチニル基、ペンチニル基等が挙げられる。不飽和結合の位置は限定されず、1位が好ましい。
炭素数3〜12のシクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が挙げられる。
芳香族炭化水素基が置換基を有する場合、置換基としては、電子求引性または電子供与性置換基が好ましく、具体的には炭素数1〜12のアルコキシ基、および炭素数1〜12のパーフルオロアルキル基から選ばれる基が挙げられる。1価芳香族炭化水素基がフェニル基の場合、置換基の数は1個が好ましく、フェニル基のパラ位に置換基が存在するのが好ましい。
mが2以上の場合、構造A中に存在する複数のL1は、同一でも異なっていてもよく、また、構造A中に存在する複数のL2は、同一でも異なっていてもよい。
L1及びL2が置換基を有する基である場合のこれらの基としては、電子求引性または電子供与性置換基を有するフェニル基が好ましく、具体的にはR2〜R5において例示した基が挙げられる。L1及びL2としては水素原子が好ましい。
次に、本発明の含フッ素芳香族化合物の製造ルートの概要は、以下に示すことができる。
ハロゲン原子を置換する反応は、ケト基をC−R1基に変換する前に行っても、すなわち化合物(1)から化合物(1)’を得てもよく、また変換後に行っても、すなわち化合物(1)から化合物(1−1A)を得た後に行ってもよい。
まず、キノンのケト基をC−R1基に変換するために、化合物(1)をR1−Si(CH3)3で表される化合物と反応させ、中間体化合物(1−1A)を得る。続いて化合物(1−1A)を脱保護処理し、中間体化合物(1−1B)を得る。さらに化合物(1−1B)を芳香族化することにより、含フッ素芳香族化合物(2−1)を得ることができる。以上の工程によりケト基をC−R1基に変換する。この反応によると、1回の反応で全てのケト基が同一のC−R1基に変換される。
炭酸塩としては、炭酸アルカリ塩などが挙げられ、中でも炭酸カリウムが特に好ましい。有機溶媒としてはアミド系溶媒などが挙げられ、中でもN,N−ジメチルホルムアミドが好ましい。
有機溶媒としては、水溶性有機溶媒が好ましく、エタノール、テトラヒドロフランが特に好ましい。
TMS基の脱保護は、テトラブチルアンモニウムフルオリドのようなフッ化物源を用いても実施できる。化合物(1−1A)に対して、テトラブチルアンモニウムフルオリドを1〜5モル/グラム等量加え、有機溶媒中で、0℃で0.5〜5時間反応させる方法が好ましい。TMS基を脱保護するとアルコール体(1−1B)が得られる。
有機溶媒としては、塩素系溶媒が好ましく、ジクロロメタン、クロロホルム、四塩化炭素が挙げられ、ジクロロメタンが特に好ましい。
上記反応により化合物(2−1)が生成する。
続いて、キノンのケト基をC−R1基に変換する反応を順次行う。すなわち、化合物(1)’をR1−Si(CH3)3で表される化合物と反応させ、中間体化合物(1−2A)を得る。続いて化合物(1−2A)を脱保護処理し、中間体化合物(1−2B)を得る。さらに化合物(1−2B)を芳香族化することにより、含フッ素芳香族化合物(2−2)を得ることができる。
ハロゲン原子の置換工程、及びケト基をC−R1基に変換する工程の条件は、上記ハロゲン原子の置換をR1導入後に行う実施態様と同様である。
本発明の有機半導体材料は、本発明の含フッ素芳香族化合物を含み、有機半導体として使用する材料をいう。本発明の有機半導体材料は、本発明の含フッ素芳香族化合物のみから成っていてもよく、他の成分を含んでいてもよい。他の成分としては、例えば、他の有機半導体材料、種々のドーパントが挙げられる。ドーパントとしては、例えば、有機EL素子の発光層として用いる場合には、クマリン、キナクリドン、ルブレン、スチルベン系誘導体及び蛍光色素等を用いることができる。
本発明に係る有機半導体材料は、ドライプロセスまたはウェットプロセスを用い、通常の製造方法にしたがって、基板上に有機半導体に膜を形成できる。該膜としては、薄膜、厚膜、または結晶性を有する膜が挙げられる。
これらの薄膜等は、光電変換素子、薄膜トランジスタ素子、発光素子など種々の機能素子の電荷輸送性部材として機能し、本半導体材料を用いて多様な電子デバイスを作製することが可能である。
基板温度は、低温であると薄膜がアモルファス状になりやすく、高温であると薄膜の表面平滑性が低下する傾向がある。また、薄膜成長速度が遅いと結晶性が低下しやすく、速すぎると薄膜の表面平滑性が低下する傾向がある。
本発明の含フッ素芳香族化合物は、従来の有機半導体材料に比して有機溶媒に対する溶解性が改善され、ウェットプロセスの適用ができる利点を有する化合物である。その理由は、含フッ素芳香族化合物中のパーフルオロアルキル基の存在により、本発明に係る有機半導体材料は親油性を示すことから、種々の有機溶媒に可溶となる。ウェットプロセスによる膜形成は、半導体結晶にダメージを与えることなく加工できる利点がある。
溶媒は1種のみを用いても2種以上を併用してもよい。2種以上を併用する場合には、非ハロゲン系溶媒と、含ハロゲン溶媒とを併用するのが好ましく、これらを任意の割合で混合した溶媒が好ましい。
基板上を被覆した後、溶媒を揮発させることで有機半導体薄膜が形成される。当該薄膜中の溶媒残存量が多いと薄膜の安定性や半導体特性が低下するおそれがあるため、薄膜形成の後に、再度加熱処理や減圧処理を施し、残存している溶媒を除去することが好ましい。
薄膜の結晶状態は、薄膜の斜入射X線回折測定、透過型電子線回折、薄膜のエッジ部にX線を入射させ回折を測定する方法により知ることができる。特に薄膜分野の結晶解析手法である斜入射X線回折によるのが好ましい。
X線回折法としては、測定する格子面の方向によって、Out−of−planeXRD法とIn−planeXRD法がある。Out−of−planeXRD法は基板に対して平行な格子面を観察する手法である。In−planeXRD法は基板に対して垂直な格子面を観察する手法である。
薄膜が結晶性であるとは、薄膜を形成する有機半導体材料に由来する回折ピークが観察されることを意味する。具体的には有機半導体材料の結晶格子に基づく回折、分子長さ由来の回折、あるいは分子が基板に対して平行、あるいは垂直に並ぶ配向性を有する際に現れる特徴的な回折ピークが観察されることを意味する。非結晶状態の膜の場合はこの回折は観察されず、回折ピークが現れた薄膜は結晶性の薄膜であることを意味する。
本発明における含フッ素芳香族化合物は高いキャリア移動度を有する。よって、これを含む有機半導体材料は含フッ素芳香族化合物の高いキャリア移動度を損なうことなく、有機半導体薄膜を形成することができる。
有機半導体薄膜の層を積層することにより形成した半導体層を含む有機半導体素子は、様々な半導体デバイスに非常に有用である。
有機半導体トランジスタ中の構成要素が配置される順序等については、特に限定されない。また、上記構成要素のうち、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、及び半導体層は複数層設けてもよい。複数層の半導体層が存在する場合には、同一平面内に設けても、積層して設けてもよい。
また、本実施例においては、化合物の構造決定を以下に示す分析方法により行った。
1H NMR(300MHz)溶媒:クロロホルム−d(CDCl3),メタノール−d4(CD3OD)またはアセトン−d6(Acetone−d6),内部標準:テトラメチルシラン(TMS).
13C NMR(75MHz)溶媒:クロロホルム−d(CDCl3),メタノール−d4(CD3OD)またはアセトン−d6(Acetone−d6),内部標準:クロロホルム−d(CDCl3).
19F NMR(283MHz)溶媒:クロロホルム−d(CDCl3),メタノール−d4(CD3OD)またはアセトン−d6(Acetone−d6),内部標準:ヘキサフルオロベンゼン(C6F6)を−163ppmとした(CFCl3を0ppmとする)
元素分析は、パーキンエルマー社製全自動元素分析装置2400シリーズIIを使用した。
融点測定は、ヤマト科学社製融点測定器MP−21を使用した。
HRMSは日本電子社製JMS−700を用い、正電荷モードで測定した。
蛍光スペクトルは、日本分光社製分光蛍光高度計(FP−6500)を使用した。
9,10−アントラキノン(東京化成社製、2.082g,10mmol)及び炭酸カリウム(関東化学社製、0.553g,4.0mmol)のN,N−ジメチルホルムアミド(和光純薬社製、20mL)溶液に0℃でCF3TMS(東ソー・エフテック社製、3.30mL,22mmol)を加え、室温で15時間撹拌した。その後、反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液(15mL)と1N HCl(5.0mL)の混合物に注ぎ、ジエチルエーテルで抽出、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、ロータリーエバポレータを用いて有機溶媒を除去した。粗生成物をカラムクロマトグラフィー(関東化学社製、シリカゲル60(球状、63−210μm)、展開溶媒:ヘキサン)にて精製した。目的の化合物(a)(4.039g、82%収率)を白色固体として得た。
m.p. 118−120℃
1H NMR δ −0.10(s,18H),7.48−7.55(m,4H),7.93−7.99(m,4H).
13C NMR δ 1.7,75.9(q,J=27.9Hz),125.7(q,J=289.0Hz),130.0,130.7(q,J=3.1Hz),134.1.
19F NMR δ −79.29(s).
IR(KBr) ν 3073,2968,1487,1447,1441,1237,1175,1075,944,930,876,846cm−1
Anal.Calcd for:C,53.64;H,5.32.Found:C,53.54;H,5.38.
化合物(a)(3.541g,7.2mmol)をエタノール(15mL)に溶解し、濃塩酸(和光純薬社製、2.0mL,24mmol)を加え、還流した。3時間後、反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液(20mL)に注ぎ、粗生成物を酢酸エチルで抽出し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、ロータリーエバポレータを用いて溶媒を除去した。粗生成物をカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:ヘキサン/酢酸エチル=2:1)にて精製した。目的の化合物(b)(2.198g、88%収率)を白色固体として得た。
m.p.197−199℃
1H NMR(Acetone−d6) δ 6.52−6.54(m,2H),7.55−7.63(m,4H),8.02−8.16(m,4H).
13C NMR(Acetone−d6) δ 73.7(q,J=27.3Hz),125.7(q,J=287.8Hz),129.4(q,J=3.1Hz),129.7,135.0.
19F NMR(Acetone−d6) δ −76.98(s).
IR(KBr) ν 3534,3078,1658,1488,1450,1333,1212,1176,1042,912cm−1.
Anal.Calcd for:C,53.64;H,5.32.Found:C,53.54;H,5.38.
化合物(b)(0.104g,0.3mmol)と四臭化炭素(東京化成社製、0.298g,0.9mmol)のジクロロメタン(関東化学社製、2.0mL)溶液に、0℃でトリフェニルホスフィン(関東化学社製、0.367g,1.4mmol)を加え、室温で15時間撹拌した。15時間後、反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液(20mL)に注ぎ、粗生成物をジクロロメタンで抽出し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、ロータリーエバポレータを用いて溶媒を除去した。粗生成物をカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:ヘキサン)にて精製した。目的の化合物(c)(0.062g,66%収率)を黄色の固体として得た。
(分析結果)
m.p.152−154℃
1H NMR δ 7.56−7.64(m,4H),8.45−8.56(m,4H).
19F NMR δ −49.81(s).
IR(KBr) ν 3153,3097,3047,1535,1450,1379,1289,1210,1184,1126,1105,956,765,675cm−1
HRMS(APCI)found:m/z 314.0504.Calcd for C16H8F6(M+):314.0530.
実施例1−aのアントラキノンを2−ブロモアントラキノン(1.57g、4.68mmol)に変え、室温で12時間撹拌した以外は同様の操作を行った。12時間後、反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液と1N HClに注ぎ、粗生成物をジエチルエーテルで抽出し、有機層を硫酸ナトリウム上で乾燥後、ロータリーエバポレータを用いて溶媒を除去した。濃縮によって得られた粗生成物にエタノール(10mL)と濃塩酸(1mL)を加え、3時間還流した。飽和塩化アンモニウム水溶液を加えて酢酸エチルで抽出、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮した。粗生成物をカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:ヘキサン/酢酸エチル=2:1)にて精製した。目的の化合物(d)(2.018g、91%収率)を白色固体として得た。
(分析結果)
1H NMR δ 8.19(1H,t,J=2.1Hz),8.04−8.01(2H,m),7.91(1H,dq,J=8.7,2.3Hz),7.71(1H,dd,J=2.1Hz),7.60(2H,dd,J=3.3,6.0Hz).
13C NMR δ 135.2,133.0,132.8,132.7,132.2,131.5(q,J=3.1Hz),130.2(q,J=2.9Hz),129.9,129.8,128.3(q,J=2.9Hz),124.3,123.8(q,J=285.7Hz),123.7(q,J=285.7Hz),73.0(q,J=28.0Hz),72.9(q,J=28.0Hz).
19F NMR δ −79.34(s,3F),−79.40(s,3F).
IR(KBr) ν 3678,3516,3302,3175,2926,2851,2668,2859,1754,1622,1591,1481,1448,1397,1335,1284,1185,940,753,637cm−1.
実施例1−cの化合物(b)を化合物(d)(2.015g、4.73mmol)に変え、室温で1晩撹拌した以外は同様の操作を行った。粗生成物をカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:ヘキサン)にて精製した。目的の化合物e(1.742g、94%収率)を黄色固体として得た。
(分析結果)
m.p. 79−80°C.
1H NMR δ 8.69(1H,t,J=1.7Hz),8.49(2H,m),8.38(1H,dd,J=2.0,9.8Hz),7.69(1H,d,J=1.8Hz),7.64(2H,dd,J=3.3,6.9Hz).
19F NMR δ −49.82(s,3F),−49.98(s,3F).
IR (KBr) ν 3168,3088,3044,2923,2852,2237,1921,1741,1607,1280,1115,957,813,702cm−1.
Anal.Calcd for C24H12F6:C,48.88;H,1.79.Found:C,48.48;H,1.80.
実施例2−aの2−ブロモアントラキノンを2−ヨードアントラキノン(1.57g、4.68mmol)に変えた以外は同様の操作を行った。目的の化合物(f)(2.018g、91%収率)を淡黄色固体として得た。
(分析結果)
1H NMR δ 8.39(1H,t,J=2.1Hz),8.04−8.00(2H,m),7.91(1H,dd,J=1.8,8.4Hz),7.75(1H,dq,J=2.2,8.5Hz),7.56(2H,dd,J=1.8,6.0Hz).
13C NMR δ 138.4,138.3,137.4(q,J=3.1Hz),135.4,133.2,133.0,131,5(q,J=290.0Hz),130.1(q,J=2.9Hz),129.4,129.4,129.3,129.3(q,J=2.3Hz,2C),123.9(q,J=279.5Hz),73.6(q,J=34.0Hz),73.5(q,J=27.8Hz).
19F NMR δ −79.34(s,3F),−79.42(s,3F).
IR(KBr) ν 3677,3514,3317,3193,3083,2821,2366,2359,2352,2112,1956,1932,1709,1621,1585,1478,1219,934,714,633cm−1.
実施例1−cの化合物(b)を化合物(f)(2.018g、4.26mmol)に変え、室温で1晩撹拌した以外は同様の操作を行った。目的の化合物(g)(1.114g、59%収率)を黄色固体として得た。
1H NMR δ 8.90(1H,s),8.49(2H,dd,J=2.1,5.4Hz),8.21(1H,dd,J=1.8,9.6Hz),7.81(1H,dd,J=1.4,9.8Hz),7.63(2H,dd,J=3.3,6.9Hz).
13C NMR δ 135.5,133.3(q,J=6.4Hz),133.3(q,J=6.2Hz),130.0,129.6,129.3,129.1(q,J=233.7Hz),129.1(q,J=234.9Hz),127.7,127.5,127.1,126.2(q,J=28.7Hz),124.6(q,J=5.8Hz),124.6(q,J=6.0Hz),123.4,119.7.
19F NMR δ −49.83(s,3F),−49.84(s,3F).
IR (KBr) ν 3164,3158,3146,3139,3117,3087,3064,3050,3033,2369,2352,1925,1600,1523,1492,1461,1434,1378,1342,1281,1120,1051,955,764,685,625cm−1.
50mL二口フラスコをアルゴン置換し、化合物(g)(0.318g、0.866mmol)、トリエチルアミン(和光純薬社製、15.4mL)、ピペリジン(和光純薬社製、3.1mL)、フェニルアセチレン(東京化成社製、0.11mL、1.0mmol)、ビストリフェニルホスフィンパラジウム(II)ジクロリド(0.009g、1.5mol%)、ヨウ化銅(I)(0.002g、1.5mol%)を加え、80℃で2時間加熱した後、室温で一晩撹拌した。1N塩酸でクエンチし、ヘキサンにて抽出、無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、濃縮した。ヘキサン溶媒でカラムクロマトグラフィーを行い、得られた固体をヘキサン溶媒で再結晶した。目的の化合物(h)(0.1157g、32%収率)を黄色固体として得た。
(分析結果)
m.p. 110−112°C.
1H NMR δ 8.69(1H,t,J=2.1Hz),8.52−8.45(3H,m),7.69−7.61(5H,m),7.42−7.38(3H,m).
13C NMR δ 132.5,131.4,130.9,130.9,129.7,129.7,129.1,128.8,128.5(q,J=41.9Hz),128.5(q,J=41.3Hz),128.4,128.4,127.7(q,J=5.7Hz),127.4,127.4,125.4(q,J=275.4Hz),125.4(q,J=275.6Hz),124.7(q,J=5.8Hz),124.7(q,J=5.7Hz),122.6,122.4,122.3,92.4,89.1.
19F NMR δ −49.77(s,3F),−49.88(s,3F).
IR(KBr) ν 3432,3142,3129,3087,3065,3053,3042,2930,2925,2364,2347,2335,2218,1960,1615,1495,1434,1364,1288,1027,921,852,713,644cm−1.
Anal. Calcd for C24H12F6:C,69.57;H,2.92.Found:C,69.48;H,2.57.
UV:207,222,280,395nm(λmax=222nm).
蛍光(222nmにおける吸収波長):304,330,446,462,664nm(λmax=446nm).
50mL二口フラスコをアルゴン置換し、化合物(g)(0.868g、1.97mmol)、1,2−ジメトキシエタン(東京化成社製、10mL)、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(0)(和光純薬社製、0.161g、1mol%)を加え、20分撹拌した。炭酸水素ナトリウム水溶液6mL,フェニルボロン酸(東京化成社製、0.268g、2.2mmol)を加え、14時間還流した。水でクエンチし、ジクロロメタンにて抽出、1N水酸化ナトリウム水溶液で洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、濃縮した。ヘキサン溶媒でカラムクロマトグラフィーを行い、得られた固体をヘキサン溶媒で再結晶した。目的の化合物(i)(0.5683g、74%収率)を黄色固体として得た。
(分析結果)
m.p. 105−106°C.
1H NMR δ 8.69(1H,t,J=2.0Hz),8.60(1H,dd,J=2.1,9.6Hz),8.51(2H,m),7.90(1H,dd,J=1.7,9.5Hz),7.78(2H,dd,J=1.2,8.4Hz),7.62(2H,dd,J=3.6,6.6Hz),7.55(2H,dt,J=1.7,6.6Hz),7.46−7.43(1H,m).
13C NMR δ 139.8,139.8,139.2,139.2,129.6(q,J=1.6Hz),129.1,128.4128.4,128.3,127.4,127.2(q,J=1.2Hz),127.0,127.0,125.7(q,J=275.4Hz),125.7(q,J=276.0Hz),125.6(q,J=28.0Hz),125.6(q,J=28.8Hz),125.5(q,J=29.0Hz),125.2(q,J=5.6Hz),124.6(q,J=5.8Hz),124.5(q,J=6.0Hz),121.9(q,J=5.6Hz).
19F NMR δ −49.70(s,3F),−49.83(s,3F).
IR (KBr) ν 3447,3065,3037,2957,2923,2852,2361,2352,1920,1631,1581,1525,1493,1466,1492,1381,1290,1186,1110,961,884,782,731,673,638cm−1.
Anal.Calcd for C22H12F6:C,67.70;H,3.10.Found:C,67.83;H,2.80.
UV:413,388,282,207nm(λmax=207nm).
実施例1−aのアントラキノンを2,6−ジブロモアントラキノン(0.744g、2.04mmol)に変え、室温で12時間撹拌した以外は同様の操作を行った。目的の化合物(j)(0.875g、85%収率)を白色固体として得た。
(分析結果)
1H NMR(CD3CD) δ 8.36(2H,dq,J=2.1,2.1Hz),7.93(2H,dd,J=1.8,8.7Hz),7.73(2H,dq,J=8.4,2.2Hz).
13C NMR(CD3CD) δ 137.6,133.4,133.3,132.5(q,J=2.9Hz),131.6(q,J=2.7Hz),125.6(q,J=285.7Hz)73.7(q,J=27.5Hz).
19F NMR(CD3CD) δ −77.55(s).
実施例1−cの化合物(b)を化合物(j)(2.14g、4.24mmol)に変え、室温で1晩撹拌した以外は同様の操作を行った。目的の化合物(k)(1.52g、76%収率)を黄色固体として得た。
(分析結果)
1H NMR δ 8.66(2H,s),8.36(2H,d,J=9.6Hz),7.69(2H,dd,J=1.7,9.8Hz).
19F NMR δ −50.00(s).
50mL二口フラスコをアルゴン置換し、化合物k(0.047g、0.1mmol)、トルエン(和光純薬社製、1.25mL)、水(0.625mL)、エタノール(0.31mL)、炭酸カリウム(関東化学社製、0.163g、1.2mmol)、フェニルボロン酸(東京化成社製、0.026g、0.22mmol)、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウム(0)(和光純薬社製、0.012g、10mol%)を加え、12時間還流した。水でクエンチし、酢酸エチルにて抽出、1N水酸化ナトリウム水溶液で洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、濃縮した。ヘキサン溶媒でカラムクロマトグラフィーを行い、目的の化合物(l)(0.0291g、62%収率)を黄色固体として得た。
(分析結果)
m.p. 211−213°C.
1H NMR δ 8.70(2H,s),8.61(2H,d,J=9.6Hz),7.93(2H,dt,J=2.0,9.7Hz),7.79(4H,dd,J=1.8,7.2Hz),7.56(4H,dt,J=2.3,7.4Hz),7.48(2H,dd,J=2.3,7.4Hz).
19F NMR δ −49.75(s).
IR (KBr) ν 3426,3080,3068,3045,3032,2361,1632,1520,1468,1411,1371,1321,1279,1210,1141,1112,962,880,821,765cm−1.
Anal. Calcd for C28H16F6:C,72.10;H,3.46.Found:C,72.25;H,3.18.
UV:207,221,300,406,429nm(λmax=300nm).
蛍光(300nmにおける吸収波長):300,460,600nm(λmax=460nm)
6,13−ペンタキノン(0.585g,1.9mmol)及び炭酸カリウム(関東化学社製、0.240g,1.7mmol)のN,N−ジメチルホルムアミド(和光純薬社製、5mL)溶液に0℃でCF3TMS(東ソー・エフテック社製、0.85mL,5.7mmol)を加え、室温で15時間撹拌した。その後、反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液(15mL)と1N HCl(5.0mL)の混合物に注ぎ、ジエチルエーテルで抽出、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、ロータリーエバポレータを用いて有機溶媒を除去した。粗生成物をカラムクロマトグラフィー(関東化学社製、シリカゲル60(球状、63−210μm)、展開溶媒:ヘキサン/ジクロロメタン=5:1)にて精製した。目的の化合物(m)(0.498g、42%収率)を白色固体として得た。
(分析結果)
m.p. 261−263°C.
1H NMR δ −0.00(s,18H),7.58−7.65(m,4H),7.96−8.04(m,4H),8.52(d,J=2.1Hz,4H).
13C NMR δ 1.9,75.9(q,J=27.9Hz),120.9(q,J=287.2Hz),126.7,128.2,130.1(q,J=2.5Hz),130.3,132.7.
19F NMR δ −80.27(s).
IR (KBr) ν 3055,2983,2961,2896,1597,1405,1254,1234,1176,1163,1122,1048,992,907,843cm−1.
化合物(m)(0.593g,1.0mmol)をテトラヒドロフラン(4.0mL)に溶解し、濃塩酸(0.3mL,3.6mmol)を加え、還流した。3時間後、反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液(20mL)に注ぎ、粗生成物を酢酸エチルで抽出し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、ロータリーエバポレータを用いて溶媒を除去した。粗生成物をカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:ヘキサン/酢酸エチル=2:1)にて精製した。目的の化合物(n)(0.400g、89%収率)を白色固体として得た。
(分析結果)
m.p. >300°C.
1H NMR(CD3OD) δ 4.88(brs,2H),7.57−7.62(m,4H),7.94−8.06(m,4H),8.60(d,J=1.8Hz,4H).
13C NMR(Acetone−d6) δ 74.5(q,J=27.2Hz),125.8(q,J=286.5Hz),128.3,129.1,129.7(q,J=2.5Hz),132.2,134.0.
19F NMR(CD3OD) δ −77.96(s).
IR (KBr) ν 3455,3071,1971,1815,1710,1600,1496,1307,1218,1173,1121,1005,869,751cm−1.
化合物(n)(0.134g,0.3mmol)と四臭化炭素(東京化成社製、0.298g,0.9mmol)のジクロロメタン(関東化学社製、2.0mL)溶液に、0℃でトリフェニルホスフィン(関東化学社製、0.367g,1.4mmol)を加え、2時間還流した。2時間後、反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液(20mL)に注ぎ、粗生成物をジクロロメタンで抽出し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、ロータリーエバポレータを用いて溶媒を除去した。粗生成物をカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:ヘキサン/トルエン=20:1)にて精製した。熱メタノール/クロロホルム=10:1で再結晶し、目的の化合物(o)(0.025g,20%収率)を暗青色固体として得た。
(分析結果)
m.p. 209°C(分解).
1H NMR δ 7.38−7.48(m,4H),7.91−7.97(m,4H),9.10(d,J=1.2Hz,4H).
19F NMR δ −49.59(s).IR (KBr) ν 3057,2925,2855,1359,1219,1179,1161,1108,869,738cm−1.
HRMS(FAB)found:m/z 414.0835.Calcd for C24H12F6(M+):414.0843.
実施例7−aの6,13−ペンタキノンを5,7,12,14−テトラヒドロペンタセン−5,7,12,14−テトラオン(0.0788g,0.23mmol)に変えた以外は同様の操作を行い、目的の化合物(p)(0.0328g、16%収率)を白色固体として得た。
(分析結果)
1H NMR δ 0.09(18H,s),7.26−7.56(2H,m),7.98−8.01(2H,m),8.62(1H,s).13C NMR δ 75.8(q,J=28.2Hz),125.7(q,J=288.1Hz),130.8,131.3(q,J=3.3Hz),131.6(sept,J=3.3Hz),133.3,136.5.
19F NMR δ −78.11(s).
IR (KBr) ν 2969,1487,1450,1410,1255,1121,987,960,910,761,728,685,657,630cm−1.
Anal.Calcd for C38H46F12O4Si4:C,50.32;H,5.11.Found:C,50.16;H,5.57.
実施例7−bの化合物(n)を化合物(p)(0.075g,0.083mmol)に変えた以外は同様の操作を行い、目的の化合物(q)(0.045g、89%収率)を白色固体として得た。
(分析結果)
1H NMR δ 2.82(4H,s),7.62−7.67(2H,m),8.12(2H,s),8.83(1H,s).
13C NMR δ 73.9(q,J=27.6Hz),126.0(q,J=287.8Hz),129.7,129.9,130.83(sept,J=3.1Hz),135.5,136.6.
19F NMR δ −76.68(s).
IR (KBr) ν 3629,3420,3137,2956,1491,1416,1354,1229,1176,1120,1052,985,920,897,776,744,689,646,629cm−1.
実施例7−cの化合物(n)を化合物(q)(0.040g,0.064mmol)に変えた以外は同様の操作を行い、目的の化合物(r)(0.051g、14%収率)を青紫色固体として得た。
(分析結果)
1H NMR δ 7.52−7.56(4H,m),8.44(4H,s),9.96(2H,s).
19F NMR δ −50.27(s).
HRMS(FAB)found:m/z 550.0546,Calcd for C26H10F12(M+):550.0591.
実施例5のフェニルボロン酸を4−メトキシフェニルボロン酸(0.082g,0.60mmol)に変えた以外は同様の操作を行い、目的の化合物(s)(0.167g、80%収率)を黄色固体として得た。
(分析結果)
1H NMR δ 7.61(2H,m),7.727(1H,q,J=5.0Hz),7.728(1H,d,J=8.7Hz),7.89(1H,dd,J=2.1,9.6Hz),8.50(2H,dquint,J=7.6,2.5Hz),8.57(1H,ddq,J=0.6,9.6,2.3Hz),8.62(1H,quint,J=2.0Hz).
13C NMR δ 55.3,114.5,120.7(q,J=5.6Hz),124.5(q,J=5.6Hz),124.6(q,J=5.6Hz),125.1(q,J=5.6Hz),125.2(q,J=26.3Hz),125.5(q,J=26.7Hz),125.6(q,J=275.8Hz),126.9,125.7(q,J=125.7Hz),127.07,127.10,128.20,128.22,128.8,128.9,129.6,128.7,132.1,138.7,159.9.
19F NMR δ −49.88(s),−49.82(s).
IR (KBr) ν 3434,3132,3046,3005,2964,2936,2898,2837,2784,2550,2360,2058,1609,1578,1522,1496,1467,1252,1187,1115,959,812,718,643cm−1.
Anal.Calcd for C23H14F6O:C,65.72;H,3.36.Found:C,65.46;H,3.10.
実施例5のフェニルボロン酸を4−トリフルオロメチルフェニルボロン酸(0.021g,0.11mmol)に変えた以外は同様の操作を行い、目的の化合物(t)(0.041g、90%収率)を黄色固体として得た。
(分析結果)
m.p. 114.5−116.0°C.
1H NMR δ 7.65(2H,dd,J=3.3,7.2Hz),7.80(2H,d,J=7.8Hz),7.89(3H,m),8.53(2H,m),8.64(1H,ddq,J=0.4,9.4,2.0Hz),8.70(1H,quint,J=2.1Hz).
13C NMR δ 124.1(q,J=270.0Hz),124.6(q,J=5.9Hz),124.7(q,J=5.9Hz),125.5(q,J=275.8Hz),125.6(q,J=275.8Hz),125.6(q,J=5.6Hz),126.0(q,J=4.4Hz),126.6,127.4,127.5,127.7,124.8,128.5,129.2,129.3,123.36,129.39,129.68,129.71,139.3(q,J=32.3Hz),137.7,143.3.
19F NMR δ −63.85(s,3F),−49.89(s,3F),−49.68(s,3F).
IR (KBr) ν 3416,3139,3056,2930,2823,2851,2646,2360,1970,1924,1799,1726,1677,1630,1617,1580,1557,1529,1496,1440,1383,1174,1135,1074,1053,961,817,728,678,624 cm−1.
Anal.Calcd for C23H11F9:C,60.27;H,2.42.Found:C,60.10;H,2.36.
実施例5のフェニルボロン酸をチオフェン−2−ボロン酸(0.077g,0.60mmol)に変えた以外は同様の操作を行い、目的の化合物(u)(0.200g、99%収率)を黄色固体として得た。
(分析結果)
m.p. 137−138°C.
1H NMR δ 7.18(1H,dd,J=3.6,5.1Hz),7.43(1H,dd,J=0.9,5.1Hz),7.61(1H,dd,J=2.9,4.1Hz),7.61(1H,dd,J=0.8,10.4Hz),7.89(1H,dd,J=2.1,9.6Hz),8.52(3H,m),8.69(1H,quint,J=2.1Hz).
13C NMR δ 119.7(q,J=5.8Hz),124.5(q,J=5.6Hz),124.7(q,J=5.6Hz),125.3(q,J=5.8Hz),125.5(q,J=276.2Hz),125.6(q,J=276.1Hz),125.7(q,J=27.7Hz),126.0,126.6,127.0,127.3,127.4,128.5,128.97,128.99,129.46,129.48,129.8,132.6,143.1.
19F NMR δ −49.87(s,3F),−49.92(s,3F).
IR (KBr) ν 3154,3155,3080,3048,2924,2849,1968,1920,1836,1800,1772,1742,1720,1631,1616,1559,1532,1517,1501,1474,1438,1350,1285,1192,1169,952,763,687,633 cm−1.
Anal.Calcd for C20H10F6S:C,60.61;H,2.52.Found:C,60.22;H,2.27.
実施例1−aのアントラキノンを2,6−ジヨードアントラキノン(0.8578g、1.867mmol)に変え、室温で12時間撹拌した以外は同様の操作を行った。目的の化合物(v)(0.2825g、25%収率)を白色固体として得た。
(分析結果)
1H NMR(CD3OD) δ 8.31(2H,dq,J=2.1,2.1Hz),7.91(1H,dd,J=2.1,8.7Hz),7.72(2H,dq,J=8.4,2.2Hz).
13C NMR(CD3OD) δ 139.2,138.7(q,J=2.8Hz),137.3,134.9,131.4(q,J=2.5Hz),125.2(q,J=286.1Hz),95.9,73.6(q,J=27.3Hz).
19F NMR(CD3OD) δ −79.56(s,3F).
実施例1−cの化合物(b)を化合物(v)(0.2825g、0.471mmol)に変え、室温で1晩撹拌した以外は同様の操作を行った。目的の化合物w(0.2100g、79%収率)を黄色固体として得た。
(分析結果)
1H NMR δ 8.66(2H,s),8.36(2H,d,J=9.6Hz),7.69(2H,dd,J=1.7,9.8Hz).
19F NMR δ −50.00(s).
Anal.Calcd for C16H6F6I2:C,33.35;H,1.07.Found:C,33.91;H,1.00.
実施例6−cの化合物(k)を化合物(w)(0.045g,0.08mmol)に、フェニルボロン酸を4−メトキシフェニルボロン酸(0.022g,0.18mmol)に変えた以外は同様の操作を行い、目的の化合物(x)(0.030g、85%収率)を黄色固体として得た。
(分析結果)
1H NMR δ 8.62(2H,s),8.57(2H,d,J=9.3Hz),7.89(2H,d,J=9.6Hz),7.73(4H,d,J=8.7Hz),7.08(4H,d,J=8.7Hz),3.90(6H,s).
19F NMR δ −49.86(s).
HRMS(FAB)found:m/z 526.1336,Calcd for C30H20F6O2(M+):526.1367.
実施例6−cの化合物(k)を化合物(w)(0.082g,0.6mmol)に、フェニルボロン酸を4−トリフルオロメチルフェニルボロン酸(0.021g,0.11mmol)に変えた以外は同様の操作を行い、目的の化合物(y)(0.025g、90%収率)を黄色固体として得た。
(分析結果)
m.p. 216.8−218.0℃
1H NMR δ 8.72(2H,s),8.68(2H,d,J=8.4Hz),7.92(2H,dd,J=1.5,9.1Hz),7.89(4H,d,J=8.1Hz),7.81(4H,d,J=8.1Hz).
19F NMR δ −63.86(s,6F),−49.70(s,6F).
IR (KBr) ν 3428,3127,3047,2934,2850,2643,1928,1803,1781,1630,1399,1209,1073,847,768,698,605 cm−1.
Anal.Calcd for C30H14F12:C,58.81;H,2.34.Found:C,59.51;H,2.14.
50mL二口フラスコをアルゴン置換し、そこに実施例3−bで合成した化合物(g)(0.132g,0.3mmol)、DMF(3mL)、Pd(PPh3)2Cl2(0.010g,0.015mmol,5mol%)、CuI(0.003g,0.015mmol,5mol%)、Et3N(0.17mL,1.2mmol)、4−(methoxyphenyl)acetylene(0.042g,0.32mmol)、を順に入れ、室温で4時間攪拌した。飽和塩化アンモニウム水溶液を用いてクエンチし、ジエチルエーテル15mLで3回抽出、MgSO4で乾燥させ、濃縮した。ヘキサン:ジクロロメタン=4:1の溶媒でカラムクロマトグラフィーを行い、得られた固体をヘキサン溶媒で再結晶して、目的の化合物(a1)(2−[(4−methoxyphenyl)ethynyl]−9,10−bis(trifluoromethyl)anthracene)を黄色固体として単離した(0.106g,0.239mmol,収率80%)。
(分析結果)
1H NMR (300 MHz, CDCl3) δ 8.65(1H,t,J=1.8Hz),8.48(3H,m),7.61(5H,m),6.93(2H,m),3.86(3H,s).
19F NMR(283MHz,CDCl3) δ −49.87(s,3F),−49.93(s,3F).
13C NMR(75MHz,CDCl3) δ 160.0,133.4,129.63,129.61,129.4,129.31,129.29,128.82,128.80,128.11,128.09,127.42(q,J=278.1Hz),127.37,127.2(q,J=5.6Hz),125.7(q,J=28.6Hz),125.4(q,J=275.8Hz),125.0(q,J=28.4Hz),124.64(q,J=5.2Hz),124.57(q,J=5.4Hz),122.7,114.6,114.1,92.6,88.1,55.2.
Rf=0.29(Hexane:CH2Cl2=4:1)
IR(KBr) ν 3172,3124,3096,3050,3018,2974,2950,2938,2911,2896,2840,2812,2549,2217,2042,1968,1921,1899,1838,1770,1722,1569,1556,1435,1320,955,914,784,647cm−1.
mp 123.5−124.1℃
Anal.Calcd for C25H14F6O:C,67.57;H,3.18.Found: C,67.50;H,3.35.
50mL二口フラスコをアルゴン置換し、そこに実施例12−bで得た化合物(w)(0.028g,0.05mmol)、Pd(PPh3)2Cl2(0.002g,0.0025mmol,5mol%)、CuI(0.001g,0.005mmol,10mol%)、PPh3(0.001g,0.005mmol,10mol%),Et3N(0.25mL,1.79mmol)、CH3Ph(0.3mL)、phenylacetylene(0.122g,0.12mmol)を順に入れ、室温で6.5時間攪拌した。飽和塩化アンモニウム水溶液を用いてクエンチし、酢酸エチル15mLで3回抽出、MgSO4で乾燥させ、濃縮した。ヘキサン溶媒でカラムクロマトグラフィーを行い、得られた固体をヘキサン溶媒で再結晶させて、目的の化合物(b1)(2,6−bis(phenylethynyl)−9,10−bis(trifluoromethyl)anthracene)を黄色固体として単離した(0.022g,0.432mmol,収率86%)。
(分析結果)
1H NMR(300MHz,CDCl3) δ 8.67(2H,s),8.48(2H,d,J=8.7Hz),7.67(6H,m),7.41(6H,quint,J=3.2Hz).
19F NMR(283MHz,CDCl3) δ −46.20(s).
13C NMR(75MHz,CDCl3) δ 131.9,129.7,129.0,128.9,128.7,128.5,127.7(q,J=6.0Hz),125.3(q,J=29.0Hz),125.2(q,J=304.6Hz),124.8(q,J=5.8Hz),122.7,122.5,92.7,89.1.
Rf=0.57(Hexane:CH2Cl2=4:1)
IR(KBr) ν 3437,3148,3100,3082,3054,3032,3019,2995,2210,1625,1496,1442,1413,1365,1326,1285,1172,994,923,881,811,720,687,659,580,542,526,480,422cm−1.
Anal.Calcd for C32H16F6:C,74.71;H,3.13.Found: C,74.67;H,2.96.
mp 215.0−215.5℃
50mL二口フラスコをアルゴン置換し、そこに実施例12−bで得た化合物(w)(0.028g,0.05mmol)、Pd(PPh3)2Cl2(0.002g,0.0025mmol,5mol%)、CuI(0.001g,0.005mmol,10mol%)、PPh3(0.001g,0.005mmol,10mol%),Et3N(1mL,7.17mmol)CH3Ph(0.3mL)、4−methoxyphenylacetylene(0.016g,0.12mmol)を順に入れ、室温で2時間攪拌した。飽和塩化アンモニウム水溶液を用いてクエンチし、酢酸エチル15mLで3回抽出、MgSO4で乾燥させ、濃縮した。
ヘキサン:ジクロロメタン=1:1溶媒でカラムクロマトグラフィーを行い、得られた固体をヘキサン溶媒で再結晶させて、目的の化合物(c1)(2,6−bis(4−methoxyphenylethynyl)−9,10−bis(trifluoromethyl)anthracene)を黄色固体として単離した(0.0165g,0.0287mmol,収率57%)。
(分析結果)
1H NMR(300MHz,CDCl3) δ 8.63(2H,m),8.45(2H,m),7.67(2H,m),7.57(4H,d,J=11.4Hz),6.93(4H,d,J=8.7Hz),3.86(6H,s).
19F NMR(283MHz,CDCl3) δ −49.00(s).
IR(KBr) ν 3807,3122,3076,3043,3028,3006,2962,2946,2849,2545,2207,1626,1604,1568,1514,1465,1444,1367,1325,1285,1252,1171,1030,1010,925,840,796,729,648,574,546,485,413cm−1.
mp 215.0−216.2
50mL二口フラスコをアルゴン置換し、そこに実施例12−bで得た化合物(w)(0.100g,0.177mmol)、THF(2mL)、トルエン(2mL)、2−thienylboronic acid(0.067g,0.531mmol)、Na2CO3aq(0.4mL,2M)、Pd(PPh3)4(0.020g,0.0177mmol,10mol%)を順に加え、7時間還流させた。飽和塩化アンモニウム水溶液を用いてクエンチし、酢酸エチル15mLで3回抽出、MgSO4で乾燥させ、濃縮した。ヘキサン:ジクロロメタン=4:1溶媒でカラムクロマトグラフィーを行い、目的の化合物(d1)(2,6−dithienyl−9,10−bis(trifluoromethyl)anthracene)を単離した(0.069g,0.144mmol,収率82%)。
(分析結果)
1H NMR(300MHz,CDCl3) δ 8.68(2H,s),8.52(2H,dd,J=1.2,9.6Hz),7.90(2H,dd,J=1.8,9.3Hz),7.57(2H,dd,J=0.9,3.6Hz),7.43(2H,dd,J=0.9,8.1Hz),7.19(2H,dd,J=3.6,5.1Hz).
19F NMR(283MHz,CDCl3) δ −49.93(s).
13C NMR(75MHz,CDCl3) δ 143.2,132.6,129.2(q,J=20.3Hz),128.5,126.6,126.3,125.6(q,J=280.5Hz),125.3(q,J=3.3Hz),124.9,119.9(q,J=5.8Hz).
IR(KBr) ν 3141,3109,3094,3085,2359,2329,1921,1810,1735,1632,1530,1481,1431,1356,1317,1281,1248,1213,1168,1109,1038,948,909.867,850,831,809,777,748,703,673,648,619,598,544,490.
mp 241.8−242.3°C
6,13−ペンタキノン(0.308g,1.0mmol)及び炭酸カリウム(関東化学社製、0.055g,0.4mmol)のN,N−ジメチルホルムアミド(和光純薬社製、10mL)溶液に0℃でC2F5TMS(アルファ・エイサー社製、0.423g,2.2mmol)を加え、室温で3時間撹拌した。その後、反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液(15mL)と1N HCl(5.0mL)の混合物に注ぎ、ジエチルエーテルで抽出、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、ロータリーエバポレータを用いて有機溶媒を除去した。粗生成物をカラムクロマトグラフィー(関東化学社製、シリカゲル60(球状、63−210μm)、展開溶媒:ヘキサン)にて精製した。目的の化合物(e1)(0.215g、31%収率)を白色固体として得た。
(分析結果)
1H NMR δ 0.17(s,18H),7.60−7.64(m,4H),7.97−8.01(m,4H),8.49(s,4H).
13C NMR δ 2.1,77.9(t,J=21.6Hz),113.8(tq,J=268.0, 32.9Hz),119.2(qt,J=289.0, 37.3Hz),127.5,128.2,129.7,130.2,132.5.
19F NMR δ −77.30(s,6F),−119.19(s,4F).
化合物(e1)(0.215g,0.31mmol)をエタノール(4.0mL)に溶解し、濃塩酸(0.4mL,4.8mmol)を加え、還流した。3時間後、反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液(20mL)に注ぎ、粗生成物を酢酸エチルで抽出し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、ロータリーエバポレータを用いて溶媒を除去した。粗生成物をカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:ヘキサン/酢酸エチル=2:1)にて精製した。目的の化合物(f1)(0.168g、99%収率)を白色固体として得た。
(分析結果)
m.p. 272−274°C.
1H NMR δ 3.30(brs,2H),7.60−7.66(m,4H),7.97−8.04(m,4H),8.61(s,4H).
19F NMR δ −79.55(s,6F),−124.09(s,4F).
IR (KBr) ν 3585,3060,1497,1340,1217,1143,990,848,750cm−1.
化合物(f1)(0.180g,0.32mmol)と四臭化炭素(東京化成社製、0.298g,0.9mmol)のジクロロメタン(関東化学社製、5.0mL)溶液に、0℃でトリフェニルホスフィン(関東化学社製、0.354g,1.35mmol)を加え、室温で1時間撹拌した。1時間後、再び四臭化炭素(東京化成社製、0.298g,0.9mmol)およびトリフェニルホスフィン(関東化学社製、0.354g,1.35mmol)を加え、さらに1時間撹拌した。その後、反応混合物を飽和塩化アンモニウム水溶液(20mL)に注ぎ、粗生成物をジクロロメタンで抽出し、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥後、ロータリーエバポレータを用いて溶媒を除去した。粗生成物をカラムクロマトグラフィー(展開溶媒:ヘキサン)にて精製した。熱メタノール/クロロホルム=10:1で再結晶し、目的の化合物(g1)(0.078g,47%収率)を暗青色固体として得た。
(分析結果)
m.p. 212°C(分解).
1H NMR δ 7.43−7.48(m,4H),7.91−7.98(m,4H),9.06(brs,4H).
19F NMR δ −81.50(s,6F),−95.99(s,4F).
IR (KBr) ν 3066,1311,1220,1172,1041,1013,885,737cm−1.
実施例7−cで得られた化合物(o)の昇華精製後の各種重金属元素のコンタミネーション分析試験を行った。
白金坩堝に試料5mgをはかりとり、ガスバーナーで灰化した。硫酸0.2mLを入れて、ホットプレート上で蒸発乾固後、温度を上げて白煙処理した。残渣を塩酸溶液で溶解し、ICP−MS法にて各種元素(Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Pb、P)を定量した。装置は四重極型ICP−MS(パーキンエルマー社製ELAN−DRCII)を用いた。P定量は二重極型ICP−MS(サーモフィッシャーサイエンティフィック社製ELEMENT2)を用いた。
結果を表1に示す。
上記で得られた化合物(o)の昇華精製後のBr、Cl元素のコンタミネーション分析試験を行った。
試料約5mgを酸素燃焼フラスコ法による前処理で溶液化し、イオンクロマトグラフ法にてCl、Brを定量した。
該試料中のBr、Cl元素の含有量を表2に示す。
実施例7−cで得られた化合物(o)のウェットプロセスへの適用性を検討するために、化合物の各種溶媒への溶解性試験を行った。また、比較としてペンタセンの溶解性試験も行った。
具体的には試料20mgを量りとり、室温で溶媒10gに溶解するかどうか(0.2重量%)、目視により判断した。
結果を、表3に示す。
溶解性試験の結果、本発明において合成された化合物は、ペンタセンと比較して有機溶媒への高い溶解性を有することが明らかになった。特にヘキサンやシクロヘキサンのような低極性溶媒にも溶解することが分かった。
(1)化合物(o)
洗浄済みのシリコン基板をn−オクチルトリクロロシランのトルエン溶液に浸漬し、シリコン酸化膜表面を処理した。上記基板に対して、実施例7−cで得られた化合物(o)を真空蒸着(背圧〜10−4Pa、蒸着レート0.1Å/s、基板温度25℃、膜厚:70nm)することにより、有機半導体層を形成した。
この有機半導体層上部にシャドウマスクを用いて金を真空蒸着し(背圧〜10−4Pa、蒸着レート1〜2Å/s、膜厚:50nm)、ソース、ドレイン電極を形成した(チャネル長50μm、チャネル幅1mm)。電極とは異なる部位の有機半導体層及びシリコン酸化膜を削り取り、その部分に導電性ペースト(藤倉化成社製、ドータイトD−550)を付け溶媒を乾燥させた。このようにして、トップコンタクト・ボトムゲート構造の電界効果型トランジスタ(FET)素子を作成した。
この部分をゲート電極として用い、シリコン基板に電圧を印加した。得られたFET(電界効果型トランジスタ)素子の電気特性はAgilent社製半導体デバイスアナライザーB1500Aを用いて真空中(<5×10−3Pa)で評価した。その結果、n型トランジスタ素子としての特性を示した。この有機薄膜トランジスタの電流―電圧特性における飽和領域から、電界効果移動度を求めた。キャリア移動度は2.1×10−3cm2/V・sであった。
上記と同様の手法により、実施例8−cで得られた化合物(r)のトップコンタクト・ボトムゲート構造の電界効果型トランジスタ(FET)素子を作成した。電気特性を評価した結果、n型トランジスタ素子としての特性を示した。この有機薄膜トランジスタの電流―電圧特性における飽和領域から、電界効果移動度を求めた。キャリア移動度は4.5×10−6cm2/V・sであった。
上記特性評価で作成した、実施例7−cの化合物(o)の蒸着薄膜のOut−of−planeX線回折パターン測定(基板表面に平行な格子面による回折)を行った。Out−of−planeX線回折測定はRigaku社製のTTR−IIIを用いて、斜入射測定によって評価し、(110)、(200)面に相当する回折線が観測された。
また、同じ蒸着薄膜のIn−planeX線回折パターン測定(基板表面に垂直な格子面による回折)を行った。In−planeX線回折測定はRigaku社製のATX−Gを用いて評価し、d=4.5Åに相当する回折線が観測され、化合物は薄膜内において、結晶性を有していることが分かった。
化合物の塗布型有機半導体材料としての特性評価のためスピンコート法を用いて電界効果型トランジスタ(塗布FET)素子を作製し、電界効果移動度(キャリア移動度)を求めた。以下に塗布FET素子の作製方法と半導体特性の評価手法を以下に示す。
その結果、化合物を用いて形成した有機半導体素子は、pn型トランジスタ素子としての特性を示した。この有機薄膜トランジスタの電流−電圧特性における飽和領域から、キャリア移動度を求めたところ、真空中で5.5×10−6cm2/V・sを示した。
縮合芳香環化合物であるアセンをコアの骨格に用いて、金属カップリング反応を用いずに含フッ素アルキル基を導入することで、有機溶媒への可溶化と重金属のコンタミネーションの低減を図り、高いキャリア移動度を有する含フッ素芳香族化合物を得ることができる。
置換基導入による有機溶媒への溶解性の向上と、含フッ素アルキル基導入による高キャリア移動度の向上に伴い、該化合物を含む有機半導体材料を、次世代フラットパネルディスプレイ用の有機EL素子、軽量かつフレキシブル電源としての有機薄膜太陽電池、有機薄膜トランジスタ等へ利用される可能性は非常に高い。
Claims (6)
- 下記式(1)で表される化合物を式R1−Si(CH3)3で表される化合物と反応させて下記式(1−1A)で表される化合物を得て、該式(1−1A)で表される化合物を脱保護処理して下記式(1−1B)で表される化合物を得て、該式(1−1B)で表される化合物を芳香族化する、下記式(2−1)で表される含フッ素芳香族化合物の製造方法。
[上記式において、R1は炭素数が1〜3の直鎖状パーフルオロアルキル基である。
X2〜X5はハロゲン原子または水素原子であり、これらは同一でも異なっていてもよい。
mとnは各々カッコ内に示す繰り返し単位構造A及びBの繰り返し数であり、mは0以上の整数、nは1以上の整数、m+nは2以上6以下の整数である。
L1及びL2は置換基を有してもよい炭素数1〜12の1価炭化水素基、置換基を有してもよい1価芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい1価複素芳香族基、ハロゲン原子、または水素原子であり、これらは同一でも異なっていてもよい。mが2以上の場合、構造A中に存在する複数のL1は、同一でも異なっていてもよく、また、構造A中に存在する複数のL2は、同一でも異なっていてもよい。
m及びnの少なくとも一方が2以上である場合、構造Aと構造Bが結合する順序は、ブロックでもランダムでもよい。] - 前記式(1)で表わされる化合物と式R1−Si(CH3)3で表される化合物とを反応させる際に炭酸塩を加える、請求項1に記載の含フッ素芳香族化合物の製造方法。
- 前記芳香族化の際にトリフェニルホスフィン/四臭化炭素を用いる、請求項1又は2に記載の含フッ素芳香族化合物の製造方法。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載の製造方法により下記式(2−1)で表わされる化合物を得た後、X2〜X5の少なくとも一つがハロゲン原子である下記式(2−1)で表される化合物の該ハロゲン原子の少なくとも一つを、置換基を有してもよい炭素数1〜12の1価炭化水素基、置換基を有してもよい1価芳香族炭化水素基、または置換基を有してもよい1価複素芳香族基に置換する、下記式(2−2)で表される化合物の製造方法。
[上記式において、R1は炭素数が1〜3の直鎖状パーフルオロアルキル基である。
X2〜X5はハロゲン原子または水素原子であり、これらは同一でも異なっていてもよい。
R2〜R5は置換基を有してもよい炭素数1〜12の1価炭化水素基、置換基を有してもよい1価芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい1価複素芳香族基、ハロゲン原子、または水素原子であり、R2〜R5から選ばれる1以上の基は、置換基を有してもよい炭素数1〜12の1価炭化水素基、置換基を有してもよい1価芳香族炭化水素基、または置換基を有してもよい1価複素芳香族基である。R2〜R5は同一でも異なっていてもよい。
mとnは各々カッコ内に示す繰り返し単位構造A及びBの繰り返し数であり、mは0以上の整数、nは1以上の整数、m+nは2以上6以下の整数である。
L1及びL2は置換基を有してもよい炭素数1〜12の1価炭化水素基、置換基を有してもよい1価芳香族炭化水素基、置換基を有してもよい1価複素芳香族基、ハロゲン原子、または水素原子であり、これらは同一でも異なっていてもよい。mが2以上の場合、構造A中に存在する複数のL1は、同一でも異なっていてもよく、また、構造A中に存在する複数のL2は、同一でも異なっていてもよい。
m及びnの少なくとも一方が2以上である場合、構造Aと構造Bが結合する順序は、ブロックでもランダムでもよい。] - 前記式(2−1)で表わされる含フッ素芳香族化合物が、下記式(3−1)で表わされる含フッ素芳香族化合物であり、かつ、前記式(2−2)で表わされる含フッ素芳香族化合物が、下記式(3−2)で表わされる含フッ素芳香族化合物である組み合わせ、
前記式(2−1)で表わされる含フッ素芳香族化合物が、下記式(4−1)で表わされる含フッ素芳香族化合物であり、かつ、前記式(2−2)で表わされる含フッ素芳香族化合物が、下記式(4−2)で表わされる含フッ素芳香族化合物である組み合わせ、または
前記式(2−1)で表わされる含フッ素芳香族化合物が、下記式(5−1)で表わされる含フッ素芳香族化合物であり、かつ、前記式(2−2)で表わされる含フッ素芳香族化合物が、下記式(5−2)で表わされる含フッ素芳香族化合物である組み合わせである、
請求項5に記載の含フッ素芳香族化合物の製造方法。
[上記式においてX2〜X5、及びR1〜R5は前記と同じ意味を示す。]
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013558743A JP5874745B2 (ja) | 2012-02-17 | 2013-02-14 | 含フッ素芳香族化合物及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012033157 | 2012-02-17 | ||
JP2012033157 | 2012-02-17 | ||
JP2013558743A JP5874745B2 (ja) | 2012-02-17 | 2013-02-14 | 含フッ素芳香族化合物及びその製造方法 |
PCT/JP2013/053586 WO2013122174A1 (ja) | 2012-02-17 | 2013-02-14 | 含フッ素芳香族化合物及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2013122174A1 JPWO2013122174A1 (ja) | 2015-05-18 |
JP5874745B2 true JP5874745B2 (ja) | 2016-03-02 |
Family
ID=48984283
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013558743A Expired - Fee Related JP5874745B2 (ja) | 2012-02-17 | 2013-02-14 | 含フッ素芳香族化合物及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9087996B2 (ja) |
JP (1) | JP5874745B2 (ja) |
CN (1) | CN104114521A (ja) |
WO (1) | WO2013122174A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016056098A (ja) * | 2013-01-28 | 2016-04-21 | 旭硝子株式会社 | 含フッ素芳香族化合物及びその製造方法、ならびに有機半導体材料 |
JP6321965B2 (ja) * | 2014-01-09 | 2018-05-09 | 富士フイルム株式会社 | 有機薄膜トランジスタ、有機半導体薄膜および有機半導体材料 |
JP2015155381A (ja) * | 2014-02-19 | 2015-08-27 | 旭硝子株式会社 | 含フッ素芳香族化合物及びその製造方法 |
CN106883237B (zh) * | 2017-04-05 | 2018-11-02 | 兰州大学 | 一种双三唑并五苯醌类化合物及其制备方法 |
CN113707815B (zh) * | 2021-08-03 | 2023-06-30 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 钙钛矿器件及其制备方法和钙钛矿层前驱液 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5775932A (en) * | 1980-10-28 | 1982-05-12 | Sagami Chem Res Center | Production of perfluoroalkyl aromatic compound |
JPH0262832A (ja) * | 1988-08-27 | 1990-03-02 | Nippon Oil & Fats Co Ltd | トリフルオロメチル誘導体の製造方法 |
US7557237B2 (en) * | 2003-09-09 | 2009-07-07 | Wyeth | Process for the synthesis of 3-(3-fluoro-4-hydroxyphenyl)-7-hydroxynaphthonitrile |
KR101003868B1 (ko) | 2004-08-20 | 2010-12-30 | 파나소닉 주식회사 | 유기 적층막을 형성하기 위한 도포액, 전계 효과트랜지스터의 제조 방법, 및 전계 효과 트랜지스터 |
JP2007013097A (ja) | 2005-06-01 | 2007-01-18 | Sony Corp | 有機半導体材料、有機半導体薄膜及び有機半導体素子 |
JP2006335720A (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Asahi Kasei Corp | ポリアセン化合物の製造方法及び有機半導体素子 |
JP5343353B2 (ja) * | 2007-12-28 | 2013-11-13 | 東ソー株式会社 | ハロゲン化アントラセン誘導体の製造方法 |
WO2011022678A1 (en) * | 2009-08-21 | 2011-02-24 | The University Of South Dakota | Fluorinated aromatic materials and their use in optoelectronics |
KR101193183B1 (ko) * | 2009-09-03 | 2012-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 헤테로고리 화합물 및 이를 이용한 유기 발광 소자 |
CN101798293B (zh) * | 2010-03-15 | 2012-05-23 | 厦门大学 | 美国白蛾性信息素的简便立体选择性合成方法 |
-
2013
- 2013-02-14 JP JP2013558743A patent/JP5874745B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2013-02-14 WO PCT/JP2013/053586 patent/WO2013122174A1/ja active Application Filing
- 2013-02-14 CN CN201380009875.1A patent/CN104114521A/zh active Pending
-
2014
- 2014-08-14 US US14/460,177 patent/US9087996B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9087996B2 (en) | 2015-07-21 |
WO2013122174A1 (ja) | 2013-08-22 |
CN104114521A (zh) | 2014-10-22 |
JPWO2013122174A1 (ja) | 2015-05-18 |
US20140357873A1 (en) | 2014-12-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5801369B2 (ja) | 新規有機化合物およびそれを用いた有機発光素子 | |
JP5874745B2 (ja) | 含フッ素芳香族化合物及びその製造方法 | |
EP2829542A1 (en) | Benzobis(thiadiazole) derivative and organic electronics device using same | |
KR20150061035A (ko) | 신규 헤테로시클릭 화합물, 이를 위한 중간체 제조 방법, 및 이의 용도 | |
WO2010016405A1 (ja) | 新規芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
TW201331255A (zh) | 用於製造石墨烯奈米帶之聚合性先質及其製備方法 | |
Salunke et al. | Pyrene based conjugated materials: synthesis, characterization and electroluminescent properties | |
CN115160272B (zh) | 一种含氮化合物及使用其的电子元件和电子装置 | |
TW201247676A (en) | Method for producing dianthra [2,3-b:2',3'-f] thieno [3,2-b] thiophen and application thereof | |
CN113549059B (zh) | 有机化合物及包含其的电子器件和电子装置 | |
CN114075231B (zh) | 一种有机化合物以及使用其的有机电致发光器件和电子装置 | |
US9067857B2 (en) | Fluorine-containing aromatic compound and manufacturing method therefor | |
CN115490602B (zh) | 一种有机化合物及使用其的电子元件和电子装置 | |
JP2014122189A (ja) | 含フッ素化合物及びその製造方法 | |
JP6529286B2 (ja) | 発光材料および有機el素子 | |
JP2013191821A (ja) | 有機半導体デバイスとその製造方法、および化合物 | |
JP6678515B2 (ja) | 化合物、組成物、および有機半導体デバイス | |
CN109928961B (zh) | 含有4-硫砜芳基二苯并呋喃的光电材料及应用 | |
JP2014150237A (ja) | 有機半導体材料、ならびに含フッ素芳香族化合物及びその製造方法 | |
WO2014115823A1 (ja) | 含フッ素芳香族化合物及びその製造方法、ならびに有機半導体材料 | |
JP2015155381A (ja) | 含フッ素芳香族化合物及びその製造方法 | |
TWI603969B (zh) | Novel imidazole compound, material for electronic device, light-emitting element Pieces and electronic devices | |
JP2014136700A (ja) | 含フッ素化合物および該含フッ素化合物を用いた有機薄膜トランジスタ | |
JP2015155382A (ja) | 含フッ素芳香族化合物及びその製造方法 | |
CN116396175A (zh) | 有机化合物及使用其的电子元件和电子装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150728 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150828 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20151222 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160104 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5874745 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |