JP5857986B2 - 炭化珪素単結晶および炭化珪素単結晶の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の第1実施形態について説明する。図1に示す本実施形態にかかるSiC単結晶1は、昇華再結晶法やガス供給法などによって形成されたSiC単結晶インゴットを例えば{0001}面と平行もしくは{0001}面に対して所定のオフ角を設定して基板状に切り出したものである。なお、ここでは、基板状に切り出したSiC単結晶1を例に挙げて説明するが、本発明でいうSiC単結晶には、基板状に切り出したものに限らず、インゴット状のものも含むし、インゴットから不要部分を取除いた構造のものも含む。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
2 螺旋転位
2a L転位
2b nL転位
Claims (5)
- 螺旋転位(2)を含む炭化珪素単結晶であって、
前記螺旋転位のうちバーガースベクトルbがb><0001>+1/3<11−20>を満たす転位をL転位(2a)として、該L転位の密度が300個/cm2以下とされていることを特徴とする炭化珪素単結晶。 - 前記L転位の密度が100個/cm2以下とされていることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶。
- 請求項1または2に記載の炭化珪素単結晶は、表面が{0001}面と平行もしくは{0001}面に対して所定のオフ角が設定された基板であり、該基板を種結晶として、該種結晶の前記表面に炭化珪素単結晶を成長させることにより、前記種結晶に存在する前記L転位のバーガースベクトルbを<0001>+<1−100>から<0001>+1/3<11−20>に変換させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
- 請求項1または2に記載の炭化珪素単結晶は、表面が{0001}面に対して<11−20>方向に10°以内のオフ角が設定された基板であり、該基板を種結晶として、該種結晶の前記表面に炭化珪素単結晶を成長させることにより、前記種結晶に存在する前記L転位のバーガースベクトルbを<0001>+<1−100>から<0001>+1/3<11−20>に変換させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
- 請求項1または2に記載の炭化珪素単結晶の製造方法であって、第1の工程として、表面が{0001}面に対して<11−20>方向に10°以内のオフ角が設定された基板であり、該基板を種結晶として、該種結晶の前記表面に炭化珪素単結晶を成長させ、第2の工程として、更に表面が{0001}面に対して<11−20>方向に10°以内のオフ角が設定された基板を切り出し、更に該基板を種結晶として、該種結晶の前記表面に炭化珪素単結晶を成長させ、これら第1の工程および第2の工程を、複数回(第Nの工程まで(n=1,2,・・N))繰り返して炭化珪素単結晶を成長させることにより、前記種結晶に存在する前記L転位のバーガースベクトルbを<0001>+<1−100>から<0001>+1/3<11−20>に変換させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
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