JP2019142771A - 窒化アルミニウムウェーハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
(1)窒化アルミニウム単結晶であって、該窒化アルミニウム単結晶の母体を構成するマトリックス領域と、該マトリックス領域内に含まれる少なくとも1つのドメイン領域とを有することを特徴とする窒化アルミニウム単結晶。
上記本発明の実施例に係るAlN単結晶(実施例1)を用意した。具体的には、直径1インチ、長さ10mmのAlN単結晶を用意した。このAlN単結晶と同条件で製造したAlN単結晶に対してウェーハ加工処理を施し、得られたAlNウェーハ3枚に対してTEM観察を行ったところ、ウェーハの外周部にドメイン領域は存在せず、外周部よりもウェーハ径方向内側の領域おいてドメイン領域が存在した。よって、上記本発明の実施例1に係るAlN単結晶においても、結晶の外周部よりも内部においてのみドメイン領域が存在するものであると強く推定される。
実施例1と同様に、本発明の比較例に係るAlN単結晶を用意した。ただし、この比較例に係るAlN単結晶と同条件で製造したAlN単結晶に対してウェーハ加工処理を施し、得られたAlNウェーハ3枚に対してTEM観察を行ったところ、その全てにおいて、マトリックス領域内にドメイン領域は観察されなかった。よって、上記本発明の比較例に係るAlN単結晶においても、マトリックス領域内にドメイン領域が存在しないものであると強く推定される。
実施例1と同様に、実施例2に係るAlN単結晶を用意した。ただし、本実施例2に係るAlN単結晶においては、この実施例2に係るAlN単結晶と同条件で製造したAlN単結晶について、外周部のみにドメイン領域が存在した。よって、本発明の実施例2に係るAlN単結晶においても、結晶の外周部のみにドメイン領域が存在するものであると強く推定される。その他については実施例1と全て同じである。
実施例1と同様に、実施例3に係るAlN単結晶を用意した。ただし、本実施例3に係るAlN単結晶においては、この実施例3に係るAlN単結晶と同条件で製造したAlN単結晶について、外周部及び外周部よりも径方向内側の領域の双方にドメイン領域が存在した。よって、本発明の実施例3に係るAlN単結晶においても、結晶の外周部及び外周部よりも内部の領域の双方にドメイン領域が存在するものであると強く推定される。その他については実施例1と全て同じである。
上記実施例1〜3及び比較例に係るAlN単結晶の結晶性を評価した。具体的には、ロッキングカーブ測定を行い、半値全幅(FWHM:Full Width at Half Maximum)を求めた。その結果、87arcsec(実施例1)、76arcsec(実施例2)、82arcsec(実施例3)であったのに対して、比較例については、85arcsecであり、実施例1〜3と比較例とでは、その結晶性に大きな差がなく、結晶品質は同程度であることが分かった。
上述のように用意した発明例及び比較例に係るAlN単結晶に対してウェーハ加工処理を施し、処理に要した時間を計測した。具体的には、発明例及び比較例に係るAlN単結晶に対して、マルチワイヤーソー(タカトリ:MWS−34S)を用いて、ウェーハ加工処理を施し、厚さ600μmのAlNウェーハを10枚作製し、この10枚のウェーハの切断に要した時間を計測した。
M マトリックス領域
D ドメイン領域
Claims (6)
- 窒化アルミニウム単結晶であって、該窒化アルミニウム単結晶の母体を構成するマトリックス領域と、該マトリックス領域内に含まれる少なくとも1つのドメイン領域とを有する、窒化アルミニウム単結晶に対してウェーハ加工処理を施して、窒化アルミニウムウェーハを得ることを特徴とする窒化アルミニウムウェーハの製造方法。
- 前記ドメイン領域の少なくとも1つが外周部に存在する、請求項1に記載の窒化アルミニウムウェーハの製造方法。
- 前記ドメイン領域が前記外周部のみに存在する、請求項2に記載の窒化アルミニウムウェーハの製造方法。
- 前記ドメイン領域が前記外周部よりも内側にも存在する、請求項2に記載の窒化アルミニウムウェーハの製造方法。
- 前記ドメイン領域の少なくとも1つが、結晶の成長方向において結晶全体に亘って延在している、請求項1〜4のいずれか一項に記載の窒化アルミニウムウェーハの製造方法。
- 結晶構造がウルツ鉱構造である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の窒化アルミニウムウェーハの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2019105990A JP2019142771A (ja) | 2019-06-06 | 2019-06-06 | 窒化アルミニウムウェーハの製造方法 |
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JP2016001732A Division JP2017122028A (ja) | 2016-01-07 | 2016-01-07 | 窒化アルミニウム単結晶 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2019142771A true JP2019142771A (ja) | 2019-08-29 |
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JP (1) | JP2019142771A (ja) |
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-
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C23 | Notice of termination of proceedings |
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