JP2013060343A - 13族窒化物結晶、及び13族窒化物結晶基板 - Google Patents
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 635
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 223
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 72
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 87
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims abstract description 9
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 7
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims abstract description 5
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 48
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 46
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims description 10
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 7
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 93
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 79
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 78
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 72
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 67
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 61
- 238000000034 method Methods 0.000 description 50
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 25
- IUVCFHHAEHNCFT-INIZCTEOSA-N 2-[(1s)-1-[4-amino-3-(3-fluoro-4-propan-2-yloxyphenyl)pyrazolo[3,4-d]pyrimidin-1-yl]ethyl]-6-fluoro-3-(3-fluorophenyl)chromen-4-one Chemical compound C1=C(F)C(OC(C)C)=CC=C1C(C1=C(N)N=CN=C11)=NN1[C@@H](C)C1=C(C=2C=C(F)C=CC=2)C(=O)C2=CC(F)=CC=C2O1 IUVCFHHAEHNCFT-INIZCTEOSA-N 0.000 description 23
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 22
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 21
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 20
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 18
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 18
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 17
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 16
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 15
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 14
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 14
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 13
- 238000007716 flux method Methods 0.000 description 12
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 10
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 10
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 9
- 229910052795 boron group element Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 8
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 7
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 7
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 7
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 6
- PXIPVTKHYLBLMZ-UHFFFAOYSA-N Sodium azide Chemical compound [Na+].[N-]=[N+]=[N-] PXIPVTKHYLBLMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 5
- -1 pyrolytic BN (P-BN) Chemical class 0.000 description 5
- 238000011946 reduction process Methods 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 229910021482 group 13 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003388 sodium compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 208000012868 Overgrowth Diseases 0.000 description 1
- 235000005811 Viola adunca Nutrition 0.000 description 1
- 240000009038 Viola odorata Species 0.000 description 1
- 235000013487 Viola odorata Nutrition 0.000 description 1
- 235000002254 Viola papilionacea Nutrition 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIZLQMLDSWKZGC-UHFFFAOYSA-N cadmium helium Chemical compound [He].[Cd] UIZLQMLDSWKZGC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001417 caesium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000005034 decoration Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000035040 seed growth Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/04—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes
- H01L29/045—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their crystalline structure, e.g. polycrystalline, cubic or particular orientation of crystalline planes by their particular orientation of crystalline planes
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
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- H01L29/2003—Nitride compounds
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/0004—Devices characterised by their operation
- H01L33/002—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap
- H01L33/0025—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap comprising only AIIIBV compounds
-
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/16—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
- H01L33/18—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous within the light emitting region
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- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/24—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate of the light emitting region, e.g. non-planar junction
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Abstract
【解決手段】13族窒化物結晶19は、B、Al、Ga、In、及びTlからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属原子と窒素原子とを少なくとも含む六方晶の結晶構造の13族窒化物結晶であって、c軸を横切る断面の内側に設けられた第1領域21と、第1領域21の外周の少なくとも一部を覆うように設けられ、厚みが第1領域21の最大径より大きく、且つ第1領域21よりキャリア濃度の高い第2領域27と、を備える。
【選択図】図1
Description
上述したように、本実施形態にかかる13族窒化物結晶は、B、Al、Ga、In、及びTlからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属原子と窒素原子とを少なくとも含む六方晶の結晶構造の13族窒化物結晶である。なお、本実施形態にかかる13族窒化物結晶は、金属原子として、Ga、及びAlの少なくとも一方を少なくとも含むことが好ましく、Gaを少なくとも含むことが更に好ましい。
−発光特性−
本実施の形態に係る13族窒化物結晶19のc面断面の上記第3領域29a及び第4領域29bにおける、電子線または紫外光励起による発光スペクトルの窒化ガリウムのバンド端発光を含む第1ピークのピーク強度と、該第1ピークより長波長側の第2ピークのピーク強度と、は、下記関係を示す。
第3領域29aのホウ素濃度は、第4領域29bのホウ素濃度より高い。具体的には、例えば、第3領域29aのホウ素濃度は、4×1018atms/cm3以上であり、第3領域29aの外側に位置する第4領域29bのホウ素濃度は、4×1018atms/cm3未満であることが好ましい。
次に、13族窒化物結晶19の製造方法を説明する。
<結晶製造装置>
図8は、本実施の形態において、第1領域21の種結晶、及び第1領域21Aの種結晶である種結晶30を製造する結晶製造装置1の概略断面図である。以下、第1領域21の種結晶、及び第1領域21Aの種結晶を総称して説明する場合には、種結晶30と称して説明する。
ホウ素溶解工程の例としては、反応容器12として窒化ホウ素の焼結体(BN焼結体)を材料とした反応容器12を用いることができる。反応容器12が結晶成長温度まで昇温される過程において、反応容器12からホウ素が溶解し、混合融液24中に溶け出す(ホウ素溶解工程)。そして、種結晶30の成長過程において混合融液24中のホウ素が種結晶27中に取り込まれる(ホウ素取込工程)。種結晶30の成長にしたがって、混合融液24中のホウ素は次第に減少する(ホウ素減少工程)。
さらに、ホウ素溶解工程のその他の例として、反応容器12内に窒化ホウ素を含む部材を設置するとしてもよい。一例として、反応容器12内にBN焼結体の部材を載置するとしてもよい。尚、反応容器12の材質は(1)と同様に特に限定されるものではない。
反応容器12に原料等を投入する作業は、耐圧容器11を例えばアルゴンガスのような不活性ガス雰囲気とされたグローブボックスに入れて行う。
上記に説明した13族窒化物結晶19は、[2]で上述した種結晶30を用いて、フラックス法によりこれらの種結晶30のc面断面積を肥大化させることで製造する。
図9は、種結晶30から第2領域27を結晶成長させて、13族窒化物結晶19を製造するために用いられる結晶製造装置2の構成例を示す概略断面図である。結晶製造装置2において、ステンレス製の外部耐圧容器50内には内部容器51が設置され、内部容器51内にはさらに反応容器52が収容されており、二重構造を成している。内部容器51は外部耐圧容器50に対して着脱可能となっている。なお、以下、種結晶30として、第1領域21Aの種結晶を用いた場合を説明する。
反応容器52に種結晶30やGaやNaとCなどのドーパント等の原料などを投入する作業は、内部容器51を例えばアルゴンガスのような不活性ガス雰囲気のグローブボックスに入れて行う。この作業は内部容器51に反応容器52を入れた状態で行っても良い。
次に、結晶中の転位について例を挙げて説明する。図10は、13族窒化物結晶19において、c軸とa軸に平行な断面における転位を模式的に示す図である。なお、図10では、13族窒化物結晶19のc軸とa軸に平行な断面のうちの、第1領域21Aより右側の部分を拡大して示している。
本実施形態にかかる13族窒化物結晶基板は、13族窒化物結晶19を加工することによって得られる。
次に、13族窒化物結晶19の好適な形状について説明する。図13〜図15は、第1領域21A(第3領域29aと第4領域29bを含む)、または第1領域21の種結晶から、第2領域27を結晶成長させる過程を説明するための模式図である。なお、ここでの説明に関して、結晶成長方法は特に限定されるものではない。なお、図13〜図15は、13族窒化物結晶19のc軸とa軸に平行な面における断面を示す。
次に、上述した好適な形状の13族窒化物結晶19を成長させるために好適な種結晶の形状について説明する。第1領域21Aの種結晶は六方晶の結晶構造を有し、a+c軸(<11−23>方向)とc面とが為す角度は、例えば、58.4°である。また、第1領域21Aの種結晶のc軸方向の長さLとc面断面における結晶径dとの比L/dが、例えば、0.813である場合に、種結晶は六角錐形状となる。
まず、下記の製造方法により、13族窒化物結晶の製造に用いる種結晶を製造した。
図8に示した結晶製造装置1を使用して、第1領域21Aの種結晶を製造した。
反応容器12の材質をアルミナにし、さらに反応容器12の底面にちょうど収まるBN焼結体の板を設置し、また、結晶成長温度870℃における耐圧容器11内の窒素分圧を6MPa(室温での耐圧容器11内の窒素分圧は2.8MPa)に維持し、結晶成長時間を300時間とする以外は種結晶の製造例1と同様にして結晶成長を行った。
種結晶の製造例1及び種結晶の製造例2で製造した種結晶のフォトルミネッセンス(PL)を室温(25℃)で測定した。フォトルミネッセンスは、堀場製作所社製のLabRAM HR−80を用いて測定した。励起光源には、波長325nmのヘリウム‐カドミウム(He−Cd)レーザーを使用した。フォトルミネッセンスは、種結晶30の内側の領域である第1領域25aと、種結晶30の外側の領域である第4領域25bとのそれぞれにおいて測定した。
種結晶の製造例1〜種結晶の製造例2で製造された種結晶30について、2次イオン質量分析計(SIMS)を用いて結晶中のホウ素濃度を測定した。SIMSとしては、CAMECA社製の(型式)IMS 7fを用いた。一次イオンビームとしてはCs+イオンを用いた。本測定では、種結晶30のc面断面において内側の領域(即ち、第3領域29a)と、外側の領域(即ち、第4領域29b)とについて、それぞれ複数箇所のホウ素濃度を測定した。
本実施例では、図9に示す結晶製造装置2により、種結晶30から第2領域27の結晶成長を行い、13族窒化物結晶19を製造した。
本実施例では、種結晶として、上記種結晶の製造例2で製造した種結晶30を用いた以外は、実施例A1と同じ条件で図9に示す結晶製造装置2により種結晶30の結晶成長を行い、13族窒化物結晶19を製造した。
反応容器はBN焼結体、結晶成長温度を870℃、窒素圧力を10MPaとし、結晶成長時間を300時間とした。その他の条件は、実施例A1と同じ条件で結晶成長を行った。その結果、結晶径dは100〜800μm程度であり、長さLは3〜18mm程度の針状結晶が得られたが、見かけが骸晶化しており、実施例A1の結晶と比較すると透明度が低く薄く黄色がかった結晶が得られた。
<キャリア濃度の評価>
上記実施例A1〜実施例A2、及び比較例A1で得られた13族窒化物結晶19、及び比較例A1で得られた13族窒化物結晶19の各々のc面断面について、キャリア濃度の測定を行った。
実施例A1で製造した13族窒化物結晶を外形研削し、c面と平行にスライスし、表面を研磨し、表面処理を施し、外形(φ)2インチ、厚さ400μmのc面を主面とし、第1領域21、及び第2領域27(分域25及び境界領域26)を含む13族窒化物結晶基板を製造した。
実施例A1で製造した13族窒化物結晶を外形研削し、第2領域27における複数の分域25の内の1の分域25から円柱状に結晶を切り出し、さらに、c面と平行にスライスし、厚さ400μmのc面を主面とし、第1領域21、及び第2領域27(分域25及び境界領域26)を含む13族窒化物結晶基板を製造した。
実施例A1で製造した13族窒化物結晶に代えて、実施例A2で製造した13族窒化物結晶を用いた以外は、実施例B1と同じ条件でc面基板を作製したところ、実施例B1と同様の結果が得られた。
実施例A1で製造した13族窒化物結晶に代えて、比較例A1で製造した13族窒化物結晶を用いた以外は、実施例B1と同じ条件でc面基板を作製した。
21、21A 第1領域
25 分域
26 境界領域
27 第2領域
100A、100B 13族窒化物結晶基板
Claims (5)
- B、Al、Ga、In、及びTlからなる群より選ばれる少なくとも1種の金属原子と窒素原子とを少なくとも含む六方晶の結晶構造の13族窒化物結晶であって、
c軸を横切る断面の内側に設けられた第1領域と、
前記第1領域の外周の少なくとも一部を覆うように設けられ、厚みが前記第1領域の最大径より大きく、且つ前記第1領域よりキャリア濃度の高い第2領域と、
を備えた13族窒化物結晶 - 前記第2領域は、
複数の分域と、
前記分域間の境界に位置し、該境界に連続する前記分域よりキャリア濃度の高い境界領域と、
を有する請求項1に記載の13族窒化物結晶。 - 複数の前記分域間のキャリア濃度が均一である請求項2に記載の13族窒化物結晶。
- 前記第1領域は、
前記断面における内側に設けられた第3領域と、
前記第3領域の少なくとも一部を覆うように設けられた第4領域と、
を備え、
前記第3領域における、電子線または紫外光励起による発光スペクトルの窒化ガリウムのバンド端発光を含む第1ピークのピーク強度が、該第1ピークより長波長側の第2ピークのピーク強度より小さく、
前記第4領域における、前記第1ピークのピーク強度が前記第2ピークのピーク強度より大きい、
請求項1〜請求項3の何れか1項に記載の13族窒化物結晶。 - 請求項1〜請求項4の何れか1つに記載の13族窒化物結晶の少なくとも前記第2領域を含む13族窒化物結晶基板。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011201195A JP5953683B2 (ja) | 2011-09-14 | 2011-09-14 | 13族窒化物結晶、及び13族窒化物結晶基板 |
US13/603,678 US9123863B2 (en) | 2011-09-14 | 2012-09-05 | Group 13 nitride crystal and substrate thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011201195A JP5953683B2 (ja) | 2011-09-14 | 2011-09-14 | 13族窒化物結晶、及び13族窒化物結晶基板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013060343A true JP2013060343A (ja) | 2013-04-04 |
JP5953683B2 JP5953683B2 (ja) | 2016-07-20 |
Family
ID=47829053
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011201195A Expired - Fee Related JP5953683B2 (ja) | 2011-09-14 | 2011-09-14 | 13族窒化物結晶、及び13族窒化物結晶基板 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9123863B2 (ja) |
JP (1) | JP5953683B2 (ja) |
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---|---|
US9123863B2 (en) | 2015-09-01 |
US20130062660A1 (en) | 2013-03-14 |
JP5953683B2 (ja) | 2016-07-20 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140812 |
|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |