JP6932995B2 - 窒化物の単結晶 - Google Patents
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Description
<AlNの結晶の作製>
以下の工程を真空チャンバー内で実施することにより、実施例1の窒化アルミニウム(AlN)の結晶を作製した。
以上の手順で作製された実施例1のAlNの結晶のC面(表面)を研磨して、結晶のC面を平坦にした。X線回折法(2θ/θ法)及び極点図の測定より、種結晶の表面に成長したAlNの結晶は単結晶であることが確認された。
実施例2〜11及び比較例1〜3では、溶媒(フラックス)の原料として、下記表1に示される各元素の単体(金属単体)を用いた。実施例2〜11及び比較例1〜3では、溶媒における各元素のモル比を下記の表1に示される値に調整した。実施例2〜11及び比較例1〜3では、真空チャンバー内へ供給される混合ガスにおけるアルゴンと窒素との比率を、9対1から6対4の範囲に調整した。これらの事項を除いて実施例1と同様の方法で、実施例2〜11及び比較例1〜3それぞれのAlNの結晶を個別に作製した。
Claims (5)
- ウルツ鉱型結晶構造を有し、
ホウ素の含有量が0.5質量ppm以上251質量ppm以下であり、
窒化アルミニウムである、
窒化物の単結晶。 - ホウ素の含有量が1質量ppm以上52質量ppm以下である、
請求項1に記載の窒化物の単結晶。 - 鉄、ニッケル、チタン、ケイ素、バナジウム、銅、コバルト、マンガン及びクロムからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素を含有する、
請求項1又は2に記載の窒化物の単結晶。 - 鉄、ニッケル、チタン、ケイ素、バナジウム、銅、コバルト、マンガン及びクロムの含有量の合計が、1質量ppm以上100質量ppm以下である、
請求項1〜3のいずれか一項に記載の窒化物の単結晶。 - 厚さが10μm以上2mm以下である基板である、
請求項1〜4のいずれか一項に記載の窒化物の単結晶。
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