JP5842084B2 - 半導体部品実装基板 - Google Patents
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Description
前記はんだ粒子が溶融一体化したはんだ部と、前記熱硬化性樹脂バインダーの硬化物からなり前記はんだ部の周囲を被覆する樹脂硬化部とで、前記回路基板と前記半導体部品とを接合する接合部が形成されており、
前記樹脂硬化部には前記無機フィラーが含有されていることを特徴とするものである。
はんだ粒子として、Sn42Bi58(Sn42質量%、Bi58質量%)を用いた。このはんだ粒子の平均粒径は20μmであり、融点は139℃であった。そして、はんだ粒子を80質量部、熱硬化性樹脂バインダーとして液状エポキシ樹脂(東都化成株式会社製、品番「YD128」)を11質量部、無機フィラーとしてアルミナ(昭和電工株式会社製、品番「AS−50」、平均粒子径10μm、球状)を10質量部、硬化促進剤(味の素ファインテクノ株式会社製、品番「アミキュアPN23」)を2質量部、フラックス成分としてレブリン酸を2質量部混合し、ディスパーを用いて均一に混合・混練することによって、ペースト状の熱硬化性樹脂組成物を得た。
フラックス成分としてグルタル酸を用いるようにした以外は、実施例1と同様にして熱硬化性樹脂組成物を得た。
フラックス成分として2,2−ジメチルグルタル酸を用いるようにした以外は、実施例1と同様にして熱硬化性樹脂組成物を得た。
フラックス成分としてコハク酸を用いるようにした以外は、実施例1と同様にして熱硬化性樹脂組成物を得た。
フラックス成分としてリンゴ酸を用いるようにした以外は、実施例1と同様にして熱硬化性樹脂組成物を得た。
フラックス成分として4−フェニル酪酸を用いるようにした以外は、実施例1と同様にして熱硬化性樹脂組成物を得た。
フラックス成分としてジグリコール酸を用いるようにした以外は、実施例1と同様にして熱硬化性樹脂組成物を得た。
無機フィラーとして窒化アルミニウム(東洋アルミニウム株式会社製、品番「Fシリーズ」、平均粒子径2μm)を30質量部用いるようにした以外は、実施例1と同様にして熱硬化性樹脂組成物を得た。
無機フィラーとして窒化ケイ素(徳山曹達株式会社製、品番「Hグレード」、平均粒子径1.5μm)を20質量部用いるようにした以外は、実施例1と同様にして熱硬化性樹脂組成物を得た。
はんだ粒子として、Sn42Bi58(Sn42質量%、Bi58質量%)を用いた。このはんだ粒子の平均粒径は20μmであり、融点は139℃であった。そして、はんだ粒子を80質量部、熱硬化性樹脂バインダーとしてシアン酸エステル樹脂(Lonza社製、品番「L−10」)を13質量部、無機フィラーとしてアルミナ(昭和電工株式会社製、品番「AS−50」、平均粒子径10μm、球状)を10質量部、硬化促進剤としてFeアセチルアセトナートを0.1質量部、フラックス成分としてレブリン酸を2質量部混合し、ディスパーを用いて均一に混合・混練することによって、ペースト状の熱硬化性樹脂組成物を得た。
フラックス成分を用いないようにした以外は、実施例1と同様にして熱硬化性樹脂組成物を得た。
無機フィラーを用いないようにした以外は、実施例1と同様にして熱硬化性樹脂組成物を得た。
熱硬化性樹脂バインダーを用いないようにした以外は、実施例1と同様にして組成物を得た。
はんだ粒子の代わりに融点950℃の銀粉末を80質量部用いるようにした以外は、実施例1と同様にして熱硬化性樹脂組成物を得た。
各実施例及び比較例で得られた熱硬化性樹脂組成物を用い、図2に示すようにして放熱性を評価した。なお、比較例3の組成物は熱硬化性樹脂組成物の代わりに用いた。
2 半導体部品
3 回路基板
Claims (8)
- 融点が240℃以下のはんだ粒子、熱硬化性樹脂バインダー、無機フィラー、及びフラックス成分として下記構造式(1)又は(2)で示される化合物のうちの少なくとも一方が含有され、前記構造式(1)又は(2)中のYが、主鎖骨格を形成する下記構造式(9)〜(12)で示される原子又は原子団のうちの少なくとも1種類以上であると共に、前記無機フィラーが、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、アルミナのうちの少なくとも1種類以上であり、前記はんだ粒子100質量部に対して、前記無機フィラーが5〜30質量部含有されてなる熱硬化性樹脂組成物を用いて半導体部品が回路基板に実装された半導体部品実装基板であって、
前記はんだ粒子が溶融一体化したはんだ部と、前記熱硬化性樹脂バインダーの硬化物からなり前記はんだ部の周囲を被覆する樹脂硬化部とで、前記回路基板と前記半導体部品とを接合する接合部が形成されており、
前記樹脂硬化部には前記無機フィラーが含有されていることを特徴とする
半導体部品実装基板。
- 前記無機フィラーの平均粒子径が0.1〜30μmであることを特徴とする
請求項1に記載の半導体部品実装基板。 - 前記構造式(1)又は(2)で示される化合物が、レブリン酸、グルタル酸、ジメチルグルタル酸、コハク酸、リンゴ酸、5−ケトヘキサン酸、4−アミノ酪酸、3−フェニルプロピオン酸、4−フェニル酪酸のうちの少なくとも1種類以上であることを特徴とする
請求項1乃至3のいずれか1項に記載の半導体部品実装基板。 - 前記熱硬化性樹脂バインダーとしてエポキシ樹脂が用いられていることを特徴とする
請求項1乃至5のいずれか1項に記載の半導体部品実装基板。 - 前記熱硬化性樹脂バインダーに対して、前記フラックス成分が1〜50PHR含有されていることを特徴とする
請求項1乃至6のいずれか1項に記載の半導体部品実装基板。 - 前記熱硬化性樹脂組成物全量に対して、前記熱硬化性樹脂バインダー及び前記フラックス成分の合計量が3〜50質量%であることを特徴とする
請求項1乃至7のいずれか1項に記載の半導体部品実装基板。
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