JP5835325B2 - 酸化ルテニウム粉末、それを用いた厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体ペーストおよび厚膜抵抗体 - Google Patents
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Description
ルチル型の結晶構造を有する酸化ルテニウム(RuO2)は、例えば、不定形酸化ルテニウム水和物を焙焼して得られたRuO2 粒子に、例えば、KOHおよびNaOHの少なくとも一方を被覆させ、再び焙焼したのち、水洗、乾燥するなどの方法で製造されている(特許文献4参照)。
そのためルテニウム酸化物とガラス粉末の組み合わせでは到達することが難しい、低い抵抗値領域の厚膜抵抗用組成物においては、導電物としてパラジウムと銀を添加することで所望の抵抗値を出現させている。しかし、パラジウムはルテニウムよりも高価な貴金属であり、この抵抗値が低い領域の厚膜抵抗体も同様にコストが高くなる欠点がある。また、ルテニウムとパラジウムは産出量が少ないため価格変動が激しく厚膜抵抗体の製造にかかる原料コストが安定しない。特に抵抗値が低い厚膜抵抗体程、ルテニウムもしくはパラジウム含有率が高いために価格が高く、製品価格が不安定になる。したがって、ルテニウム、抵抗値が低い領域においてはルテニウムとパラジウムの使用量を極力削減した低価格の厚膜抵抗体用組成物が望まれていた。
また、本発明の第3の発明によれば、第1または2の発明において、酸化ルテニウム(RuO2)粉末は、結晶子径D1と比表面積径D2の比が、下記の式(1)を満たすことを特徴とする酸化ルテニウム粉末が提供される。
D1/D2≧0.70 ・・・(1)
(ただし、結晶子径D1は、X線回折法によるルチル型結晶構造の(110)面での測定値(nm)であり、比表面積径D2は、粉末の比表面積をS(m2/g)、比重をρ(g/cm3)と表したときの6×10−6/(ρ・S)の計算値(nm)である)
また、本発明の第5の発明によれば、第4の発明において、導電性粒子として、さらに銀(Ag)粉、パラジウム(Pd)粉、もしくはパラジウムによりコートされた銀粉の酸化物及び貴金属粉末のいずれか1種以上が配合されることを特徴とする厚膜抵抗体用組成物が提供される。
一方、本発明の第6の発明によれば、第4又は5の発明において、導電性粒子とガラス粉末は、質量比として5:95〜70:30の範囲で配合されることを特徴とする厚膜抵抗体用組成物が提供される。
また、本発明の第7の発明によれば、第4〜6のいずれかの発明において、ガラス粉末は、50%累計粒度が5μm以下であることを特徴とする厚膜抵抗体用組成物が提供される。
また、本発明の第8の発明によれば、第4〜7のいずれかの発明において、厚膜抵抗体用組成物が脂肪酸を含む有機ビヒクル中に分散した厚膜抵抗体ペーストであって、脂肪酸の含有量が酸化ルテニウム100重量部に対して0.1〜10重量部であることを特徴とする厚膜抵抗体ペーストが提供される。
また、本発明の第9の発明によれば、第8の発明において、脂肪酸が、炭素数が12以上の高級脂肪酸であることを特徴とする厚膜抵抗体ペーストが提供される。
さらに、本発明の第11の発明によれば、第4〜7のいずれかの発明の厚膜抵抗体用組成物を、セラミック基板上で焼成してなる厚膜抵抗体が提供される。
また、本発明の第12の発明によれば、第8〜10のいずれかの発明の厚膜抵抗体ペーストを、セラミック基板に塗布した後、焼成して形成された厚膜抵抗体が提供される。
したがって、本発明の酸化ルテニウム(RuO2)粉末を原料とする事によって、安価で経済性に優れた厚膜抵抗体用組成物および厚膜抵抗体ペーストを提供することができる。
さらに、本発明によれば、このルテニウム酸化物粉末を厚膜抵抗体用組成物として用い、セラミック基板上で焼成することで、高性能な厚膜抵抗体が形成できる。
本発明の酸化ルテニウム粉末は、ルチル型結晶構造を有する酸化ルテニウム(RuO2)粉末であって、X線回折法でその(110)面を測定した結晶子径が3〜10nmであり、かつRu含有量が73質量%以上であることを特徴とする。
(イ)X線回折法によってルチル型結晶構造の(110)面で測定した結晶子径が3〜10nmであり、かつRu含有量が73質量%以上である酸化ルテニウム(RuO2)粉末。
粒径の小さい酸化ルテニウム(RuO2)粉末では、抵抗ペーストを焼成し形成された厚膜抵抗膜中の酸化ルテニウム(RuO2)粒子間の距離が小さくなり、面積抵抗値が低くなると考えられる。しかし、酸化ルテニウム(RuO2)粉末の粒径を小さくし過ぎた場合、抵抗ペーストを焼成している間に酸化ルテニウム(RuO2)粒子の成長が起こり、酸化ルテニウム(RuO2)間の距離が大きくなって面積抵抗値が高くなると考えられる。
また、本発明では、酸化ルテニウム(RuO2)のRu含有量が73質量%以上でなければならない。Ru含有量が73質量%未満であると、結晶性が低いので、抵抗ペーストの焼成中に酸化ルテニウム粒子の成長がおこり面積抵抗値が高くなる問題がある。Ru含有量は74質量%以上であることが好ましい。
(ロ)比表面積が70m2/g以上、200m2/g以下である、酸化ルテニウム(RuO2)粉末。
(ハ)X線回折法によってルチル型結晶構造の(110)面で測定した結晶子径をD1(nm)、導電性粒子の比表面積をS(m2/g)、比重をρ(g/cm3)と表した時、6×10−6/(ρ・S)として算出される比表面積径D2(nm)として、D1/D2≧0.70である酸化ルテニウム(RuO2)粉末。
厚膜抵抗体に用いられる酸化ルテニウム(RuO2)粉末の一次粒子の粒径は小さいので、結晶子径や比表面積径で代表する事ができる。そして一次粒子をほぼ単結晶と見なす事が出来る場合、粒径をX線回折法によって測定された結晶子径で代用する事ができる。結晶子が小さくなると完全にBraggの条件を満たす結晶格子が減り、X線を照射した際の回折線プロファイルが広がる。格子歪が無いと仮定した場合、結晶子径をD1(nm)、X線の波長をλ(nm)、回折線プロファイルの広がりをβ、回折角をθとすると以下のScherrerの式から結晶子径が測定される。
D1(nm)=(K・λ)/(β・cosθ) ・・・(2)
(式中、KはScherrer定数であり、0.9を用いる。)
一方、比表面積径は、粉末の粒径が細かくなるとその比表面積が大きくなる。これにより粉末の粒径をD2(nm)、密度をρ(g/cm3)、比表面積をS(m2/g)とすると、粉末が真球や立方体の形状の場合は、以下の関係式が成り立つ。このD2によって算出される粒径は比表面積径と呼ばれている。
D2(nm)=6×103/(ρ・S) ・・・(3)
厚膜抵抗体用の酸化ルテニウム(RuO2)粉末は、その製造方法によって制限されるものではないが、湿式で合成された水和した酸化ルテニウム粉末を熱処理することによって製造することが望ましい。この製造方法では、その合成方法や熱処理の条件によって粒径や結晶性が異なる。
水和した酸化ルテニウム粉末は、酸化雰囲気下で400℃を超える温度で熱処理することで結晶水がとれ、粉末の結晶性が高くなる。ここで酸化雰囲気とは、酸素を10容積%以上含む気体であり、例えば空気を使用することができる。
熱処理の温度は400℃より低いとルテニウム酸化物が完全に生成されず、一方、800℃を超えると、ルテニウム酸化物の粒径が大きくなり過ぎたり、ルテニウムが6価や8価の酸化物(RuO3やRuO4)となって揮発する割合が高くなり好ましくない。したがって、熱処理温度は、500〜800℃とすることが一般的である。また、適正な熱処理の時間は、熱処理温度、熱処理の雰囲気、熱処理方法等により適宜設定する。熱処理時間が1時間以上だと、特に高温ではルテニウム酸化物の粒径が大きくなり、ルテニウムが6価や8価の酸化物(RuO3やRuO4)となって揮発する傾向がある。好ましいのは40分以下、より好ましいのは30分以下である。
本発明は、特定の結晶子径を有し、かつ特定のルテニウム含有量であるルテニウム酸化物粉末を合成し、それを厚膜抵抗体用組成物の導電成分とすることで、ルテニウム酸化物の配合量を少なくし、安価な厚膜抵抗体を得ようとするものである。
すなわち、本発明は、酸化ルテニウム粉末からなる導電性粒子とガラス粉末を主要構成成分として配合してなる厚膜抵抗体用組成物である。
本発明は、導電性粒子として前記のルテニウム酸化物粉末を使用するが、本発明の厚膜抵抗体用組成物には、必要に応じて、酸化ルテニウム(RuO2)粉末以外の導電性粒子を含んでも良い。これらの導電性粒子としては、銀(Ag)粉、パラジウム(Pd)粉もしくはパラジウムによりコートされた銀粉の酸化物粉末及び貴金属粉末を挙げることができる。形状は球状、フレーク状など特に限定されず、平均粒径は0.1〜10μmのものが好ましい。
また、これらの他にも、パイロクロア型の結晶構造を有するルテニウム酸鉛、ルテニウム酸ビスマス、ペロブスカイト型結晶構造を有するルテニウム酸カルシウム、ルテニウム酸ストロンチウム、ルテニウム酸バリウム、ルテニウム酸ランタン等のルテニウム酸化物等が挙げられる。
ガラス粉末は、その組成や製造方法によって限定されない。厚膜抵抗体には、一般的に鉛を含有するアルミノホウケイ酸鉛が多く用いられており、その他ホウケイ酸亜鉛系、ホウケイ酸カルシウム系、ホウケイ酸バリウムなどの鉛を含有しない組成系のガラス粉末も用いられている。ガラスは、一般的に、所定の成分またはそれらの前駆体を目的とする抵抗値が得られるような配合で混合し、これらを溶融し急冷する事によって製造される。溶融温度は1400℃前後、急冷は溶融物を冷水中に入れるか冷ベルト上に流す事によって行われる事が多い。ガラスの粉砕はボールミル、振動ミル、遊星ミル、あるいはビーズミルなどで目的とする粒度まで行われる。
本発明の厚膜抵抗体用組成物は、ビヒクルと呼ばれる樹脂成分を溶解した溶剤中に分散すれば厚膜抵抗体ペーストになる。本発明では、ビヒクルの樹脂や溶剤の種類や配合によって限定されない。樹脂成分としては、エチルセルロース、マレイン酸樹脂、ロジンなどが一般的であり、溶剤はターピネオール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート等が一般に用いられている。これらの配合比は所望とする粘度によって調整される。また、ペーストの乾燥を遅らせる目的で沸点が高い溶剤を加える事もできる。厚膜抵抗体用組成物に対するビヒクルの割合は、特に限定されないが重量で30%〜100%が一般的である。
本発明で用いられる脂肪酸は、飽和、不飽和を問わないが、酸化ルテニウム(RuO2)粉末を分散させ、再び凝集するのを防ぐ観点から、炭素数が12以上の高級脂肪酸がより望ましい。脂肪酸は無機原料粉末をビヒクル中に分散させる際に加えても、あるいは予め酸化ルテニウム(RuO2)粉末に付着させた後に、ビヒクル中に分散させても良い。
本発明の厚膜抵抗体は、前記厚膜抵抗体用組成物を、セラミック基板上で焼成してなる厚膜抵抗体であり、また、前記厚膜抵抗体ペーストを、セラミック基板に塗布した後、焼成して形成された厚膜抵抗体である。
厚膜抵抗体中の無機成分中のRu含有量は、目的とする抵抗値の大きさによって調整する。例えば、抵抗値が1KΩ前後の厚膜抵抗体を得るには、Ruの含有量が18%以下、特に15%以下とするのが経済的であり、抵抗値がより小さく100Ωの厚膜抵抗体が必要であれば、更にRu含有率は高くする必要がある。本発明では、厚膜抵抗体の無機成分中のRu含有量を23質量%以下にすることで広範な抵抗値への要求に対応できるようになる。
形成された厚膜抵抗体は、膜厚、抵抗値、25℃から−55℃までの抵抗温度係数(COLD−TCR)、25℃から125℃までの抵抗温度係数(HOT−TCR)、電流ノイズ、静電気を放電した際の抵抗値変化率(ESD特性)を評価した。
また、抵抗値は25個の厚膜抵抗体の抵抗値をデジタルマルチメーターで測定した値を平均した。
COLD−TCR(ppm/℃)=(R−55−R25)/R25/(−80)×106 ・・・(4)
HOT−TCR(ppm/℃)=(R125−R25)/R25/(100)×106 ・・・(5)
ESD特性は、200pF−0Ωのユニットに1KVの電圧で電荷を充電した後、厚膜抵抗体に放電して、放電前の抵抗値をR0、放電後の抵抗値をR1として、放電後の抵抗値変化を以下の式(6)によって計算した。5個の厚膜抵抗体で変化率を測定し、平均をとった。
ESD特性(%)=(R1−R0)/R0×100 ・・・(6)
実施例1では、ルテニウム酸カリウムを溶解した水溶液を原料にして、水溶液中で酸化ルテニウムの沈殿を合成し、これを固液分離し、洗浄後80℃で乾燥して酸化ルテニウム粉末を得た。乾燥後の酸化ルテニウムはルテニウム含有率が61.5質量%であり、酸化水和物であった。この乾燥後の酸化ルテニウム粉末を650℃で10分熱処理し、Ru含有量73.8質量%の酸化ルテニウム(RuO2)粉末を得た。一方、実施例2〜12では、実施例1とは異なり、この乾燥後の酸化ルテニウム粉末を表1のように、680〜800℃、10〜30分の範囲で熱処理条件を変化させた。
得られた酸化ルテニウム(RuO2)粉末を平均粒径1.5μmのガラス粉末と共に、エチルセルロース5質量%〜15質量%とターピネオール75質量%〜95質量%からなるビヒクルにスリーロールミルで分散させて厚膜抵抗体ペーストを作製した。ガラス粉末としては、ガラス粉末A(PbO:50質量%−SiO2:35質量%−B2O3:10質量%−Al2O3:5質量%)を用いた。なお、実施例4,7ではガラス粉末B(SiO2:35質量%−B2O3:20質量%−Al2O3:5質量%−CaO:5質量%−BaO:20質量%−ZnO:15質量%)を使用した。酸化ルテニウム(RuO2)粉末とガラス粉末の配合は、実施例1〜10では、形成された厚膜抵抗体の面積抵抗値がおよそ1KΩになるように調整した。
厚膜抵抗体ペーストの作製では、酸化ルテニウム(RuO2)粉末とガラス粉末の合計100重量部に対してビヒクル43重量部の配合にした。このとき、実施例10以外でステアリン酸をスリーロールミルでビヒクル中に分散させて、厚膜抵抗体ペーストを作製した。これらの厚膜抵抗体ペーストを純度96質量%のアルミナ基板上に印刷、乾燥、焼成して厚膜抵抗体を形成して評価した。
予めアルミナ基板に焼成して形成された1質量%Pd、99質量%Agの電極上に、作成した厚膜抵抗体ペーストを印刷し、150℃×5分で乾燥した後、ピーク温度850℃×9分、トータル30分で焼成し厚膜抵抗体を形成した。厚膜抵抗体のサイズは抵抗体幅を0.3mm、抵抗体長さを0.3mm、厚さ10μmとなるようにした。評価結果を表1に示した。
実施例1と同様に、ルテニウム酸カリウムを溶解した水溶液を原料にして、水溶液中で酸化ルテニウムの沈殿を合成し、これを固液分離し、洗浄後80℃で乾燥して酸化ルテニウム粉末を得た。次に、実施例1とは異なり、この乾燥後の酸化ルテニウム粉末を表2のように、200〜850℃、10〜60分の範囲で熱処理条件を変化させた。
その後、実施例1と同様に、厚膜抵抗ペーストを作製し、厚膜抵抗体を形成して評価した。なお、全ての比較例でガラス粉末Aを使用した。酸化ルテニウム(RuO2)粉末とガラス粉末の配合は、比較例1〜5では、形成された厚膜抵抗体の面積抵抗値がおよそ1KΩになるように調整した。また、比較例2,5以外でステアリン酸を用い、スリーロールミルでビヒクル中に分散させて、厚膜抵抗ペーストを作製した。
実施例1〜12で使用した原材料に加え、平均粒径1.0μmの銀(Ag)粉、平均粒径0.3μmのパラジウム(Pd)粉と添加剤を使用し、実施例13〜18では、形成された厚膜抵抗体の面積抵抗値がおよそ5Ωになるように調整した。
厚膜抵抗体ペーストの作製では、酸化ルテニウム(RuO2)粉末、Ag粉、Pd粉の導電粉とガラス粉末、添加剤粉の合計100重量部に対してビヒクル43重量部の配合にした。このとき、ステアリン酸をスリーロールミルでビヒクル中に分散させて、厚膜抵抗ペーストを作製した。これらの厚膜抵抗ペーストを、実施例1〜12と同様に、印刷、乾燥、焼成して評価した。評価結果を表3に示した。
実施例13〜18では厚膜抵抗体のESD特性の印加電圧を3KVに変更した以外は、実施例1〜12と同じ手法で評価した。
比較例1〜7と同様の方法で得た乾燥後の酸化ルテニウム粉末を、表4のように、200〜850℃、10〜60分の範囲で熱処理条件を変化させた。
その後、実施例13〜18と同様に、実施例1〜12で使用した原材料に加え、平均粒径1.0μmの銀(Ag)粉、平均粒径0.3μmのパラジウム(Pd)粉と添加剤を使用し、比較例8〜12では、形成された厚膜抵抗体の面積抵抗値がおよそ5Ωになるように調整した。また、比較例2,5以外でステアリン酸を用い、スリーロールミルでビヒクル中に分散させて、厚膜抵抗体ペーストを作成した。これらの厚膜抵抗体ペーストを、比較例13〜18と同じ手法で評価した。
表1の実施例、表2の比較例に示したように、実施例では、本発明の特定の結晶子径、高結晶性を有する酸化ルテニウム(RuO2)粉末を用いたため、無機成分中のRu含有率が実施例12以外は比較例よりも少なくなっている。また、実施例では、電流ノイズの値が低く、静電気を放電させた際の抵抗値変化(ESD特性)も優れている。
また、酸化ルテニウムに加え、パラジウムと銀を添加した低い抵抗値領域においては、表3の実施例、表4の比較例に示したように、実施例では、本発明の特定の結晶子径、高結晶性を有する酸化ルテニウム(RuO 2 )粉末を用いたため、無機成分中のRu含有率を低下させることができている。また、静電気を放電させた際の抵抗値変化(ESD特性)も優れている。したがって、本発明によれば、高価なルテニウムの使用量を削減した、経済的に有利なしかも電気特性にすぐれた厚膜抵抗体用組成物が得られることが分かる。
これに対し比較例では、結晶子径が本発明の範囲から外れるルテニウム酸化物を用いたので、無機成分中の酸化ルテニウム(RuO2)の含有率が全般に実施例よりも大きくなり、所望の結果が得られなかった。
Claims (12)
- ルチル型結晶構造を有する酸化ルテニウム(RuO2)粉末であって、X線回折法でその(110)面を測定した結晶子径が3〜10nmであり、かつRu含有量が73質量%以上であることを特徴とする酸化ルテニウム粉末。
- 酸化ルテニウム(RuO2)粉末の比表面積が70m2/g以上、200m2/g以下であることを特徴とする請求項1に記載の酸化ルテニウム粉末。
- 酸化ルテニウム(RuO2)粉末は、結晶子径D1と比表面積径D2の比が、下記の式(1)を満たすことを特徴とする請求項1または2に記載の酸化ルテニウム粉末。
D1/D2≧0.70 ・・・(1)
(ただし、結晶子径D1は、X線回折法によるルチル型結晶構造の(110)面での測定値(nm)であり、比表面積径D2は、粉末の比表面積をS(m2/g)、比重をρ(g/cm3)と表したときの6×10−6/(ρ・S)の計算値(nm)である) - 請求項1〜3のいずれかに記載の酸化ルテニウム粉末からなる導電性粒子とガラス粉末を主要構成成分として配合してなる厚膜抵抗体用組成物。
- 導電性粒子として、さらに銀(Ag)粉、パラジウム(Pd)粉もしくはパラジウムによりコートされた銀粉の酸化物粉末及び貴金属粉末のいずれか1種以上を配合したことを特徴とする請求項4に記載の厚膜抵抗体用組成物。
- 導電性粒子とガラス粉末は、質量比として5:95〜70:30の範囲で配合されることを特徴とする請求項4又は5に記載の厚膜抵抗体用組成物。
- ガラス粉末は、50%累計粒度が5μm以下であることを特徴とする請求項4〜6のいずれかに記載の厚膜抵抗体用組成物。
- 請求項4〜7のいずれかに記載の厚膜抵抗体用組成物が、脂肪酸を含む有機ビヒクル中に分散した厚膜抵抗体ペーストであって、脂肪酸の含有量が酸化ルテニウム100重量部に対して0.1〜10重量部であることを特徴とする厚膜抵抗体ペースト。
- 脂肪酸は、炭素数が12以上の高級脂肪酸であることを特徴とする請求項8に記載の厚膜抵抗体ペースト。
- 導電性粒子とガラス粉末は、質量比として5:95〜70:30の範囲で配合されることを特徴とする請求項8に記載の厚膜抵抗体ペースト。
- 請求項4〜7のいずれかに記載の厚膜抵抗体用組成物を、セラミック基板上で焼成してなる厚膜抵抗体。
- 請求項8〜10のいずれかに記載された厚膜抵抗体ペーストを、セラミック基板に塗布した後、焼成して形成された厚膜抵抗体。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6167880B2 (ja) * | 2013-12-05 | 2017-07-26 | 東芝ライテック株式会社 | ヒータおよび画像形成装置 |
MY180840A (en) | 2014-09-12 | 2020-12-10 | Shoei Chemical Ind Co | Thick film resistor and production method for same |
CN104961165A (zh) * | 2015-06-19 | 2015-10-07 | 东华大学 | 一种表面改性的氧化钌水合物及其制备及应用 |
CN105139916B (zh) * | 2015-06-30 | 2017-01-04 | 苏州洋杰电子有限公司 | 碳粉掺杂钼基厚膜电阻浆料及其制备方法 |
KR101739744B1 (ko) | 2015-08-13 | 2017-05-25 | 대주전자재료 주식회사 | 무연 후막 저항 조성물, 무연 후막 저항체 및 이의 제조방법 |
JP6740829B2 (ja) * | 2016-09-12 | 2020-08-19 | 住友金属鉱山株式会社 | 二酸化ルテニウム粉末とその製造方法、厚膜抵抗体ペースト、及び、厚膜抵抗体 |
JP6848327B2 (ja) * | 2016-10-19 | 2021-03-24 | 住友金属鉱山株式会社 | 正温度係数抵抗体用組成物、正温度係数抵抗体用ペースト、正温度係数抵抗体ならびに正温度係数抵抗体の製造方法 |
JP6965543B2 (ja) * | 2017-03-28 | 2021-11-10 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、及び厚膜抵抗体 |
JP6966717B2 (ja) * | 2017-08-25 | 2021-11-17 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗体組成物及びそれを含む厚膜抵抗ペースト |
CN110534274B (zh) * | 2017-10-23 | 2021-07-02 | 潮州三环(集团)股份有限公司 | 一种阻值范围为0.1ω/□~1ω/□的厚膜电阻浆料及其制备方法 |
CN107986341A (zh) * | 2017-12-18 | 2018-05-04 | 西安宏星电子浆料科技有限责任公司 | 片式电阻浆料用氧化钌粉及其制备方法 |
JP7121231B2 (ja) | 2018-01-15 | 2022-08-18 | 三菱マテリアル株式会社 | 導電性膜及びその製造方法 |
JP7110671B2 (ja) * | 2018-03-29 | 2022-08-02 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、及び厚膜抵抗体 |
JP7056407B2 (ja) * | 2018-06-27 | 2022-04-19 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化ルテニウム粉末の乾燥方法 |
JP7251068B2 (ja) * | 2018-07-31 | 2023-04-04 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗体用組成物、厚膜抵抗体用ペースト、及び厚膜抵抗体 |
JP7124645B2 (ja) * | 2018-10-31 | 2022-08-24 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化ルテニウム粉の製造方法及び酸化ルテニウム粉、並びに酸化ルテニウム粉を有する厚膜抵抗ペースト |
KR102230597B1 (ko) * | 2019-04-29 | 2021-03-22 | 강릉원주대학교산학협력단 | 이산화루테늄 및 이의 제조방법 |
CN110085346B (zh) * | 2019-04-30 | 2021-04-30 | 东莞珂洛赫慕电子材料科技有限公司 | 一种适配氮化硅基材的发热电阻浆料及其制备方法和应用 |
JPWO2021221174A1 (ja) * | 2020-05-01 | 2021-11-04 | ||
CN112010558B (zh) * | 2020-09-03 | 2022-09-27 | 山东华菱电子股份有限公司 | 无铅硅酸盐玻璃釉原料组成物、无铅硅酸盐玻璃釉及其应用 |
CN114105228B (zh) * | 2021-11-25 | 2022-08-19 | 西北有色金属研究院 | 一种厚膜电阻用氧化钌的制备方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5252933A (en) * | 1975-10-24 | 1977-04-28 | Shoei Kagaku Kogyo Kk | Ressiting coating containing rutile ruthenium oxide |
JPS57205462A (en) * | 1981-06-12 | 1982-12-16 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | Resistance paint |
JPS5950032A (ja) * | 1982-09-17 | 1984-03-22 | Shoei Kagaku Kogyo Kk | 二酸化ルテニウム粉末の製造方法 |
JPH01282457A (ja) * | 1988-05-09 | 1989-11-14 | Terumo Corp | 酵素センサ |
JP2605875B2 (ja) * | 1989-07-10 | 1997-04-30 | 富士ゼロックス株式会社 | 抵抗体膜およびその形成方法 |
EP0628974A2 (en) * | 1993-06-07 | 1994-12-14 | E.I. Du Pont De Nemours & Company Incorporated | Thick film resistor composition |
JPH113801A (ja) * | 1997-06-11 | 1999-01-06 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 厚膜抵抗ペーストおよびその製造方法 |
US6290880B1 (en) | 1999-12-01 | 2001-09-18 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Electrically conducting ruthenium dioxide-aerogel composite |
JP2005235754A (ja) * | 2004-01-20 | 2005-09-02 | Tdk Corp | 導電性材料及びその製造方法、抵抗体ペースト、抵抗体、電子部品 |
JP4285315B2 (ja) | 2004-04-22 | 2009-06-24 | 住友金属鉱山株式会社 | Ru−M−O微粉末、その製造方法、及びそれらを用いた厚膜抵抗体組成物 |
JP4466402B2 (ja) * | 2005-02-17 | 2010-05-26 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜導体形成用組成物 |
JP4692028B2 (ja) | 2005-03-09 | 2011-06-01 | 住友金属鉱山株式会社 | Ru−Mn−O微粉末、その製造方法、及びそれを用いた厚膜抵抗体組成物 |
US8628695B2 (en) * | 2008-04-18 | 2014-01-14 | E I Du Pont De Nemours And Company | Surface-modified ruthenium oxide conductive material, lead-free glass(es), thick film resistor paste(s), and devices made therefrom |
JP5045615B2 (ja) * | 2008-08-27 | 2012-10-10 | 住友金属鉱山株式会社 | 導電粉及びその製造方法 |
JP5465915B2 (ja) * | 2009-04-16 | 2014-04-09 | 国立大学法人信州大学 | 薄膜導電膜の形成方法 |
-
2012
- 2012-06-15 CN CN201280013181.0A patent/CN103429537B/zh active Active
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-
2015
- 2015-10-28 JP JP2015211657A patent/JP6079851B2/ja active Active
-
2017
- 2017-01-18 JP JP2017006494A patent/JP6256636B2/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10632722B2 (en) | 2016-10-06 | 2020-04-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Composite material, method of forming the same, and apparatus including composite material |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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