JPH113801A - 厚膜抵抗ペーストおよびその製造方法 - Google Patents
厚膜抵抗ペーストおよびその製造方法Info
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- JPH113801A JPH113801A JP9169518A JP16951897A JPH113801A JP H113801 A JPH113801 A JP H113801A JP 9169518 A JP9169518 A JP 9169518A JP 16951897 A JP16951897 A JP 16951897A JP H113801 A JPH113801 A JP H113801A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型で耐高電圧性に優れた抵抗器用の厚膜抵
抗ペーストおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 ルテニウム酸鉛含有ガラスフリットと有
機ビヒクルからなる厚膜抵抗ペーストにおいて、ルテニ
ウム酸鉛含有ガラスフリットが、二酸化ルテニウム１〜
４０重量％、酸化ケイ素１０〜３０重量％、酸化アルミ
ニウム１〜１５重量％、残部酸化鉛を含有してなり、か
つルテニウム酸鉛含有ガラスフリット中のルテニウム酸
鉛の結晶子系が４００オングストローム以下である厚膜
抵抗ペーストを特徴とするとともに、ルテニウム酸鉛含
有ガラスフリットと有機ビヒクルからなる厚膜抵抗ペー
ストの製造方法において、ルテニウム酸鉛含有ガラスフ
リットとして、結晶子径が２０オングストローム以下の
二酸化ルテニウムとアルミノケイ酸鉛系ガラスフリット
原料粉末の混合物を８００〜９００℃で溶融、冷却、粉
砕したものを使用することを特徴とする。
抗ペーストおよびその製造方法を提供する。 【解決手段】 ルテニウム酸鉛含有ガラスフリットと有
機ビヒクルからなる厚膜抵抗ペーストにおいて、ルテニ
ウム酸鉛含有ガラスフリットが、二酸化ルテニウム１〜
４０重量％、酸化ケイ素１０〜３０重量％、酸化アルミ
ニウム１〜１５重量％、残部酸化鉛を含有してなり、か
つルテニウム酸鉛含有ガラスフリット中のルテニウム酸
鉛の結晶子系が４００オングストローム以下である厚膜
抵抗ペーストを特徴とするとともに、ルテニウム酸鉛含
有ガラスフリットと有機ビヒクルからなる厚膜抵抗ペー
ストの製造方法において、ルテニウム酸鉛含有ガラスフ
リットとして、結晶子径が２０オングストローム以下の
二酸化ルテニウムとアルミノケイ酸鉛系ガラスフリット
原料粉末の混合物を８００〜９００℃で溶融、冷却、粉
砕したものを使用することを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ルテニウム酸鉛を
含有する、特に耐高電圧性に優れた抵抗体用の厚膜抵抗
ペーストおよびその製造方法に関するものである。
含有する、特に耐高電圧性に優れた抵抗体用の厚膜抵抗
ペーストおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】厚膜抵抗体は、通常導電性粉末とガラス
粉末とを有機ビヒクルに分散させてペースト状とし、絶
縁基板上に所定のパターンで印刷した後、焼成して製造
される。しかしながら、フォーカスブロックや電子銃と
いった高圧用に使用する場合、導電性粉末とガラス粉末
を混合し、有機ビヒクルに分散させるこの方法では、抵
抗膜中の導電物粒子の均一性が十分ではなく、耐高電圧
性および初期抵抗値の安定性の点で満足の行くものが得
られなかった。
粉末とを有機ビヒクルに分散させてペースト状とし、絶
縁基板上に所定のパターンで印刷した後、焼成して製造
される。しかしながら、フォーカスブロックや電子銃と
いった高圧用に使用する場合、導電性粉末とガラス粉末
を混合し、有機ビヒクルに分散させるこの方法では、抵
抗膜中の導電物粒子の均一性が十分ではなく、耐高電圧
性および初期抵抗値の安定性の点で満足の行くものが得
られなかった。
【０００３】この問題を解決するために、抵抗膜中の導
電物粒子の分散性を向上させる試みがなされており、例
えば特公昭５６−２８３６３号公報では、二酸化ルテニ
ウムとガラスフリット原料粉末の混合物を溶融、冷却、
粉砕して得られるルテニウム酸鉛含有ガラスフリットを
使用することによって導電成分を均一に分散させる方法
が開示されている。この方法では、ルテニウム酸鉛を、
二酸化ルテニウムとガラスフリット原料粉末との反応に
よって得るものであるため、非常に微細なルテニウム酸
鉛の粒子を抵抗膜中に均一に分散させることができ、非
常に高い次元で初期抵抗値の安定性と耐高電圧性を実現
できるものである。
電物粒子の分散性を向上させる試みがなされており、例
えば特公昭５６−２８３６３号公報では、二酸化ルテニ
ウムとガラスフリット原料粉末の混合物を溶融、冷却、
粉砕して得られるルテニウム酸鉛含有ガラスフリットを
使用することによって導電成分を均一に分散させる方法
が開示されている。この方法では、ルテニウム酸鉛を、
二酸化ルテニウムとガラスフリット原料粉末との反応に
よって得るものであるため、非常に微細なルテニウム酸
鉛の粒子を抵抗膜中に均一に分散させることができ、非
常に高い次元で初期抵抗値の安定性と耐高電圧性を実現
できるものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら近年電子
機器の小型化、高密度化の要求が急速に高まってきてお
り、それに伴う各種電子部品の小型化、高密度化が図ら
れるようになってきた。高圧用の抵抗器についても例外
ではなく、より小型で耐高電圧性のさらに優れたものが
求められている。この要求に答えるためには前記した特
公昭５６−２８３６３号公報に提案された条件では実現
困難となってきた。特に、耐高電圧性に優れた抵抗器と
して電流雑音が−８ｄＢ以下のものが求められつつある
が、そのようなものはこれまで得られていなかった。な
お、電流雑音の小さいものは耐高電圧性が高いという関
係が既に知られているので、耐高電圧性の目安として電
流雑音の程度を用いることができる。
機器の小型化、高密度化の要求が急速に高まってきてお
り、それに伴う各種電子部品の小型化、高密度化が図ら
れるようになってきた。高圧用の抵抗器についても例外
ではなく、より小型で耐高電圧性のさらに優れたものが
求められている。この要求に答えるためには前記した特
公昭５６−２８３６３号公報に提案された条件では実現
困難となってきた。特に、耐高電圧性に優れた抵抗器と
して電流雑音が−８ｄＢ以下のものが求められつつある
が、そのようなものはこれまで得られていなかった。な
お、電流雑音の小さいものは耐高電圧性が高いという関
係が既に知られているので、耐高電圧性の目安として電
流雑音の程度を用いることができる。
【０００５】本発明の目的は、小型で耐高電圧性に優れ
た抵抗器用の厚膜抵抗ペーストおよびその製造方法を提
供することにある。
た抵抗器用の厚膜抵抗ペーストおよびその製造方法を提
供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、この課題を
解決すべく種々研究を行った結果、二酸化ルテニウムと
ガラスフリッ卜原料粉末の混合物を溶融、冷却、粉砕し
て得られたルテニウム酸鉛含有ガラスフリット中のルテ
ニウム酸鉛の結晶子径と耐高電圧性の関係を見出し、ル
テニウム酸鉛の結晶子径を制御することによって、従来
よりも耐高電圧性に優れた厚膜抵抗ペーストが得られる
ことを見出し、本発明を完成するに至った。
解決すべく種々研究を行った結果、二酸化ルテニウムと
ガラスフリッ卜原料粉末の混合物を溶融、冷却、粉砕し
て得られたルテニウム酸鉛含有ガラスフリット中のルテ
ニウム酸鉛の結晶子径と耐高電圧性の関係を見出し、ル
テニウム酸鉛の結晶子径を制御することによって、従来
よりも耐高電圧性に優れた厚膜抵抗ペーストが得られる
ことを見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】したがって上記課題を達成するため本発明
の第１の実施態様は、ルテニウム酸鉛含有ガラスフリッ
トと有機ビヒクルからなる厚膜抵抗ペーストにおいて、
ルテニウム酸鉛含有ガラスフリットが、二酸化ルテニウ
ム１〜４０重量％、酸化ケイ素１０〜３０重量％、酸化
アルミニウム１〜１５重量％、残部、すなわち４０〜８
５重量％の酸化鉛を含有してなり、かつルテニウム酸鉛
含有ガラスフリット中のルテニウム酸鉛の結晶子系が４
００オングストローム以下である厚膜抵抗ペーストを特
徴とするものである。
の第１の実施態様は、ルテニウム酸鉛含有ガラスフリッ
トと有機ビヒクルからなる厚膜抵抗ペーストにおいて、
ルテニウム酸鉛含有ガラスフリットが、二酸化ルテニウ
ム１〜４０重量％、酸化ケイ素１０〜３０重量％、酸化
アルミニウム１〜１５重量％、残部、すなわち４０〜８
５重量％の酸化鉛を含有してなり、かつルテニウム酸鉛
含有ガラスフリット中のルテニウム酸鉛の結晶子系が４
００オングストローム以下である厚膜抵抗ペーストを特
徴とするものである。
【０００８】また本発明の第２の実施態様は、ルテニウ
ム酸鉛含有ガラスフリットと有機ビヒクルからなる厚膜
抵抗ペーストの製造方法において、ルテニウム酸鉛含有
ガラスフリットとして、結晶子径が２０オングストロー
ム以下の二酸化ルテニウムとアルミノケイ酸鉛系ガラス
フリット原料粉末の混合物を８００〜９００℃で溶融、
冷却、粉砕したものを使用する厚膜抵抗ペーストの製造
方法を特徴とするものである。
ム酸鉛含有ガラスフリットと有機ビヒクルからなる厚膜
抵抗ペーストの製造方法において、ルテニウム酸鉛含有
ガラスフリットとして、結晶子径が２０オングストロー
ム以下の二酸化ルテニウムとアルミノケイ酸鉛系ガラス
フリット原料粉末の混合物を８００〜９００℃で溶融、
冷却、粉砕したものを使用する厚膜抵抗ペーストの製造
方法を特徴とするものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明において、二酸化ルテニウ
ムとアルミノケイ酸鉛系ガラスフリット原料粉末の混合
物を８００〜９００℃で溶融、冷却、粉砕して得られた
導電性結晶物含有ガラスは、ガラスマトリックス中にル
テニウム酸鉛が均一に分散した構造であり、このルテニ
ウム酸鉛は、二酸化ルテニウムとアルミノケイ酸鉛系ガ
ラスフリット原料粉末の化学反応によって得られたもの
である。
ムとアルミノケイ酸鉛系ガラスフリット原料粉末の混合
物を８００〜９００℃で溶融、冷却、粉砕して得られた
導電性結晶物含有ガラスは、ガラスマトリックス中にル
テニウム酸鉛が均一に分散した構造であり、このルテニ
ウム酸鉛は、二酸化ルテニウムとアルミノケイ酸鉛系ガ
ラスフリット原料粉末の化学反応によって得られたもの
である。
【００１０】耐高電圧性は、ルテニウム酸鉛系ガラスフ
リット中のルテニウム酸鉛の結晶子径が小さいほど良好
になる傾向があり、良好な耐高圧性を得るためには４０
０オングストローム以下である必要がある。
リット中のルテニウム酸鉛の結晶子径が小さいほど良好
になる傾向があり、良好な耐高圧性を得るためには４０
０オングストローム以下である必要がある。
【００１１】また、ルテニウム酸鉛の結晶子径を４００
オングストローム以下にするためには、二酸化ルテニウ
ムの結晶子径、溶融温度を考慮する必要がある。すなわ
ち、本発明において二酸化ルテニウムの結晶子径を２０
オングストローム以下としたのは、２０オングストロー
ムを超えると溶融温度を制御しても生成するルテニウム
酸鉛の結晶子径が４００オングストロームを超えてしま
い、その結果耐高電圧性が低下してしまうからである。
なお、ルテニウム酸鉛の結晶子径および二酸化ルテニウ
ムの結晶子径は小さい程好ましいが、現在の技術水準か
らは前者については２５０オングストローム程度が下限
となるであろう。また後者については約１６オングスト
ローム以下は結晶子径の測定ができないため不明であ
る。
オングストローム以下にするためには、二酸化ルテニウ
ムの結晶子径、溶融温度を考慮する必要がある。すなわ
ち、本発明において二酸化ルテニウムの結晶子径を２０
オングストローム以下としたのは、２０オングストロー
ムを超えると溶融温度を制御しても生成するルテニウム
酸鉛の結晶子径が４００オングストロームを超えてしま
い、その結果耐高電圧性が低下してしまうからである。
なお、ルテニウム酸鉛の結晶子径および二酸化ルテニウ
ムの結晶子径は小さい程好ましいが、現在の技術水準か
らは前者については２５０オングストローム程度が下限
となるであろう。また後者については約１６オングスト
ローム以下は結晶子径の測定ができないため不明であ
る。
【００１２】また溶融温度は８００〜９００℃の範囲と
する必要があり、８００℃より低い温度ではルテニウム
酸鉛の生成反応が十分に進行せず、一方９００℃を超え
ると生成したルテニウム酸鉛の結晶子径が４００オング
ストロームを超えてしまうからである。
する必要があり、８００℃より低い温度ではルテニウム
酸鉛の生成反応が十分に進行せず、一方９００℃を超え
ると生成したルテニウム酸鉛の結晶子径が４００オング
ストロームを超えてしまうからである。
【００１３】さらに溶融時間は３０分間以上保持すれば
よく、反応状態とガラス成分の蒸発などを考慮して２時
間程度が好ましいが、経済性を考慮すると２時間以上溶
融する必要はない。溶融後の冷却方法は、溶融物を自然
冷却してもよいし、水中に投入して急冷してもよいが、
急冷した方が後工程での破砕が容易に行えるので好都合
である。
よく、反応状態とガラス成分の蒸発などを考慮して２時
間程度が好ましいが、経済性を考慮すると２時間以上溶
融する必要はない。溶融後の冷却方法は、溶融物を自然
冷却してもよいし、水中に投入して急冷してもよいが、
急冷した方が後工程での破砕が容易に行えるので好都合
である。
【００１４】また溶融に供する二酸化ルテニウムとガラ
スフリット原料粉末からなるルテニウム酸含有ガラスフ
リットの組成割合は、二酸化ルテニウム１〜４０重量
％、酸化鉛４０〜８５重量％、酸化ケイ素１０〜３０重
量％、酸化アルミニウム１〜１５重量％とする必要があ
り、一般のガラス中に含有されるＭｇＯ、ＣａＯ、Ｂａ
Ｏ、Ｂ２Ｏ３、ＳｒＯ、ＣｄＯ、ＳｎＯ、Ｂｉ２Ｏ３な
どを５重量％以下含有させてもよい。
スフリット原料粉末からなるルテニウム酸含有ガラスフ
リットの組成割合は、二酸化ルテニウム１〜４０重量
％、酸化鉛４０〜８５重量％、酸化ケイ素１０〜３０重
量％、酸化アルミニウム１〜１５重量％とする必要があ
り、一般のガラス中に含有されるＭｇＯ、ＣａＯ、Ｂａ
Ｏ、Ｂ２Ｏ３、ＳｒＯ、ＣｄＯ、ＳｎＯ、Ｂｉ２Ｏ３な
どを５重量％以下含有させてもよい。
【００１５】二酸化ルテニウムの割合を１〜４０重量％
としたのは、１重量％未満では得られた抵抗体の抵抗値
が高すぎ、また４０重量％を超えるとガラス量が少なす
ぎて強度が弱くなってガラスとしての役割を果たさない
からである。
としたのは、１重量％未満では得られた抵抗体の抵抗値
が高すぎ、また４０重量％を超えるとガラス量が少なす
ぎて強度が弱くなってガラスとしての役割を果たさない
からである。
【００１６】さらに酸化鉛の割合を４０〜８５重量％と
したのは、４０重量％未満ではガラスの軟化点が高くな
りすぎて８００〜９００℃の温度では溶融しなくなるか
らであり、一方８５重量％を超えると安定なガラスが得
られないからである。
したのは、４０重量％未満ではガラスの軟化点が高くな
りすぎて８００〜９００℃の温度では溶融しなくなるか
らであり、一方８５重量％を超えると安定なガラスが得
られないからである。
【００１７】そして酸化ケイ素の割合を１０〜３０重量
％としたのは、１０重量％未満では溶融してもガラス質
が得られず、３０重量％を超えるとガラスの軟化点が高
くなりすぎるからであり、また酸化アルミニウムの割合
を１〜１５重量％としたのは、１重量％未満ではガラス
の耐湿性や化学的安定性が悪くなり、一方１５重量％を
超えるとガラスを結晶化しやすく不安定になるからであ
る。
％としたのは、１０重量％未満では溶融してもガラス質
が得られず、３０重量％を超えるとガラスの軟化点が高
くなりすぎるからであり、また酸化アルミニウムの割合
を１〜１５重量％としたのは、１重量％未満ではガラス
の耐湿性や化学的安定性が悪くなり、一方１５重量％を
超えるとガラスを結晶化しやすく不安定になるからであ
る。
【００１８】二酸化ルテニウム、酸化鉛、酸化ケイ素、
酸化アルミニウム以外の一般のガラス中に含有されるＭ
ｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｂ２Ｏ３、ＳｒＯ、ＣｄＯ、Ｓ
ｎＯ、Ｂｉ２Ｏ３などは添加しなくても差し支えなく、
添加してもそれらの合計が５重量％以下であれば、本発
明において述べる抵抗体の特性に悪影響を与えることは
ない。
酸化アルミニウム以外の一般のガラス中に含有されるＭ
ｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ、Ｂ２Ｏ３、ＳｒＯ、ＣｄＯ、Ｓ
ｎＯ、Ｂｉ２Ｏ３などは添加しなくても差し支えなく、
添加してもそれらの合計が５重量％以下であれば、本発
明において述べる抵抗体の特性に悪影響を与えることは
ない。
【００１９】なお、本発明で製造されたルテニウム酸鉛
を含有する微粉砕されたガラスフリットを用いて厚膜抵
抗ペーストを製造するに際し、面積抵抗値および抵抗の
温度係数（ＴＣＲ）を調整する必要がある場合には、一
般に用いられている添加剤、例えば酸化ニオブ、酸化マ
ンガン、酸化チタンなどを使用することができる。
を含有する微粉砕されたガラスフリットを用いて厚膜抵
抗ペーストを製造するに際し、面積抵抗値および抵抗の
温度係数（ＴＣＲ）を調整する必要がある場合には、一
般に用いられている添加剤、例えば酸化ニオブ、酸化マ
ンガン、酸化チタンなどを使用することができる。
【００２０】また本発明において用いられる有機ビヒク
ルとしては、公知のものが使用可能であり。例えばセル
ロース系もしくはアクリル系の樹脂をターピネオールな
どの溶剤に溶かしたしたものを使用することができる。
ルとしては、公知のものが使用可能であり。例えばセル
ロース系もしくはアクリル系の樹脂をターピネオールな
どの溶剤に溶かしたしたものを使用することができる。
【００２１】
【実施例】以下に本発明の実施例を、比較例とともに説
明する。下記する表１に示す各種の結晶子径の二酸化ル
テニウム８重量％、酸化鉛６１重量％、酸化ケイ素２５
重量％、酸化アルミニウム３重量％、酸化ホウ素１．５
重量％、酸化カルシウム１．５重量％を混合して原料粉
末を調製した。
明する。下記する表１に示す各種の結晶子径の二酸化ル
テニウム８重量％、酸化鉛６１重量％、酸化ケイ素２５
重量％、酸化アルミニウム３重量％、酸化ホウ素１．５
重量％、酸化カルシウム１．５重量％を混合して原料粉
末を調製した。
【００２２】得られた原料粉末を表１に示すように７５
０〜１０００℃の範囲で温度を変えて溶融して２時間保
持した後、水中に投入して冷却後ボールミルにより微粉
砕し、導電物含有ガラスフリットを調製した。
０〜１０００℃の範囲で温度を変えて溶融して２時間保
持した後、水中に投入して冷却後ボールミルにより微粉
砕し、導電物含有ガラスフリットを調製した。
【００２３】これをＸ線回折により同定し、生成したル
テニウム酸鉛の結晶子径を算出してこれを表１に併せて
示す。次にこの導電物含有ガラスフリット７０重量部に
エチルセルロースとターピネオールを主成分とする有機
ビヒクル３０重量部を加え、ロールミルで粉砕、混練し
て厚膜抵抗ペーストを製造した。
テニウム酸鉛の結晶子径を算出してこれを表１に併せて
示す。次にこの導電物含有ガラスフリット７０重量部に
エチルセルロースとターピネオールを主成分とする有機
ビヒクル３０重量部を加え、ロールミルで粉砕、混練し
て厚膜抵抗ペーストを製造した。
【００２４】金電極を配置した９６％アルミナ基板上
に、このペーストを１．０×１．０ｍｍの形状に焼成し
膜厚が４０〜４５μｍ程度になるように印刷した。抵抗
体２５個分を印刷、乾燥した後、８５０℃で焼成して抵
抗体を作製し、面積抵抗値、ＴＣＲ、電流雑音を測定
し、その結果も表１に示す。
に、このペーストを１．０×１．０ｍｍの形状に焼成し
膜厚が４０〜４５μｍ程度になるように印刷した。抵抗
体２５個分を印刷、乾燥した後、８５０℃で焼成して抵
抗体を作製し、面積抵抗値、ＴＣＲ、電流雑音を測定
し、その結果も表１に示す。
【００２５】
【表１】
【００２６】表１より分かる通り、本発明の実施例の厚
膜抵抗ぺーストを用いた抵抗体は、全て電流雑音が−１
０ｄＢ以下と優れた耐高電圧性を示したが、比較例の厚
膜抵抗ペーストを用いた抵抗体は、全て−８ｄＢ以上の
電流雑音であり耐高電圧性が劣っていることが分かる。
膜抵抗ぺーストを用いた抵抗体は、全て電流雑音が−１
０ｄＢ以下と優れた耐高電圧性を示したが、比較例の厚
膜抵抗ペーストを用いた抵抗体は、全て−８ｄＢ以上の
電流雑音であり耐高電圧性が劣っていることが分かる。
【００２７】
【発明の効果】以上のように本発明に係る厚膜抵抗ペー
ストは、従来品に比べ耐高電圧性に優れており、したが
ってより厳しい条件での使用が要求される抵抗器の抵抗
体の製造に多大な効果を奏する。
ストは、従来品に比べ耐高電圧性に優れており、したが
ってより厳しい条件での使用が要求される抵抗器の抵抗
体の製造に多大な効果を奏する。
Claims (2)
- 【請求項１】 ルテニウム酸鉛含有ガラスフリットと有
機ビヒクルからなる厚膜抵抗ペーストにおいて、ルテニ
ウム酸鉛含有ガラスフリットが、二酸化ルテニウム１〜
４０重量％、酸化ケイ素１０〜３０重量％、酸化アルミ
ニウム１〜１５重量％、残部酸化鉛を含有してなり、か
つルテニウム酸鉛含有ガラスフリット中のルテニウム酸
鉛の結晶子系が４００オングストローム以下であること
を特徴とする厚膜抵抗ペースト。 - 【請求項２】 ルテニウム酸鉛含有ガラスフリットと有
機ビヒクルからなる厚膜抵抗ペーストの製造方法におい
て、ルテニウム酸鉛含有ガラスフリットとして、結晶子
径が２０オングストローム以下の二酸化ルテニウムとア
ルミノケイ酸鉛系ガラスフリット原料粉末の混合物を８
００〜９００℃で溶融、冷却、粉砕したものを使用する
ことを特徴とする厚膜抵抗ペーストの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9169518A JPH113801A (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | 厚膜抵抗ペーストおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9169518A JPH113801A (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | 厚膜抵抗ペーストおよびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH113801A true JPH113801A (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=15887999
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9169518A Pending JPH113801A (ja) | 1997-06-11 | 1997-06-11 | 厚膜抵抗ペーストおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH113801A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5720789A (en) * | 1980-07-12 | 1982-02-03 | Toyama Gatsuki Seizou Kk | Connector for synthetic resin flute |
| US8133413B2 (en) | 2008-04-18 | 2012-03-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Resistor compositions using a Cu-containing glass frit |
| WO2012176696A1 (ja) * | 2011-06-21 | 2012-12-27 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化ルテニウム粉末、それを用いた厚膜抵抗体用組成物および厚膜抵抗体 |
| CN107731340A (zh) * | 2017-08-31 | 2018-02-23 | 潮州三环（集团）股份有限公司 | 一种厚膜电阻浆料用导电相材料 |
-
1997
- 1997-06-11 JP JP9169518A patent/JPH113801A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5720789A (en) * | 1980-07-12 | 1982-02-03 | Toyama Gatsuki Seizou Kk | Connector for synthetic resin flute |
| JPS6060065B2 (ja) * | 1980-07-12 | 1985-12-27 | トヤマ楽器製造株式会社 | 合成樹脂製笛の接続装置 |
| US8133413B2 (en) | 2008-04-18 | 2012-03-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Resistor compositions using a Cu-containing glass frit |
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| JP2016074593A (ja) * | 2011-06-21 | 2016-05-12 | 住友金属鉱山株式会社 | 酸化ルテニウム粉末の製造方法 |
| CN107731340A (zh) * | 2017-08-31 | 2018-02-23 | 潮州三环（集团）股份有限公司 | 一种厚膜电阻浆料用导电相材料 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040611 |