JPH06140214A - 厚膜抵抗体ペーストの製造方法および厚膜抵抗体の形成方法 - Google Patents
厚膜抵抗体ペーストの製造方法および厚膜抵抗体の形成方法Info
- Publication number
- JPH06140214A JPH06140214A JP4307825A JP30782592A JPH06140214A JP H06140214 A JPH06140214 A JP H06140214A JP 4307825 A JP4307825 A JP 4307825A JP 30782592 A JP30782592 A JP 30782592A JP H06140214 A JPH06140214 A JP H06140214A
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- JP
- Japan
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- thick film
- film resistor
- paste
- forming
- temperature
- Prior art date
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- Pending
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 絶縁体基板、ガラス基板上にＴＣＲ絶対値の
小さな抵抗体を形成できる厚膜抵抗体ペースト製造方法
と厚膜抵抗体形成方法を提供する。 【構成】 種々の無機酸化物の抵抗値温度係数調整剤と
導電物、４００〜６００℃に軟化点のある非導電性ガラ
スからなる混合物を７００〜１０００℃で熔融、冷却、
粉砕後、ビヒクルと混合混練する。および該ペーストを
絶縁基板に塗布後、５００〜７００℃で焼成する。
小さな抵抗体を形成できる厚膜抵抗体ペースト製造方法
と厚膜抵抗体形成方法を提供する。 【構成】 種々の無機酸化物の抵抗値温度係数調整剤と
導電物、４００〜６００℃に軟化点のある非導電性ガラ
スからなる混合物を７００〜１０００℃で熔融、冷却、
粉砕後、ビヒクルと混合混練する。および該ペーストを
絶縁基板に塗布後、５００〜７００℃で焼成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は新規な厚膜抵抗体ペース
トの製造方法および厚膜抵抗体の形成方法に関し、さら
に詳しくは絶縁基板特にＡＩＮまたはガラス基板上に抵
抗値温度係数（ＴＣＲ）絶対値の小さな抵抗体を形成す
るのに有効な厚膜抵抗体ペーストの製造方法および厚膜
抵抗体の形成方法に関する。
トの製造方法および厚膜抵抗体の形成方法に関し、さら
に詳しくは絶縁基板特にＡＩＮまたはガラス基板上に抵
抗値温度係数（ＴＣＲ）絶対値の小さな抵抗体を形成す
るのに有効な厚膜抵抗体ペーストの製造方法および厚膜
抵抗体の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】厚膜抵抗体組成物はＲｕＯ2 等の導電性
微粉末と非導電性ガラス粉末とを有機ビヒクルとともに
混練したペーストで、スクリーン印刷等によって絶縁基
板上に塗布し、所要の温度で焼成することにより絶縁基
板上に抵抗体被膜を形成でき種々の電子材料用として有
用である。従来の厚膜抵抗体ペーストの焼成温度は７０
０〜９００℃であった。本発明者は先に軟化点が４００
〜６００℃である非導電性ガラスを用い、５００〜７０
０℃の温度で焼成することを特徴とする厚膜抵抗体組成
物および厚膜抵抗体形成方法を出願している（特願平３
−１４０６１７号）。しかしながら、この場合ＭｎＯ
2 ，ＣｕＯ，Ｎｂ2 Ｏ5 等の無機酸化物ＴＣＲ調整剤を
添加しても焼成温度が５００〜７００℃と低いためその
効果は小さく、ＴＣＲ絶対値を小さくできないという問
題点があった。
微粉末と非導電性ガラス粉末とを有機ビヒクルとともに
混練したペーストで、スクリーン印刷等によって絶縁基
板上に塗布し、所要の温度で焼成することにより絶縁基
板上に抵抗体被膜を形成でき種々の電子材料用として有
用である。従来の厚膜抵抗体ペーストの焼成温度は７０
０〜９００℃であった。本発明者は先に軟化点が４００
〜６００℃である非導電性ガラスを用い、５００〜７０
０℃の温度で焼成することを特徴とする厚膜抵抗体組成
物および厚膜抵抗体形成方法を出願している（特願平３
−１４０６１７号）。しかしながら、この場合ＭｎＯ
2 ，ＣｕＯ，Ｎｂ2 Ｏ5 等の無機酸化物ＴＣＲ調整剤を
添加しても焼成温度が５００〜７００℃と低いためその
効果は小さく、ＴＣＲ絶対値を小さくできないという問
題点があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的とすると
ころは、上記問題点を解消し、絶縁基板特にＡＩＮまた
はガラス基板上にＴＣＲ絶対値の小さな抵抗体を形成す
るための厚膜抵抗体ペーストの製造方法および厚膜抵抗
体の形成方法を提供することである。
ころは、上記問題点を解消し、絶縁基板特にＡＩＮまた
はガラス基板上にＴＣＲ絶対値の小さな抵抗体を形成す
るための厚膜抵抗体ペーストの製造方法および厚膜抵抗
体の形成方法を提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明はＭｎＯ2 ，ＣｕＯ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，Ｓｂ2Ｏ3
，ＳｎＯ2 ，ＴｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，Ｔａ2
Ｏ5 ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｃｏ2 Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 ，Ｖ2 Ｏ5
の無機酸化物ＴＣＲ調整剤のうち少なくとも一つと、
導電物および軟化点が４００〜６００℃である非導電性
ガラスからなる混合物をあらかじめ７００〜１０００℃
で溶融、冷却、粉砕した後有機ビヒクルと混合、混練す
ることに特徴を有し、さらに上記厚膜抵抗体ペーストを
絶縁基板に塗布した後５００〜７００℃の温度で焼成す
ることに特徴を有する。
に、本発明はＭｎＯ2 ，ＣｕＯ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，Ｓｂ2Ｏ3
，ＳｎＯ2 ，ＴｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，Ｔａ2
Ｏ5 ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｃｏ2 Ｏ3 ，Ｃｒ2 Ｏ3 ，Ｖ2 Ｏ5
の無機酸化物ＴＣＲ調整剤のうち少なくとも一つと、
導電物および軟化点が４００〜６００℃である非導電性
ガラスからなる混合物をあらかじめ７００〜１０００℃
で溶融、冷却、粉砕した後有機ビヒクルと混合、混練す
ることに特徴を有し、さらに上記厚膜抵抗体ペーストを
絶縁基板に塗布した後５００〜７００℃の温度で焼成す
ることに特徴を有する。
【０００５】
【作用】該無機酸化物ＴＣＲ調整剤としてはＭｎＯ2 ，
ＣｕＯ，Ｎｂ2 Ｏ5 等が挙げられ、その粒径は１０μｍ
以下、望ましくは５μｍ以下が好適である。該導電物と
しては酸化ルテニウム、ルテニウム酸鉛、ルテニウム酸
ビスマス等を挙げることができ、粒径は１μｍ以下、望
ましくは０．２μｍ以下のものが好ましい。該非導電性
ガラスとしてはＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ
3 系のものが好適であり、該軟化点が４００℃未満とな
ると該厚膜抵抗ペーストを焼成したとき、パターンのく
ずれを起こす。また６００℃を越えると、形成された該
厚膜抵抗体がもろくなり機械的強度が劣るので良くな
い。該非導電性ガラス粉末の粒径は１０μｍ以下、望ま
しくは５μｍ以下が好適である。
ＣｕＯ，Ｎｂ2 Ｏ5 等が挙げられ、その粒径は１０μｍ
以下、望ましくは５μｍ以下が好適である。該導電物と
しては酸化ルテニウム、ルテニウム酸鉛、ルテニウム酸
ビスマス等を挙げることができ、粒径は１μｍ以下、望
ましくは０．２μｍ以下のものが好ましい。該非導電性
ガラスとしてはＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3 −Ａｌ2 Ｏ
3 系のものが好適であり、該軟化点が４００℃未満とな
ると該厚膜抵抗ペーストを焼成したとき、パターンのく
ずれを起こす。また６００℃を越えると、形成された該
厚膜抵抗体がもろくなり機械的強度が劣るので良くな
い。該非導電性ガラス粉末の粒径は１０μｍ以下、望ま
しくは５μｍ以下が好適である。
【０００６】これらの材料を混合し、あらかじめ７００
〜１０００℃の温度で溶融した後溶融状態のまま水中に
流し込むかあるいは自然冷却するなどして冷却しボール
ミル等の粉砕装置で微粉砕する必要がある。あらかじめ
ＴＣＲ調整剤とともに溶融しないと抵抗体のＴＣＲ絶対
値を小さくできない。該溶融温度が７００℃未満となる
とＴＣＲ調整剤の効果が小さくＴＣＲ絶対値が小さくな
らない。また１０００℃を越えると導電物の粒成長や分
解が起こるので良くない。粉砕後の粒径は１０μｍ以
下、望ましくは５μｍ以下が好適である。該粉砕粉末と
有機ビヒクルを混合、混練し厚膜抵抗体ペーストとす
る。該有機ビヒクルはエチルセルロース等をターピネオ
ールやブチルカルビトール等に溶解したものを用いれば
良い。
〜１０００℃の温度で溶融した後溶融状態のまま水中に
流し込むかあるいは自然冷却するなどして冷却しボール
ミル等の粉砕装置で微粉砕する必要がある。あらかじめ
ＴＣＲ調整剤とともに溶融しないと抵抗体のＴＣＲ絶対
値を小さくできない。該溶融温度が７００℃未満となる
とＴＣＲ調整剤の効果が小さくＴＣＲ絶対値が小さくな
らない。また１０００℃を越えると導電物の粒成長や分
解が起こるので良くない。粉砕後の粒径は１０μｍ以
下、望ましくは５μｍ以下が好適である。該粉砕粉末と
有機ビヒクルを混合、混練し厚膜抵抗体ペーストとす
る。該有機ビヒクルはエチルセルロース等をターピネオ
ールやブチルカルビトール等に溶解したものを用いれば
良い。
【０００７】該厚膜抵抗体ペーストを絶縁基板に塗布
し、５００〜７００℃の温度で焼成するのであるが、５
００℃未満でははんだ付け等の再加熱時に抵抗値が大き
く変化してしまい、７００℃を越えると電極のＡｇが抵
抗体に拡散し、ＡＩＮ基板の場合はさらに発泡が起き都
合が悪い。
し、５００〜７００℃の温度で焼成するのであるが、５
００℃未満でははんだ付け等の再加熱時に抵抗値が大き
く変化してしまい、７００℃を越えると電極のＡｇが抵
抗体に拡散し、ＡＩＮ基板の場合はさらに発泡が起き都
合が悪い。
【０００８】
【実施例】実施例 平均粒径が０．０４μｍの酸化ルテニウムまたは平均粒
径が０．０７μｍのルテニウム酸鉛と平均粒径が２μｍ
のガラス［組成：ＰｂＯ（５６ｗｔ％）−ＳｉＯ2 （３
１ｗｔ％）−Ｂ2 Ｏ3 （９ｗｔ％）−Ａｌ2 Ｏ3 （４ｗ
ｔ％）、軟化点、５５０℃］と平均粒径が３μｍのＭｎ
Ｏ2 または平均粒径が１μｍのＮｂ2 Ｏ5 を用いて、表
１の組成で混合し８５０℃に３０分間保持して溶融した
後水中に流し込み、ボールミルで粉砕して平均粒径が２
μｍの原料粉Ａ，Ｂを調整した。この原料粉ＡまたはＢ
と有機ビヒクルとをスリーロールミルで混練することに
よりペースト化して表２に示す厚膜抵抗体ペーストを得
た。あらかじめＡｇペーストを８５０℃で焼成してＡｇ
電極を形成した９６％アルミナ基板に上記厚膜抵抗体ペ
ーストをスクリーン印刷し、ピーク温度６００℃×１０
分、全長５０分のベルト炉で焼成し、長さ１ｍｍ、幅１
ｍｍ、厚さ８〜１０μｍの厚膜抵抗体を作成し、抵抗値
および−５５〜２５℃（ＣＯＬＤ）と２５〜１２５℃
（ＨＯＴ）との各ＴＣＲを測定した。それらの結果を表
２に合わせて示した。
径が０．０７μｍのルテニウム酸鉛と平均粒径が２μｍ
のガラス［組成：ＰｂＯ（５６ｗｔ％）−ＳｉＯ2 （３
１ｗｔ％）−Ｂ2 Ｏ3 （９ｗｔ％）−Ａｌ2 Ｏ3 （４ｗ
ｔ％）、軟化点、５５０℃］と平均粒径が３μｍのＭｎ
Ｏ2 または平均粒径が１μｍのＮｂ2 Ｏ5 を用いて、表
１の組成で混合し８５０℃に３０分間保持して溶融した
後水中に流し込み、ボールミルで粉砕して平均粒径が２
μｍの原料粉Ａ，Ｂを調整した。この原料粉ＡまたはＢ
と有機ビヒクルとをスリーロールミルで混練することに
よりペースト化して表２に示す厚膜抵抗体ペーストを得
た。あらかじめＡｇペーストを８５０℃で焼成してＡｇ
電極を形成した９６％アルミナ基板に上記厚膜抵抗体ペ
ーストをスクリーン印刷し、ピーク温度６００℃×１０
分、全長５０分のベルト炉で焼成し、長さ１ｍｍ、幅１
ｍｍ、厚さ８〜１０μｍの厚膜抵抗体を作成し、抵抗値
および−５５〜２５℃（ＣＯＬＤ）と２５〜１２５℃
（ＨＯＴ）との各ＴＣＲを測定した。それらの結果を表
２に合わせて示した。
【０００９】比較例 平均粒径が０．０４μｍの酸化ルテニウムまたは平均粒
径が０．０７μｍのルテニウム酸鉛と平均粒径が２μｍ
のガラス［組成：ＰｂＯ（５６ｗｔ％）−ＳｉＯ2 （３
１ｗｔ％）−Ｂ2 Ｏ3 （９ｗｔ％）−Ａｌ2 Ｏ3 （４ｗ
ｔ％）、軟化点、５５０℃］と平均粒径が３μｍのＭｎ
Ｏ2 または平均粒径が１μｍのＮｂ2 Ｏ5 と有機ビヒク
ルとを、スリーロールミルで混練することによりペース
ト化して表２に示す厚膜抵抗体ペーストを得た。実施例
と同様にして抵抗値とＴＣＲを測定し、その結果を表２
に合わせて示した。
径が０．０７μｍのルテニウム酸鉛と平均粒径が２μｍ
のガラス［組成：ＰｂＯ（５６ｗｔ％）−ＳｉＯ2 （３
１ｗｔ％）−Ｂ2 Ｏ3 （９ｗｔ％）−Ａｌ2 Ｏ3 （４ｗ
ｔ％）、軟化点、５５０℃］と平均粒径が３μｍのＭｎ
Ｏ2 または平均粒径が１μｍのＮｂ2 Ｏ5 と有機ビヒク
ルとを、スリーロールミルで混練することによりペース
ト化して表２に示す厚膜抵抗体ペーストを得た。実施例
と同様にして抵抗値とＴＣＲを測定し、その結果を表２
に合わせて示した。
【００１０】
【表１】
【００１１】
【表２】
【００１２】
【発明の効果】本発明により低温で焼成が可能でしかも
ＴＣＲ絶対値の小さな厚膜抵抗体が形成できるので、そ
の効果は極めて大きい。
ＴＣＲ絶対値の小さな厚膜抵抗体が形成できるので、そ
の効果は極めて大きい。
Claims (2)
- 【請求項１】 ＭｎＯ2 ，ＣｕＯ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，Ｓｂ2
Ｏ3 ，ＳｎＯ2 ，ＴｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2 ，Ｔ
ａ2 Ｏ5 ，Ｆｅ2 Ｏ3 ，Ｃｏ2 Ｏ3 ，Ｃｒ2Ｏ3 ，Ｖ2
Ｏ5 の無機酸化物抵抗値温度係数調整剤のうち少なくと
も一つと、導電物および軟化点が４００〜６００℃であ
る非導電性ガラスからなる混合物を７００〜１０００℃
で溶融、冷却、粉砕後有機ビヒクルと混合、混練するこ
とを特徴とする厚膜抵抗体ペーストの製造方法。 - 【請求項２】 請求項１の厚膜抵抗体ペーストを絶縁基
板に塗布した後５００〜７００℃の温度で焼成すること
を特徴とする厚膜抵抗体の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4307825A JPH06140214A (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | 厚膜抵抗体ペーストの製造方法および厚膜抵抗体の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4307825A JPH06140214A (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | 厚膜抵抗体ペーストの製造方法および厚膜抵抗体の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140214A true JPH06140214A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=17973665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4307825A Pending JPH06140214A (ja) | 1992-10-23 | 1992-10-23 | 厚膜抵抗体ペーストの製造方法および厚膜抵抗体の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06140214A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021221172A1 (ja) * | 2020-05-01 | 2021-11-04 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品 |
| WO2021221173A1 (ja) * | 2020-05-01 | 2021-11-04 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品 |
| WO2021221175A1 (ja) * | 2020-05-01 | 2021-11-04 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品 |
| WO2021221174A1 (ja) * | 2020-05-01 | 2021-11-04 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品 |
-
1992
- 1992-10-23 JP JP4307825A patent/JPH06140214A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2021221172A1 (ja) * | 2020-05-01 | 2021-11-04 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品 |
| WO2021221173A1 (ja) * | 2020-05-01 | 2021-11-04 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品 |
| WO2021221175A1 (ja) * | 2020-05-01 | 2021-11-04 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品 |
| WO2021221174A1 (ja) * | 2020-05-01 | 2021-11-04 | 住友金属鉱山株式会社 | 厚膜抵抗ペースト、厚膜抵抗体、及び電子部品 |
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