JP5832428B2 - 有機タンタル錯体化合物およびその製造方法 - Google Patents
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Description
加熱−冷却工程が不要であり高スループットが見込まれる;
液状組成物を用いることができるため低加圧でのインプリントが可能;
熱膨張・収縮に依る解像度低下が少ない;
透明なモールド(型)を使用することができるためアライメント調整が容易である;
硬化後頑強な三次元架橋構造を形成できる。
ジシロキサンジオール化合物とタンタルのアルコキシ化合物とを混合することで生じる脱アルコール反応により形成されるTa−O−Si(Taはタンタル原子を表し、Siは珪素原子を表す)結合は加水分解に強い;
得られた有機タンタル錯体化合物を、スピンコートなどの塗布方法に適用しても金属酸化物の粉体が析出しない(ペンタエトキシタンタルのようなタンタルアルコキシド化合物のように加水分解しない)。
この有機タンタル錯体化合物は、紫外線(UV)照射により強固な3次元の分子間結合を容易に形成し、かつタンタル酸化物由来のパーティクルを発生させずに硬化物を形成できる;
上記有機タンタル錯体化合物は、製膜後モールド(型)を押し付けて紫外線(UV)を照射する方法によるパターニングに適用することが可能である;
上記有機タンタル錯体化合物から得られる硬化物は、窒素ガスに対して金属タンタル並みのエッチング耐性を有する;
上記方法によれば、タンタル原子を含有する化合物を、光重合性の炭素−炭素不飽和結合を有するケイ素化合物に添加する方法(いわゆるゾル−ゲル法)とは異なり、タンタル原子を含有する化合物と炭素−炭素不飽和結合を有する化合物の反応時に、酸や塩基による該炭素−炭素不飽和結合の分解が生じない;
液体のタンタル化合物を光重合性の炭素−炭素不飽和結合を有するケイ素化合物に添加する方法と異なり、上記方法により得られた有機タンタル錯体化合物は、加水分解に対する安定性が高い。
[1] 光重合性の炭素-炭素不飽和結合を有する有機基を少なくとも1つ有するβ-ジケトン化合物(A)とタンタルアルコキシド化合物(B)とを、該タンタルアルコキシド化合物(B)の量(b)に対する該β−ジケトン化合物(A)の量(a)がモル比(a/b)で1.0〜1.5となる割合で反応させて反応生成物を得て、
該反応生成物とジシロキサンジオール化合物(C)とを、タンタルアルコキシド化合物(B)の量(b)に対する該ジシロキサンジオール化合物(C)の量(c)がモル比(c/b)で2以上となる量の該ジシロキサンジオール化合物(C)を用いて反応させて得られる、有機タンタル錯体化合物。
[2] 前記β-ジケトン化合物(A)が下記一般式(1)で表される[1]に記載の有機タンタル錯体化合物。
[3] 前記一般式(1)における有機基R1が、アクリロイルオキシ基またはメタクリロイルオキシ基である[2]に記載の有機タンタル錯体化合物。
[4] 前記タンタルアルコキシド化合物(B)が一般式Ta(OR4)5(式中、R4は炭素数1〜5のアルキル基またはフェニル基を示す。)で表される化合物である[1]〜[3]のいずれか一項に記載の有機タンタル錯体化合物。
[5] 前記ジシロキサンジオール化合物(C)が、下記一般式(2)で表される[1] 〜[4]のいずれか一項に記載の有機タンタル錯体化合物。
[6] 光重合性の炭素-炭素不飽和結合を有する有機基を少なくとも1つ有するβ-ジケトン化合物(A)とタンタルアルコキシド化合物(B)とを、該タンタルアルコキシド化合物(B)の量(b)に対する該β−ジケトン化合物(A)の量(a)がモル比(a/b)で1.0〜1.5となる割合で反応させて反応生成物を得る第一の工程と、
該反応生成物とジシロキサンジオール化合物(C)とを、タンタルアルコキシド化合物(B)の量(b)に対する該ジシロキサンジオール化合物(C)の量(c)がモル比(c/b)で2以上となる量の該ジシロキサンジオール化合物(C)を用いて反応させる第二の工程と
を含む有機タンタル錯体化合物の製造方法。
[7] 前記β-ジケトン化合物(A)が、下記一般式(1)で表される[6]に記載の有機タンタル錯体化合物の製造方法。
[8] 前記一般式(1)における有機基R1が、アクリロイルオキシ基またはメタクリロイルオキシ基である[7]に記載の有機タンタル錯体化合物の製造方法。
[9] 前記ジシロキサンジオール化合物(C)が、下記一般式(2)で表される[6] 〜[8]のいずれか一項に記載の有機タンタル錯体化合物の製造方法。
[10] [1]〜[5]のいずれか1項に記載の有機タンタル錯体化合物および重合開始剤を含む光硬化性組成物。
[11] [10]に記載の有機タンタル錯体化合物および反応性希釈剤を含む光硬化性組成物。
[12] [1]〜[5]のいずれか1項に記載の有機タンタル錯体化合物または[10]もしくは[11]に記載の光硬化性組成物からなるナノインプリント用パターン形成材料。
(1)有機タンタル錯体化合物およびその製造方法
本発明の製造方法は、光重合性の炭素-炭素不飽和結合を有する有機基を少なくとも1つ有するβ-ジケトン化合物(A)(以下、単に「β−ジケトン化合物(A)」ともいう)とタンタルアルコキシド化合物(B)とを反応させる第一の工程と、第一の工程で得られた反応生成物にジシロキサンジオール化合物(C)を反応させる第二の工程とを含む。
(1−1)第一の工程
<β-ジケトン化合物(A)>
β-ジケトン化合物(A)としては、光重合性の炭素-炭素不飽和結合を少なくとも1つ有する有機基を少なくとも1つ有するβ-ジケトン化合物であれば特に制限されないが、例えば、下記一般式(1)で表されるアセトアセトキシ化合物を挙げることができる。
<タンタルアルコキシド化合物(B)>
タンタルアルコキシド化合物(B)としては、一般式Ta(OR4)5(式中、R4は炭素数1〜5のアルキル基またはフェニル基を示す。)で表される化合物を使用することができる。
<第一の工程で得られる反応生成物>
第一の工程では、タンタル原子にβ-ジケトン化合物(A)が1つキレート配位した構造を有する化合物が主として得られ、その他に、タンタル原子にβ-ジケトン化合物(A)が2以上キレート配位した構造を有する化合物も得られると推定される。そのため、得られる反応生成物はこれら化合物から構成されると推定される。
(1−2)第二の工程
<ジシロキサンジオール化合物(C)>
ジシロキサンジオール化合物(C)は、第一の工程で得られた反応生成物と反応して、ジシロキサンジオール化合物(C)のジオールに由来する構造(以下、単に「ジオールに由来する構造」ともいう)とタンタル原子との結合の形成を誘導する成分であり、下記一般式(2)で表される。
<有機タンタル錯体化合物>
本発明の有機タンタル錯体化合物およびそれを含む光硬化性組成物は、次のような利点を有し、モールドのパターンを転写可能な(UV)ナノインプリント用のパターン形成材料として有用である:
光重合性の炭素-炭素不飽和結合を有する有機基を有しているので光により容易に硬化する;
特定の遷移金属の原子(タンタル原子)を含むので、エッチングガス(特に窒素ガス)に対して高いエッチング耐性を有している。
(2)光硬化性組成物
本発明の光硬化性組成物は、上記有機タンタル錯体化合物と、重合開始剤および/または反応性希釈剤を含む。
<重合開始剤、反応性希釈剤>
本発明の光硬化性組成物には、上記有機タンタル錯体化合物の他に、重合開始剤および/または反応性希釈剤を含む。
2−ヒドロキシ−2−シクロヘキシルアセトフェノン、2−ヒドロキシ−2−フェニル−1−フェニルプロパン−1−オン、1−(4−ドデシルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、1−(4−イソプロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−オン、4−(2−ヒドロキシエトキシ)−フェニル−(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルホリノプロパン−1−オン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルホリノフェニル)−1−ブタノンなどの、アセトフェノン系光ラジカル重合開始剤;
2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイドなどのアシルホスフィンオキサイド系光ラジカル重合開始剤;
カルバゾール系光ラジカル重合開始剤や、トリフェニルホスホニウムヘキサフルオロアンチモネート、トリフェニルホスホニウムヘキサフルオロホスフェート、p−(フェニルチオ)フェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート、4−クロルフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスフェート、(2,4−シクロペンタジエン−1−イル)[(1−メチルエチル)ベンゼン]−鉄−ヘキサフルオロホスフェートなどの、ルイス酸のオニウム塩などの光ラジカル重合開始剤;
ビス(η5−2,4−シクロペンタジエン−1−イル)―ビス(2,6−ジフルオロ−3−(1H−ピロール−1−イル)−フェニル)チタニウムなどのチタノセン型の重合開始剤があげられる。
<反応性希釈剤>
本発明の光硬化性組成物には、上記有機タンタル錯体化合物と共重合できる、上記有機タンタル錯体化合物以外の化合物を反応性希釈剤(「反応性モノマー」ともいう。)として配合してもよい。
<溶媒など>
本発明の光硬化性組成物には、塗布性向上のため必要に応じて溶媒等を配合することができる。
トルエンおよびキシレンなどの芳香族炭化水素溶媒;
酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどのエステル系溶媒;
2−プロパノール、ブタノールおよびヘキサノール、プロピレングリコールモノ−n−プロピルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等のアルコール系溶媒;
ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、n−メチルピロリドン等のアミド系溶媒
などを挙げることができる。
<その他>
本発明の光硬化性組成物は、有機タンタル錯体化合物、重合開始剤、反応性希釈剤の他に、さらに粘度調整剤、分散剤、表面調整剤などの添加剤を、光硬化性組成物の硬化性およびその硬化物としてのエッチング特性等を阻害しない範囲で含んでいてもよい。
(3)有機タンタル錯体化合物およびそれを含む光硬化性組成物の用途
本発明の有機タンタル錯体化合物およびそれを含む光硬化性組成物は、ナノインプリント用のパターン形成材料、層間絶縁膜などの用途に好適に用いることができる。
<(UV)ナノインプリント用のパターン形成材料とパターニングされた媒体>
上記用途の中でも、ナノインプリント用のパターン形成材料がより好適である。
<パターン形成方法>
パターン形成は、例えば、次のように行われる。
<スタンパーを用いたパターンニングによる方法>
上記有機タンタル錯体化合物と、必要に応じてさらに前記重合開始剤、反応性希釈剤、粘度調整剤、分散剤、表面調整剤などの添加剤とを、必要に応じてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートなどの溶剤に溶解させて上記有機タンタル錯体化合物を含む光硬化性組成物を調製する。
<エッチングによる方法>
上記「パターン形成方法」の項目において、スタンパーを用いないことを除いて、「パターン形成方法」の項目と同様の方法で、スピンコートした媒体上の薄膜に紫外線照射して、硬化膜を得る。
(合成例1)
<2―アセトアセトキシエチルアクリレートの合成>
上述の非特許文献3に記載の合成方法に従い、2-アセトアセトキシエチルアクリレートを合成した。
(合成例2)
<ジシロキサンジオールの合成>
ジシロキサンジオールは非特許文献6に記載の合成方法を参照して合成した。
(実施例1)
<第一の工程>
アルゴン置換したグローブボックス内で、2.0g(10.0mmol)の化合物(1)と4.0g(9.8mmol)のペンタエトキシタンタル(昭和電工株式会社製)とを室温下で混合した。
<第二の工程>
第一の工程で得られた反応粗生成物全量をトルエン10g(純正化学株式会社製)に溶解し、攪拌しながら55℃まで加熱した。
<パターニング>
(実施例2)
3.0gの化合物(2)及び90mgの2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルホリノフェニル)−1−ブタノン(IRGACURE369:チバ・ジャパン株式会社製)を、72gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(ダイセル化学工業株式会社製)に溶解させた。
(比較例1)
3.0gの化合物(1)及び90mgの2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルホリノフェニル)−1−ブタノン(IRGACURE369:チバ・ジャパン株式会社製)を、72gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(ダイセル化学工業株式会社製)に溶解させた。
(実施例3)
2.0gの化合物(2)及び60mgの2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルホリノフェニル)−1−ブタノン(IRGACURE369:チバ・ジャパン株式会社製)を、48gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(ダイセル化学工業株式会社製)に溶解させて溶液を得た。
以下に示す方法で、上記硬化膜のエッチングレートの測定を実施した。
(エッチングレート測定方法)
作成した硬化膜上にガラス小片を貼り付け、以下の条件のエッチング装置を用いて、以下の条件で上記硬化膜のエッチング処理を実施した。次いで、ガラス小片を取り外し、ガラス小片に保護された硬化膜部分とエッチングされた硬化膜部分との段差を、AFM(原子間力顕微鏡)(日本ビーコ社製、型番 ステージ:D−3100 、コントロールステーション: nanoscope IIIa)を用いて測定した。
エッチングの条件
エッチングガス : 窒素
圧力 : 0.17Pa
ガス流量 : 32sccm
プラズマ電圧 : 300W
加速電圧 : 500V
処理時間 : 30sec
*sccm=standard centi cubic meter
硬化膜の窒素ガスによるエッチングレートの測定結果を表2に示した。
(比較例2)
実施例3において、化合物(2)に替えて化合物(1)を用いた以外は、実施例3と同様の方法で、硬化膜を得て、該硬化膜のエッチングレートの測定を実施した。
<製膜性評価>
(実施例4)
2.0gの化合物(2)及び60mgの2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルホリノフェニル)−1−ブタノン(IRGACURE369:チバ・ジャパン株式会社製)を、48gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(ダイセル化学工業株式会社製)に溶解させた。
(製膜性評価方法)
媒体表面に形成された硬化膜に向かって、斜め上方向からハロゲンランプの光を照射し、硬化膜の真上方向から硬化膜表面写真を撮影した。
アルゴン置換されたグローブボックス内で、H末端ポリジメチルシロキサン(DMS−H03:Gelest社製)を1.0g秤量し、これにペンタエトキシタンタル(昭和電工社製)を1.1g添加し、17.9gのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート(ダイセル化学工業株式会社製)に溶解させた。
Claims (2)
- 光重合性の炭素-炭素不飽和結合を有する有機基を少なくとも1つ有するβ-ジケトン化合物(A)とタンタルアルコキシド化合物(B)とを、該タンタルアルコキシド化合物(B)の量(b)に対する該β−ジケトン化合物(A)の量(a)がモル比(a/b)で1.0〜1.5となる割合で、該β−ジケトン化合物(A)のジケトン構造と該タンタルアルコキシ化合物(B)のタンタル原子との間でキレート配位が生じるように反応させて反応生成物を得る第一の工程と、
該反応生成物とジシロキサンジオール化合物(C)とを、タンタルアルコキシド化合物(B)の量(b)に対する該ジシロキサンジオール化合物(C)の量(c)がモル比(c/b)で2以上となる量の該ジシロキサンジオール化合物(C)を用いて、該ジシロキサンジオール化合物(C)のジオールのOH基に由来する構造と該反応生成物のタンタル原子との間でTa−O−Si結合が生じ、かつ、該反応生成物のアルコキシ基が全てTa−O−Si結合に変わるように反応させる第二の工程と
を含み、
前記β-ジケトン化合物(A)が、下記一般式(1):
で表され、
前記タンタルアルコキシド化合物(B)が、一般式Ta(OR4)5(式中、R4は炭素数1〜5のアルキル基またはフェニル基を示す。)で表され、
前記ジシロキサンジオール化合物(C)が、下記一般式(2):
で表される
有機タンタル錯体化合物の製造方法。 - 前記一般式(1)における有機基R1が、アクリロイルオキシ基またはメタクリロイルオキシ基である請求項1に記載の有機タンタル錯体化合物の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012517251A JP5832428B2 (ja) | 2010-05-24 | 2011-05-23 | 有機タンタル錯体化合物およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010118201 | 2010-05-24 | ||
JP2010118201 | 2010-05-24 | ||
PCT/JP2011/061736 WO2011148890A1 (ja) | 2010-05-24 | 2011-05-23 | 有機タンタル錯体化合物およびその製造方法 |
JP2012517251A JP5832428B2 (ja) | 2010-05-24 | 2011-05-23 | 有機タンタル錯体化合物およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011148890A1 JPWO2011148890A1 (ja) | 2013-07-25 |
JP5832428B2 true JP5832428B2 (ja) | 2015-12-16 |
Family
ID=45003880
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012517251A Expired - Fee Related JP5832428B2 (ja) | 2010-05-24 | 2011-05-23 | 有機タンタル錯体化合物およびその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5832428B2 (ja) |
WO (1) | WO2011148890A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6073166B2 (ja) * | 2012-04-02 | 2017-02-01 | 株式会社トクヤマ | 光硬化性ナノインプリント用組成物およびパターンの形成方法 |
JP6128952B2 (ja) * | 2012-05-25 | 2017-05-17 | 株式会社トクヤマ | 光硬化性ナノインプリント用組成物およびパターンの形成方法 |
JP6128990B2 (ja) * | 2013-06-28 | 2017-05-17 | 株式会社トクヤマ | 光硬化性ナノインプリント用組成物およびパターンの形成方法 |
JP7475578B2 (ja) | 2020-07-01 | 2024-04-30 | 信越化学工業株式会社 | 1,3-ジヒドロキシ-1,1,3,3-テトラ-tert-ブトキシジシロキサンの製造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
AU1955395A (en) * | 1994-03-26 | 1995-10-17 | Drake, Simone Robert | Tantalum compounds |
JP2004313229A (ja) * | 2003-04-11 | 2004-11-11 | Nipro Corp | 被覆穿刺針 |
DE102004061323A1 (de) * | 2004-12-20 | 2006-06-22 | Epg (Engineered Nanoproducts Germany)Gmbh | Optische Komponente aus einem anorganisch-organischen Hybridmaterial zur Herstellung von Brechzahlgradientenschichten mit hoher lateraler Auflösung und Verfahren zu ihrer Herstellung |
-
2011
- 2011-05-23 WO PCT/JP2011/061736 patent/WO2011148890A1/ja active Application Filing
- 2011-05-23 JP JP2012517251A patent/JP5832428B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2011148890A1 (ja) | 2013-07-25 |
WO2011148890A1 (ja) | 2011-12-01 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140414 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150414 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150611 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150714 |
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