JP5729519B2 - 窒化珪素焼結体基板及びその製造方法 - Google Patents
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Description
窒化珪素粉末と、Mg及び少なくとも1種の希土類元素を含有する焼結助剤粉末とを混合する工程と、
得られた混合粉末を成形する工程と、
複数枚の得られたグリーンシートを窒化硼素粉末層を介して積層した状態で窒素雰囲気中で焼成する工程とを有し、
(a) 各グリーンシートに10〜600 Paの荷重がかかるように、前記グリーンシートの積層体の上に重し板を配置した状態で前記焼成工程を行い、
(b) 前記焼成工程における温度プロファイルが、1600〜2000℃の範囲内の温度に保持する第一の温度保持域の後に、1400〜1700℃の範囲内で、前記第一の温度保持域より低い温度に0.5〜10時間保持する第二の温度保持域を有することを特徴とする。
本発明の窒化珪素焼結体基板を製造するための原料粉末は、80〜98.3質量%の窒化珪素(Si3N4)を主成分とし、焼結助剤として、0.7〜10質量%(酸化物換算)のMg、及び1〜10質量%(酸化物換算)の少なくとも1種の希土類元素を含有する。窒化珪素焼結体の密度、曲げ強度及び熱伝導率の観点から、窒化珪素粉末のα化率は20〜100%であるのが好ましい。
グリーンシートの積層体を用いて窒化珪素焼結体基板を製造する場合について以下詳細に説明するが、本発明の方法は積層体の使用に限定されるものではない。
上記焼結組成が得られるように配合したSi3N4粉末、MgO粉末及びY2O3粉末に、可塑剤、有機バインダー及び有機溶剤(例えばエチルアルコール)をボールミル等で混合し、スラリーを作製する。スラリーの固形分濃度は30〜70質量%が好ましい。
スラリーを脱泡及び造粘した後、例えばドクターブレード法によりグリーンシートを形成する。グリーンシートの厚さは、形成すべき窒化珪素焼結体基板の厚さ及び焼結収縮率を考慮して適宜設定する。ドクターブレード法で形成したグリーンシートは通常長尺な帯状であるので、所定の形状及びサイズに打ち抜くか切断する。1枚のグリーンシートから複数枚の窒化珪素焼結体基板を形成する場合、焼結後に切断する。
窒化珪素焼結体基板を効率的に製造するために、複数枚のグリーンシートを積層するのが好ましい。図2に示すように、複数枚のグリーンシート1を、厚さ約1〜20μmの窒化硼素(BN)粉末層12を介して積層し、積層体10とする。BN粉末層12は焼結後の窒化珪素焼結体基板の分離を容易にするためのものであり、各グリーンシート1の一面にBN粉末のスラリーを、例えばスプレー、ブラシ塗布又はスクリーン印刷することにより形成することができる。BN粉末は95%以上の純度及び1〜20μmの平均粒径を有するのが好ましい。
グリーンシート1は有機バインダー及び可塑剤を含有するので、焼成工程S5の前に、積層体10を400〜800℃に加熱して、脱脂する。脱脂後のグリーンシート1は脆いので、積層体10の状態で脱脂するのが好ましい。
(a) 焼成用坩堝
図4は、複数の積層体10を同時に焼成するための坩堝の一例を示す。坩堝20は、各積層体10を収容する載置板21を多段に積み上げた載置板組立体30と、載置板組立体30を収容する内側坩堝40と、内側坩堝40を収容する外側坩堝50とからなる。上下方向に隣接する載置板21の間隔は、縦枠部材22で保持する。
グリーンシート1の焼成は、図7に示す温度プロファイルPに従って行う。温度プロファイルPは、徐熱域P0を有する昇温域と、第一の温度保持域P1及び第二の温度保持域P2を有する温度保持域と、冷却域とからなる。図7において、縦軸に示す温度は焼成炉の加熱温度である。
徐熱域P0は、グリーンシート1に含まれる焼結助剤が窒化珪素粒子の表面の酸化層と反応して液相を生成する温度域である。徐熱域P0では、α型窒化珪素の粒成長が抑えられ、液相化した焼結助剤中で窒化珪素粒子が再配列して緻密化する。その結果、第一及び第二の温度保持域P1、P2を経て、空孔径及び気孔率が小さく、曲げ強度及び熱伝導率の高い窒化珪素焼結体基板が得られる。徐熱域P0の温度T0を、第一の温度保持域P1の温度T1より低い1400〜1600℃の範囲内とし、徐熱域P0における加熱速度を300℃/時間以下とし、加熱時間t0を0.5〜30時間とするのが好ましい。加熱速度は0℃/時間を含んでも良く、すなわち徐熱域P0が一定温度に保持する温度保持域でも良い。徐熱域P0における加熱速度は1〜150℃/時間がより好ましく、1〜100℃/時間が最も好ましい。加熱時間t0は1〜25時間がより好ましく、5〜20時間が最も好ましい。
第一の温度保持域P1は、徐熱域P0で生成した液相により、窒化珪素粒子の再配列、β型窒化珪素結晶の生成、及び窒化珪素結晶の粒成長を増進させ、もって焼結体をさらに緻密化させる温度域である。β型窒化珪素粒子の大きさ及びアスペクト比(長軸と短軸の比)、焼結助剤の揮発による空孔の形成等窒を考慮して、第一の温度保持域P1の温度T1を1600〜2000℃の範囲内とし、保持時間t1を約1〜30時間とするのが好ましい。第一の温度保持域P1の温度T1が1600℃未満であると、窒化珪素焼結体を緻密化しにくい。一方、温度T1が2000℃を超えると、焼結助剤の揮発及び窒化珪素の分解が激しくなり、やはり緻密な窒化珪素焼結体が得られにくくなる。なお、1600〜2000℃の温度範囲内であれば、第一の温度保持域P1内で加熱温度T1が変化(例えば徐々に昇温)しても良い。
第一の温度保持域P1の後にある第二の温度保持域P2は、焼結体を第一の温度保持域P1の温度T1よりやや低い温度T2に保持することにより、第一の温度保持域P1を経た液相をそのまま又は固液共存の状態で維持する温度域である。第二の温度保持域P2の温度T2は1400〜1700℃の範囲内で、かつ第一の温度保持域P1の温度T1より低いのが好ましい。また、第二の温度保持域P2の保持時間t2は0.5〜10時間とする。第一の温度保持域P1の後に第二の温度保持域P2を設けることにより、窒化珪素焼結基板の反りを2.5μm/mm以内にすることができる。
第二の温度保持域P2の後にある冷却域P3は、第二の温度保持域P2で維持された液相を冷却して固化し、得られる粒界相の位置を固定する温度域である。液相の固化を迅速に行って粒界相分布の均一性を維持するために、冷却域P3の冷却速度は100℃/時間以上が好ましく、300℃/時間以上がより好ましく、500℃/時間以上が最も好ましい。実用的には、冷却速度は500〜600℃/時間が好ましい。このような冷却速度での冷却により、固化する焼結助剤の結晶化を抑制し、ガラス相を主体とした粒界相を構成できるので、窒化珪素焼結体基板の曲げ強度を高めることができる。冷却域P3の冷却速度を1200℃まで維持すれば、それより低い温度での冷却速度は特に限定されない。
上記方法により得られる窒化珪素焼結体基板は、反りが2.5μm/mm以内に低減されている。反りが2.5μm/mm以内であるので、窒化珪素焼結体基板にろう材等を介して金属製回路板又は放熱板(まとめて「金属板」と言うこともある。)を接合し、回路基板を形成した場合、窒化珪素焼結体基板と金属板とのろう材を介した接合界面におけるボイド(窒化珪素焼結体基板が金属板と接着していない部分)の発生が抑制される。その結果、回路基板全体の熱伝導性及び電気的耐圧性が向上し、冷熱サイクルにおける金属板と窒化珪素焼結体基板との接合信頼性が高まる。反りは好ましくは2.0μm/mm以内であり、より好ましくは1.5μm/mm以内である。反りはできるだけ小さいのが好ましいが、実用的には下限は0.1μm/mm程度である。
前置きフィルタ設定値
多項式フィルタ:8、
バンドパスフィルタ:Filter Size 1 X:11、Y:11
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平均化フィルタ: X:15、Y:15
メディアンフィルタ:X:7、Y:27
MgO粉末が3.0質量%、Y2O3粉末が2.0質量%、残部がSi3N4粉末及び不可避的不純物である原料粉末のスラリー(固形分濃度:60質量%)からドクターブレード法によりグリーンシート(乾燥時のサイズ:200 mm×200 mm)1を形成し、BN粉末を介して20枚重ねて積層体10を形成した。各積層体10の上に重し板11を配置して載置板21の上に載置し、図4に示す坩堝20に入れた。重し板11による最上層のグリーンシート1aへの荷重は40 Paであった。坩堝20内では、実施例1〜6の積層体10を載せた複数の載置板21を多段に重ねて載置板組立体30とし、最上段の載置板21aの上面に、15質量%のマグネシア粉末、55質量%の窒化珪素粉末、及び30質量%の窒化硼素粉末からなる詰め粉を配置した。各載置板21は0.5μm/mmの反り及び0.3μmのうねりを有していた。
第二の温度保持域P2の温度T2を1420〜1650℃の範囲内で変化させ、かつその保持時間t2も0.6〜29.0時間の間で変化させた以外、実施例5と同様にして、厚さ0.32 mmの窒化珪素焼結体基板を製造した。
原料粉末中のMgO粉末の量を1.0〜5.0質量%とした以外実施例5と同様にして、厚さ0.32 mmの窒化珪素焼結体基板を製造した。
冷却域P3における冷却速度を50〜500℃/時間の範囲内で変化させた以外実施例5と同様にして、窒化珪素焼結体基板を製造した。
徐熱域P0における昇温速度を50〜300℃/時間の範囲内で変化させ、かつ昇温時間を1〜20時間の範囲内で変化させた以外実施例5と同様にして、厚さ0.32 mmの窒化珪素焼結体基板を製造した。
重し板11が最上層のグリーンシート1aにかける荷重を10〜100 Paの範囲内で変化させた以外実施例5と同様にして、厚さ0.32 mmの窒化珪素焼結体基板を製造した。
グリーンシート1の厚さを変化させた以外実施例5と同様にして、厚さ0.12〜0.60 mmの窒化珪素焼結体基板を製造した。
第二の温度保持域P2の保持時間t2を45時間とした以外実施例5と同様にして、厚さ0.32 mmの窒化珪素焼結体基板を製造した。
グリーンシート1の積層体10の上に重し板11を配置せずに焼成工程を行った以外実施例5と同様にして、厚さ0.32 mmの窒化珪素焼結体基板を製造した。
重し板11が最上層のグリーンシート1aにかける荷重を5 Paにした以外実施例5と同様にして、厚さ0.32 mmの窒化珪素焼結体基板を製造した。
第二の温度保持域P2の温度T2を1300℃と本発明の下限未満にし、かつその保持時間t2を5.0時間とした以外実施例5と同様にして、厚さ0.32 mmの窒化珪素焼結体基板を製造した。
第二の温度保持域P2の温度T2を1800℃と本発明の上限超とし、かつその保持時間t2を2.0時間とした以外実施例5と同様にして、厚さ0.32 mmの窒化珪素焼結体基板を製造した。
第二の温度保持域P2の保持時間t2を0.1時間と短くした以外実施例5と同様にして、厚さ0.32 mmの窒化珪素焼結体基板を製造した。
第二の温度保持域P2を有さない温度プロファイルを用いた以外実施例5と同様にして、厚さ0.32 mmの窒化珪素焼結体基板を製造した。
重し板11が最上層のグリーンシート1aにかける荷重を700 Paとした以外実施例5と同様にして、厚さ0.32 mmの窒化珪素焼結体基板を製造した。
JIS R1601に従って、各窒化珪素焼結体基板を4 mmの幅に切断し、支持ロール間距離が7 mmの三点曲げ治具にセットし、クロスヘッド速度0.5 mm/分で荷重を印加して破断時の荷重を測定し、それから各窒化珪素焼結体基板の曲げ強度を算出した。
各窒化珪素焼結体基板を5 mm×5 mmの大きさに切断し、カーボンスプレーで表裏面を黒化処理した後、JIS R1611に準拠したレーザーフラッシュ法により熱伝導率を測定した。
JIS R1634に準拠して各窒化珪素焼結体基板の密度を測定し、理論密度に対する相対密度を算出した。窒化珪素焼結体の理論密度は、窒化珪素の密度を3.20 g/cm3とし、MgOの密度を3.58 g/cm3とし、Y2O3の密度を5.03 g/cm3として、原料粉末の配合比に基づき算出した。
上記[3] に記載の方法により測定した。
上記[3] に記載の方法により測定した。
上記[3] に記載の方法によりSEM写真から求めた。
18 mm×32 mmの各窒化珪素焼結体基板に、14 mm×28 mm×0.5 mmの無酸素銅板(JIS H3100のC1020H)を下記ろう材により接合し、得られた試験片を水溶媒に浸漬し、超音波探傷装置(日立建機株式会社製Mi-scope)により、窒化珪素焼結体基板と銅板との接合界面に生じた100μm以上の径を有するボイドの面積率を測定した。ろう材は、平均粒径20μmのAg-In-Cu合金粉末(Ag:70質量%、In:5質量%、残部:Cu、酸素:0.1質量%以下)76.5質量%、平均粒径10μmのAg粉末7.6質量%、及び水素化チタン粉末(85%以上の粒径が45μm以下)0.8質量%を含有し、さらに、5質量%のアクリル樹脂バインダー、10質量%のα-テルピネオール溶剤、及び0.1質量%の分散剤を含有し、770℃の融点及び55 Pa・sの粘度を有していた。
(2) 最上層のグリーンシート1aにかかる荷重。
(3) 単位はμm/mm。
(2) 最上層のグリーンシート1aにかかる荷重。
(3) 単位はμm/mm。
(2) 接合界面に生じた100μm以上の径を有するボイドの面積率(%)。
(2) 接合界面に生じた100μm以上の径を有するボイドの面積率(%)。
Claims (12)
- 80〜98.3質量%のSi3N4、0.7〜10質量%(酸化物換算)のMg、及び1〜10質量%(酸化物換算)の少なくとも1種の希土類元素を含有し、縦横がそれぞれ100 mm以上で、厚さ0.7 mm以下の窒化珪素焼結体基板を製造する方法であって、
窒化珪素粉末と、Mg及び少なくとも1種の希土類元素を含有する焼結助剤粉末とを混合する工程と、
得られた混合粉末を成形する工程と、
複数枚の得られたグリーンシートを窒化硼素粉末層を介して積層した状態で窒素雰囲気中で焼成する工程とを有し、
(a) 各グリーンシートに10〜600 Paの荷重がかかるように、前記グリーンシートの積層体の上に重し板を配置した状態で前記焼成工程を行い、
(b) 前記焼成工程における温度プロファイルが、1600〜2000℃の範囲内の温度に保持する第一の温度保持域の後に、1400〜1700℃の範囲内で、前記第一の温度保持域より低い温度に0.5〜10時間保持する第二の温度保持域を有することを特徴とする方法。 - 請求項1に記載の窒化珪素焼結体基板の製造方法において、前記焼成工程における温度プロファイルが、前記第二の温度保持域の後に、100℃/時間以上の速度で冷却する冷却域を有することを特徴とする方法。
- 請求項1又は2に記載の窒化珪素焼結体基板の製造方法において、前記焼成工程における温度プロファイルが、前記第一の温度保持域の前に、1400〜1600℃の温度範囲において300℃/時間以下の速度で昇温する徐熱域を有することを特徴とする方法。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の窒化珪素焼結体基板の製造方法において、前記積層体の各々を載置板に載せ、複数の載置板を縦枠部材を介して重ねて載置板組立体とし、前記載置板組立体を配置した坩堝を焼成炉内に入れて、前記焼成工程を行うことを特徴とする方法。
- 請求項4に記載の窒化珪素焼結体基板の製造方法において、前記積層体とともに、マグネシア粉末、窒化ホウ素粉末及び窒化珪素粉末の混合粉末からなる詰め粉を坩堝内に配置した後、前記焼成工程を行うことを特徴とする方法。
- 請求項5に記載の窒化珪素焼結体基板の製造方法において、前記詰め粉が0.1〜50質量%のマグネシア粉末、25〜99質量%の窒化珪素粉末、及び0.1〜70質量%の窒化硼素粉末からなる混合粉末であることを特徴とする方法。
- 請求項5又は6に記載の窒化珪素焼結体基板の製造方法において、前記詰め粉を前記載置板組立体の最上段の載置板の上面に配置することを特徴とする方法。
- 請求項4〜7のいずれかに記載の窒化珪素焼結体基板の製造方法において、前記坩堝が内側坩堝と外側坩堝の二重構造になっていることを特徴とする方法。
- 請求項8に記載の窒化珪素焼結体基板の製造方法において、前記内側坩堝がBN製であり、前記外側坩堝がBNコーティングをした炭素製であることを特徴とする方法。
- 請求項1〜9のいずれかに記載の方法により製造された窒化珪素焼結体基板であって、反りが2.5μm/mm以内であり、かつ表面うねりが2.0μm以上の領域の面積率が15%以下であることを特徴とする窒化珪素焼結体基板。
- 請求項10に記載の窒化珪素焼結体基板において、厚さ方向のMg分布の変動係数が0.3以下であることを特徴とする窒化珪素焼結体基板。
- 請求項10又は11のいずれかに記載の窒化珪素焼結体基板において、空孔の面積率が2.0%以下であり、前記空孔の最大径が10.0μmであることを特徴とする窒化珪素焼結体基板。
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