JP5723274B2 - 機能傾斜型無機レジスト、機能傾斜型無機レジスト付き基板、機能傾斜型無機レジスト付き円筒基材、機能傾斜型無機レジストの形成方法及び微細パターン形成方法 - Google Patents
機能傾斜型無機レジスト、機能傾斜型無機レジスト付き基板、機能傾斜型無機レジスト付き円筒基材、機能傾斜型無機レジストの形成方法及び微細パターン形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5723274B2 JP5723274B2 JP2011520980A JP2011520980A JP5723274B2 JP 5723274 B2 JP5723274 B2 JP 5723274B2 JP 2011520980 A JP2011520980 A JP 2011520980A JP 2011520980 A JP2011520980 A JP 2011520980A JP 5723274 B2 JP5723274 B2 JP 5723274B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- inorganic resist
- substrate
- inorganic
- resolution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 142
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 126
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 151
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 138
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 129
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 106
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 106
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 106
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 98
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 98
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 88
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 76
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 48
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 43
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 26
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 21
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052713 technetium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 9
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 6
- 229910021397 glassy carbon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 3
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 claims description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 71
- 239000002585 base Substances 0.000 description 62
- 230000008859 change Effects 0.000 description 53
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 33
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 28
- 230000008569 process Effects 0.000 description 23
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 22
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 21
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 20
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 18
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 10
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 10
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 6
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 6
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 5
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 5
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- MUMZUERVLWJKNR-UHFFFAOYSA-N oxoplatinum Chemical compound [Pt]=O MUMZUERVLWJKNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910003446 platinum oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001028 reflection method Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000007687 exposure technique Methods 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000001953 recrystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000618 GeSbTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004156 TaNx Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000003631 expected effect Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 210000001747 pupil Anatomy 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 1
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 1
- 230000002195 synergetic effect Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0042—Photosensitive materials with inorganic or organometallic light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. inorganic resists
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0041—Photosensitive materials providing an etching agent upon exposure
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2051—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
- G03F7/2053—Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a laser
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
その一方、微細加工がなされた昨今のデバイス製造においては、高精度加工が必須である。この高精度を実現するために、上記半導体リソグラフィー技術の中でも特に光リソグラフィーにおいて、光源、レジスト材料、露光方式などの包括的な検討が精力的に進められている。
このような光源波長以下のパターンを形成するために位相シフト法、斜入射照明法や瞳フィルター法などの超解像技術と光近接効果補正(Optical Proximity Correction:OPC)技術の適用が必要となっている。
この技術は、DVDに続く光記録技術として期待されているブルーレイ光ディスク用原盤の製造方法として主に開発されており、特に特許文献1においては最小パターンサイズを130nm〜140nmとしている。
(1)平面基板の場合、50nmレベルの微細パターンを形成
(2)微細パターンを大面積で形成
(3)微細パターンを低コストで形成
また、要求(1)のような50nm以下の微細パターン形成には、短波長光源の使用と共に位相シフトやOPC技術などの超解像技術の適用が必須である。そのため製造コストは増加の一途となっており大量生産型の半導体以外の用途には適さず、要求(3)も満たすことができない。
更に、解像度が1/2波長であるため、仮に波長193nmのArFエキシマレーザーを用いたとしても約100nmが解像限界となり不適である。
そもそも照射途中で所定温度に達した酸化白金が分解し、それに伴いレジストの体積が変化してしまうと、レーザーの焦点ズレを招くことになり、一層の微細パターン形成は困難である。
この技術は本願発明とは直接には関係がない、即ち、レジストパターンを基板に転写する技術に主に適用される本願発明とは直接には関係がない関連技術であるが、以下、簡単に説明する。
しかしながら、後述する比較例2に示すように、現在の要求を満たすほどの解像性が得られないおそれがある。
しかしながら従来のロールナノインプリント法だと、100nm以下の微細パターンをドラム表面に直接形成できていない。
しかしながら、これではモールドサイズが半導体リソグラフィーで形成される領域に限定されることや、平板を巻きつけるために切れ目が存在するための長尺体への連続パターン形成ができない問題がある。
レーザーが照射される主表面と前記主表面に対向する裏面とを有し、熱によって状態変化する機能傾斜型無機レジストにおいて、
前記機能傾斜型無機レジストは単層レジストを含み、
前記単層レジストの少なくとも組成を前記主表面側から前記裏面側に至るまで連続的に変化させ、
前記単層レジストにおいて、局所的にレーザーが照射された時に一定温度に達する領域の異方性が前記主表面側から前記裏面側に向けて連続的に高められていることを特徴とする機能傾斜型無機レジストである。
本発明の第2の態様は、
レーザーが照射される主表面と前記主表面に対向する裏面とを有し、熱によって状態変化する機能傾斜型無機レジストにおいて、
前記機能傾斜型無機レジストは単層レジストを含み、
前記単層レジストのレジスト解像特性値を前記主表面側から前記裏面側に至るまで連続的に変化させ、
前記単層レジストにおいて、局所的にレーザーが照射された時に一定温度に達する領域の異方性が前記主表面側から前記裏面側に向けて連続的に高められていることを特徴とする機能傾斜型無機レジストである。
なお、レジスト解像特性値とは、レジストの解像性に影響を与えるレジストの物性値のことである。
本発明の第3の態様は、第2の態様に記載の発明において、
前記レジスト解像特性値は、光吸収係数、熱伝導率及びレジスト感度のうちから選ばれる一又は二以上の値であることを特徴とする。
ただしレジスト感度とは、所定の寸法且つ照射量を有するレーザーをレジストに照射した際の現像可能な部分の寸法で定義される特性である。
本発明の第4の態様は、第1ないし第3のいずれかの態様に記載の発明において、
前記単層レジストの材料は、
Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ge、Se、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Sb、Te、Hf、Ta、W、Re、Ir、Pt、Au、Biのうちから少なくとも1つ以上が選ばれた元素と、酸素及び/又は窒素との組合せから構成され、
前記選ばれた元素と酸素及び/又は窒素との組成比を前記主表面側から前記裏面側に至るまで連続的に変化させることを特徴とする。
本発明の第5の態様は、第1ないし第3のいずれかの態様に記載の発明において、
前記単層レジストの材料は、
Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ge、Se、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Sb、Te、Hf、Ta、W、Re、Ir、Pt、Au、Biの亜酸化物、窒化物、あるいは亜酸化窒化物うち、少なくとも1つからなる第一の材料と、前記第一の材料以外の少なくとも1つからなる第二の材料と、から構成され、
前記第一の材料と前記第二の材料の組成を前記主表面側から前記裏面側に至るまで相対的且つ連続的に変化させることを特徴とする。
本発明の第6の態様は、
レーザーが照射される主表面と前記主表面に対向する裏面とを有し、熱によって状態変化する単層の機能傾斜型無機レジストにおいて、
前記単層レジストの材料は、
Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ge、Se、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Sb、Te、Hf、Ta、W、Re、Ir、Pt、Au、Biのうちから少なくとも1つ以上が選ばれた元素と、酸素及び/又は窒素との組合せから構成され、
前記選ばれた元素に対する酸素及び/又は窒素の組成比とレジスト感度との関係においてレジスト感度が極大値を示す際の酸素及び/又は窒素の組成比以上の範囲にて、前記選ばれた元素に対する酸素及び/又は窒素の比が、前記主表面側から前記裏面側に至るまで連続的に小さくなっており、
前記単層レジストに局所的にレーザーを照射した時に一定温度に達する領域の異方性が前記主表面から前記裏面に向けて連続的に高められていることを特徴とする機能傾斜型無機レジストである。
本発明の第7の態様は、第6の態様に記載の発明において、
前記単層レジストの材料はWOx(0.4≦x≦2.0)で表される物質であり、
前記xの値を、前記主表面から前記裏面に至るまで連続的に減少させることを特徴とする。
本発明の第8の態様は、第1ないし第7のいずれかの態様に記載の発明において、
前記単層レジストの厚さは、5nm以上40nm未満の範囲であることを特徴とする。
本発明の第9の態様は、第1ないし第8のいずれかの態様に記載の発明において、
前記単層レジストは、光学的特性及び熱的特性が前記主表面側から前記裏面側に向けて傾斜したアモルファス構造を有することを特徴とする。
ただし、光学的特性とは光吸収係数を含む、光に起因する特性であり、レジストの解像度に影響を与える特性である。また、熱的特性とは熱伝導率を含む、熱に起因する特性であり、レジストの解像度に影響を与える特性である。
本発明の第10の態様は、第1ないし第9のいずれかの態様に記載の機能傾斜型無機レジスト、及び前記機能傾斜型無機レジストとは異なる材料からなる下地層を含む機能傾斜型無機レジスト付き基板であって、
前記下地層の材料は、
(1)Al、Si、Ti、Cr、Zr、Nb、Ni、Hf、Ta、Wの酸化物、窒化物、炭化物、あるいはこれらの複合化合物、のうちの少なくとも1つ以上、又は、
(2)(i)炭素から構成されるアモルファスカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、グラファイト、若しくは炭素と窒素から構成される窒化炭化物のうちの少なくとも1つ以上、若しくは、
(ii)前記炭素を含む材料にフッ素をドープした材料のうちの少なくとも1つ以上、
であることを特徴とする機能傾斜型無機レジスト付き基板である。
本発明の第11の態様は、第10の態様に記載の発明において、
前記下地層の厚さは、10nm以上500nm未満の範囲であることを特徴とする。
本発明の第12の態様は、第1ないし第9のいずれかの態様に記載の機能傾斜型無機レジストの下部にエッチングマスク層、そして前記エッチングマスク層の下部に前記下地層が設けられた機能傾斜型無機レジスト付き基板であって、
前記エッチングマスク層の材料は、
(1)Al、Si、Ti、Cr、Nb、Ni、Hf、Ta、あるいはこれらの化合物のうちの少なくとも1つ以上であること、又は、
(2)(i)炭素から構成されるアモルファスカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、グラファイト、あるいは炭素と窒素から構成される窒化炭化物のうちの少なくとも1つ以上、若しくは
(ii)前記炭素を含む材料にフッ素をドープした材料のうちの少なくとも1つ以上、
であること、を特徴とする請求項11に記載の機能傾斜型無機レジスト付き基板である。
本発明の第13の態様は、第12の態様に記載の発明において、
前記エッチングマスク層の厚さは、5nm以上500nm未満の範囲であることを特徴とする。
本発明の第14の態様は、第10ないし第13のいずれかの態様に記載の発明において、
前記基板の材料は、金属、合金、石英ガラス、多成分ガラス、結晶シリコン、アモルファスシリコン、アモルファスカーボン、ガラス状カーボン、グラッシーカーボン、セラミックスのいずれかを主成分とすることを特徴とする。
本発明の第15の態様は、第10ないし第14のいずれかの態様に記載の基板の代わりに、円筒基材が用いられることを特徴とする機能傾斜型無機レジスト付き円筒基材。
本発明の第16の態様は、
レーザーが照射される主表面と前記主表面に対向する裏面とを有し、熱によって状態変化する機能傾斜型無機レジストの形成方法において、
前記レジストを構成する少なくとも一つの単層レジストは、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ge、Se、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Sb、Te、Hf、Ta、W、Re、Ir、Pt、Au、Biのうちの少なくとも1つ以上の元素と、酸素及び/又は窒素との組み合わせにより形成され、
前記単層レジスト形成時の成膜の際のガス分圧、成膜速度及び成膜出力のうちの少なくとも一つを連続的に変化させることによって、前記単層レジストの少なくとも組成を前記主表面側から前記裏面側に至るまで連続的に変化させることを特徴とする機能傾斜型無機レジストの形成方法である。
本発明の第17の態様は、第1ないし第9のいずれかの態様に記載の機能傾斜型無機レジストを形成した基板に対して集束レーザーにより描画又は露光を施し、前記レジストに対して局所的に状態変化した部分を形成し、現像によって選択的な溶解反応を行うことを特徴とする微細パターン形成方法である。
本発明の第18の態様は、
レーザーが照射される主表面と前記主表面に対向する裏面とを有し、熱によって状態変化する無機レジストにおいて、
前記無機レジストの裏面側は、前記無機レジストの組成とレジスト感度との関係においてレジスト感度が極大値となる際の組成を有することを特徴とする無機レジストである。
本発明の第19の態様は、
レーザーが照射される主表面と前記主表面に対向する裏面とを有し、熱によって状態変化する無機レジストの形成方法において、
前記無機レジストの組成とレジスト感度との関係においてレジスト感度が極大値となる際の組成を求める工程と、
前記無機レジストの裏面側が、前記レジスト感度が極大値となる際の組成となるよう、無機レジストの成膜を行う工程と、
を有することを特徴とする無機レジストの形成方法である。
(1)平面基板の場合、50nmレベルの微細パターンを形成(円筒基材の場合、100nmレベルの微細パターンを形成)
(2)微細パターンを大面積で形成
(3)微細パターンを低コストで形成
を満たす無機レジストについて鋭意研究した。
その際、本発明者らは、無機レジスト中の温度分布について着目した。
例え特許文献4のように多層レジストを有する一つのレジストを構成したとしても、結局のところ各レジスト層にて温度分布は等方的な分布となることが推察される。
ここで、●▲の具体的な条件は以下の通りである。
●▲とも、レジスト膜厚20nmに対し、ビットパターン(直径400nm)にて照射。その後、常温(20℃程度)にて現像剤(TMAH2.38%)を使用して現像を行っている。●はレーザー出力を24mWとし、▲はレーザー出力を21mWとしている。
以下、本発明の実施の形態を説明する。
本発明の実施の形態においては、次の順序で説明を行う。
1.機能傾斜型無機レジストの概要
2.機能傾斜型無機レジストの詳細
1)組成
2)レジスト解像特性値
i)レジスト組成からレジスト解像特性値への着目に至った経緯
ii)レジスト感度
iii)光学的特性(光吸収係数)
iv)熱的特性(熱伝導率)
3)膜厚
4)構造
3.機能傾斜型無機レジスト付き基板の概要
4.機能傾斜型無機レジスト付き基板の詳細
1)基板(母材)
2)下地層
3)エッチングマスク層
4)無機レジスト
5.機能傾斜型無機レジスト付き基板の製造方法
1)機能傾斜型無機レジストの形成
2)レジストへの微細パターンの形成
3)基板への微細パターンの形成
6.実施の形態の効果に関する説明
図5(1)は、基板上に形成された、本発明の実施の形態に係る機能傾斜型無機レジストを示す概略断面図である。以降、「機能傾斜型無機レジスト」を単に「無機レジスト」とも称する。
この無機レジストの深さ方向への各機能の連続的な変化(即ち機能傾斜)により、レジスト深さ方向に向かって、「温度分布の形状の深さ方向への異方性を高める」こと、「相変化する領域の形状の深さ方向への熱的な異方性を高める」こと、又は、「熱分布の形状の深さ方向への異方性を高める」こと、ができる。この効果により集束レーザーを用いた熱リソグラフィー時のレジスト解像性を向上することができる。
一方、ある成膜条件でレジスト成膜を開始し、その条件を維持したまま成膜を続行した後、別の成膜条件へと非連続的に変化させ、そのまま別の成膜条件で成膜されることにより形成されたレジストは、本実施形態における「(組成やレジスト解像特性値を)連続的に変化させた単層レジスト」に含まない。
1)組成
前記単層レジストの材料は、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ge、Se、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Sb、Te、Hf、Ta、W、Re、Ir、Pt、Au、Biのうちから少なくとも1つ以上が選ばれた元素と、酸素及び/又は窒素との組合せから構成され、前記選ばれた元素と酸素及び/又は窒素との組成比を前記主表面から前記裏面に至るまで連続的に変化させるのが好ましい。
なお、本実施形態においては組成比を連続的に変化させることにより、レジスト解像特性値をも連続的に変化させているが、組成の変化と、レジスト解像特性値の変化とを独立ないし半独立の関係とする物質を、無機レジストの材料に用いても良い。
次に、無機レジスト4におけるレジスト解像特性値について説明する。
本実施形態においては、前記単層レジストにおいて、組成に加え、レジスト解像特性値を前記主表面から前記裏面に至るまで連続的に変化させている。
具体例を挙げるとすれば、光学的特性としては光吸収係数や屈折率が挙げられる。また、熱的特性としては熱伝導率や比熱が挙げられる。
光学的特性、熱的特性及びレジスト感度について詳述する前に、レジスト組成からレジスト解像特性値への着目に至った経緯について説明する。
しかしながら、熱伝導率の変化に着目して解像性を向上させることは、上述のように必ずしも適切ではなかった。
レジスト感度については、先にもいくらか説明しているが、レジスト感度は、光吸収係数、熱伝導率と並んで適用するのが好ましい特性であるため、再度説明する。
逆に、レジスト感度が低いレジストだと、感度が低いため、レジストが露光しづらくなり、レーザー寸法よりも小さい部分のレジストしか現像できなくなる。
具体的には、図3の極大値(解像パターン寸法が最大となるx)に向かうように、単層レジストの主表面から裏面に至るまで、xの値を変化させるのが好ましい。
この場合、図3の矢印IIIに示されるように、熱伝導率(図2)や光吸収係数(図1)との関係上、レジスト感度の極大値を示す際の酸素及び/又は窒素の組成比率以上の範囲にて、レジスト深さ方向に向かってxを連続的に小さくしていくのが好ましい。
熱伝導率において、x≦0.856の範囲内よりは、0.856≦x≦2.5の範囲の方が、変化が大きすぎなくて済むためである。
即ち、特許文献4の第1の実施形態(図18(b)・図3の矢印I)においては、基板101上に3層のレジスト層104a〜cを有し、あくまで各々のレジスト層の間で、レジスト深さ方向に向けて、WOxにおけるxの値が増加し、且つ、レジスト感度が大きくなっている。その結果、段状の凹部103がレジストパターンとして形成される。
また、特許文献4の第2の実施形態(図18(c)・図3の矢印II)においては、同じく3層のレジスト層を有し、あくまで各々のレジスト層間で、レジスト深さ方向に向けて、WOxにおけるxの値が減少し、且つ、レジスト感度が小さくなっている。その結果、段状の凹部103がレジストパターンとして形成される。
少なくとも本実施形態は、レジスト感度及び組成という点で、特許文献4に対し、上記のような大きな相違点を有している。
レジスト感度に引き続き、無機レジスト4内での温度が一定である領域の形状の深さ方向への異方性に影響を与える光学的特性について説明する。上述のように、光学的特性には光吸収係数、屈折率等が含まれるが、その中でもレジストの解像性、即ち温度が一定である領域の形状の深さ方向への異方性に影響を与えるのは光吸収係数である。
こうすることにより、レジストの深さ方向において、光吸収係数を連続的に増加させることができる。
次に、無機レジスト4内での温度が一定である領域の形状の深さ方向への異方性に影響を与える熱的特性について説明する。上述のように、熱的特性には熱伝導率、比熱等が含まれるが、その中でも温度が一定である領域の形状の深さ方向への異方性に影響を与えるのは熱伝導率である。
そうすることにより、光吸収係数及び熱伝導率の双方の影響が足し合わされて、又は双方の影響が相乗的に作用した結果として、温度の分布の異方性ひいては状態変化(相変化)の異方性を高める作用・機能が向上し、レジストの解像性を高める作用・機能も向上する。
また、本実施形態においては、組成を連続的に変動させることと、レジスト解像特性値を連続的に変動させることは相関関係がある。そのため、温度の異方性を高めるために、組成を変動させると言う代わりに、レジスト解像特性値を変動させると言っても良い。
(a)「レジストに局所的にレーザーを照射した時に一定温度に達する領域の形状の深さ方向への異方性を高める」こと
は、以下のいずれかの内容と対応させる又は置き換えることができる。
(b)「レジストに局所的にレーザーを照射した時の状態変化(相変化)する領域の熱的な異方性を高める」こと、
(c)「レジスト中、あるいはその周辺に集束レーザーにより局所的に熱を与えた時に、この熱のレジスト膜中における熱の伝わり方の異方度(レジスト中での垂直方向と水平方向での熱分布の違い:熱分布異方性と称す)を高める」こと。
なお、本明細書においては、上記所定の異方性を、単に、「温度分布異方性」、「状態変化(相変化)の異方性」、「熱分布異方性」と略すことがある。
更に、これらをまとめたものを、代表して「温度が一定である領域の形状の深さ方向への異方性」ともいい、又は、単に「異方性」とも称する。
本実施形態の機能傾斜型無機レジスト4は解像性に優れることを特徴とするが、感熱材料(レジスト)の解像度は膜厚にも依存することから、その適正範囲が存在する。具体的には、前記単層レジストの厚さは、5nm以上40nm未満の範囲であるのが好ましい。
また、現像時のレジストの若干の溶解により数nm厚さで膜減りすることを考慮して5nm以上のレジスト厚さとすると、パターン形成のためのプロセスに対応できるようになる。
前記単層レジストは、光学的特性及び熱的特性がレジストの深さ方向に向けて傾斜したアモルファス構造を有するのが好ましい。
即ち、集束レーザーを用いて描画後、一般的な現像液を用いて現像後のレジストパター5ンの断面を走査型電子顕微鏡(以降SEMと称する)で評価した図10及び図11に示すように、特許文献1に記載の方法で得られたレジストパターン(従来例)の解像度は約90nmであるのに対して(比較例1)、本実施形態における機能傾斜型無機レジスト4の同パターンサイズの断面プロファイルは良好となる(実施例1)。
以下、上述の無機レジスト4を使用する形態の一つとして、この無機レジスト4を平面基板1に形成した例について説明する。
本実施形態においては、基板1の上に下地層2を設け、その下地層2上にエッチングマスク層3を設け、そのエッチングマスク層3上に無機レジスト4を形成する場合について述べる。
なお、本実施形態における下地層2及びエッチングマスク層3は、そのいずれかのみを設けても良いし、両層を設けなくとも良い。
1)基板(母材)
本実施形態においては平面基板1を用いた場合について説明するが、無機レジスト4又は下地層2を上に設けることができる物質は、前記無機レジスト4を形成するための母材となるものであれば良い。
また、前記下地層2の材料は、
(1)Al、Si、Ti、Cr、Zr、Nb、Ni、Hf、Ta、Wの酸化物、窒化物、炭化物あるいはこれらの複合化合物の少なくとも1つ以上であること、若しくは
(2)(i)炭素から構成されるアモルファスカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、グラファイト、あるいは炭素と窒素から構成される窒化炭化物(CxNy)のうちの少なくとも1つ以上、
(ii)又は、前記炭素を含む材料にフッ素をドープした材料のうちの少なくとも1つ以上、であるのが好ましい。フッ素をドープした材料は離型性が良いためである。
更に、本実施形態においては、前記下地層2の上にエッチングマスク層3を設けている。
即ち、
(1)Wを有していた下地層2とは異なり、Al、Si、Ti、Cr、Nb、Ni、Hf、Ta、あるいはこれらの化合物の少なくとも1つ以上であること、又は下地層2と同じく、
(2)(i)炭素から構成されるアモルファスカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、グラファイト、あるいは炭素と窒素から構成される窒化炭化物(CxNy)のうちの少なくとも1つ以上、
(ii)若しくは、前記炭素を含む材料にフッ素をドープした材料のうちの少なくとも1つ以上、であることが好ましい。
また、下地層2及びエッチングマスク層3のいずれか一方のみを設けても良い。
上述のエッチングマスク層3の上に、本実施形態における無機レジスト4を形成する。無機レジスト4の詳細については上述の通りである。
以下、機能傾斜型無機レジスト4付き基板1の製造方法について説明する。本実施形態においては、基板1上に無機レジスト4を形成した場合をベースにして製造方法を説明する。その上で、本実施形態における好ましい例として、上述の下地層2及びエッチングマスク層3を設ける場合の製造方法を説明する。
まず、母材として石英基板1を用い、この石英基板1上に一般的なタングステンターゲットとスパッタガス及び酸素ガスを用いた反応性スパッタ法により酸化タングステンの成膜を行う。
その際、前記単層レジスト形成時の成膜の際のガス分圧、成膜速度及び成膜出力のうちの少なくとも一つを連続的に変化させることによって、前記単層レジストの組成を前記主表面側から前記裏面側に至るまで連続的に変化させる。
(1)レジストの深さ方向に酸化度・窒化度・酸窒化度を連続的に変化させる、
(2)レジストの深さ方向に膜の密度を連続的に変化させる、
(3)無機レジスト4の材料組成をABOx(ABは異なる金属)と定義したとき、レジストの深さ方向にAとBの比率を連続的に変化させる、
などの手段が挙げられる。
これにより、レジストの解像性を高める機能を有するレジストの特性、例えば、熱伝導率、屈折率、光吸収係数などの機能をレジストの深さ方向に連続的に変化させる、即ち傾斜させることができる。
本実施形態では、レジスト主表面側から基板1へと順に、機能傾斜型無機レジスト4、エッチングマスク層3、下地層2、を形成した基板1に集束レーザーにより描画又は露光を施して、無機レジスト4に局所的に状態変化した部分を形成し、現像による溶解反応により微細パターンを形成する。
高解像レジストにパターン形成を施し、このパターンを有する無機レジスト4をエッチングマスクとして、基板1に対しエッチング加工を行うことにより、基板1上にパターンを形成することができる。このプロセスを図5に示す。また、上述の下地層2を設けた場合のプロセスを図6に示し、更にエッチングマスク層3を設けた場合のプロセスを図7に示す。
しかしながら、高解像レジスト基板に予め下地層2材料を形成することにより、高アスペクトパターンの形成が可能となる。
本実施形態は以下の効果を奏する。
即ち、本実施形態の高解像無機レジスト4は、これまで実現できなかった集束レーザーを光源に用いた相変化リソグラフィー(若しくは熱リソグラフィー)法による初めての50nmレベルのレジスト形成を可能にする。
本発明の技術的範囲は上述した実施の形態に限定されるものではなく、発明の構成要件やその組み合わせによって得られる特定の効果を導き出せる範囲において、種々の変更や改良を加えた形態も含む。
以下、実施の形態1の変形例について詳述する。なお、以降の実施の形態において、特筆しない部分は、実施の形態1と同様である。
そして、前記第一の材料と前記第二の材料の組成を前記主表面側から前記裏面側に至るまで相対的且つ連続的に変化させる。
また、単層レジストの主表面側及び/又は裏面側に、更に別のレジストを設けても良い。このとき、別のレジストは、実施の形態1又は本実施形態を適用したものだと更に好ましい。
実施の形態1では基板1を用いたが、本実施形態においては基板1の代わりに円筒形状の基材(以下、円筒基材とも称する)を用いた場合について説明する。
本実施形態では、限界解像度が最適化(好ましくは高くなる)するように、「組成」の最適傾斜範囲を決定、更には、傾斜の方向及び傾斜量(最大値と最小値の差)を決定する。
上述の実施の形態においては、レジスト主表面から裏面に向かう程、温度が一定である領域の形状の深さ方向への異方性を連続的に高めることにより、高解像度を得る方法について述べた。
一方、本実施形態においては、図3に示すように、解像パターン寸法(レジストの感度)は、酸素濃度の増加に伴い、最もレジスト感度が高くなる極大値を持つことに着目している。
なお、レジスト感度が実質的に非常に良好となるのならば、裏面側のレジスト組成(xの値)は、レジスト感度が極大値となる際のxの値からわずかに外れていても良い。
なお、実施例においては以下の順番で説明する。
1.基板上に無機レジストを設けた場合
1)実施例1
2)比較例1
3)比較例2
2.基板上に下地層及び無機レジストを設けた場合(実施例2)
3.円筒基材上に下地層、エッチングマスク層及び無機レジストを設けた場合(実施例3)
(実施例1)
実施例1では、感熱材料として酸化タングステン(WOx)を用い、図1、図2、図3に示される光吸収係数、熱伝導率、解像パターン寸法で定義される感度の特性(機能)と、材料組成をWOxと定義した時の酸素量(x)との関係に基づき選定される酸素濃度範囲で酸素濃度を連続的に傾斜した高解像レジストを用いて有効性を調査した。
なお、無機レジスト4中の組成分析にはラザフォード後方散乱分光法(Rutherford Back Scattering Spectroscopy:RBS)を使用した。
特許文献1(特開2003−315988号公報)に記載される無機レジスト組成に代表される例として、WOxとした時の酸素量x=1.5に一定とした無機レジスト4を石英基板1に20nm厚さ成膜した。ここではレジスト膜厚を一定にすることにより膜厚依存性を考慮した。以下、実施例1と同様のプロセス及び装置を用いて処理を行い解像特性の評価を行った。
この時のレーザー照射部のラインパターン幅は90nmであり、本発明の高解像レジストで達成した50nmレベルのラインパターン解像はできなかった。
特許文献4(WO2005/055224)に記載されているような、酸素濃度が非連続でありながらも変調した無機レジスト4を準備し、解像性評価を行った。
即ち、レジストの深さに伴い酸素濃度を高めることによりレジスト側壁の角度が垂直に近づくと記載されている(特許文献4の図2)。
サンプルAの組成は、WOxとした時にレジスト最表面の酸素量xを0.45、レジスト裏面側(基板1界面)の酸素量xを0.85とした。
また、サンプルBの組成は、WOxとした時にレジスト最表面の酸素量xを0.85、レジスト裏面側(基板1界面)の酸素量xを1.60とした。
(実施例2)
実施例1で、無機レジスト4の材料として酸化タングステン(WOx)を用いた代わりに、本実施例では、エッチング耐久性の高い酸化クロム(CrOx)系の材料を用い、更に、下地層2も設けた。なお、以降、特筆しない部分については、実施例1と同様の手法で本実施例に係る試料を作製している。
高精度研磨されたステンレス基板1上にCVD法により二酸化珪素(SiO2)から構成される下地層2を300nm厚形成し、その上に組成傾斜構造の亜酸化クロムから構成される無機レジスト4を30nmの厚さになるように成膜した。
(実施例3)
実施例1で、無機レジスト4の材料として酸化タングステン(WOx)を用いた代わりに、本実施例では酸化モリブデン(MoOx)系の材料を用い、下地層2を設け、その上にエッチングマスク層3も設けた。更には基板1の代わりに円筒基材を用いた。
高精度に研磨されたアルミ合金製の円筒基材上にCVD法によりアモルファスカーボン膜を400nm厚形成し、その上層に酸窒化タンタル(TaOxNy)エッチングマスクを15nm厚さになるように成膜を行った。更にTaNxエッチングマスク上に酸化モリブデンから構成される無機レジスト4を15nm厚さになるように成膜した。
本発明の技術的思想については上述した通りであるが、本発明の技術的思想に至るまでの経緯及び検討内容の更なる詳細について、以下に付帯する。
従って、例えばWOx系無機レジストにおいて、酸素濃度を裏面側に向かって高くすると、感度も裏面側に向かって高くなり、裏面側まで解像可能だと考えた。
しかしながら、実験の結果は期待した効果は得られず、むしろ逆の結果となった。
即ち、発明の課題として「無機レジストの表面からの距離が大きくなるほど「熱の伝導率」が小さくなり、その結果、相変化反応、即ち、アモルファスから結晶への変化の変化率が小さくなる。そのため、こうした変化率の小さい部分では現像不足現象が起こり、ピットやグルーブ等の底面が不完全な状態で形成され、更にピットやグルーブの壁面の傾斜角度等がなだらかになってしまう恐れがある。」と記載されている。
なお、均一材料層及び均一密度層からなる単層中の熱伝導率は層中のいずれの箇所においても一定であるから、この記載においては「無機レジストの表面からの距離が大きくなるほど「熱の伝導量」が小さくなる。」が正しいと考えられる。
「この発明は、遷移金属の不完全酸化物からなる無機レジスト層に対してレーザビームを照射し、露光による熱量がしきい値を超えると不完全酸化物がアモルファス状態から結晶状態に変化し、アルカリに対して可溶性となることを利用して凹凸形状を形成するものである。
したがって、しきい値が感度に対応している。しきい値が低ければ感度が高いことになる。無機レジストの感度は、無機レジスト層中の酸素濃度(酸素含有量を意味する)に応じて変化する。酸素濃度が高いほど感度が高くなる。酸素濃度は、無機レジスト層のスパッタリング法等による成膜中における成膜電力や反応性ガス比率に応じて変化する。したがって、この発明では、このことを利用して、無機レジストの感度を1つのレジスト層のなかで順次変化させることによって(具体的には特許文献4の請求項1に記載の如く「厚み方向で無機レジスト層の酸素濃度を異ならせる」ことによって)、上述した課題を解決しようとするものである。」と記載されている。
即ち、特許文献4に記載の発明は、換言すると、「無機レジスト層中の酸素濃度」に応じて「相変化温度」が変化することを利用している。
しかしながら、前述した通り、本実施形態である矢印IIIの場合ほどは、良好なパターンプロファイルを有するレジストパターン形成が行えない。即ち、上述した光吸収係数や熱伝導率の作用を適正化しないと、レジストの解像性を高めることはできない。
以下、本実施の好ましい態様を付記する。
前記機能傾斜型無機レジストを形成した基板に対して集束レーザーにより描画又は露光を施し、前記レジストに対して局所的に状態変化した部分を形成し、現像によって選択的な溶解反応を行うことを特徴とする微細パターン形成方法。
[付記2]
前記機能傾斜型無機レジストとは異なる材料からなる下地層を含むレジスト付き基板に対して集束レーザーにより描画又は露光を施し、前記レジストに対して局所的に状態変化した部分を形成し、現像により前記レジストに微細パターンを形成した上で、前記レジストの微細パターンをマスクとして前記下地層をエッチングすることにより前記下地層へのパターニングを行うことを特徴とする微細パターン形成方法。
[付記3]
前記機能傾斜型無機レジストの下部にエッチングマスク層、そしてエッチングマスク層の下部に下地層を有する基板を用い、前記基板に集束レーザーにより描画又は露光を施し、前記レジストに局所的に状態変化した部分を形成し、現像により前記レジストに微細パターンを形成し、前記エッチングマスク層に前記レジストの微細パターンを転写した上で、前記下地層又は前記基板をエッチングすることにより前記下地層又は前記基板へのパターニングを行うことを特徴とする微細パターン形成方法。
[付記4]
前記機能傾斜型無機レジストと波長190nm〜440nm範囲の集束レーザーを組み合わせてパターニングすることを特徴とする微細パターン形成方法。
[付記5]
円筒基材の表面に下地層を形成し、前記下地層の上に機能傾斜型無機レジストを形成した後、オートフォーカス機能を付帯した集束レーザーによる熱リソグラフィーにより前記レジストを選択的に描画又は露光及び現像して所望の形状にパターニングし、前記レジストのパターンを前記下地層にエッチングにより転写して、パターンを有する前記下地層を前記円筒基材上に形成することを特徴とする微細パターンの形成方法。
[付記6]
前記下地層をパターニングした後、用済み後の機能傾斜型無機レジスト層を選択的に除去することを特徴とする微細パターン形成方法。
[付記7]
前記機能傾斜型無機レジスト層の下部に、エッチングマスク層を有し、その下部に必要に応じて下地層を有する基材を用い、この基材にオートフォーカス機能を伴った集束レーザーを用いて該レジスト層を選択的に描画又は露光、及び現像により所望の形状にパターニングし、エッチングマスク層にパターン転写した上で、下地層あるいは基材にエッチングによりパターニングすることを特徴とする円筒基材又は3次元構造体への微細パターン形成方法。
[付記8]
前記単層レジストは、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ge、Se、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Sb、Te、Hf、Ta、W、Re、Ir、Pt、Au、Biのうちの少なくとも1つ以上の元素からなるスパッタリングターゲットに対する、酸素、窒素、酸素及び窒素、酸素及び不活性ガス、酸素及び窒素及び不活性ガス、並びに、窒素及び不活性ガスのうちのいずれかの雰囲気下での反応性スパッタリングにより形成されることを特徴とする機能傾斜型無機レジストの形成方法。
[付記9]
レーザーが照射される主表面と前記主表面に対向する裏面とを有し、熱によって状態変化する機能傾斜型無機レジストにおいて、
前記機能傾斜型無機レジストは、酸素及び/又は窒素を含む単層レジストを含み、
前記単層レジスト内における酸素及び/又は窒素の組成比率とレジスト感度との関係において、レジスト感度が極大値を示す際の酸素及び/又は窒素の組成比率以上の範囲にて、前記単層レジスト内における酸素及び/又は窒素の比率が前記主表面側から前記裏面側に至るまで連続的に小さくなっており、
前記単層レジストにおいて、局所的にレーザーが照射された時に一定温度に達する領域の形状の深さ方向への異方性が前記主表面側から前記裏面側に向けて連続的に高められていることを特徴とする機能傾斜型無機レジスト。
[付記10]
レーザーが照射される主表面と前記主表面に対向する裏面とを有し、熱によって状態変化する機能傾斜型無機レジストにおいて、
前記機能傾斜型無機レジストの裏面側は、前記機能傾斜型無機レジストの組成とレジスト感度との関係においてレジスト感度が極大値となる際の組成を有し、
前記主表面側から前記裏面側に至るまで、前記機能傾斜型無機レジストの任意の元素の組成を減少させていることを特徴とする機能傾斜型無機レジスト。
[付記11]
前記機能傾斜型無機レジストは単層レジストを含み、
前記単層レジストの裏面側は、前記単層レジストの組成とレジスト感度との関係においてレジスト感度が極大値となる際の組成を有し、
前記単層レジストの組成を前記主表面側から前記裏面側に至るまで連続的に変化させていることを特徴とする機能傾斜型無機レジスト。
[付記12]
前記単層レジストの組成が連続的に変化する範囲は、前記レジスト感度が極大値となる際の組成から、光吸収係数が連続的に変化する際の組成までの間であることを特徴とする機能傾斜型無機レジスト。
[付記13]
前記単層レジストの組成が連続的に変化する範囲は、前記レジスト感度が極大値となる際の組成から、熱伝導率が連続的に変化する際の組成の範囲内であることを特徴とする機能傾斜型無機レジスト。
[付記14]
前記単層レジストの材料は、
Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ge、Se、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Sb、Te、Hf、Ta、W、Re、Ir、Pt、Au、Biのうちから少なくとも1つ以上が選ばれた元素と、酸素及び/又は窒素との組合せから構成され、
前記選ばれた元素と酸素及び/又は窒素との組成比において、酸素及び/又は窒素の組成比率を前記主表面側から前記裏面側に至るまで連続的に減少させることを特徴とする機能傾斜型無機レジスト。
[付記15]
前記単層レジストの材料はWOx(0.4≦x≦2.0)で表される物質であり、
前記xの値を、前記主表面から前記裏面に至るまで連続的に減少させることを特徴とする機能傾斜型無機レジスト。
[付記16]
レーザーが照射される主表面と前記主表面に対向する裏面とを有し、熱によって状態変化する機能傾斜型無機レジストの形成方法において、
前記機能傾斜型無機レジストの組成とレジスト感度との関係においてレジスト感度が極大値となる際の組成を求める工程と、
前記機能傾斜型無機レジストの裏面側が、前記レジスト感度が極大値となる際の組成となるよう、機能傾斜型無機レジストの成膜を開始する工程と、
前記成膜開始工程後、成膜の際のガス分圧、成膜速度及び成膜出力のうちの少なくとも一つを変化させることによって、前記主表面側から前記裏面側に至るまで、前記機能傾斜型無機レジストの任意の元素の組成を減少させる工程と、
を有することを特徴とする機能傾斜型無機レジストの形成方法。
[付記17]
前記機能傾斜型無機レジストを構成する少なくとも一つの単層レジストを形成する時、
前記単層レジストの組成とレジスト感度との関係においてレジスト感度が極大値となる際の組成を求める工程と、
前記単層レジストの裏面側が、前記レジスト感度が極大値となる際の組成となるよう、機能傾斜型無機レジストの成膜を開始する工程と、
前記成膜開始工程後、成膜の際のガス分圧、成膜速度及び成膜出力のうちの少なくとも一つを連続的に変化させることによって、前記単層レジストの組成を前記主表面側から前記裏面側に至るまで連続的に変化させる工程と、
を有することを特徴とする機能傾斜型無機レジストの形成方法。
[付記18]
前記単層レジストとは異なる材料からなる下地層の上に前記機能傾斜型無機レジストを形成する方法において、
前記単層レジストの組成を連続的に変化させるのに最適な範囲を前記下地層に応じて求めることを特徴とする機能傾斜型無機レジストの形成方法。
2 ・・・下地層
3 ・・・エッチングマスク層
4 ・・・機能傾斜型無機レジスト
5 ・・・レジストパターン(凹部)
101・・・基板
102・・・無機レジスト
103・・・レジストパターン(凹部)
Claims (12)
- レーザーが照射される主表面と前記主表面に対向する裏面とを有し、熱によって状態変化する単層の機能傾斜型無機レジストにおいて、
前記単層レジストの材料は、
Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ge、Se、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Sb、Te、Hf、Ta、W、Re、Ir、Pt、Au、Biのうちから少なくとも1つ以上が選ばれた元素と、酸素及び/又は窒素との組合せから構成され、
前記選ばれた元素に対する酸素及び/又は窒素の組成比とレジスト感度との関係においてレジスト感度が極大値を示す際の酸素及び/又は窒素の組成比以上の範囲にて、前記選ばれた元素に対する酸素及び/又は窒素の比が、前記主表面側から前記裏面側に至るまで連続的に小さくなっており、
前記単層レジストに局所的にレーザーを照射した時に一定温度に達する領域の主表面側から裏面側方向への長さが、当該領域の主表面に平行な方向の長さに比べて連続的に大きくなっていることを特徴とする機能傾斜型無機レジスト。
ただしレジスト感度とは、所定の寸法且つ照射量を有するレーザーをレジストに照射した際の現像可能な部分の寸法で定義される特性である。 - 前記単層レジストの材料はWOx(0.4≦x≦2.0)で表される物質であり、
前記xの値を、前記主表面から前記裏面に至るまで連続的に減少させることを特徴とする請求項1に記載の機能傾斜型無機レジスト。 - 前記単層レジストの厚さは、5nm以上40nm未満の範囲であることを特徴とする請求項1又は2に記載の機能傾斜型無機レジスト。
- 前記単層レジストは、光学的特性及び熱的特性が前記主表面側から前記裏面側に向けて傾斜したアモルファス構造を有することを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の機能傾斜型無機レジスト。
ただし、光学的特性とは光吸収係数を含む、光に起因する特性であり、レジストの解像度に影響を与える特性である。また、熱的特性とは熱伝導率を含む、熱に起因する特性であり、レジストの解像度に影響を与える特性である。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載の機能傾斜型無機レジスト、及び前記機能傾斜型無機レジストとは異なる材料からなる下地層を含む機能傾斜型無機レジスト付き基板であって、
前記下地層の材料は、
(1)Al、Si、Ti、Cr、Zr、Nb、Ni、Hf、Ta、Wの酸化物、窒化物、炭化物、あるいはこれらの複合化合物、のうちの少なくとも1つ以上、又は、
(2)(i)炭素から構成されるアモルファスカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、グラファイト、若しくは炭素と窒素から構成される窒化炭化物のうちの少なくとも1つ以上、若しくは、
(ii)前記炭素を含む材料にフッ素をドープした材料のうちの少なくとも1つ以上、
であることを特徴とする機能傾斜型無機レジスト付き基板。 - 前記下地層の厚さは、10nm以上500nm未満の範囲であることを特徴とする請求項5に記載の機能傾斜型無機レジスト付き基板。
- 前記機能傾斜型無機レジストの下部にエッチングマスク層、そして前記エッチングマスク層の下部に前記下地層が設けられた機能傾斜型無機レジスト付き基板であって、
前記エッチングマスク層の材料は、
(1)Al、Si、Ti、Cr、Nb、Ni、Hf、Ta、あるいはこれらの化合物のうちの少なくとも1つ以上であること、又は、
(2)(i)炭素から構成されるアモルファスカーボン、ダイヤモンドライクカーボン、グラファイト、あるいは炭素と窒素から構成される窒化炭化物のうちの少なくとも1つ以上、若しくは
(ii)前記炭素を含む材料にフッ素をドープした材料のうちの少なくとも1つ以上、
であることを特徴とする請求項5又は6に記載の機能傾斜型無機レジスト付き基板。
- 前記エッチングマスク層の厚さは、5nm以上500nm未満の範囲であることを特徴とする請求項7に記載の機能傾斜型無機レジスト付き基板。
- 前記基板の材料は、金属、合金、石英ガラス、多成分ガラス、結晶シリコン、アモルファスシリコン、アモルファスカーボン、ガラス状カーボン、グラッシーカーボン、セラミックスのいずれかを主成分とすることを特徴とする請求項5ないし8のいずれかに記載の機能傾斜型無機レジスト付き基板。
- 請求項5ないし9のいずれかに記載の基板の代わりに、円筒基材が用いられることを特徴とする機能傾斜型無機レジスト付き円筒基材。
- レーザーが照射される主表面と前記主表面に対向する裏面とを有し、熱によって状態変化する機能傾斜型無機レジストの形成方法において、
前記レジストを構成する少なくとも一つの単層レジストは、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ge、Se、Y、Zr、Nb、Mo、Tc、Ru、Rh、Pd、Ag、Sb、Te、Hf、Ta、W、Re、Ir、Pt、Au、Biのうちの少なくとも1つ以上の元素と、酸素及び/又は窒素との組み合わせにより形成され、
前記単層レジスト形成時の成膜の際のガス分圧、成膜速度及び成膜出力のうちの少なくとも一つを連続的に変化させることによって、前記選ばれた元素に対する酸素及び/又は窒素の組成比とレジスト感度との関係においてレジスト感度が極大値を示す際の酸素及び/又は窒素の組成比以上の範囲にて、前記選ばれた元素に対する酸素及び/又は窒素の比を、前記主表面側から前記裏面側に至るまで連続的に小さくし、
前記単層レジストに局所的にレーザーを照射した時に一定温度に達する領域の主表面側から裏面側方向への長さを、当該領域の主表面に平行な方向の長さに比べて連続的に大きくすることを特徴とする機能傾斜型無機レジストの形成方法。 - 請求項1ないし4のいずれかに記載の機能傾斜型無機レジストを形成した基板に対して集束レーザーにより描画又は露光を施し、前記レジストに対して局所的に状態変化した部分を形成し、現像によって選択的な溶解反応を行うことを特徴とする微細パターン形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011520980A JP5723274B2 (ja) | 2009-07-03 | 2010-07-01 | 機能傾斜型無機レジスト、機能傾斜型無機レジスト付き基板、機能傾斜型無機レジスト付き円筒基材、機能傾斜型無機レジストの形成方法及び微細パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009158671 | 2009-07-03 | ||
JP2009158671 | 2009-07-03 | ||
JP2011520980A JP5723274B2 (ja) | 2009-07-03 | 2010-07-01 | 機能傾斜型無機レジスト、機能傾斜型無機レジスト付き基板、機能傾斜型無機レジスト付き円筒基材、機能傾斜型無機レジストの形成方法及び微細パターン形成方法 |
PCT/JP2010/061259 WO2011002060A1 (ja) | 2009-07-03 | 2010-07-01 | 機能傾斜型無機レジスト、機能傾斜型無機レジスト付き基板、機能傾斜型無機レジスト付き円筒基材、機能傾斜型無機レジストの形成方法及び微細パターン形成方法、並びに無機レジストとその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011002060A1 JPWO2011002060A1 (ja) | 2012-12-13 |
JP5723274B2 true JP5723274B2 (ja) | 2015-05-27 |
Family
ID=43411128
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011520980A Active JP5723274B2 (ja) | 2009-07-03 | 2010-07-01 | 機能傾斜型無機レジスト、機能傾斜型無機レジスト付き基板、機能傾斜型無機レジスト付き円筒基材、機能傾斜型無機レジストの形成方法及び微細パターン形成方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20120135353A1 (ja) |
JP (1) | JP5723274B2 (ja) |
KR (1) | KR20120044355A (ja) |
CN (1) | CN102472963A (ja) |
SG (1) | SG177531A1 (ja) |
WO (1) | WO2011002060A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011124352A (ja) * | 2009-12-10 | 2011-06-23 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP5661343B2 (ja) * | 2010-06-16 | 2015-01-28 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | パターン構造の製造方法 |
JP5679281B2 (ja) * | 2010-10-18 | 2015-03-04 | 旭化成イーマテリアルズ株式会社 | 積層体、及び積層体を用いたモールドの製造方法 |
CN102691045A (zh) * | 2011-03-23 | 2012-09-26 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 铝或铝合金的壳体及其制造方法 |
EP2784587B1 (en) * | 2011-11-22 | 2019-08-07 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Method for producing mold, developing method and pattern-forming material |
CN107255905A (zh) * | 2012-01-27 | 2017-10-17 | 旭化成株式会社 | 干式蚀刻用热反应型抗蚀剂材料、模具的制造方法及模具 |
JP6139225B2 (ja) * | 2013-04-04 | 2017-05-31 | 旭化成株式会社 | パターン付き基材及びその製造方法 |
JP6532703B2 (ja) * | 2014-09-04 | 2019-06-19 | 旭化成株式会社 | 熱反応型レジスト材料、熱反応型レジスト薄膜、及びそれを用いたモールドの製造方法 |
JP6522989B2 (ja) * | 2014-10-08 | 2019-05-29 | 旭化成株式会社 | 熱反応型レジスト薄膜、及びそれを用いたモールドの製造方法 |
CN105483614B (zh) * | 2015-12-03 | 2019-03-12 | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 | 一种类金刚石微管及其制备方法 |
JPWO2017145260A1 (ja) * | 2016-02-23 | 2018-08-02 | 旭化成株式会社 | 熱反応型レジスト材料、及びそれを用いたモールドの製造方法、並びにモールド |
JPWO2023089946A1 (ja) * | 2021-11-16 | 2023-05-25 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005055224A1 (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-16 | Sony Corporation | 光ディスク用原盤の製造方法および光ディスク用原盤 |
JP2008047252A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Sony Corp | 無機レジスト・パターンの形成方法、光ディスク原盤の製造方法、光ディスク・スタンパの製造方法及び光ディスク基板の製造方法 |
WO2009093700A1 (ja) * | 2008-01-25 | 2009-07-30 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | シームレスモールドの製造方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59185048A (ja) * | 1983-04-01 | 1984-10-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録部材及び記録方法 |
EP0188100B1 (en) * | 1984-12-13 | 1991-03-13 | Kuraray Co., Ltd. | Optical recording medium formed of chalcogen oxide and method for producing same |
JP4055543B2 (ja) * | 2002-02-22 | 2008-03-05 | ソニー株式会社 | レジスト材料及び微細加工方法 |
ATE487218T1 (de) * | 2002-10-10 | 2010-11-15 | Sony Corp | Verfahren zur herstellung eines originals für optische datenträgerbenutzung und verfahren zur herstellung eines optischen datenträgers |
EP1732071A1 (en) * | 2005-06-09 | 2006-12-13 | Sony Corporation | Lens positioning method, cutting method, positioning method and cutting apparatus |
JP4872423B2 (ja) * | 2006-04-11 | 2012-02-08 | ソニー株式会社 | 光ディスク原盤製造方法、光ディスク製造方法、光ディスク原盤製造装置 |
TWI407248B (zh) * | 2006-12-05 | 2013-09-01 | Hoya Corp | 光罩之檢查裝置、光罩之檢查方法、液晶裝置製造用光罩之製造方法以及圖案轉印方法 |
JP2008269720A (ja) * | 2007-04-23 | 2008-11-06 | Canon Inc | 透光性スタンパ、透光性スタンパの製造方法及び多層光記録媒体の製造方法 |
JP4596072B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2010-12-08 | ソニー株式会社 | 微細加工体の製造方法、およびエッチング装置 |
JP5257066B2 (ja) * | 2008-12-26 | 2013-08-07 | ソニー株式会社 | 光学素子、表示装置、反射防止機能付き光学部品、および原盤 |
US8408895B2 (en) * | 2009-06-05 | 2013-04-02 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Transferring mold and production process of transferring mold |
TW201109161A (en) * | 2009-09-03 | 2011-03-16 | Ind Tech Res Inst | Method of fabricating roller mold for nanoimprinting |
US9176377B2 (en) * | 2010-06-01 | 2015-11-03 | Inpria Corporation | Patterned inorganic layers, radiation based patterning compositions and corresponding methods |
JP4888585B2 (ja) * | 2010-06-16 | 2012-02-29 | ソニー株式会社 | 光学体、壁材、建具、および日射遮蔽装置 |
JP5720278B2 (ja) * | 2011-02-07 | 2015-05-20 | ソニー株式会社 | 導電性素子およびその製造方法、情報入力装置、表示装置、ならびに電子機器 |
JP5760566B2 (ja) * | 2011-03-23 | 2015-08-12 | ソニー株式会社 | 光学素子、光学系、撮像装置、光学機器、および原盤 |
JP5640854B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2014-12-17 | ソニー株式会社 | 導電性素子およびその製造方法、配線素子、情報入力装置、表示装置、電子機器、ならびに原盤 |
-
2010
- 2010-07-01 KR KR1020127003054A patent/KR20120044355A/ko active Search and Examination
- 2010-07-01 WO PCT/JP2010/061259 patent/WO2011002060A1/ja active Application Filing
- 2010-07-01 JP JP2011520980A patent/JP5723274B2/ja active Active
- 2010-07-01 US US13/381,232 patent/US20120135353A1/en not_active Abandoned
- 2010-07-01 SG SG2012000915A patent/SG177531A1/en unknown
- 2010-07-01 CN CN2010800297431A patent/CN102472963A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005055224A1 (ja) * | 2003-12-01 | 2005-06-16 | Sony Corporation | 光ディスク用原盤の製造方法および光ディスク用原盤 |
JP2008047252A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Sony Corp | 無機レジスト・パターンの形成方法、光ディスク原盤の製造方法、光ディスク・スタンパの製造方法及び光ディスク基板の製造方法 |
WO2009093700A1 (ja) * | 2008-01-25 | 2009-07-30 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | シームレスモールドの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102472963A (zh) | 2012-05-23 |
WO2011002060A1 (ja) | 2011-01-06 |
JPWO2011002060A1 (ja) | 2012-12-13 |
SG177531A1 (en) | 2012-02-28 |
KR20120044355A (ko) | 2012-05-07 |
US20120135353A1 (en) | 2012-05-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5723274B2 (ja) | 機能傾斜型無機レジスト、機能傾斜型無機レジスト付き基板、機能傾斜型無機レジスト付き円筒基材、機能傾斜型無機レジストの形成方法及び微細パターン形成方法 | |
TWI231409B (en) | Photoresist material and micro-fabrication method | |
US20050226999A1 (en) | Method of producing optical disk-use original and method of producing optical disk | |
US7465530B1 (en) | Inorganic resist material and nano-fabrication method by utilizing the same | |
TWI335033B (en) | Laser beam directed pattern formation for disc stamper creation | |
CN1601694A (zh) | 器件的制造方法和观察方法 | |
JP3879726B2 (ja) | 光ディスク用原盤の製造方法及び光ディスクの製造方法 | |
JP2008135090A (ja) | レジスト、これを用いた光ディスク用スタンパの製造方法、及び光ディスク用スタンパ | |
JP2001066783A (ja) | 微細パターン形成用材料及びそれを用いた微細パターン形成方法 | |
US7741004B2 (en) | Method of forming pattern by utilizing coatable inorganic material | |
US20220035235A1 (en) | Mask blank, transfer mask, and semiconductor-device manufacturing method | |
TW201339744A (zh) | 圖案化層狀材料與形成轉印模的方法 | |
Zhang et al. | Laser heat-mode patterning with improved aspect-ratio | |
JP2007212655A (ja) | レジスト膜及び微細加工方法 | |
JP2007293943A (ja) | 微細加工方法、並びにその方法により形成される微細加工品 | |
JP4463224B2 (ja) | 凸構造基体とその製造方法、凸構造基体からなる記録媒体用原盤とその製造方法 | |
JP5545808B2 (ja) | 積層構造体 | |
Lee et al. | High-resolution mastering using AlNiGd metallic glass thin film as thermal absorption layer | |
JP2007172724A (ja) | スタンパの製造方法 | |
JP2010060853A (ja) | エッチング方法および加工方法 | |
JP2011175692A (ja) | 光ディスク原盤の製造方法、及び、光ディスク製造用スタンパの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20130607 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140402 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140530 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20141125 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150120 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150303 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150327 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5723274 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |