JP5679281B2 - 積層体、及び積層体を用いたモールドの製造方法 - Google Patents
積層体、及び積層体を用いたモールドの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5679281B2 JP5679281B2 JP2010233499A JP2010233499A JP5679281B2 JP 5679281 B2 JP5679281 B2 JP 5679281B2 JP 2010233499 A JP2010233499 A JP 2010233499A JP 2010233499 A JP2010233499 A JP 2010233499A JP 5679281 B2 JP5679281 B2 JP 5679281B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- oxide
- layer
- resist layer
- resist
- heat
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
Description
図1(a)、(b)は、本発明の実施の形態に係る積層体の断面模式図である。図1(a)に示すように、本発明に係る積層体1は、基材11と、この基材11上に設けられた熱反応型レジストを含有するレジスト層12と、このレジスト層12上に設けられた少なくとも1層の熱伝導層13とを備える。熱伝導層13は、光透過性を有する熱伝導材料を含有し、所定の熱伝導率及び所定の光透過性を有する。本発明に係る積層体1においては、レジスト層12の露光面側となるレジスト層12の 上層に熱伝導層13を設け、この熱伝導層13の300Kにおける熱伝導率が、0.7W/m・K以上であり且つ、露光波長における消衰係数が0.2以下となるようにする。これにより、熱伝導層13を介して露光されるレジスト層12の温度分布を適切に制御でき、パターンピッチの微細化、及び均一なパターン形状(パターンの幅やライン形状が均一)の形成が可能となる。
本発明に係るモールドの製造方法においては、基材11として、平板状基材、円筒状基材、又はレンズ状基材のいずれかを用い、この基材11上にレジスト層12と熱伝導層13とをこの順に積層した積層体1を用いる。このモールドの製造方法は、熱伝導層13を積層した積層体1を製造した後、積層体1を構成する熱反応型レジストを含有するレジスト層12をレーザーで露光してから、熱伝導層13を剥離してレジスト層12を現像する現像工程と、現像したレジスト層12をマスクとして、フロン系ガスで基材11をエッチングする工程と、レジスト層12を除去して、モールドを製造する除去工程と、を含む。
次に、本発明の効果を明確にするために行った実施例に基づいて本発明を詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施例及び比較例によって何ら限定されるものではない。まず、本実施例に用いた評価法について説明する。
LER(line edge roughness)は、パターンの乱れを表す指標で、パターンの壁面に出来た凹凸の大きさを表す。LERは、現像後のレジストの表面SEM(走査型電子顕微鏡)観察を行い、得られた像をSEMI International Standardsに記載のSEMI P47−0307に従い導出した。LERの値が小さいほどパターン形状が綺麗なことをあらわす。
実施例1においては、以下の条件によりスパッタリング法で積層体を成膜した。基材として50Φの石英基材を選択し、レジスト層の熱反応型レジストとしてCuOを選択した。基材及びレジスト層の材料を固定し、熱伝導層の熱伝導材料として酸化テルル、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化鉛、窒化 シリコン、及びアルミニウムドープ酸化亜鉛を選択し、下記表1に示す条件により6種類の積層体を成膜した。
以上のように成膜した各積層体を以下の条件で露光した。
露光用半導体レーザー波長:405nm
レンズ開口数:0.85
露光レーザーパワー:1mW〜10mW
送りピッチ:120nm〜350nm
基材としてΦ80mm×L400mmの円筒状の石英基材を選択した。レジスト層を構成する熱反応型レジストとして酸化銅を選択し、熱伝導層を構成する熱伝導材料として酸化鉛を選択し、下記表1に示す条件により積層体を成膜した。その後、実施例1と同様に露光、現像を実施した。得られた パターン形状について、AFM(原子間力顕微鏡)測定を実施した。下記表2に層構成(膜厚)、達成可能な最小ピッチ幅と、その際のLERを示す。
基材としてΦ80mm×L400mmの円筒状のガラス基材を選択した。エッチング層を構成するエッチング材料として酸化シリコンを選択し、レジスト層を構成する熱反応型レジストとして酸化銅を選択し、熱伝導層を構成する熱伝導材料として酸化テルルを選択した。エッチング層上に、レジスト層、及び熱伝導層がこの順に積層されるようにして、下記表1に示す条件で積層体を成膜した。その後、実施例1に記載の方法で露光、現像を実施した。得られた パターン形状について、AFM(原子間力顕微鏡)測定を実施した。下記表2に層構成(膜厚)、達成可能な最小ピッチ幅と、その際のLERを示す。
レジスト層を構成する熱反応型レジストとしてCuOを選択し、熱伝導層を成膜せずに下記表1に示す条件で積層体を成膜した。その後、実施例1と同様の条件で露光、現像を実施した。
熱伝導層を構成する熱伝導材料として、熱伝導率が0.24のポリエチレンと、消衰係数が4のアルミとを選択した以外は、実施例1と同一の条件で積層体を成膜した。次に、熱伝導層の剥離を下記表1に示す条件で実施した。露光、現像は、実施例1と同様にして実施した。
11 基材
12 レジスト層
13 熱伝導層
14 エッチング層
Claims (10)
- 基材と、前記基材上に設けられ、熱反応型レジストを含有するレジスト層と、前記レジスト層上に設けられる少なくとも1層の熱伝導層と、を具備し、
前記熱伝導層は、300Kにおける熱伝導率が0.7W/m・K以上であり、且つ、405nmの露光波長における消衰係数が0.2以下であることを特徴とする積層体。 - 前記熱伝導層が、無機化合物を含有することを特徴とする請求項1に記載の積層体。
- 前記熱伝導層が、酸化物、窒化物、フッ化物、硫化物、及びセレン化物からなる化合物群から選択された少なくとも1つの化合物を含有することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の積層体。
- 前記熱伝導層が、酸化テルル、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化錫、酸化錫ドープ酸化インジウム、酸化アルミドープ酸化亜鉛、酸化ガリウムドープ酸化亜鉛、フッ化マグネシウム、窒化シリコン、酸化アルミ、窒化アルミニウム、酸化コバルト、酸化クロム、酸化銅、酸化鉄、酸化ゲルマニウム、酸化マンガン、酸化ニオブ、酸化ニッケル、酸化アンチモン、及び酸化チタンからなる化合物群から選択された少なくとも1つの化合物を含有することを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の積層体。
- 前記熱伝導層の膜厚が、1nm以上、50nm以下であることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の積層体。
- 前記基材が、平板状基材、円筒状基材、又はレンズ状基材のいずれかであることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれか1項に記載の積層体。
- 前記レジスト層と前記基材との間に設けられるエッチング層を有することを特徴とする請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の積層体。
- 請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の積層体を用いたモールドの製造方法であって、
前記積層体の前記レジスト層をレーザーで露光後、前記熱伝導層を剥離し、前記レジスト層を現像する現像工程と、
現像した前記レジスト層をマスクとして、フロン系ガスで前記基材をドライエッチングするエッチング工程と、
前記レジスト層を除去する除去工程と、を含むことを特徴とするモールドの製造方法。 - 請求項7に記載の積層体を用いたモールドの製造方法であって、
前記積層体を形成する前記レジスト層をレーザーで露光後、前記熱伝導層を剥離し、前記レジスト層を現像する現像工程と、
現像した前記レジスト層をマスクとして、フロン系ガスで前記エッチング層をドライエッチングするエッチング工程と、
前記レジスト層を除去する除去工程と、を有することを特徴とするモールドの製造方法。 - 前記積層体は、スパッタリング法、蒸着法、CVD法のいずれかを用いて得られたことを特徴とする請求項8又は請求項9に記載のモールド製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010233499A JP5679281B2 (ja) | 2010-10-18 | 2010-10-18 | 積層体、及び積層体を用いたモールドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010233499A JP5679281B2 (ja) | 2010-10-18 | 2010-10-18 | 積層体、及び積層体を用いたモールドの製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012088429A JP2012088429A (ja) | 2012-05-10 |
JP2012088429A5 JP2012088429A5 (ja) | 2013-12-05 |
JP5679281B2 true JP5679281B2 (ja) | 2015-03-04 |
Family
ID=46260136
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010233499A Active JP5679281B2 (ja) | 2010-10-18 | 2010-10-18 | 積層体、及び積層体を用いたモールドの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5679281B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6097028B2 (ja) * | 2012-07-18 | 2017-03-15 | 旭化成株式会社 | モールドの製造方法及びレジストパターンの形成方法 |
JP6139225B2 (ja) * | 2013-04-04 | 2017-05-31 | 旭化成株式会社 | パターン付き基材及びその製造方法 |
JP6307269B2 (ja) * | 2013-04-09 | 2018-04-04 | 旭化成株式会社 | 微細パターン形成用積層体、モールドの製造方法 |
JP6177168B2 (ja) * | 2013-05-08 | 2017-08-09 | 旭化成株式会社 | エッチング被加工材及びそれを用いたエッチング方法 |
CN103744266A (zh) * | 2014-01-06 | 2014-04-23 | 苏州华维纳纳米科技有限公司 | 一种用于光刻技术的硫化物半导体热阻膜 |
JP6532703B2 (ja) * | 2014-09-04 | 2019-06-19 | 旭化成株式会社 | 熱反応型レジスト材料、熱反応型レジスト薄膜、及びそれを用いたモールドの製造方法 |
JP6580344B2 (ja) * | 2015-03-02 | 2019-09-25 | 旭化成株式会社 | 積層体の製造方法、及びモールドの製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01292649A (ja) * | 1988-05-19 | 1989-11-24 | Sekisui Chem Co Ltd | 光情報記録媒体およびその製造方法 |
WO2006129565A1 (ja) * | 2005-05-30 | 2006-12-07 | Pioneer Corporation | レジスト材料および電子線記録用レジスト材料 |
JP2007212655A (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-23 | Canon Inc | レジスト膜及び微細加工方法 |
KR100777043B1 (ko) * | 2007-05-22 | 2007-11-16 | 주식회사 테스 | 비정질 탄소막 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의제조 방법 |
EP2345932A4 (en) * | 2008-10-14 | 2012-06-13 | Asahi Kasei Corp | HEAT-RESISTANT RESISTANT MATERIAL, LAMINATED BODY FOR THERMAL LITHOGRAPHY WITH THE MATERIAL AND MOLDING PROCESS WITH THE MATERIAL AND LAMINATE BODY |
KR20120044355A (ko) * | 2009-07-03 | 2012-05-07 | 호야 가부시키가이샤 | 기능 경사형 무기 레지스트, 기능 경사형 무기 레지스트가 부착된 기판, 기능 경사형 무기 레지스트가 부착된 원통 기재, 기능 경사형 무기 레지스트의 형성 방법 및 미세 패턴 형성 방법과 무기 레지스트와 그 제조 방법 |
-
2010
- 2010-10-18 JP JP2010233499A patent/JP5679281B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012088429A (ja) | 2012-05-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5651156B2 (ja) | 熱反応型レジスト材料、それを用いた熱リソグラフィ用積層体及びそれらを用いたモールドの製造方法 | |
JP5679281B2 (ja) | 積層体、及び積層体を用いたモールドの製造方法 | |
JP2013167886A (ja) | リソグラフ処理及び像形成用のドライ多層無機合金感熱レジスト | |
WO2013111812A1 (ja) | 微細凹凸構造体、ドライエッチング用熱反応型レジスト材料、モールドの製造方法及びモールド | |
US7465530B1 (en) | Inorganic resist material and nano-fabrication method by utilizing the same | |
JP2006004594A (ja) | 構造体の形成方法、構造体形成用媒体及び構造体 | |
US20070054493A1 (en) | Methods of forming patterns using phase change material and methods for removing the same | |
CN102566259A (zh) | 形成纳米结构的方法 | |
JP6307269B2 (ja) | 微細パターン形成用積層体、モールドの製造方法 | |
US8545969B2 (en) | Pattern-formed substrate, pattern-forming method, and die | |
US20110053094A1 (en) | Method for fabricating roller mold for nanoimprinting | |
JP2012093678A (ja) | 熱反応型レジスト材料 | |
JP2014241183A (ja) | ドライエッチング用積層体、モールドの製造方法及びモールド | |
JP2010199115A (ja) | パターン形成方法 | |
JP5718613B2 (ja) | 熱反応型レジスト材料 | |
JP6580344B2 (ja) | 積層体の製造方法、及びモールドの製造方法 | |
CN102043330A (zh) | 用于纳米压印的滚筒模仁的制造方法 | |
JP5661343B2 (ja) | パターン構造の製造方法 | |
CN111367146A (zh) | 一种相变-热分解型复合光刻胶的纳米光刻方法 | |
JP5545808B2 (ja) | 積層構造体 | |
JP2012068453A (ja) | 積層体及び積層体の製造方法並びに積層体を用いたモールドの製造方法 | |
JP5990375B2 (ja) | 積層体及びこの積層体を用いたモールドの製造方法 | |
JP2011175692A (ja) | 光ディスク原盤の製造方法、及び、光ディスク製造用スタンパの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20131001 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131017 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20131017 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140610 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140611 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140710 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141224 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141225 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5679281 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S801 | Written request for registration of abandonment of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R311801 |
|
ABAN | Cancellation of abandonment | ||
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |