JP2012088429A5 - - Google Patents

Description

本発明の積層体においては、前記熱伝導層が、酸化テルル、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化錫、酸化錫ドープ酸化インジウム、酸化アルミドープ酸化亜鉛、酸化ガリウムドープ酸化亜鉛、フッ化 マグネシウム、窒化シリコン、酸化アルミ、窒化アルミニウム、酸化コバルト、酸化クロム、酸化銅、酸化鉄、酸化ゲルマニウム、酸化マンガン、酸化ニオブ、酸化ニッケル、酸化アンチモン、及び酸化チタンからなる化合物群から選択された少なくとも１つの化合物を含有することが好ましい。

Claims (12)

1. 基材と、前記基材上に設けられ、熱反応型レジストを含有するレジスト層と、前記レジスト層上に設けられる少なくとも１層の熱伝導層と、を具備し、
   前記熱伝導層は、３００Ｋにおける熱伝導率が０．７Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、且つ、露光波長における消衰係数が０．２以下であることを特徴とする積層体。
2. 前記熱伝導層が、無機化合物を含有することを特徴とする請求項１に記載の積層体。
3. 前記熱伝導層が、酸化物、窒化物、フッ化物、硫化物、及びセレン化物からなる化合物群から選択された少なくとも１つの化合物を含有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の積層体。
4. 前記熱伝導層が、酸化テルル、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化錫、酸化錫ドープ酸化インジウム、酸化アルミドープ酸化亜鉛、酸化ガリウムドープ酸化亜鉛、フッ化マグネシウム、窒化シリコン、酸化アルミ、窒化アルミニウム、酸化コバルト、酸化クロム、酸化銅、酸化鉄、酸化ゲルマニウム、酸化マンガン、酸化ニオブ、酸化ニッケル、酸化アンチモン、及び酸化チタンからなる化合物群から選択された少なくとも１つの化合物を含有することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の積層体。
5. 前記熱伝導層の膜厚が、１ｎｍ以上、５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の積層体。
6. 前記基材が、平板状基材、円筒状基材、又はレンズ状基材のいずれかであることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の積層体。
7. 前記レジスト層と前記基材との間に設けられるエッチング層を有することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の積層体。
8. 請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の積層体を用いたモールドの製造方法であって、
   前記積層体の前記レジスト層をレーザーで露光後、前記熱伝導層を剥離し、前記レジスト層を現像する現像工程と、
   現像した前記レジスト層をマスクとして、フロン系ガスで前記基材をドライエッチングするエッチング工程と、
   前記レジスト層を除去する除去工程と、を含むことを特徴とするモールドの製造方法。
9. 請求項７に記載の積層体を用いたモールドの製造方法であって、
   前記積層体を形成する前記レジスト層をレーザーで露光後、前記熱伝導層を剥離し、前記レジスト層を現像する現像工程と、
   現像した前記レジスト層をマスクとして、フロン系ガスで前記エッチング層をドライエッチングするエッチング工程と、
   前記レジスト層を除去する除去工程と、を有することを特徴とするモールドの製造方法。
10. 前記積層体は、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法のいずれかを用いて得られたことを特徴とする請求項８又は請求項９に記載のモールド製造方法。
11. 請求項８から請求項１０のいずれか１項に記載のモールドの製造方法により製造されたことを特徴とするモールド。
12. １ｎｍ以上、１μｍ以下の微細パターンを有することを特徴とする請求項１１に記載のモールド。