KR20210119055A - 그래핀을 포함하는 그래핀-금속복합 펠리클 및 그의 제조방법 - Google Patents

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KR20210119055A
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Abstract

열부하 안전성, 높은 EUV 투과율, 우수한 화학적 내구성 및 기계적 특성을 갖는 그래핀을 포함하는 그래핀-금속복합 펠리클 및 그의 제조방법이 제안된다. 본 발명에 따른 그래핀을 포함하는 그래핀-금속복합 펠리클 제조방법은 실리콘기판 상에 금속촉매층을 형성하는 단계; 금속촉매층 상에 그래핀을 성장시켜 코어층을 형성하는 단계; 코어층 상에 제1보호층을 형성하는 단계; 제1보호층 상에 방열층을 형성하는 단계; 및 실리콘기판 측에서 금속촉매층까지 식각하여 코어층을 노출시켜, 실리콘기판-금속촉매층으로 구성된 펠리클프레임을 형성하는 단계;를 포함한다.

Description

그래핀을 포함하는 그래핀-금속복합 펠리클 및 그의 제조방법{Graphene-metal composite pellicle and manufacturing method thereof}
본 발명은 그래핀을 포함하는 그래핀-금속복합 펠리클 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 열부하 안전성, 높은 EUV 투과율, 우수한 화학적 내구성 및 기계적 특성을 갖는 그래핀을 포함하는 그래핀-금속복합 펠리클 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
반도체 산업이 발달되고 집적도가 향상됨으로써 전자기기들이 점차 소형화 및 경량화되고 있다. 따라서 이에 요구되는 반도체 소자의 집적도 향상을 위해 노광 기술의 고도화가 요구되어지고 있는 상황이다.
현재, 광원의 파장을 감소시켜 반도체의 미세한 패턴을 구현하는 방향으로 기술이 발전하고 있기에, 차세대 기술인 극자외선(Extreme Ultraviolet, EUV) 노광기술은 한 번의 레지스트 공정으로 미세 패턴을 구현할 수 있는 가장 전도유망한 기술이다.
반도체 공정에서의 극자외선 노광기술은 광원(light source power), 레지스트(resist), 펠리클(pellicle) 및 블랭크 마스크로 분류된다. 이 중 펠리클(pellicle)은 노광공정 중에 발생하는 오염 물질의 패턴에의 전사를 방지하는 역할을 수행하기에 반도체 제품의 수율과 직접적으로 연관된다. 그러나, 종래의 펠리클은 193 nm 파장을 사용하는 불화아르곤(ArF) 노광 기술 대비 13.5 nm파장의 극자외선 광원이 광자에너지가 14배 이상 높으며 대부분의 물질에서 흡수되는 특성때문에 사용이 어려운 문제가 발생하였다.
따라서, 극자외선 노광기술에 안정적으로 사용할 수 있는 투과율 높은 펠리클에 대한 개발요청이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은, 열부하 안전성, 높은 EUV 투과율, 우수한 화학적 내구성 및 기계적 특성을 갖는 그래핀을 포함하는 그래핀-금속복합 펠리클 및 그의 제조방법을 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 그래핀을 포함하는 그래핀-금속복합 펠리클 제조방법은 실리콘기판 상에 금속촉매층을 형성하는 단계; 금속촉매층 상에 그래핀을 성장시켜 코어층을 형성하는 단계; 코어층 상에 제1보호층을 형성하는 단계; 제1보호층 상에 방열층을 형성하는 단계; 및 실리콘기판 측에서 금속촉매층까지 식각하여 코어층을 노출시켜, 실리콘기판-금속촉매층으로 구성된 펠리클프레임을 형성하는 단계;를 포함한다.
금속촉매는 구리(Cu), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 류테늄(Ru) 및 코발트(Co) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1보호층은 SiN, Zr, B4C, Si-BN, 및 BN 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1보호층은 원자층증착공정(Atomic layer deposition)으로 형성될 수 있다.
본 발명에 따른 펠리클 제조방법은 실리콘기판의 상면 및 노출된 측면, 금속촉매층의 노출된 측면 및 코어층의 노출된 상면에 제2보호층을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다.
제2보호층을 형성하는 단계는 원자층증착공정에 의해 수행될 수 있다.
실리콘기판의 노출된 측면 및 금속촉매층의 노출된 측면이 구성하는 면은 코어층의 노출된 상면과 예각을 이룰 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 실리콘기판 상에 금속촉매층을 형성하는 단계; 금속촉매층 상에 그래핀을 성장시켜 코어층을 형성하는 단계; 코어층 상에 제1보호층을 형성하는 단계; 제1보호층 상에 방열층을 형성하는 단계; 및 실리콘기판 측에서 금속촉매층까지 식각하여 코어층을 노출시켜, 실리콘기판-금속촉매층으로 구성된 펠리클프레임을 형성하는 단계;를 포함하는 그래핀을 포함하는 그래핀-금속복합 펠리클 제조방법에 의해 제조된 펠리클이 제공된다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 극자외선 노광기술에 사용되는 펠리클의 코어층으로 기계적 강도 및 내화학성이 우수한 그래핀을 실리콘 기판 상에 직접 성장시켜 고품질이 유지된 채로 코어층에 사용하므로 신뢰성 높은 펠리클의 제조가 가능한 효과가 있다.
또한, 그래핀 코어층에 SiN 코어층을 원자층증착공정을 이용하여 형성하여 최소한의 두께로 형성할 수 있어 투과율을 향상시켜 우수한 성능의 펠리클의 제조가 가능한 효과가 있다.
아울러, 펠리클코어부가 펠리클프레임부로부터 탈락되는 것을 방지하기 위하여 식각되어 제거된 실리콘 기판 및 금속촉매층의 노출된 영역에 보호층을 형성하는데, 원자층증착공정을 이용하여 평면이 아닌 경사면에도 최소한의 두께의 보호층이 균일하게 형성되어 펠리클의 수율을 높일 수 있는 효과가 있다.
도 1 내지 도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 펠리클 제조방법의 설명에 제공되는 도면들이다.
도 10은 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 펠리클의 일부 단면에 대한 광학이미지이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 첨부된 도면에서 특정 요철을 갖도록 도시되거나 소정두께를 갖는 구성요소가 있을 수 있으나, 이는 설명 또는 구별의 편의를 위한 것이므로 특정요철 및 소정두께를 갖는다고 하여도 본 발명이 도시된 구성요소에 대한 특징만으로 한정되는 것은 아니다.
도 1 내지 도 9는 본 발명의 일실시예에 따른 펠리클 제조방법의 설명에 제공되는 도면들이다.
펠리클(Pellicle)은 포토마스크 표면을 이물(Particle) 및 기타 오염으로부터 보호해 주는 반도체 공정용 소모성 재료이다. 펠리클을 포토마스크에 사용하면, 패터닝 초점이 포토마스크의 표면과 노광시킬 웨이퍼 표면에 일치하게 되어 일정크기 이하의 이물(Particle)은 웨이퍼 상에 전사되지 않도록 한다. 이에 따라 포토마스크가 불순물에 의해 영향을 받지 않도록 하여 반도체 공정 수율을 매우 높일 수 있다.
본 발명에 따른 펠리클 제조방법은 실리콘기판(110) 상에 금속촉매층(120)을 형성하는 단계; 금속촉매층(120) 상에 그래핀을 성장시켜 코어층(130)을 형성하는 단계; 코어층(130) 상에 제1보호층(140)을 형성하는 단계; 제1보호층(140) 상에 방열층(150)을 형성하는 단계; 및 실리콘기판(110) 측에서 금속촉매층(120)까지 식각하여 코어층(130)을 노출시켜, 실리콘기판(110)-금속촉매층(120)으로 구성된 펠리클프레임을 형성하는 단계;를 포함한다.
본 발명에 따른 펠리클 제조방법에서는 실리콘기판(110) 상(도 1)에 코어층(130) 형성을 위한 금속촉매층(120)을 형성한다(도 2). 실리콘기판(110)은 실리콘 웨이퍼를 사용할 수 있으며, 실리콘 기판은 코어층(130) 형성을 위한 금속촉매층(120)의 지지기판으로서, 코어층(130)이 형성된 후 일부가 제거되어 펠리클프레임의 역할을 수행한다.
금속촉매층(120)을 형성하기 전에, 접착력 향상을 위하여 SiN, 금속산화물 또는 금속질화물을 포함하는 접착층을 실리콘기판(110)의 일면 또는 양면에 형성할 수 있다.
금속촉매층(120)은 그래핀을 포함하는 코어층(130)의 시드층이다. 금속촉매층(120)은 금속촉매는 구리(Cu), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 류테늄(Ru) 및 코발트(Co) 중 적어도 하나 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 금속촉매층(120)은 구리를 포함하면, 고품질의 그래핀 성장이 가능하다. 금속촉매층(120)은 구리를 포함하는 경우 1,000nm이하의 두께로, 니켈이나 코발트를 포함하는 경우 500nm의 두께로 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명에서 실리콘기판(110) 상에 금속촉매층(120)을 형성하여 그래핀을 포함하는 코어층(130)은 실리콘기판(110) 상에서 직접 성장하게 된다. 따라서, 제조된 그래핀을 전사시키는 공정에 비하여 고품질의 그래핀층을 얻을 수 있다. 그래핀은 다양한 방법으로 제조될 수 있는데, 화학기상증착(chemical vapor deposition, CVD)공정을 이용하면 그래핀 특성이 우수하고 대량생산가능하다. 화학기상증착법은 고온화학기상증착(RTCVD), 유도결합플라즈마 화학기상증착(ICP-CVD), 저압 화학기상증착(LPCVD), 상압화학기상증착(APCVD), 금속 유기화학기상증착(MOCVD) 또는 화학기상증착(PECVD) 등이 있다.
금속촉매층(120) 상에는 코어층(130)이 형성된다(도 3). 본 발명에 따른 펠리클 제조방법에서는 코어층(130)으로서 그래핀을 성장시켜 펠리클 막으로 사용한다. 그래핀은 도핑되었거나 도핑되지 않은 그래핀일 수 있다. 그래핀은 특성상 표면젖음성이 낮아 반응성이 낮다. 따라서, 그래핀을 포함하는 코어층(130) 상에 제1보호층(140)을 형성하기 위하서는 도핑된 그래핀을 형성하여 반응성을 높여 이후 형성되는 제1보호층(140)의 탈락을 방지할 수 있다.
본 발명에서는 펠리클막으로서 그래핀을 사용한다. 극자외선 노광공정에 사용되는 펠리클 소재로는 투광도를 고려한 다결정 실리콘이 있는데, 다결정 실리콘은 제조 공정에서 노출되는 화학 물질에 대한 내화학성이 없으며 극자외선 공정 중 발생하는 수소 라디칼에 대하여 안정성이 낮다. 또한, 극자외선 노광공정 중 발생하는 열적 스트레스 등에 의하여 파손될 가능성이 높아 여러 층의 보호층과 방열층이 필요하다.
이와 달리, 본 발명에서 제조하는 펠리클에 사용되는 그래핀 코어층은 높은 온도에서도 열적 스트레스를 견딜 수 있다. 또한, 그래핀은 내화학성이 높고, 상대적으로 높은 EUV 투과율을 나타낸다.
그래핀을 포함하는 코어층(130) 상에는 코어층(130)을 보호하기 위한 제1보호층(140)이 형성된다(도 4). 제1보호층(140)은 SiN, Zr, B4C, Si-BN, 및 BN 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 제1보호층(140)은 코어층(130)을 보호하기 위한 것이므로 두께가 두꺼운 것이 바람직하나, 광투과율 측면에서는 두께가 가능한 얇은 것이 바람직하다. 제1보호층(140)은 펠리클막의 최상의 투과율을 위하여, 높은 화학 안정성 및 열적 안정성을 갖는 소재로서 5nm 미만의 두께가 요구되어진다. 그러나, 코어층(130)에 그래핀을 적용하면, 그래핀이 약 10층 두께로 형성되어 매우 얇은 층이 되므로, 전체 펠리클막의 두께를 광투과율과 함께 고려할 때, 제1보호층(140)의 두께를 최대 10nm까지 적용 가능하게 된다. 따라서, 펠리클막에 그래핀을 사용하면, 펠리클막의 기계적, 열적, 내플라즈마 특성과 함께 요구되는 광학적 특성을 모두 만적시킬 수 있는 적층 구조로 설계하고 제작 가능하다.
제1보호층(140)은 원자층증착공정(Atomic layer deposition)으로 형성될 수 있다. 원자층증착공정은 원자단위의 증착공정으로서, 증착하고자 하는 원자의 전구체 가스를 주입하고 반응가스를 함께 주입하여 증착대상기판에 원자를 층으로 적층하여 박막을 형성시키는 공정이다. 원자층증착공정에서는 복수 회(약 5회)의 원자층증착공정을 통하여 1층의 박막층이 형성될 수 있다. 이에 따라, 제1보호층(140)을 원자층증착공정으로 형성하면, 실리콘기판(110) 상에 형성된 그래핀층에 발생한 결함영역에 제1보호층(140)이 원자단위로 박막을 형성하게 되어 결함치유 및 표면 평탄화가 가능하게 된다.
원자층증착공정은 원자의 전구체가스를 주입하는 공정이므로 160℃이하에서도 수행가능하다. 따라서, 원자층증착공정에 따라 박막인 제1보호층(140)을 형성하면, 원자단위의 박막을 저온에서 형성할 수 있어서, 실리콘기판(110), 금속촉매층(120), 및 코어층(130)에 대한 영향을 최소화할 수 있고, 제1보호층(140)이 박막이므로 두께를 최소화하여 펠리클막의 광투과율을 최대로 유지할 수 있다.
제1보호층(140) 상에는 극자외선 노광공정 중 발생하는 열적 스트레스를 감소시키기 위한 방열층(150)이 형성된다(도 5). 방열층(150)은 Ru, Zr, B4C, Si-BN 및 BN 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
코어층(130)이 그래핀을 포함하고 있어 10층 내외로 매우 얇은 두께로 형성되므로, 코어층(130), 제1보호층(140) 및 방열층(150)을 포함하는 펠리클막은 30nm이하의 두께를 가질 수 있다.
실리콘기판(110) 상에 금속촉매층(120), 코어층(130), 제1보호층(140) 및 방열층(150)이 형성되면, 실리콘기판(110) 측에서 금속촉매층(120)까지 식각하여 코어층(130)을 노출시킨다(도 6). 적층체가 식각되면, 실리콘기판(110)-금속촉매층(120)으로 구성된 펠리클프레임이 형성되는데, 펠리클프레임은 노출된 코어층(130) 영역에 해당하는 코어층(130), 제1보호층(140) 및 방열층(150)으로 구성되는 펠리클막을 지지한다. 펠리클막은 펠리클프레임위에 프리스탠딩 방식으로 지지되어 극자외선 노광공정에서 사용될 때, 포토마스크와의 이격거리를 유지할 수 있게 한다. 따라서, 코어층(130)의 그래핀을 성장시키기 위한 금속촉매층(120)이 위치하는 실리콘기판(110)은 코어층(130)의 성장 이외에도 최종 생성된 펠리클의 프레임으로서 기능을 수행한다.
실리콘기판(110)의 식각은 습식식각방식을 이용할 수 있는데, 습식식각용액을 선택할 때에는 금속촉매층(120), 코어층(130), 제1보호층(140) 및 방열층(150)의 특성을 고려하여 선택한다. 습식식각용액이 각 층, 특히 코어층(130)에 불리한 영향을 미치지 않도록 하여야 하므로, 코어층(130)의 구성물질이 내화학성이 낮다면 식각용액은 낮은 강도로 선택되는 것이 바람직하다.
예를 들어, 코어층(130)이 다결정 폴리실리콘인 경우, 식각용액으로서 KOH를 선택할 수 있다. 예를 들어 제조될 펠리클의 크기가 11cm×14cm인 경우, KOH를 이용한 실리콘기판(110)의 식각은 약 3일이상 소요될 수 있다. 그러나, 코어층(130)이 내화학성이 높은 그래핀을 포함하는 경우, 식각특성이 강한 식각용액을 이용하여 실리콘기판(110)의 식각공정을 수행할 수 있으므로 전체적인 공정시간을 크게 감소시킬 수 있다.
식각공정에 따라 펠리클프레임이 형성되면, 펠리클막 및 펠리클프레임을 포함하는 펠리클을 얻을 수 있다.
본 발명에 따른 펠리클 제조방법은 실리콘기판(110)의 상면 및 노출된 측면, 금속촉매층(120)의 노출된 측면 및 코어층(130)의 노출된 상면에 제2보호층(160)을 형성하는 단계;를 더 포함할 수 있다. 제2보호층(160)은 코어층(130)의 노출된 상면을 보호하기 위한 층이면서, 동시에 실리콘기판(110) 및 금속촉매층(120)이 노출되어 형성되는 펠리클프레임의 표면에 형성될 수 있다.
도 7을 참조하면, 제2보호층(160)은 실리콘기판(110)의 상면과 식각된 측면, 금속촉매층(120)의 식각되어 노출된 측면, 그리고, 코어층(130)의 그래핀층 상면에 형성된다. 실리콘기판(110) 및 금속촉매층(120)은 식각되어 원래 면적의 대부분이 제거되었으므로, 계면에서의 접착력이 낮을 수 있다. 특히, 금속촉매층(120)은 실리콘기판(110)과의 접착력이 낮으므로, 형성된 펠리클은 실리콘기판(110) 및 금속촉매층(120) 계면에서 분리될 수 있다. 따라서, 제2보호층(160)을 실리콘기판(110)의 상면과 측면, 금속촉매층(120)의 노출된 측면 및 코어층(130)의 상면에 연결되도록 형성하여 펠리클프레임의 각 층간 및 코어층(130)과의 부착상태를 유지시킬 수 있다.
제2보호층(160)은 원자층증착공정으로 형성될 수 있다. 전술한 바와 같이 원자층증착공정은 원자단위의 층을 증착하는 공정으로서, 도 7의 펠리클과 같이 일부가 식각되어 캐비티가 형성된 경우 유용하게 적용될 수 있는 공정이다. 즉, 제2보호층(160)이 스퍼터링과 같은 일반적인 증착공정으로 형성된다면, 실리콘기판(110) 및 금속촉매층(120)의 측면에는 거의 형성되지 않고, 실리콘기판(110)의 상면 및 코어층(130) 상에만 형성될 가능성이 높다. 이 경우에는 실리콘기판(110) 및 금속촉매층(120) 사이의 탈락을 방지할 층이 형성되지 않는 문제가 발생한다.
이와 달리 본 발명에서와 같이 제2보호층(160)이 원자층증착공정으로 형성되는 경우, 증착하고자 하는 원자의 전구체 가스를 주입하고 반응가스를 함께 주입하여 증착대상기판에 원자를 층으로 적층하여 박막을 형성시키므로, 측면에도 균일하게 박막이 형성될 수 있어 스퍼터링공정에서와 같은 문제는 발생되지 않는다. 또한, 도 7에서는 실리콘기판(110)의 노출된 측면 및 금속촉매층(120)의 노출된 측면이 구성하는 면은 코어층의 노출된 상면과 둔각을 이루고 있으나, 이와 달리 예각을 이루는 경우에는 일반적인 스퍼터링 공정으로는 금속촉매층(120) 및 코어층(130) 사이에는 박막 형성이 어려울 수 있다. 본 발명에 따라 제2보호층(160)을 원자층증착공정으로 형성한다면, 원자층 형성시 구석 부분에서부터 형성될 것으로 예상되므로, 제2보호층(160)의 펠리클프레임 층 분리를 보다 효과적으로 방지할 수 있다.
펠리클(100)의 면적이 크거나, 사용편의성을 높이기 위해서는 실리콘기판(110) 상의 제2보호층(160) 상부에 접착층(170)을 형성하고, 실리콘, 인바 또는 다공성 세라믹 소재 등으로 펠리클프레임을 연장하는 지지층(180)을 더 추가할 수 있다(도 8 및 도 9).
본 발명의 다른 측면에 따르면, 실리콘기판 상에 금속촉매층을 형성하는 단계; 금속촉매층 상에 그래핀을 성장시켜 코어층을 형성하는 단계; 코어층 상에 제1보호층을 형성하는 단계; 제1보호층 상에 방열층을 형성하는 단계; 및 실리콘기판 측에서 금속촉매층까지 식각하여 코어층을 노출시켜, 실리콘기판-금속촉매층으로 구성된 펠리클프레임을 형성하는 단계;를 포함하는 펠리클 제조방법에 의해 제조된 펠리클이 제공된다. 본 발명에 따른 펠리클 제조방법에 따르면, 실리콘기판(110) 및 금속촉매층(120)을 포함하는 펠리클프레임; 및 코어층(130), 제1보호층(140) 및 방열층(150)을 포함하는 펠리클막을 포함하는 펠리클(100)을 얻는다.
도 10은 본 발명의 일실시예에 따라 제조된 펠리클의 일부 단면에 대한 광학이미지이다. 본 발명에 따른 펠리클은 8인치 실리콘 웨이퍼에 구리촉매층과 성장된 그래핀층, SiN층 및 Ru층을 포함한다. 그래핀층과 SiN층의 두께는 20nm였다. 도 10을 참조하면, 그래핀층이 10층 이내로 형성되어 있음을 확인할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시예들에 대하여 설명하였으나, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서, 구성 요소의 부가, 변경, 삭제 또는 추가 등에 의해 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있을 것이며, 이 또한 본 발명의 권리범위 내에 포함된다고 할 것이다.
100: 펠리클
110: 실리콘기판
120: 금속촉매층
130: 코어층
140: 제1보호층
150: 방열층
160: 제2보호층
170: 접착층
180: 지지층

Claims (8)

  1. 실리콘기판 상에 금속촉매층을 형성하는 단계;
    금속촉매층 상에 그래핀을 성장시켜 코어층을 형성하는 단계;
    코어층 상에 제1보호층을 형성하는 단계;
    제1보호층 상에 방열층을 형성하는 단계; 및
    실리콘기판 측에서 금속촉매층까지 식각하여 코어층을 노출시켜, 실리콘기판-금속촉매층으로 구성된 펠리클프레임을 형성하는 단계;를 포함하는 그래핀을 포함하는 그래핀-금속복합 펠리클 제조방법.
  2. 청구항 1에 있어서,
    금속촉매는 구리(Cu), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 류테늄(Ru) 및 코발트(Co) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀을 포함하는 그래핀-금속복합 펠리클 제조방법.
  3. 청구항 1에 있어서,
    제1보호층은 SiN, Zr, B4C, Si-BN, 및 BN 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀을 포함하는 그래핀-금속복합 펠리클 제조방법.
  4. 청구항 1에 있어서,
    제1보호층은 원자층증착공정(Atomic layer deposition)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 그래핀을 포함하는 그래핀-금속복합 펠리클 제조방법.
  5. 청구항 1에 있어서,
    실리콘기판의 상면 및 노출된 측면, 금속촉매층의 노출된 측면 및 코어층의 노출된 상면에 제2보호층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀을 포함하는 그래핀-금속복합 펠리클 제조방법.
  6. 청구항 5에 있어서,
    제2보호층을 형성하는 단계는 원자층증착공정에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀을 포함하는 그래핀-금속복합 펠리클 제조방법.
  7. 청구항 1에 있어서,
    실리콘기판의 노출된 측면 및 금속촉매층의 노출된 측면이 구성하는 면은 코어층의 노출된 상면과 예각을 이루는 것을 특징으로 하는 그래핀을 포함하는 그래핀-금속복합 펠리클 제조방법.
  8. 제1항에 따른 그래핀을 포함하는 그래핀-금속복합 펠리클 제조방법에 따라 제조된 그래핀을 포함하는 그래핀-금속복합 펠리클.
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