JP5711618B2 - 光電変換装置 - Google Patents

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Description

光電変換装置及びその作製方法に関する。
近年、地球温暖化対策として、発電時に二酸化炭素の排出の無い光電変換装置が注目されている。その代表例は、屋外の太陽光で発電する住宅用等の電力供給用として用いられている単結晶シリコンや多結晶シリコンなどを用いた太陽電池であるが、低コストで生産できる非晶質シリコンを用いた薄膜型の太陽電池も知られている。
非晶質シリコン太陽電池は、住宅用等の電力供給用として用いることもできるが、強光が照射されると光劣化現象を生じ、初期変換効率が低下してしまう問題を有している。また、蛍光灯の光など、可視光線の波長に対して高い光電変換能力を有することから、電卓や腕時計など低消費電力の機器を動作させるために用いられることが多い。
薄膜型の光電変換装置は、所望の電圧を得るための集積化加工が容易である。集積型光電変換装置では、積層された半導体層を複数のセルに分離するための分離溝を有するが、該分離溝は隣接したセルを直列に接続するための接続溝としても利用され、該接続溝には導電性材料が設けられている。従って、例えば、セルの構成がｐｉｎ型の場合、各半導体層は側面部が接続溝に設けられた導電性材料と接するため、裏面電極や上面電極とショートした状態となっている。しかしながら、各半導体層の抵抗が高いため、セルの横方向に流れる電流は非常に小さく、側面部がショートした状態でも実用上の問題とはならなかった。なお、本明細書において「セル」とは、集積型光電変換装置を構成する最小単位の光電変換領域を指す。
しかし、セルをタンデム型等の多接合型とした場合は、セルを縦方向に接合する領域に高濃度ドープ層や透光性導電膜等の低抵抗層を用いるため、上記の様な方法で集積化を行うとリーク電流が大きく、良好な電気特性を得ることができなかった。
この問題を解決するために、光発電領域となる複数の第１の領域（セル）と、第１の領域で挟まれる領域に第２の領域を形成し、第２の領域に接続溝を設けることで第１の領域の各半導体層や透光性導電膜と接続溝に設ける導電材料とのショートを防ぐ方法が特許文献１に開示されている。
特開２００４─２６００１３号公報
近年、電子部品の低消費電力化が進み、光電変換装置のみから供給される電力で動作できる電子機器の構成も可能となってきた。しかしながら、この様な電子機器を屋内で連続的に使用するには、数十ルクス乃至数百ルクスの照度においても十分な発電能力を有する光電変換装置が必要となる。低照度下で変換効率の高い光電変換装置を実現するには、上述したセル側面部のショートが無視できなくなる。
セル側面部のショートは、接続溝に設けられた導電性材料を介して起こるだけではない。半導体層をレーザ加工して分離形成されたセルの側面部は、レーザ照射で生じる熱による結晶化や結晶化率の向上により、低抵抗化してしまう。すなわち、該側面部はショートした状態となっている。レーザ加工で分離形成されたセルの側面部は低抵抗化された状態であるため、特許文献１に開示されている様な方法のみでは低照度下で変換効率の高い光電変換装置を実現することはできない。
従って、本発明の一態様は、低照度下で変換効率の高い光電変換装置及びその作製方法を提供することを目的とする。
本発明の一態様は、半導体層を適切に分離加工し、セル側面部で生じるショートを防止することによって、低照度下における高い発電能力を実現する光電変換装置及びその作製方法に関する。
本明細書で開示する本発明の一態様は、分離溝によって分割された一方及び他方の第１の電極と、一方及び他方の第１の電極上に形成された一導電型を有する一方及び他方の第１の半導体層、真性半導体からなる一方及び他方の第２の半導体層、及び一導電型とは逆の導電型を有する一方及び他方の第３の半導体層からなる一方及び他方の積層体と、一方の第１の電極の一部と分離溝と他方の第１の電極の一部と他方の積層体の一側面部と覆う絶縁体と、絶縁体を覆い、一方の第１の電極と、他方の第３の半導体層を電気的に接続する第２の電極と、一方の第１の電極と第２の電極とを電気的に接続する接続電極と、を有し、第２の半導体層の側面部は結晶化していないことを特徴とする光電変換装置である。
本明細書において「第１」、「第２」等の数詞の付く用語は、要素を区別するために便宜的に付与しているものであり、数的に限定するものではなく、また配置及び段階の順序を限定するものでもない。
上記積層体に形成されたピンホールや傷などの構造欠陥に絶縁樹脂が充填されていても良い。構造欠陥に絶縁樹脂が充填されることで、セルが構造欠陥を介して上下方向にショートすることを防止することができる。
なお、本明細書において「構造欠陥」とは、膜の一部が欠損する欠陥のことを言い、結晶構造の乱れなどの結晶欠陥を意味するものではない。
上記一方の第１の電極と第２の電極を電気的に接続する接続電極が形成されていても良い。該接続電極には、低抵抗導電樹脂材料である銀ペースト、ニッケルペースト、モリブデンペースト、及び銅ペーストから選ばれた一つ、またはそれらの積層を用いることが好ましい。
また、本明細書で開示する本発明の他の一態様は、分離溝によって分割された一方及び他方の第１の電極と、一方及び他方の第１の電極上に形成された一導電型を有する一方及び他方の第１の半導体層、真性半導体からなる一方及び他方の第２の半導体層、一導電型とは逆の導電型を有する一方及び他方の第３の半導体層、及び一方及び他方の第２電極からなる一方及び他方の積層体と、一方の第１の電極の一部、分離溝、他方の第１の電極の一部、及び他方の積層体の一側面部を覆う絶縁体と、絶縁体を覆い、一方の第１の電極と、他方の第２の電極を電気的に接続する接続電極と、を有し、第２の半導体層の側面部は結晶化していないことを特徴とする光電変換装置である。
上記接続電極には、カーボンペーストやインジウム錫酸化物ペースト（ＩＴＯペースト）等や、第２の電極と同等の抵抗となるように調整された導電樹脂材料を用いることが好ましい。
また、第１及び第３の半導体層の側面部は、その中央部と結晶化率が異ならないことが好ましい。
また、本明細書で開示する本発明の他の一態様は、基板上に第１の導電層を形成し、第１の導電層上に一導電型を有する第１の半導体層を形成し、第１の半導体層上に真性半導体からなる第２の半導体層を形成し、第２の半導体層上に一導電型とは逆の導電型を有する第３の半導体層を形成し、第１の導電層、前記第１の半導体層、前記第２の半導体層、及び第３の半導体層を複数に分離する分離溝を設けて、一方及び他方の第１の電極と、該半導体層からなる積層体を形成し、積層体を可剥離性樹脂で形成された第１のマスクを用いて選択的にエッチングし、第１の電極の一部を露出させ、第１のマスクを剥離し、分離溝、及びエッチングを施した積層体の一側面部を絶縁体で封止し、エッチングを施した積層体の一側面部以外の側面部及び第１の電極の一部を可剥離性樹脂で形成された第２のマスクで覆い、エッチングを施した積層体、絶縁体、第１の電極、及び第２のマスク上に第２の導電層を形成し、第２のマスクを剥離してエッチングを施した積層体の一側面部以外の側面部及び第１の電極の一部を露出させると共に一方及び他方の第２の電極を形成し、一方の第１の電極と他方の第２の電極を接続する接続電極を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法である。
である。
ここで、第１のマスクの一部は、積層体に形成された構造欠陥に固定化されても良い。
また、本明細書で開示する本発明の他の一態様は、基板上に第１の導電層を形成し、第１の導電層上に一導電型を有する第１の半導体層を形成し、第１の半導体層上に真性半導体からなる第２の半導体層を形成し、第２の半導体層上に一導電型とは逆の導電型を有する第３の半導体層を形成し、第３の半導体層上に第２の導電層を形成し、第２の導電層を可剥離性樹脂で形成されたマスクを用いて選択的にエッチングし、第１の導電層、第１の半導体層、第２の半導体層、第３の半導体層、及び第２の導電層を複数に分離する分離溝を設けて、一方及び他方の第１の電極、該半導体層からなる積層体、及び一方及び他方の第２の電極を形成し、積層体をマスクを用いて選択的にエッチングし、第１の電極の一部を露出させ、マスクを剥離し、分離溝、及びエッチングを施した積層体の一側面部を絶縁体で封止し、一方の第１の電極と他方の第２の電極を接続する接続電極を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法である。
また、本明細書で開示する本発明の他の一態様は、基板上に第１の導電層を形成し、第１の導電層上に一導電型を有する第１の半導体層を形成し、第１の半導体層上に真性半導体からなる第２の半導体層を形成し、第２の半導体層上に一導電型とは逆の導電型を有する第３の半導体層を形成し、第３の半導体層上に第２の導電層を遮蔽板を用いて選択的に形成することで、一方及び他方の第２の電極を形成し、第１の導電層、第１の半導体層、第２の半導体層、及び第３の半導体層を複数に分離する分離溝を設けて、一方及び他方の第１の電極と、該半導体層からなる積層体を形成し、積層体を第２の電極をマスクとして選択的にエッチングして、第１の電極の一部を露出させ、分離溝、及びエッチングを施した積層体の一側面部を絶縁体で封止し、一方の第１の電極と他方の第２の電極を接続する接続電極を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法である。
上記分離溝は、レーザ加工で形成することができる。
本発明の一態様によって、低照度下においても高い発電能力を実現する光電変換装置を提供することができる。
本発明の一態様における光電変換装置を説明する断面図。 光電変換装置の作製方法を説明する工程断面図。 光電変換装置の作製方法を説明する工程断面図。 光電変換装置の作製方法を説明する工程断面図。 光電変換装置の作製方法を説明する工程断面図。 光電変換装置の作製方法を説明する工程断面図。 光電変換装置の作製方法を説明する工程断面図。 光電変換装置の作製方法を説明する工程断面図。 光電変換装置の作製方法を説明する工程断面図。 従来の光電変換装置を説明する断面図。 電子機器を説明する図、及び充放電制御回路を説明するブロック図。
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略することがある。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様である光電変換装置の構造、及びその作製方法について説明する。
図１は、本発明の一態様における光電変換装置の断面図である。本実施の形態における光電変換装置は集積化構造をしており、基板１００、第１の電極１２０ａ、１２０ｂ、第１の半導体層１４０、第２の半導体層１５０、第３の半導体層１６０、第２の電極１８０ａ、１８０ｂ、絶縁体２３０、接続電極２７０を含んで構成される。ここで、接続電極２７０は必須ではないが、第１の電極１２０ａと第２の電極１８０ｂの接触抵抗を低減させるために設けることが好ましい。
なお、本明細書における光電変換装置の断面図は、集積化された光電変換装置の一部を示すものであり、直列に接続されるセルの段数は限られず、所望の電力が得られる様に実施者が適宜決定すれば良い。また、一つのセルの構成は、隣接するセルの構成と同等であることから、その符号を付すことを省略することがある。
図１０に従来の集積型光電変換装置の断面図を示す。該光電変換装置はｐｉｎ型であり、基板１００、第１の電極１２０ａ、第１の半導体層１４０、第２の半導体層１５０、第３の半導体層１６０、第２の電極１８０ａ、１８０ｂを含んで構成されている。ここで、該半導体層を複数に分離してセルを形成する分離溝が、第１の電極１２０ａと隣接するセルの第２の電極１８０ｂを接続するための接続溝となっており、接続溝４００ａ、４００ｂには、第２の電極１８０ａ、１８０ｂを構成する導電性材料が充填されている。
そのため、接続溝４００ａ、４００ｂでは、セルを構成する各半導体層の側面部は、該接続溝に設けられた導電性材料と接するため、裏面電極や上面電極とショートした状態となっている。しかしながら、各半導体層が縦方向（膜厚方向）に流す電流に対して、横方向（面方向）に流すことのできる電流が極めて小さい場合は、各半導体層の側面部がショートした状態は実質的に問題にはならない。第１の半導体層１４０や第３の半導体層１６０は、半導体としては低抵抗であるが、金属や酸化物導電層で形成される第１の電極または第２の電極と比較すると電気伝導度は小さく、リークする電流も小さい。
しかしながら、低照度下において、セルの発電電流が小さい場合、上記各半導体層の側面部がショートした状態は無視できなくなる。第１の半導体層１４０や第３の半導体層１６０の抵抗によって異なるが、セルの電極間に流れる電流のうち、リーク電流の成分が多くなり、電気特性が悪化する。具体的には、曲線因子（Ｆ．Ｆ．：Ｆｉｌｌ Ｆａｃｔｏｒ）や開放電圧（Ｖｏｃ）の低下が起こる。なお、ここで低照度とは、数十ルクス程度を下限とする照度である。
従って、セルの側面部は、導電性材料と接しない構成とすることが重要である。しかしながら、その構成にすることのみでは不十分であり、半導体層からセルを分離形成する方法の改善が必要となる。
半導体層の分離加工には、一般的にレーザ加工が用いられている。半導体層にレーザを照射すると、その光吸収による発熱が局部的に起こり、照射領域が飛散する。この現象によって、半導体層に分離溝を形成するが、同時にそのときに発する熱によって分離溝の側面部、すなわちセルの側面部を結晶化させる、または該側面部の結晶化率を変化させてしまう。例えば、半導体層が非晶質シリコンである場合、レーザ照射によって該側面部は微結晶や多結晶の結晶性シリコンとなる場合がある。また、半導体層が微結晶シリコンの場合、レーザ照射によって該側面部では結晶粒の成長が起こる場合がある。
この様に、非晶質シリコンが結晶化した場合や、微結晶シリコンが結晶化率の高い方向へ変化した場合などにおいては、電気伝導度が上昇するため、セルの側面部は導電性材料を接した状態と同じようにショートした状態となる。
なお、「結晶化率」とは、ラマン分光法、Ｘ線回折法、反射率測定、抵抗測定、電子顕微鏡観察などのいずれかの分析結果から結晶に関する情報を定量化したものであり、「結晶化度」とも言う。
従って、本発明の一態様における光電変換装置は、第１の半導体層１４０、第２の半導体層１５０、及び第３の半導体層１６０からなる積層体の側面部が導電性を有する材料と接しない構成とする。また、第２の半導体層１５０の側面部は非晶質であり、第１の半導体層１４０及び第３の半導体層１６０の側面部は、その他の部分、例えば該半導体層の中央部と結晶化率が異ならない構成とする。
図１では、該積層体の一側面部は、絶縁体２３０で覆われており、該積層体の一側面部と対向する側面部には何も接していない。また、図示はしていないが、他の側面部も何も接していない状態となっている。なお、信頼性を向上させるために図１の構成に対して受光面側（半導体層等を形成する側）を絶縁樹脂等の絶縁体で封止しても良い。この場合は、該積層体の一側面部以外の側面部は該絶縁体と接する様になる。
また、該積層体は、側面部が結晶化しない、または結晶化率が変化しない方法を用いてエッチングを行って形成する。
この様な構成とすることで、セルの側面部のショートを防止することができ、低照度下においても発電能力の高い光電変換装置を形成することができる。
なお、図５（Ｄ）に示す様に、第１の半導体層１４０、第２の半導体層１５０、及び第３の半導体層１６０の少なくとも１つ以上に形成されたピンホールや傷などの構造欠陥３２０ａ、３２０ｂに、それを充填する絶縁樹脂２１０ａが形成されている構成としても良い。この絶縁樹脂２１０ａが形成されていることにより、構造欠陥３２０ａ、３２０ｂは不活性化し、上下の電極層間のショートやリークを防ぐことができる。
ここで、構造欠陥３２０ａ、３２０ｂは、該半導体層を形成する過程において、パーティクル等によって不本意に形成されたものである。なお、図５（Ｄ）では、第１の半導体層１４０、第２の半導体層１５０、及び第３の半導体層１６０の３層の半導体層を貫く形で構造欠陥３２０ａ、３２０ｂを図示しているが、構造欠陥形成過程は様々な現象によるものであり、これに限らない。例えば、第２の半導体層１５０より上に構造欠陥が形成される場合や、第１の電極１２０ａを含んだ形で構造欠陥が形成される場合などがある。いずれにしても構造欠陥は、本来形成されているべき層が欠損している領域であり、別の層がその領域に入り込む可能性が高い。従って、ショートやリークなどの電気特性を悪化させる要因となってしまう。
基板１００には、例えば、青板ガラス、白板ガラス、鉛ガラス、または結晶化ガラスなどのガラス板を用いることができる。また、アルミノシリケートガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどの無アルカリガラス基板や石英基板を用いることができる。本実施の形態では、基板１００にガラス基板を用い、半導体層等を形成する側を光入射側とする。
また、基板１００には、樹脂基板を用いることもできる。例えば、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリアミド系合成繊維、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリイミド、アクリロニトリルブタジエンスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリ酢酸ビニル、アクリル樹脂などが挙げられる。
なお、基板１００の厚さは特に限定しないが、例えば１００μｍ前後の上記樹脂基板を用いれば、Ｒｏｌｌ−ｔｏ−Ｒｏｌｌプロセスを行うことができる。
Ｒｏｌｌ−ｔｏ−Ｒｏｌｌプロセスには、スパッタ法やプラズマＣＶＤ法などの成膜工程だけでなく、スクリーン印刷法やレーザ加工法などの工程も含まれる。従って、光電変換装置のほぼ全ての製造工程をＲｏｌｌ−ｔｏ−Ｒｏｌｌプロセスで行うこともできる。また、途中までの工程をＲｏｌｌ−ｔｏ−Ｒｏｌｌプロセスで行い、シート状に分断して、その後の工程をシート単位で行っても良い。例えば、分断したシートをセラミックや金属、またはそれらの複合体等で形成された枠に貼付けることで、ガラス基板等と同様に取り扱うことができる。
第１の電極１２０ａには、アルミニウム、チタン、ニッケル、銀、モリブデン、タンタル、タングステン、クロム、銅またはステンレス等の金属膜を用いることができる。金属膜は単層に限らず、異なる膜の積層でも良い。例えば、ステンレスとアルミニウムの積層や、銀とアルミニウムの積層などを用いることができる。膜厚は総厚で１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下とする。また、図示はしていないが、光閉じ込め効果を付与するために第１の電極１２０ａの表面をテクスチャ構造としても良い。
また、第２の電極１８０ａには、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、亜鉛を含むインジウム錫酸化物（ＩＺＯ）、ガリウムを含む酸化亜鉛（ＧＺＯ）、アルミニウムを含む酸化亜鉛（ＡＺＯ）、酸化錫（ＳｎＯ２）、フッ素を含む酸化錫（ＦＴＯ）、またはアンチモンを含む酸化錫（ＡＴＯ）等の透光性導電膜を用いることができる。上記透光性導電膜は単層に限らず、異なる膜の積層でも良い。例えば、ＩＴＯとＡＺＯの積層や、ＩＴＯとＦＴＯの積層などを用いることができる。膜厚は総厚で１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下とする。
なお、第１の電極１２０ａは、上記透光性導電膜と金属膜の積層であっても良い。この場合は、半導体層と接する側を透光性導電膜とすることで、光閉じ込め効果を付与することができる。このとき、該透光性導電膜の膜厚は、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とすることが好ましい。例えば、基板側からアルミニウム、銀、ＩＴＯの順で形成した積層を用いることができる。
本実施の形態では、基板１００側とは逆の面を光入射側とするため、第１の電極１２０ａにはステンレスとアルミニウムの積層、第２の電極１８０ａには透光性導電膜であるＩＴＯを用いる構成とする。光入射側を基板１００側とした場合は、それぞれの電極に用いる材料を逆にすれば良い。なお、光入射側の電極には透光性導電膜を用いるが、対向する電極の種類は問われず、実施者が適宜選択することができる。
第１の半導体層１４０には一導電型を有する半導体膜を用いることができ、第３の半導体層１６０には一導電型とは逆の導電型を有する半導体膜を用いることができる。本実施の形態では、第１の半導体層１４０にはｎ型のシリコン半導体膜を用い、第３の半導体層１６０にはｐ型のシリコン半導体膜を用いるが、それぞれ逆の導電型を用いても良い。なお、第１の半導体層１４０の膜厚は、１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下、第３の半導体層１６０の膜厚は、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることが好ましい。また、第１の半導体層１４０及び第３の半導体層１６０には非晶質シリコンを用いることもできるが、より低抵抗の微結晶シリコンまたは多結晶シリコンを用いることが好ましい。
第２の半導体層１５０には、真性半導体を用いる。なお、本明細書において、真性半導体とは、フェルミ準位がバンドギャップの中央に位置する所謂真性半導体の他、半導体に含まれるｐ型若しくはｎ型を付与する不純物が１×１０２０ｃｍ−３以下の濃度であり、暗伝導度に対して光伝導度が１００倍以上である半導体を指す。この真性半導体には、周期表第１３族または第１５族の元素が不純物として含まれるものであっても良い。なお、第２の半導体層１５０の膜厚は、１００ｎｍ以上６００ｎｍ以下とすることが好ましい。
第２の半導体層１５０に用いる真性半導体には、非晶質シリコンを用いることが好ましい。非晶質シリコンは、可視光線に対する光吸収が大きく、蛍光灯下の様な低照度の環境で高い発電能力を示す光電変換装置を形成することができる。
次に、本発明の一態様における光電変換装置の作製方法を詳細に説明する。
まず、ガラス基板等の基板１００上に第１の電極１２０ａとなる導電膜１２０を形成する。ここでは、スパッタ法を用い、膜厚５ｎｍのステンレスと膜厚３００ｎｍのアルミニウムの積層を用いる。なお、第１の半導体層１４０と接する側をステンレスとする。
次に、第１の半導体層１４０として、膜厚３０ｎｍのｎ型の微結晶シリコンを成膜する。本実施の形態では、プラズマＣＶＤ法を用い、ｎ型を付与する不純物を含むドーピングガスを原料ガスに混合してｎ型の微結晶シリコンを形成する。ｎ型を付与する不純物としては、代表的には周期表第１５族元素であるリン、ヒ素、またはアンチモンなどが挙げられる。例えば、ホスフィンなどのドーピングガスをシラン等の原料ガスに混合することで、ｎ型の微結晶シリコンを形成することができる。なお、第１の半導体層１４０は、非晶質シリコンで形成しても良いが、より低抵抗で、かつ導電膜１２０との密着性が良好な微結晶シリコンで形成することが好ましい。
続いて、プラズマＣＶＤ法を用いて、第２の半導体層１５０として膜厚６００ｎｍのｉ型の非晶質シリコンを成膜する。原料ガスには、シランまたはジシランを用いることができ、水素を添加しても良い。このとき、膜中に含まれる大気成分がドナーとなる場合があるため、導電型がよりｉ型に近づくように、原料ガス中にホウ素（Ｂ）を添加しても良い。この場合、ｉ型の非晶質シリコン中のホウ素濃度が０．００１ａｔ．％以上０．１ａｔ．％以下となる様にする。
更に、プラズマＣＶＤ法を用い、第３の半導体層１６０として膜厚３０ｎｍのｐ型の微結晶シリコンを成膜する（図２（Ａ）参照）。ｐ型の微結晶シリコンは、ｐ型を付与する不純物を含むドーピングガスを原料ガスに混合して形成する。ｐ型を付与する不純物としては、代表的には周期表第１３族元素であるホウ素またはアルミニウムなどが挙げられる。例えば、ジボラン等のドーピングガスをシラン等の原料ガスに混合してｐ型の微結晶シリコンを形成することができる。なお、第３の半導体層１６０は、非晶質シリコンで形成しても良いが、より低抵抗となる微結晶シリコンで形成することが好ましい。
次に、セルとなる領域を覆うマスク２１０を形成する。マスク２１０には、可剥離性樹脂を用いると良い。可剥離性樹脂には、塩化ビニル系、酢酸ビニル系、アクリル樹脂系などの材料で形成されたもので、例えば、アサヒ化学研究所製のストリップマスク＃５０３Ｂ−ＳＨなどがあり、剥離型マスキング剤とも言う。該可剥離性樹脂は、スクリーン印刷等で所望の形状のマスクを直接形成することができ、剥離液等を用いずに物理的に簡単に引き剥がすことができる特徴を有している。なお、可剥離性樹脂として、フォトレジストや感光性ポリイミド等の感光性樹脂を用いても良い。
次に、導電膜１２０、第１の半導体層１４０、第２の半導体層１５０及び第３の半導体層１６０を複数に分離する分離溝３００ａ、３００ｂを形成する（図２（Ｂ）参照）。該分離溝は、レーザ加工等で形成することができる。このレーザ加工に用いられるレーザは、赤外光領域の連続発振またはパルス発振レーザを用いることが好ましい。例えば、Ｎｄ−ＹＡＧレーザ（波長１０６４ｎｍ）を用い、ビーム径３０μｍ、出力０．５Ｗ、発振周波数２５ｋＨｚ、スキャン速度２０ｃｍ／ｓｅｃで加工することができる。なお、ここで該分離溝の一部が基板１００に達しても良い。また、この段階で導電膜１２０が分離加工されることにより第１の電極１２０ａ、１２０ｂが形成される。
ここで、分離溝３００ａ、３００ｂの側面部における半導体層領域は、レーザ加工時の熱を受け、非晶質領域は結晶化し、微結晶領域は結晶化率が変化する。なお、微結晶領域においては、成膜した状態で結晶化率が比較的高い場合は、結晶化率が変化しない場合もある。
なお、セルとなる領域にマスク２１０が形成されていることで、レーザ加工時の飛散物等がセルの直上に載ることを防ぐことができる。膜面上に飛散物があると、傷等の構造欠陥の原因となることがある。
次に、マスク２１０で覆った領域以外の半導体層をエッチングによって取り除く（図２（Ｃ）参照）。半導体層のエッチングは、例えば、エッチングガスにＳＦ６、ＣＨＦ３、ＣＦ４、ＮＦ３またはＣｌＦ３などを用いたドライエッチング法や、ヒドラジン（Ｎ２Ｈ４）、水酸化カリウム（ＫＯＨ）、または水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）の水溶液を用いたウェットエッチング法で行うことができる。
この段階で、上述した分離溝３００ａ、３００ｂの側面部における半導体層の結晶化した領域が取り除かれる。また、第１の電極１２０ａ、１２０ｂの一部が露出する。
なお、上記レーザ加工の工程と半導体層のエッチングの工程は、順序を逆にしても良い。ただし、レーザ光の吸収が金属層よりも半導体層の方が大きいため、加工の効率が良く、上記順序で行うことが好ましい。
次に、マスク２１０を剥離する。そして、分離溝３００ａ、３００ｂを充填し、第１の半導体層１４０、第２の半導体層１５０及び第３の半導体層１６０からなる積層体の一側面部を覆う様に絶縁体２３０を形成する。更に該積層体の一側面部以外の他の側面部を覆う様にマスク２５０を形成する（図２（Ｄ）参照）。
絶縁体２３０には、金属酸化物等の無機材料や、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの絶縁樹脂を用いることができ、例えば、熱硬化型のエポキシ樹脂をスクリーン印刷法で形成することができる。マスク２５０には、マスク２１０と同様の可剥離性樹脂を用いることができる。
次に、第３の半導体層１６０、絶縁体２３０、マスク２５０を覆う様に透光性導電膜１８０を形成する（図３（Ａ）参照）。ここでは、透光性導電膜１８０として、１００ｎｍのインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）をスパッタ法で形成する。
次に、マスク２５０とその上部に形成された透光性導電膜１８０を剥離するリフトオフ工程を行い、第１の半導体層１４０、第２の半導体層１５０及び第３の半導体層１６０からなる積層体の一側面以外の側面部が何も接していない状態とする（図３（Ｂ）参照）。ここで第２の電極１８０ａ、１８０ｂが形成される。
次に、第１の電極１２０ａと、隣接する第１の電極１２０ｂ上に形成された該積層体上の第２の電極１８０ｂを接続する接続電極２７０を形成する（図３（Ｃ）参照）。接続電極２７０には、銀ペースト、ニッケルペースト、モリブデンペースト、及び銅ペーストから選ばれた一つ、またはそれらの積層を用いることができる。ここでは、接続電極２７０にスクリーン印刷法で形成した銀ペーストを用いる。ここで、第２の電極１８０ｂと接する側の接続電極２７０の端部は、絶縁体２３０と重なる様に形成する。接続電極２７０の端部が絶縁体２３０を超えてセルと重なる領域に形成されると、受光面積が減少するだけでなく、静電耐圧を低下させる場合がある。
なお、図示はしないが、受光面側に信頼性を向上させるための保護絶縁層を形成しても良い。保護絶縁層には無機膜や絶縁樹脂を用いることができる。
以上により、セルの側面部のショートを防止することができ、低照度下においても発電能力の高い光電変換装置を作製することができる。
続いて、半導体層にピンホールや傷などの構造欠陥がある場合において、該構造欠陥を絶縁樹脂で充填し、不活性化させる方法を含んだ光電変換装置の作製方法を説明する。
まず、基板１００上に導電膜１２０、第１の半導体層１４０、第２の半導体層１５０及び第３の半導体層１６０を形成する（図４（Ａ）参照）。これらは、図２（Ａ）の構成の作製方法に従って形成することができる。ただし、該半導体層には、構造欠陥３２０ａ、３２０ｂが形成されている。
次に、セルとなる領域を覆うマスク２１０を絶縁性の可剥離性樹脂で形成する。ここで可剥離性樹脂は、構造欠陥３２０ａ、３２０ｂにも充填される。本実施の形態では、マスク２１０をポジ型フォトレジスト（以下、フォトレジストとする。）で形成する。フォトレジストをスピンコータやスリットコータを用いて、０．５μｍ以上５μｍ以下の厚さに形成し、プリベークを行う。なお、フォトレジストの代わりに感光性ポリイミドを用いても良い。
そして、分離溝３００ａ、３００ｂを形成する（図４（Ｂ）参照）。該分離溝は、図２（Ｂ）の構成における分離溝３００ａ、３００ｂの作製方法に従って形成することができる。また、この段階で導電膜１２０が分離加工されることにより第１の電極１２０ａ、１２０ｂが形成される。
次に、マスク２１０で覆った領域以外の半導体層をエッチングして取り除く（図４（Ｃ）参照）。該半導体層のエッチングは、図２（Ｃ）の構成を形成するためのエッチング法に従って行うことができる。この段階で第１の電極１２０ａ、１２０ｂの一部が露出する。
次に、マスク２１０に用いるフォトレジストを、例えば、３００ｎｍ以上４００ｎｍ以下の紫外光を用いて露光する。露光はフォトレジスト側から行い、第３の半導体層１６０表面までのフォトレジストが感光する様に露光時間を調整する。この場合、露光されなかった部分は固定化され、露光された部分は固定化されない。
次に、現像液で現像することによって、構造欠陥３２０ａ、３２０ｂに固定化されたフォトレジスト（絶縁樹脂２１０ａ）を残して、上記固定化されないフォトレジストを除去することができる。その後、ポストベークを行い、フォトレジスト（絶縁樹脂２１０ａ）を化学的に安定化させる（図４（Ｄ）参照）。
次に、絶縁体２３０及びマスク２５０を形成する（図５（Ａ）参照）。これらは、図２（Ｄ）の構成に含まれる絶縁体２３０及びマスク２５０の作製方法に従って形成することができる。
次に、第３の半導体層１６０、絶縁体２３０、マスク２５０を覆う様に透光性導電膜１８０を形成する（図５（Ｂ）参照）。該透光性導電膜は、図３（Ａ）の構成に含まれる透光性導電膜１８０の作製方法に従って形成することができる。
次に、マスク２５０とその上部に形成された透光性導電膜１８０を剥離するリフトオフ工程を行い、第１の半導体層１４０、第２の半導体層１５０及び第３の半導体層１６０からなる積層体の一側面以外の側面部が何も接していない状態とする（図５（Ｃ）参照）。ここで第２の電極１８０ａ、１８０ｂが形成される。
次に、第１の電極１２０ａと、隣接する第１の電極１２０ｂ上に形成された該積層体上の第２の電極１８０ｂを接続する接続電極２７０を形成する（図５（Ｄ）参照）。該接続電極は、図３（Ｃ）の構成に含まれる接続電極２７０の作製方法に従って形成することができる。
なお、図示はしないが、受光面側に信頼性を向上させるための保護絶縁層を形成しても良い。保護絶縁層には無機膜や絶縁樹脂を用いることができる。
以上の工程により、低照度下においても発電能力の高い光電変換装置を作製することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１で説明した光電変換装置と同等の構成をより簡易に作製できる光電変換装置の作製方法の例を説明する。
まず、基板１００上に導電膜１２０、第１の半導体層１４０、第２の半導体層１５０及び第３の半導体層１６０を形成する。これらは、実施の形態１の図２（Ａ）の構成の作製方法に従って形成することができる。更に透光性導電膜１８０としてＩＴＯを第３の半導体層１６０上に形成する（図６（Ａ）参照）。該透光性導電膜は、実施の形態１の図３（Ａ）の構成に含まれる透光性導電膜１８０の作製方法に従って形成することができる。
次に、セルとなる領域にマスク２１０を形成する（図６（Ｂ）参照）。該マスクは、実施の形態１の図２（Ｂ）の構成に含まれるマスク２１０の作製方法に従って形成することができる。
次に、マスク２１０で覆った領域以外の透光性導電膜１８０をエッチングし、第２の電極１８０ａ、１８０ｂを形成する（図６（Ｃ）参照）。ＩＴＯのエッチングは、例えば、炭化水素またはハロゲン化水素を用いたドライエッチング法や、シュウ酸系混合エッチング液（例えば、関東化学製ＩＴＯ−０７Ｎ）または０．５％のフッ化水素酸を用いたウェットエッチング法で行うことができる。
次に、導電膜１２０、第１の半導体層１４０、第２の半導体層１５０及び第３の半導体層１６０を複数に分離する分離溝３００ａ、３００ｂを形成する（図６（Ｄ）参照）。ここで、第１の電極１２０ａ、１２０ｂが形成される。該分離溝は、実施の形態１の図２（Ｂ）の構成に含まれる分離溝の３００ａ、３００ｂの作製方法に従って形成することができる。
ここで、分離溝３００ａ、３００ｂの側面部における半導体層領域は、レーザ加工時の熱を受け、非晶質領域は結晶化し、微結晶領域は結晶化率が変化する。なお、微結晶領域においては、成膜した状態で結晶化率が比較的高い場合は、結晶化率が変化しない場合もある。
なお、セルとなる領域にマスク２１０が形成されていることで、レーザ加工時の飛散物等がセルの直上に載ることを防ぐことができる。膜面上に飛散物があると、傷等の構造欠陥の原因となることがある。
次に、マスク２１０及び第２の電極１８０ａ、１８０ｂで覆われた領域以外の半導体層をエッチングによって取り除く（図７（Ａ）参照）。該半導体層のエッチングは、実施の形態１の図２（Ｃ）の構成を形成するためのエッチング法に従って行うことができる。
この段階で、上述した分離溝３００ａ、３００ｂの側面部における半導体層の結晶化した領域が取り除かれる。また、第１の電極１２０ａ、１２０ｂの一部が露出する。
次に、マスク２１０を剥離する。そして、分離溝３００ａ、３００ｂを充填し、第１の半導体層１４０、第２の半導体層１５０、第３の半導体層１６０と、第２の電極１８０ａ、または第２の電極１８０ｂからなる積層体の一側面部を覆う様に絶縁体２３０を形成する（図７（Ｂ）参照）。該絶縁体は、実施の形態１の図２（Ｄ）の構成に含まれる絶縁体２３０の作製方法に従って形成することができる。
次に、第１の電極１２０ａと隣接する第１の電極上に形成された該積層体の第２の電極１８０ｂを接続する接続電極２７０を形成する（図７（Ｃ）参照）。接続電極２７０には、カーボンペースト、ＩＴＯペースト、または、第２の電極と同等の抵抗となるように調整された導電性材料を用いることができる。ここでは、接続電極２７０にスクリーン印刷法で形成したカーボンペーストを用いる。ここで、銀ペーストなどの低抵抗材料を接続電極２７０に用いると、静電耐圧が低下することがあるため、接続電極２７０には上記の様な第２の電極と同等の抵抗を有するものを用いることが好ましい。
なお、図示はしないが、受光面側に信頼性を向上させるための保護絶縁層を形成しても良い。保護絶縁層には無機膜や絶縁樹脂を用いることができる。
以上により、光電変換層の側面部のショートを防止することができ、低照度下においても発電能力の高い光電変換装置とすることができる。
次に、上記作製方法を更に簡略化した光電変換装置の作製方法を説明する。
まず、基板１００上に導電膜１２０、第１の半導体層１４０、第２の半導体層１５０及び第３の半導体層１６０を形成する（図８（Ａ）参照）。これらは、実施の形態１の図２（Ａ）の構成の作製方法に従って形成することができる。
次に、遮蔽板３４０を用いて、セルとなる領域のみに透光性導電膜（第２の電極１８０ａ、１８０ｂ）を形成する（図８（Ｂ）参照）。遮蔽板３４０としては、代表的にメタルマスクがあるが、金属以外の材料で形成されたものでも良い。ここでは、該遮蔽板を上記半導体層上に重ね、ＩＴＯをスパッタ法で成膜し、第２の電極１８０ａ、１８０ｂを形成する。
次に、導電膜１２０、第１の半導体層１４０、第２の半導体層１５０及び第３の半導体層１６０を複数に分離する分離溝３００ａ、３００ｂを形成する（図８（Ｃ）参照）。ここで、第１の電極１２０ａ、１２０ｂが形成される。該分離溝は、実施の形態１の図２（Ｂ）の構成に含まれる分離溝３００ａ、３００ｂの作製方法に従って形成することができる。
ここで、分離溝３００ａ、３００ｂの側面部における半導体層領域は、レーザ加工時の熱を受け、非晶質領域は結晶化し、微結晶領域は結晶化率が変化する。なお、微結晶領域においては、成膜した状態で結晶化率が比較的高い場合は、結晶化率が変化しない場合もある。
次に、第２の電極１８０ａ、１８０ｂをマスクとして、第２の電極１８０ａ、１８０ｂで覆われた領域以外の半導体層をエッチングによって取り除く（図８（Ｄ）参照）。該半導体層のエッチングは、実施の形態１の図２（Ｃ）の構成を形成するためのエッチング法に従って行うことができる。なお、上記半導体層をドライエッチングする場合は、第２の電極１８０ａ、１８０ｂとして用いるＩＴＯもエッチングされることもあるが、半導体層とＩＴＯの選択比が大きいため、ＩＴＯをマスクとして用いることに何ら問題はない。
この段階で、上述した分離溝３００ａ、３００ｂの側面部における半導体層の結晶化した領域が取り除かれる。また、第１の電極１２０ａ、１２０ｂの一部が露出する。
次に、分離溝３００ａ、３００ｂを充填し、第１の半導体層１４０、第２の半導体層１５０、第３の半導体層１６０と、第２の電極１８０ａまたは第２の電極１８０ｂからなる積層体の一側面部を覆う様に絶縁体２３０を形成する（図９（Ａ）参照）。該絶縁体は、実施の形態１の図２（Ｄ）の構成に含まれる絶縁体２３０の作製方法に従って形成することができる。
次に、第１の電極１２０ａと隣接する第１の電極上に形成された該積層体の第２の電極１８０ｂを接続する接続電極２７０を形成する（図９（Ｂ）参照）。該接続電極は、図７（Ｃ）の構成に含まれる接続電極２７０の作製方法に従って形成することができる。
なお、図示はしないが、受光面側に信頼性を向上させるための保護絶縁層を形成しても良い。保護絶縁層には無機膜や絶縁樹脂を用いることができる。
以上により、セルの側面部のショートを防止することができ、低照度下においても発電能力の高い光電変換装置とすることができる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
（実施の形態３）
本明細書に開示する光電変換装置は、さまざまな電子機器に用いることができる。本実施の形態では、その一例として、電子書籍の電源として用いる例を説明する。
図１１（Ａ）は電子書籍（Ｅ−ｂｏｏｋともいう）であり、筐体９６３０、表示部９６３１、操作キー９６３２、光電変換装置９６３３、充放電制御回路９６３４を有することができる。図１１（Ａ）に示した電子書籍は、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能、カレンダー、日付または時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報を操作または編集する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、等を有することができる。なお、図１１（Ａ）では充放電制御回路９６３４の一例としてバッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６、ＤＣＤＣコンバータ９６３７を有する構成について示している。光電変換装置９６３３として、他の実施の形態で示した光電変換装置を用いることにより、低照度下でも効率良く発電することができるため、屋内においても商用電源が不要な電子書籍を構成することができる。
図１１（Ａ）に示す電子書籍は、表示部９６３１を半透過型または反射型の液晶表示装置とすることで、消費電力を抑えることができる。なお、光電変換装置９６３３は、図示した領域に限らず、筐体９６３０の空きスペース（表面や裏面）に適宜設けることができる。なおバッテリー９６３５としては、リチウムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。
また、図１１（Ａ）に示す充放電制御回路９６３４の構成及び動作について、図１１（Ｂ）のブロック図を用いて説明する。図１１（Ｂ）には、光電変換装置９６３３、充放電制御回路９６３４、表示部９６３１について示している。ここで、充放電制御回路９６３４は、バッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６、ＤＣＤＣコンバータ９６３７、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３を含んでいる。
まず、外光により光電変換装置９６３３が発電する場合の動作の例について説明する。光電変換装置で発電した電力は、バッテリー９６３５を充電するための好適な電圧となるよう、ＤＣＤＣコンバータ９６３６で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部９６３１で表示を行う際には、スイッチＳＷ１をオンし、ＤＣＤＣコンバータ９６３７で表示部９６３１に必要な電圧に昇圧または降圧して、表示部９６３１に電力供給を行う。一方、表示部９６３１での表示を行わない際には、ＳＷ１をオフ、ＳＷ２をオンにしてバッテリー９６３５の充電を行う構成とすればよい。
次いで、外光が乏しく、光電変換装置９６３３による発電がされない場合の動作の例について説明する。バッテリー９６３５に蓄電された電力は、スイッチＳＷ３をオンにすることでＤＣＤＣコンバータ９６３７により表示部９６３１に必要な電圧に昇圧または降圧がなされ、表示部９６３１に供給される。
なお、本実施の形態では、光電変換装置と表示部との間にＤＣＤＣコンバータを２つ設けた構成としているが、光電変換装置から表示部への電源供給、光電変換装置からバッテリーへの充電、またはバッテリーから表示部への電源供給が直接行える様な構成では、その間のＤＣＤＣコンバータを省いても良い。
なお、発電手段の一例として光電変換装置９６３３のみを用いる例を示したが、光電変換装置９６３３と構成の異なる光電変換装置との組み合わせによりバッテリー９６３５を充電する構成であっても良い。また、光電変換装置９６３３と他の発電手段との組み合わせであっても良い。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能である。
１００ 基板
１２０ 導電膜
１４０ 第１の半導体層
１５０ 第２の半導体層
１６０ 第３の半導体層
１８０ 透光性導電膜
２１０ マスク
２３０ 絶縁体
２５０ マスク
２７０ 接続電極
３４０ 遮蔽板
１２０ａ 第１の電極
１２０ｂ 第１の電極
１８０ａ 第２の電極
１８０ｂ 第２の電極
２１０ａ 絶縁樹脂
３００ａ 分離溝
３００ｂ 分離溝
３２０ａ 構造欠陥
３２０ｂ 構造欠陥
４００ａ 接続溝
４００ｂ 接続溝
９６３０ 筐体
９６３１ 表示部
９６３２ 操作キー
９６３３ 光電変換装置
９６３４ 充放電制御回路
９６３５ バッテリー
９６３６ ＤＣＤＣコンバータ
９６３７ ＤＣＤＣコンバータ

Claims (2)

  1. 基板上の、第１の電極と、
    前記基板上の、第２の電極と、
    前記第１の電極上の、第１の半導体層と、
    前記第１の半導体層上の、第２の半導体層と、
    前記第２の半導体層上の、第３の半導体層と、
    前記第２の電極上の、第４の半導体層と、
    前記第４の半導体層上の、第５の半導体層と、
    前記第５の半導体層上の、第６の半導体層と、
    絶縁体と、
    前記絶縁体上、前記第３の半導体層上、及び前記第２の電極上と接する領域を有する、第３の電極と、を有し、
    前記第１の半導体層は、第１の導電型を有し、
    前記第２の半導体層は、真性半導体を有し、
    前記第３の半導体層は、第２の導電型を有し、
    前記第４の半導体層は、前記第１の導電型を有し、
    前記第５の半導体層は、真性半導体を有し、
    前記第６の半導体層は、前記第２の導電型を有し、
    前記第１の導電型は、前記第２の導電型と、異なる導電型であり、
    前記第１の電極と、前記第２の電極との間には、溝があり、
    前記絶縁体は、前記溝を充填しており、
    前記絶縁体は、前記第１の電極の一部の上面、及び前記第２の電極の一部の上面と接する領域を有し、
    前記絶縁体は、前記第１の半導体層の側面、前記第２の半導体層の側面、及び前記第３の半導体層の側面と接する領域を有しつつ、前記第３の半導体層の上面より、高さの高い上面を有し、
    前記第３の電極は、前記絶縁体を覆う領域を有し、
    前記第３の電極は、前記第３の半導体層と電気的に接続され、
    前記第３の電極は、前記第２の電極と電気的に接続され、
    前記第１の半導体層の側面部、前記第２の半導体層の側面部、及び前記第３の半導体層の側面部は、前記第１の電極の側面部より後退していることを特徴とする光電変換装置。
  2. 請求項１において、
    前記第１の半導体層は、中央部と結晶化率が異ならない側面部を有し、
    前記第３の半導体層は、中央部と結晶化率が異ならない側面部を有することを特徴とする光電変換装置。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20130109330A (ko) * 2012-03-27 2013-10-08 엘지이노텍 주식회사 태양전지 및 이의 제조 방법
JP6141670B2 (ja) * 2013-03-29 2017-06-07 株式会社カネカ 太陽電池の製造方法
JP6076302B2 (ja) * 2014-09-22 2017-02-08 株式会社東芝 光電変換素子
NL2014040B1 (en) * 2014-12-23 2016-10-12 Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland Method of making a curent collecting grid for solar cells.
DK3220421T3 (da) * 2016-03-16 2021-06-28 Armor Solar Power Films Fremgangsmåde til fremstilling af trykte fotovoltaiske moduler
WO2021117291A1 (ja) * 2019-12-12 2021-06-17 株式会社エネコートテクノロジーズ 素子の製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6060776A (ja) * 1983-09-14 1985-04-08 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置の製造方法
JPH0620148B2 (ja) 1985-11-06 1994-03-16 株式会社半導体エネルギ−研究所 半導体装置作製方法
DE3689679T2 (de) 1985-08-24 1994-06-09 Semiconductor Energy Lab Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement frei von Leckstrom durch eine Halbleiterschict.
AU583423B2 (en) 1985-09-21 1989-04-27 Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. Semiconductor device free from the electrical shortage through a semiconductor layer and method for manufacturing same
KR900006772B1 (ko) 1985-11-06 1990-09-21 세미콘닥터 에너지 라보라토리 컴파니 리미티드 반도체층을 통한 전기적 단락이 없는 반도체 장치와 그 제조방법
JPH04336471A (ja) 1991-05-13 1992-11-24 Canon Inc 半導体薄膜のピンホールの除去方法
JP3035565B2 (ja) 1991-12-27 2000-04-24 株式会社半導体エネルギー研究所 薄膜太陽電池の作製方法
JP3155459B2 (ja) 1996-03-27 2001-04-09 三洋電機株式会社 集積型非晶質半導体太陽電池の製造方法及び集積型非晶質半導体太陽電池
US6323056B1 (en) * 1998-07-27 2001-11-27 Citizen Watch Co., Ltd. Solar cell, method for manufacturing same, and photolithographic mask for use in manufacturing a solar cell
JP4302335B2 (ja) * 2001-05-22 2009-07-22 株式会社半導体エネルギー研究所 太陽電池の作製方法
JP2004260013A (ja) 2003-02-26 2004-09-16 Kyocera Corp 光電変換装置及びその製造方法
JP2005101384A (ja) 2003-09-26 2005-04-14 Sanyo Electric Co Ltd 光起電力装置及びその製造方法
JP2005101383A (ja) * 2003-09-26 2005-04-14 Sanyo Electric Co Ltd 集積型光起電力装置及びその製造方法
JP2006013403A (ja) * 2004-06-29 2006-01-12 Sanyo Electric Co Ltd 太陽電池、太陽電池モジュール、その製造方法およびその修復方法
KR101281991B1 (ko) * 2005-07-27 2013-07-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
JP2010062185A (ja) 2008-09-01 2010-03-18 Mitsubishi Electric Corp 光電変換装置およびその製造方法

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