JP2011040501A - 光電変換装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】欠陥による発電効率の低下を抑制した光電変換装置を提供する。
【解決手段】透明電極12、光電変換ユニット14、裏面電極16を順に積層し、光電変換セルが直列に接続された構造を形成する第1の工程S30〜S38と、光電変換セルの特性を測定する第2の工程S40と、測定結果に応じて、透明電極12、光電変換ユニット14、裏面電極16を直列接続方向に沿って除去し、直列に接続された光電変換セルを複数の領域に分割する第3の工程S42,S44と、によって作成された光電変換装置とする。
【選択図】図2
【解決手段】透明電極12、光電変換ユニット14、裏面電極16を順に積層し、光電変換セルが直列に接続された構造を形成する第1の工程S30〜S38と、光電変換セルの特性を測定する第2の工程S40と、測定結果に応じて、透明電極12、光電変換ユニット14、裏面電極16を直列接続方向に沿って除去し、直列に接続された光電変換セルを複数の領域に分割する第3の工程S42,S44と、によって作成された光電変換装置とする。
【選択図】図2
Description
本発明は、光電変換装置及びその製造方法に関する。
多結晶、微結晶またはアモルファスシリコンを用いた光電変換装置が知られている。特に、微結晶またはアモルファスシリコンの薄膜を積層した構造を有する光電変換装置は、資源消費の観点、コストの低下の観点および効率化の観点から注目されている。
図9に、光電変換装置100の基本構成の断面模式図を示す。光電変換装置100は、一般的に、ガラス等の透明基板10上に透明電極12、光電変換ユニット14及び裏面電極16を積層した構造を有し、透明基板10から光を入射させることによって電力を発生させる。このような光電変換装置を直列に集積するための製造方法及びパターニング装置が開示されている(例えば、特許文献1)。
図10(a)〜図10(f)に、従来の光電変換装置100の製造工程を示す。図10(a)〜図10(f)では、光電変換装置100の製造工程の各ステップにおける平面図及び断面図を模式的に示している。断面図は、平面図におけるラインA−Aに沿った断面図とラインB−Bに沿った断面図を示している。
ステップS10では、図10(a)に示すように、レーザ加工により透明基板10上に形成された透明電極12を分割するスリットS1、及びスリットS1に直交する方向にスリットS2を形成する。ステップS12では、図10(b)に示すように、透明電極12を被うように光電変換ユニット14を成膜する。光電変換ユニット14としては、アモルファスシリコン(a−Si)光電変換ユニット、微結晶(μc−Si)光電変換ユニット又はそれらのタンデム構造が挙げられる。ステップS14では、図10(c)に示すように、レーザ加工によりスリットS1の近傍であって重ならない位置にスリットS1の方向に沿って光電変換ユニット14を分割するスリットS3を形成する。ステップS16では、図10(d)に示すように、光電変換ユニット14を被うように裏面電極16を形成する。ステップS18では、図10(e)に示すように、レーザ加工によりスリットS3の近傍であってスリットS3に対して、スリットS1と反対側でスリットS3と重ならない位置にスリットS1,S3の方向に沿って光電変換ユニット14及び裏面電極16を分割するスリットS4を形成する。これにより、スリットS2の方向に沿って複数の光電変換セルが直列に接続された構造が得られる。ステップS20では、図10(f)に示すように、レーザ加工によりスリットS2内に形成された光電変換ユニット14及び裏面電極16を分割するスリットS5を形成する。これにより、スリットS1の方向に沿って隣接する光電変換セル間が電気的に分離され、直列に接続された複数の光電変換セルからなる光電変換セル群が複数並設された構造が得られる。そして、これら光電変換セル群は最終的に並列に接続され、光電変換装置100を構成する。
ところで、図11に示すように、光電変換装置では透明電極10と裏面電極16とを短絡させる欠陥が面内に形成されてしまうことが多い。なお、図11では、欠陥を黒丸印で表現している。
従来の光電変換装置では、図11に示すように、スリットS2及びS5を等間隔に形成することによって、直列接続された光電変換セルの群が複数並列に並べられた構造としている。光電変換セルに欠陥が存在する場合、その欠陥を含む光電変換セル(図中、ハッチングで示す)の領域での発電電力が得られなくなるので、光電変換セルの群を等間隔に並列に分割した場合、その間隔分の光電変換セル分の発電が無駄になり、光電変換装置全体としての発電効率が低下する原因となっている。
本発明は、欠陥による発電効率の低下を抑制した光電変換装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の1つの態様は、第1の電極、発電層、第2の電極を順に積層し、複数の光電変換素子を直列に接続する第1の工程と、前記光電変換素子の特性を測定する第2の工程と、前記測定結果に応じて、前記第1の電極、前記発電層、前記第2の電極を前記光電変換素子の直列接続方向に沿って除去し、前記直列に接続された複数の光電変換素子を複数の領域に分割する第3の工程と、を含む、光電変換装置の製造方法である。
本発明の別の態様は、第1の電極、発電層、第2の電極が順に積層された複数の光電変換素子を直列に接続した光電変換装置であって、前記第1の電極、前記発電層、前記第2の電極が前記光電変換素子の直列接続方向に沿って除去されることによって、前記直列に接続された複数の光電変換素子が異なる面積を有する複数の領域に分割されている、光電変換装置である。
ここで、前記第3の工程は、前記直列に接続された複数の光電変換素子を面積の異なる複数の領域に分割する工程であることが好適である。
また、前記第2の工程は、前記光電変換素子の欠陥の位置を検出する工程であり、前記第3の工程は、前記欠陥の位置に応じて、前記欠陥を他の領域と電気的に分離するように前記直列に接続された複数の光電変換素子を複数の領域に分割する工程であることが好適である。
また、前記第2の工程は、前記光電変換素子の電気特性を測定する工程であり、前記第3の工程は、前記電気特性の測定結果に応じて、前記直列に接続された複数の光電変換素子を複数の領域に分割する工程であることが好適である。
また、前記第3の工程は、前記発電層及び前記第2の電極を第1の幅だけ除去する工程と、前記発電層及び前記第2の電極が除去された領域に重なる領域において、前記第1の電極を前記第1の幅以下の第2の幅だけ除去する工程と、を含むことが好適である。
また、前記第3の工程は、前記第1の電極、前記発電層及び前記第2の電極を第2の幅だけ除去する工程と、前記第1の電極、前記発電層及び前記第2の電極が除去された領域に重なる領域において、前記発電層及び前記第2の電極を前記第2の幅以上の第1の幅だけ除去する工程と、を含むことが好適である。
本発明によれば、欠陥による発電効率の低下を抑制した光電変換装置を提供することができる。
図1(a)〜図1(g)及び図2に、本実施の形態における光電変換装置200の製造工程を示す。図1(a)〜図1(g)は、光電変換装置200の製造工程の各ステップにおける平面図及び断面図を模式的に示している。図2は、光電変換装置200の製造工程のフローチャートを示している。なお、図1(a)〜図1(g)における断面図は、平面図におけるラインC−Cに沿った断面図とラインD−Dに沿った断面図を示している。
ステップS30では、図1(a)に示すように、レーザ加工により透明基板10上に形成された透明電極12を分割するスリットS1(図中、左右方向)を形成する。透明基板10は、光電変換装置において光電変換に利用される波長の光を透過する材料とし、例えば、ガラス、プラスチック等を用いる。透明電極12は、酸化錫(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO)、インジウム錫酸化物(ITO)等に錫(Sn)、アンチモン(Sb)、フッ素(F)、アルミニウム(Al)等をドープした透明導電性酸化物(TCO)を用いることができる。
スリットS1を形成するためのレーザ装置は、波長1064nmのYAGレーザを用いることが好適である。レーザ装置から出射されるレーザビームのパワーを調整して透明電極12側から照射し、連続してスリットS1の方向に走査することによってスリットS1を形成することができる。なお、スリットS1を形成するためのレーザは、透明基板10側から照射してもよい。
また、光電変換セルを直列に多数集積するために多数のスリットS1を形成する必要があるので、スリットS1に直交する方向にレーザビーム出射口を等間隔に複数配置したマルチ出射型のレーザ装置を用いることが好適である。例えば、2〜5ヶ所のレーザビーム出射口を配置したレーザ装置を用いることが好適である。これにより、光電変換セルを直列に多数集積するために多数のスリットS1を高速に形成することができる。
ステップS32では、図1(b)に示すように、透明電極12及びスリットS1を被うように光電変換ユニット14を成膜する。光電変換ユニット14は、特に限定されるものではないが、例えば、アモルファスシリコン(a−Si)光電変換ユニット、微結晶(μc−Si)光電変換ユニット又はそれらのタンデム構造が挙げられる。光電変換ユニット14は、プラズマCVD等を用いて形成することができる。
ステップS34では、図1(c)に示すように、レーザ加工により光電変換ユニット14を分割するスリットS3を形成する。スリットS3は、スリットS1の近傍であってスリットS1に重ならない位置にスリットS1の方向に沿って透明電極12の表面まで形成する。
スリットS3を形成するためのレーザ装置は、波長532nmのYAGレーザ(2倍波)を用いることが好適である。レーザ装置から出射されるレーザビームのパワーを調整して透明基板10側から照射し、スリットS3の方向に走査することによってスリットS3を形成することができる。
ステップS36では、図1(d)に示すように、光電変換ユニット14及びスリットS3を被うように裏面電極16を形成する。裏面電極16は、反射性金属とすることが好適である。また、反射性金属と透明導電性酸化物(TCO)との積層構造とすることも好適である。金属電極としては、銀(Ag)、アルミニウム(Al)等が使用できる。また、透明導電性酸化膜(TCO)としては、酸化錫(SnO2)、酸化亜鉛(ZnO)、インジウム錫酸化物(ITO)等が使用できる。
ステップS38では、図1(e)に示すように、レーザ加工により光電変換ユニット14及び裏面電極16を分割するスリットS4を形成する。スリットS4は、スリットS3の近傍であってスリットS3に対して、スリットS1と反対側でスリットS3と重ならない位置にスリットS1,S3の方向に沿って光電変換ユニット14及び裏面電極16を分割するように透明電極12の表面まで形成する。これにより、スリットS2の方向に沿って複数の光電変換セルが直列に接続された構造が得られる。
スリットS4を形成するためのレーザ装置は、波長532nmのYAGレーザ(2倍波)を用いることが好適である。レーザ装置から出射されるレーザビームのパワーを調整して透明基板10側から照射し、スリットS4の方向に走査することによってスリットS4を形成することができる。
ステップS40では、透明基板10上に形成された光電変換セルに含まれる欠陥を検出する。ここで、本実施の形態における欠陥の検出とは、直接的又は間接的を問わず透明基板10上に形成された光電変換セルの特性を低下させる原因の面内位置を特定できるものを意味する。
例えば、特許第3098950号公報に開示されている欠陥の検出方法を適用することが好適である。この検出方法は、光電変換セルに逆バイアスを印加した状態において、光電変換セルから出射される赤外線をCCDやCMOS等の光電変換デバイスで検知し、基準値と検出された赤外線の強度とを比較することによって光電変換装置に含まれる欠陥の面内位置を特定する。この方法を用いた場合、図3の平面図に示すように、光電変換装置の面内における欠陥(図中、黒丸で示す)の座標(絶対位置)を特定することができる。
また、電気的な特性を測定することによって間接的に欠陥の発生位置を特定してもよい。例えば、スリットS1に沿って直列に接続された光電変換セルの群毎に単位面積当りの発電特性(開放電圧、短絡電流、フィルファクタ、発電効率等)を測定し、基準となる発電特性よりも低い測定結果が得られた場合にその直列接続された光電変換セルの群内に欠陥を含むセルが含まれているものと判定する。このような測定を適用する場合、あらかじめ以下のステップS42及びS44と同様の方法にて、ある程度の間隔で光電変換セルを並列に分割しておいてもよい。この場合、図4の平面図に示すように、欠陥(図中、黒丸で示す)が存在する光電変換セルを含む直列接続の列(図中、ハッチングで示す)を特定することができるが、その列内における欠陥の絶対位置は特定できない。
ステップS42では、図1(f)に示すように、レーザ加工により光電変換ユニット14及び裏面電極16を分割するスリットS5(図中、上下方向)を形成する。すなわち、光電変換ユニット14及び裏面電極16を直列に接続された光電変換セルの群を並列に分割するようにスリットS1と交差する方向に透明電極12の表面まで形成する。
波長532nmのYAGレーザ(2倍波)を用いて、レーザ装置から出射されるレーザビームのパワーを調整して透明基板10側から透明電極12と光電変換ユニット14との界面に焦点されるように照射し、所望の方向に走査することによってスリットS5を形成することができる。
ステップS44では、図1(g)に示すように、レーザ加工により透明基板10上に形成された透明電極12を分割するスリットS2を形成する。スリットS2は、スリットS5に重畳するように形成する。スリットS5及びS2により、スリットS1の方向に隣接する光電変換セル間が電気的に分離される。
本実施の形態では、図5の拡大断面図に示すように、スリットS2の全幅L2はスリットS5の全幅L1以下となるように、レーザ光の幅及び照射位置を調整してスリットS2を形成する。
スリットS2を形成するためのレーザ装置は、波長1064nmのYAGレーザを用いることが好適である。レーザ装置から出射されるレーザビームのパワーを調整して透明電極12側から透明電極12の表面に焦点されるように照射し、スリットS2を形成することができる。なお、スリットS2を形成するためのレーザは、透明基板10側から照射してもよい。
ここで、スリットS2及びS5は、ステップS40にて特定された欠陥の位置に応じた位置に形成する。すなわち、ステップS40にて特定された欠陥を含む光電変換セルを他の領域の光電変換セルと分離するようにスリットS2及びS5を形成する。
例えば、上記赤外線を用いる方法のように光電変換装置の面内における欠陥の絶対位置を特定できる場合、図6の平面図に示すように、スリットS2及びS5に挟まれた幅D1の光電変換セルがその欠陥を含むようにスリットS2及びS5を形成する。幅D1は、欠陥によって影響を受ける領域の大きさに応じた幅とし、できるだけ狭くすることが好適である。また、欠陥の位置に重なるようにスリットS2及びS5を形成してもよい。
一方、上記電気的測定方法のように光電変換装置の面内における欠陥の絶対位置を特定できない場合、図7の平面図に示すように、欠陥が存在する光電変換セルの列を真ん中で2分割する処理を繰り返すようにスリットS2及びS5を形成する。例えば、図7では、ラインx1で光電変換装置を2分割した後、ステップS40にて基準となる発電特性と測定結果とを比較して、欠陥が存在する列を求めて、それらの列をラインx2でさらに2分割する。さらに、ラインx2でさらに2分割した後、ステップS40にて基準となる発電特性と測定結果とを比較して、欠陥が多く存在する列を求めて、それらの列をラインx3でさらに2分割する。このように、ステップS40〜S44の処理を順次繰り返すことによって、欠陥が存在する光電変換セルの直列接続の列の幅を徐々に狭めることができる。これによって、分割されたいずれかの列に欠陥が含まれることになり、欠陥が存在しない若しくは欠陥が少ない光電変換セルからなる列と欠陥が多く存在する光電変換セルを含む列とが電気的に分離される。なお、上記実施例では、基準となる発電特性と測定結果とを比較して欠陥が存在する列を求めたが、略同じ幅を有し、同数の光電変換セルが直列接続された略同じ面積の列の発電特性の測定結果を比較し、欠陥が存在する列を求めてもよい。
なお、ステップS44の後に、光電変換装置200の外周部分を除去する工程等を設けてもよい。また、ステップS40の後に、光電変換装置200の表面を保護するためのバックシートや樹脂層を形成する工程を設けてもよい。バックシートや樹脂層は、光電変換装置200の保護層として機能する。
また、図8のフローチャートに示すように、ステップS42とS44との順番を逆に行ってもよい。この場合、レーザ加工により透明基板10上に形成された透明電極12を分割するスリットS2を形成した後、そのスリットS2に重畳する位置にレーザ加工により光電変換ユニット14及び裏面電極16を分割するスリットS5を形成する。
上記のように、スリットS1,S3及びS4は、隣接する光電変換セル群を直列に接続するために設けられ、スリットS2及びS5は、直列に接続された光電変換セル群を並設するために設けられる。これにより、スリットS1の方向に沿って隣接する光電変換セル間が電気的に分離され、直列に接続された複数の光電変換セルからなる光電変換セル群が複数並設された構造が得られる。そして、これら光電変換セル群は最終的に並列に接続され、光電変換装置200が構成される。
特に、本実施の形態では、欠陥が存在する光電変換セルを含む直列接続の列の幅を欠陥が存在しない光電変換セルからなる直列接続の列の幅よりも狭くなるように光電変換セルが並列に分割されるので、欠陥による影響を受ける範囲(図6,図7中、ハッチングで示す)を従来よりも狭い範囲に限定することができ、光電変換装置200の発電効率を向上させることができる。
10 透明基板、12 透明電極、14 光電変換ユニット、16 裏面電極、100,200 光電変換装置。
Claims (7)
- 第1の電極、発電層、第2の電極を順に積層し、複数の光電変換素子を直列に接続する第1の工程と、
前記光電変換素子の特性を測定する第2の工程と、
前記測定結果に応じて、前記第1の電極、前記発電層、前記第2の電極を前記光電変換素子の直列接続方向に沿って除去し、前記直列に接続された複数の光電変換素子を複数の領域に分割する第3の工程と、
を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項1に記載の光電変換装置の製造方法であって、
前記第3の工程は、前記直列に接続された複数の光電変換素子を面積の異なる複数の領域に分割する工程であることを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項1又は2に記載の光電変換装置の製造方法であって、
前記第2の工程は、前記光電変換素子の欠陥の位置を測定する工程であり、
前記第3の工程は、前記欠陥の位置に応じて、前記欠陥を他の領域と電気的に分離するように前記直列に接続された複数の光電変換素子を複数の領域に分割する工程であることを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項1又は2に記載の光電変換装置の製造方法であって、
前記第2の工程は、前記光電変換素子の電気特性を測定する工程であり、
前記第3の工程は、前記電気特性の測定結果に応じて、前記直列に接続された複数の光電変換素子を複数の領域に分割する工程であることを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項1〜4のいずれか1つに記載の光電変換装置の製造方法であって、
前記第3の工程は、
前記発電層及び前記第2の電極を第1の幅だけ除去する工程と、
前記発電層及び前記第2の電極が除去された領域に重なる領域において、前記第1の電極を前記第1の幅以下の第2の幅だけ除去する工程と、
を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 請求項1〜4のいずれか1つに記載の光電変換装置の製造方法であって、
前記第3の工程は、
前記第1の電極、前記発電層及び前記第2の電極を第2の幅だけ除去する工程と、
前記第1の電極、前記発電層及び前記第2の電極が除去された領域に重なる領域において、前記発電層及び前記第2の電極を前記第2の幅以上の第1の幅だけ除去する工程と、
を含むことを特徴とする光電変換装置の製造方法。 - 第1の電極、発電層、第2の電極が順に積層された複数の光電変換素子を直列に接続した光電変換装置であって、
前記第1の電極、前記発電層、前記第2の電極が前記光電変換素子の直列接続方向に沿って除去されることによって、前記直列に接続された複数の光電変換素子が異なる面積を有する複数の領域に分割されていることを特徴とする光電変換装置。
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