JP5913534B2 - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5913534B2 JP5913534B2 JP2014231415A JP2014231415A JP5913534B2 JP 5913534 B2 JP5913534 B2 JP 5913534B2 JP 2014231415 A JP2014231415 A JP 2014231415A JP 2014231415 A JP2014231415 A JP 2014231415A JP 5913534 B2 JP5913534 B2 JP 5913534B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- electrode
- photoelectric conversion
- conversion device
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title description 72
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 205
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 194
- 239000010408 film Substances 0.000 description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 description 52
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 36
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 30
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 30
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 26
- 230000007847 structural defect Effects 0.000 description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 description 19
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 16
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 15
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 15
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 13
- HEZMWWAKWCSUCB-PHDIDXHHSA-N (3R,4R)-3,4-dihydroxycyclohexa-1,5-diene-1-carboxylic acid Chemical compound O[C@@H]1C=CC(C(O)=O)=C[C@H]1O HEZMWWAKWCSUCB-PHDIDXHHSA-N 0.000 description 11
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 11
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 11
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 5
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 3
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052795 boron group element Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- NTXGQCSETZTARF-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diene;prop-2-enenitrile Chemical compound C=CC=C.C=CC#N NTXGQCSETZTARF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N disilane Chemical compound [SiH3][SiH3] PZPGRFITIJYNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 1
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052696 pnictogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 238000011002 quantification Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000012209 synthetic fiber Substances 0.000 description 1
- 229920002994 synthetic fiber Polymers 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000010792 warming Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0376—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors
- H01L31/03762—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0368—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors
- H01L31/03682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0368—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors
- H01L31/03682—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/03685—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including polycrystalline semiconductors including only elements of Group IV of the Periodic Table including microcrystalline silicon, uc-Si
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
- H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
- H01L31/0465—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate comprising particular structures for the electrical interconnection of adjacent PV cells in the module
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L31/1812—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table including only AIVBIV alloys, e.g. SiGe
- H01L31/1816—Special manufacturing methods for microcrystalline layers, e.g. uc-SiGe, uc-SiC
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
- H01L31/1872—Recrystallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/20—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials
- H01L31/202—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof such devices or parts thereof comprising amorphous semiconductor materials including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/545—Microcrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/546—Polycrystalline silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
ている。その代表例は、屋外の太陽光で発電する住宅用等の電力供給用として用いられて
いる単結晶シリコンや多結晶シリコンなどを用いた太陽電池であるが、低コストで生産で
きる非晶質シリコンを用いた薄膜型の太陽電池も知られている。
照射されると光劣化現象を生じ、初期変換効率が低下してしまう問題を有している。また
、蛍光灯の光など、可視光線の波長に対して高い光電変換能力を有することから、電卓や
腕時計など低消費電力の機器を動作させるために用いられることが多い。
変換装置では、積層された半導体層を複数のセルに分離するための分離溝を有するが、該
分離溝は隣接したセルを直列に接続するための接続溝としても利用され、該接続溝には導
電性材料が設けられている。従って、例えば、セルの構成がpin型の場合、各半導体層
は側面部が接続溝に設けられた導電性材料と接するため、裏面電極や上面電極とショート
した状態となっている。しかしながら、各半導体層の抵抗が高いため、セルの横方向に流
れる電流は非常に小さく、側面部がショートした状態でも実用上の問題とはならなかった
。なお、本明細書において「セル」とは、集積型光電変換装置を構成する最小単位の光電
変換領域を指す。
濃度ドープ層や透光性導電膜等の低抵抗層を用いるため、上記の様な方法で集積化を行う
とリーク電流が大きく、良好な電気特性を得ることができなかった。
で挟まれる領域に第2の領域を形成し、第2の領域に接続溝を設けることで第1の領域の
各半導体層や透光性導電膜と接続溝に設ける導電材料とのショートを防ぐ方法が特許文献
1に開示されている。
る電子機器の構成も可能となってきた。しかしながら、この様な電子機器を屋内で連続的
に使用するには、数十ルクス乃至数百ルクスの照度においても十分な発電能力を有する光
電変換装置が必要となる。低照度下で変換効率の高い光電変換装置を実現するには、上述
したセル側面部のショートが無視できなくなる。
半導体層をレーザ加工して分離形成されたセルの側面部は、レーザ照射で生じる熱による
結晶化や結晶化率の向上により、低抵抗化してしまう。すなわち、該側面部はショートし
た状態となっている。レーザ加工で分離形成されたセルの側面部は低抵抗化された状態で
あるため、特許文献1に開示されている様な方法のみでは低照度下で変換効率の高い光電
変換装置を実現することはできない。
提供することを目的とする。
ることによって、低照度下における高い発電能力を実現する光電変換装置及びその作製方
法に関する。
電極と、一方及び他方の第1の電極上に形成された一導電型を有する一方及び他方の第1
の半導体層、真性半導体からなる一方及び他方の第2の半導体層、及び一導電型とは逆の
導電型を有する一方及び他方の第3の半導体層からなる一方及び他方の積層体と、一方の
第1の電極の一部と分離溝と他方の第1の電極の一部と他方の積層体の一側面部と覆う絶
縁体と、絶縁体を覆い、一方の第1の電極と、他方の第3の半導体層を電気的に接続する
第2の電極と、一方の第1の電極と第2の電極とを電気的に接続する接続電極と、を有し
、第2の半導体層の側面部は結晶化していないことを特徴とする光電変換装置である。
的に付与しているものであり、数的に限定するものではなく、また配置及び段階の順序を
限定するものでもない。
い。構造欠陥に絶縁樹脂が充填されることで、セルが構造欠陥を介して上下方向にショー
トすることを防止することができる。
構造の乱れなどの結晶欠陥を意味するものではない。
。該接続電極には、低抵抗導電樹脂材料である銀ペースト、ニッケルペースト、モリブデ
ンペースト、及び銅ペーストから選ばれた一つ、またはそれらの積層を用いることが好ま
しい。
方の第1の電極と、一方及び他方の第1の電極上に形成された一導電型を有する一方及び
他方の第1の半導体層、真性半導体からなる一方及び他方の第2の半導体層、一導電型と
は逆の導電型を有する一方及び他方の第3の半導体層、及び一方及び他方の第2電極から
なる一方及び他方の積層体と、一方の第1の電極の一部、分離溝、他方の第1の電極の一
部、及び他方の積層体の一側面部を覆う絶縁体と、絶縁体を覆い、一方の第1の電極と、
他方の第2の電極を電気的に接続する接続電極と、を有し、第2の半導体層の側面部は結
晶化していないことを特徴とする光電変換装置である。
等や、第2の電極と同等の抵抗となるように調整された導電樹脂材料を用いることが好ま
しい。
ましい。
の導電層上に一導電型を有する第1の半導体層を形成し、第1の半導体層上に真性半導体
からなる第2の半導体層を形成し、第2の半導体層上に一導電型とは逆の導電型を有する
第3の半導体層を形成し、第1の導電層、前記第1の半導体層、前記第2の半導体層、及
び第3の半導体層を複数に分離する分離溝を設けて、一方及び他方の第1の電極と、該半
導体層からなる積層体を形成し、積層体を可剥離性樹脂で形成された第1のマスクを用い
て選択的にエッチングし、第1の電極の一部を露出させ、第1のマスクを剥離し、分離溝
、及びエッチングを施した積層体の一側面部を絶縁体で封止し、エッチングを施した積層
体の一側面部以外の側面部及び第1の電極の一部を可剥離性樹脂で形成された第2のマス
クで覆い、エッチングを施した積層体、絶縁体、第1の電極、及び第2のマスク上に第2
の導電層を形成し、第2のマスクを剥離してエッチングを施した積層体の一側面部以外の
側面部及び第1の電極の一部を露出させると共に一方及び他方の第2の電極を形成し、一
方の第1の電極と他方の第2の電極を接続する接続電極を形成することを特徴とする光電
変換装置の作製方法である。
である。
の導電層上に一導電型を有する第1の半導体層を形成し、第1の半導体層上に真性半導体
からなる第2の半導体層を形成し、第2の半導体層上に一導電型とは逆の導電型を有する
第3の半導体層を形成し、第3の半導体層上に第2の導電層を形成し、第2の導電層を可
剥離性樹脂で形成されたマスクを用いて選択的にエッチングし、第1の導電層、第1の半
導体層、第2の半導体層、第3の半導体層、及び第2の導電層を複数に分離する分離溝を
設けて、一方及び他方の第1の電極、該半導体層からなる積層体、及び一方及び他方の第
2の電極を形成し、積層体をマスクを用いて選択的にエッチングし、第1の電極の一部を
露出させ、マスクを剥離し、分離溝、及びエッチングを施した積層体の一側面部を絶縁体
で封止し、一方の第1の電極と他方の第2の電極を接続する接続電極を形成することを特
徴とする光電変換装置の作製方法である。
の導電層上に一導電型を有する第1の半導体層を形成し、第1の半導体層上に真性半導体
からなる第2の半導体層を形成し、第2の半導体層上に一導電型とは逆の導電型を有する
第3の半導体層を形成し、第3の半導体層上に第2の導電層を遮蔽板を用いて選択的に形
成することで、一方及び他方の第2の電極を形成し、第1の導電層、第1の半導体層、第
2の半導体層、及び第3の半導体層を複数に分離する分離溝を設けて、一方及び他方の第
1の電極と、該半導体層からなる積層体を形成し、積層体を第2の電極をマスクとして選
択的にエッチングして、第1の電極の一部を露出させ、分離溝、及びエッチングを施した
積層体の一側面部を絶縁体で封止し、一方の第1の電極と他方の第2の電極を接続する接
続電極を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法である。
供することができる。
以下の説明に限定されず、その形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば
容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈され
るものではない。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一部分または同様
な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略することがある。
本実施の形態では、本発明の一態様である光電変換装置の構造、及びその作製方法につい
て説明する。
電変換装置は集積化構造をしており、基板100、第1の電極120a、120b、第1
の半導体層140、第2の半導体層150、第3の半導体層160、第2の電極180a
、180b、絶縁体230、接続電極270を含んで構成される。ここで、接続電極27
0は必須ではないが、第1の電極120aと第2の電極180bの接触抵抗を低減させる
ために設けることが好ましい。
すものであり、直列に接続されるセルの段数は限られず、所望の電力が得られる様に実施
者が適宜決定すれば良い。また、一つのセルの構成は、隣接するセルの構成と同等である
ことから、その符号を付すことを省略することがある。
基板100、第1の電極120a、第1の半導体層140、第2の半導体層150、第3
の半導体層160、第2の電極180a、180bを含んで構成されている。ここで、該
半導体層を複数に分離してセルを形成する分離溝が、第1の電極120aと隣接するセル
の第2の電極180bを接続するための接続溝となっており、接続溝400a、400b
には、第2の電極180a、180bを構成する導電性材料が充填されている。
続溝に設けられた導電性材料と接するため、裏面電極や上面電極とショートした状態とな
っている。しかしながら、各半導体層が縦方向(膜厚方向)に流す電流に対して、横方向
(面方向)に流すことのできる電流が極めて小さい場合は、各半導体層の側面部がショー
トした状態は実質的に問題にはならない。第1の半導体層140や第3の半導体層160
は、半導体としては低抵抗であるが、金属や酸化物導電層で形成される第1の電極または
第2の電極と比較すると電気伝導度は小さく、リークする電流も小さい。
部がショートした状態は無視できなくなる。第1の半導体層140や第3の半導体層16
0の抵抗によって異なるが、セルの電極間に流れる電流のうち、リーク電流の成分が多く
なり、電気特性が悪化する。具体的には、曲線因子(F.F.:Fill Factor
)や開放電圧(Voc)の低下が起こる。なお、ここで低照度とは、数十ルクス程度を下
限とする照度である。
がら、その構成にすることのみでは不十分であり、半導体層からセルを分離形成する方法
の改善が必要となる。
射すると、その光吸収による発熱が局部的に起こり、照射領域が飛散する。この現象によ
って、半導体層に分離溝を形成するが、同時にそのときに発する熱によって分離溝の側面
部、すなわちセルの側面部を結晶化させる、または該側面部の結晶化率を変化させてしま
う。例えば、半導体層が非晶質シリコンである場合、レーザ照射によって該側面部は微結
晶や多結晶の結晶性シリコンとなる場合がある。また、半導体層が微結晶シリコンの場合
、レーザ照射によって該側面部では結晶粒の成長が起こる場合がある。
変化した場合などにおいては、電気伝導度が上昇するため、セルの側面部は導電性材料を
接した状態と同じようにショートした状態となる。
鏡観察などのいずれかの分析結果から結晶に関する情報を定量化したものであり、「結晶
化度」とも言う。
層150、及び第3の半導体層160からなる積層体の側面部が導電性を有する材料と接
しない構成とする。また、第2の半導体層150の側面部は非晶質であり、第1の半導体
層140及び第3の半導体層160の側面部は、その他の部分、例えば該半導体層の中央
部と結晶化率が異ならない構成とする。
対向する側面部には何も接していない。また、図示はしていないが、他の側面部も何も接
していない状態となっている。なお、信頼性を向上させるために図1の構成に対して受光
面側(半導体層等を形成する側)を絶縁樹脂等の絶縁体で封止しても良い。この場合は、
該積層体の一側面部以外の側面部は該絶縁体と接する様になる。
ッチングを行って形成する。
おいても発電能力の高い光電変換装置を形成することができる。
の半導体層160の少なくとも1つ以上に形成されたピンホールや傷などの構造欠陥32
0a、320bに、それを充填する絶縁樹脂210aが形成されている構成としても良い
。この絶縁樹脂210aが形成されていることにより、構造欠陥320a、320bは不
活性化し、上下の電極層間のショートやリークを防ぐことができる。
クル等によって不本意に形成されたものである。なお、図5(D)では、第1の半導体層
140、第2の半導体層150、及び第3の半導体層160の3層の半導体層を貫く形で
構造欠陥320a、320bを図示しているが、構造欠陥形成過程は様々な現象によるも
のであり、これに限らない。例えば、第2の半導体層150より上に構造欠陥が形成され
る場合や、第1の電極120aを含んだ形で構造欠陥が形成される場合などがある。いず
れにしても構造欠陥は、本来形成されているべき層が欠損している領域であり、別の層が
その領域に入り込む可能性が高い。従って、ショートやリークなどの電気特性を悪化させ
る要因となってしまう。
のガラス板を用いることができる。また、アルミノシリケートガラス、バリウムホウケイ
酸ガラス、またはアルミノホウケイ酸ガラスなどの無アルカリガラス基板や石英基板を用
いることができる。本実施の形態では、基板100にガラス基板を用い、半導体層等を形
成する側を光入射側とする。
(PES)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリエチレンナフタレート(PE
N)、ポリカーボネート(PC)、ポリアミド系合成繊維、ポリエーテルエーテルケトン
(PEEK)、ポリスルホン(PSF)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリアリレー
ト(PAR)、ポリブチレンテレフタレート(PBT)、ポリイミド、アクリロニトリル
ブタジエンスチレン樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリ酢酸ビニル、アクリル
樹脂などが挙げられる。
いれば、Roll−to−Rollプロセスを行うことができる。
だけでなく、スクリーン印刷法やレーザ加工法などの工程も含まれる。従って、光電変換
装置のほぼ全ての製造工程をRoll−to−Rollプロセスで行うこともできる。ま
た、途中までの工程をRoll−to−Rollプロセスで行い、シート状に分断して、
その後の工程をシート単位で行っても良い。例えば、分断したシートをセラミックや金属
、またはそれらの複合体等で形成された枠に貼付けることで、ガラス基板等と同様に取り
扱うことができる。
、タングステン、クロム、銅またはステンレス等の金属膜を用いることができる。金属膜
は単層に限らず、異なる膜の積層でも良い。例えば、ステンレスとアルミニウムの積層や
、銀とアルミニウムの積層などを用いることができる。膜厚は総厚で100nm以上60
0nm以下、好ましくは100nm以上300nm以下とする。また、図示はしていない
が、光閉じ込め効果を付与するために第1の電極120aの表面をテクスチャ構造として
も良い。
ンジウム錫酸化物(ITSO)、酸化亜鉛(ZnO)、亜鉛を含むインジウム錫酸化物(
IZO)、ガリウムを含む酸化亜鉛(GZO)、アルミニウムを含む酸化亜鉛(AZO)
、酸化錫(SnO2)、フッ素を含む酸化錫(FTO)、またはアンチモンを含む酸化錫
(ATO)等の透光性導電膜を用いることができる。上記透光性導電膜は単層に限らず、
異なる膜の積層でも良い。例えば、ITOとAZOの積層や、ITOとFTOの積層など
を用いることができる。膜厚は総厚で100nm以上1000nm以下とする。
合は、半導体層と接する側を透光性導電膜とすることで、光閉じ込め効果を付与すること
ができる。このとき、該透光性導電膜の膜厚は、10nm以上100nm以下とすること
が好ましい。例えば、基板側からアルミニウム、銀、ITOの順で形成した積層を用いる
ことができる。
にはステンレスとアルミニウムの積層、第2の電極180aには透光性導電膜であるIT
Oを用いる構成とする。光入射側を基板100側とした場合は、それぞれの電極に用いる
材料を逆にすれば良い。なお、光入射側の電極には透光性導電膜を用いるが、対向する電
極の種類は問われず、実施者が適宜選択することができる。
層160には一導電型とは逆の導電型を有する半導体膜を用いることができる。本実施の
形態では、第1の半導体層140にはn型のシリコン半導体膜を用い、第3の半導体層1
60にはp型のシリコン半導体膜を用いるが、それぞれ逆の導電型を用いても良い。なお
、第1の半導体層140の膜厚は、10nm以上30nm以下、第3の半導体層160の
膜厚は、5nm以上30nm以下とすることが好ましい。また、第1の半導体層140及
び第3の半導体層160には非晶質シリコンを用いることもできるが、より低抵抗の微結
晶シリコンまたは多結晶シリコンを用いることが好ましい。
とは、フェルミ準位がバンドギャップの中央に位置する所謂真性半導体の他、半導体に含
まれるp型若しくはn型を付与する不純物が1×1020cm−3以下の濃度であり、暗
伝導度に対して光伝導度が100倍以上である半導体を指す。この真性半導体には、周期
表第13族または第15族の元素が不純物として含まれるものであっても良い。なお、第
2の半導体層150の膜厚は、100nm以上600nm以下とすることが好ましい。
。非晶質シリコンは、可視光線に対する光吸収が大きく、蛍光灯下の様な低照度の環境で
高い発電能力を示す光電変換装置を形成することができる。
。ここでは、スパッタ法を用い、膜厚5nmのステンレスと膜厚300nmのアルミニウ
ムの積層を用いる。なお、第1の半導体層140と接する側をステンレスとする。
本実施の形態では、プラズマCVD法を用い、n型を付与する不純物を含むドーピングガ
スを原料ガスに混合してn型の微結晶シリコンを形成する。n型を付与する不純物として
は、代表的には周期表第15族元素であるリン、ヒ素、またはアンチモンなどが挙げられ
る。例えば、ホスフィンなどのドーピングガスをシラン等の原料ガスに混合することで、
n型の微結晶シリコンを形成することができる。なお、第1の半導体層140は、非晶質
シリコンで形成しても良いが、より低抵抗で、かつ導電膜120との密着性が良好な微結
晶シリコンで形成することが好ましい。
の非晶質シリコンを成膜する。原料ガスには、シランまたはジシランを用いることができ
、水素を添加しても良い。このとき、膜中に含まれる大気成分がドナーとなる場合がある
ため、導電型がよりi型に近づくように、原料ガス中にホウ素(B)を添加しても良い。
この場合、i型の非晶質シリコン中のホウ素濃度が0.001at.%以上0.1at.
%以下となる様にする。
晶シリコンを成膜する(図2(A)参照)。p型の微結晶シリコンは、p型を付与する不
純物を含むドーピングガスを原料ガスに混合して形成する。p型を付与する不純物として
は、代表的には周期表第13族元素であるホウ素またはアルミニウムなどが挙げられる。
例えば、ジボラン等のドーピングガスをシラン等の原料ガスに混合してp型の微結晶シリ
コンを形成することができる。なお、第3の半導体層160は、非晶質シリコンで形成し
ても良いが、より低抵抗となる微結晶シリコンで形成することが好ましい。
を用いると良い。可剥離性樹脂には、塩化ビニル系、酢酸ビニル系、アクリル樹脂系など
の材料で形成されたもので、例えば、アサヒ化学研究所製のストリップマスク#503B
−SHなどがあり、剥離型マスキング剤とも言う。該可剥離性樹脂は、スクリーン印刷等
で所望の形状のマスクを直接形成することができ、剥離液等を用いずに物理的に簡単に引
き剥がすことができる特徴を有している。なお、可剥離性樹脂として、フォトレジストや
感光性ポリイミド等の感光性樹脂を用いても良い。
160を複数に分離する分離溝300a、300bを形成する(図2(B)参照)。該分
離溝は、レーザ加工等で形成することができる。このレーザ加工に用いられるレーザは、
赤外光領域の連続発振またはパルス発振レーザを用いることが好ましい。例えば、Nd−
YAGレーザ(波長1064nm)を用い、ビーム径30μm、出力0.5W、発振周波
数25kHz、スキャン速度20cm/secで加工することができる。なお、ここで該
分離溝の一部が基板100に達しても良い。また、この段階で導電膜120が分離加工さ
れることにより第1の電極120a、120bが形成される。
を受け、非晶質領域は結晶化し、微結晶領域は結晶化率が変化する。なお、微結晶領域に
おいては、成膜した状態で結晶化率が比較的高い場合は、結晶化率が変化しない場合もあ
る。
がセルの直上に載ることを防ぐことができる。膜面上に飛散物があると、傷等の構造欠陥
の原因となることがある。
C)参照)。半導体層のエッチングは、例えば、エッチングガスにSF6、CHF3、C
F4、NF3またはClF3などを用いたドライエッチング法や、ヒドラジン(N2H4
)、水酸化カリウム(KOH)、または水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)の
水溶液を用いたウェットエッチング法で行うことができる。
領域が取り除かれる。また、第1の電極120a、120bの一部が露出する。
ただし、レーザ光の吸収が金属層よりも半導体層の方が大きいため、加工の効率が良く、
上記順序で行うことが好ましい。
導体層140、第2の半導体層150及び第3の半導体層160からなる積層体の一側面
部を覆う様に絶縁体230を形成する。更に該積層体の一側面部以外の他の側面部を覆う
様にマスク250を形成する(図2(D)参照)。
ル樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの絶縁樹脂を用いることができ、例えば、
熱硬化型のエポキシ樹脂をスクリーン印刷法で形成することができる。マスク250には
、マスク210と同様の可剥離性樹脂を用いることができる。
0を形成する(図3(A)参照)。ここでは、透光性導電膜180として、100nmの
インジウム錫酸化物(ITO)をスパッタ法で形成する。
程を行い、第1の半導体層140、第2の半導体層150及び第3の半導体層160から
なる積層体の一側面以外の側面部が何も接していない状態とする(図3(B)参照)。こ
こで第2の電極180a、180bが形成される。
第2の電極180bを接続する接続電極270を形成する(図3(C)参照)。接続電極
270には、銀ペースト、ニッケルペースト、モリブデンペースト、及び銅ペーストから
選ばれた一つ、またはそれらの積層を用いることができる。ここでは、接続電極270に
スクリーン印刷法で形成した銀ペーストを用いる。ここで、第2の電極180bと接する
側の接続電極270の端部は、絶縁体230と重なる様に形成する。接続電極270の端
部が絶縁体230を超えてセルと重なる領域に形成されると、受光面積が減少するだけで
なく、静電耐圧を低下させる場合がある。
い。保護絶縁層には無機膜や絶縁樹脂を用いることができる。
力の高い光電変換装置を作製することができる。
縁樹脂で充填し、不活性化させる方法を含んだ光電変換装置の作製方法を説明する。
第3の半導体層160を形成する(図4(A)参照)。これらは、図2(A)の構成の作
製方法に従って形成することができる。ただし、該半導体層には、構造欠陥320a、3
20bが形成されている。
剥離性樹脂は、構造欠陥320a、320bにも充填される。本実施の形態では、マスク
210をポジ型フォトレジスト(以下、フォトレジストとする。)で形成する。フォトレ
ジストをスピンコータやスリットコータを用いて、0.5μm以上5μm以下の厚さに形
成し、プリベークを行う。なお、フォトレジストの代わりに感光性ポリイミドを用いても
良い。
B)の構成における分離溝300a、300bの作製方法に従って形成することができる
。また、この段階で導電膜120が分離加工されることにより第1の電極120a、12
0bが形成される。
参照)。該半導体層のエッチングは、図2(C)の構成を形成するためのエッチング法に
従って行うことができる。この段階で第1の電極120a、120bの一部が露出する。
の紫外光を用いて露光する。露光はフォトレジスト側から行い、第3の半導体層160表
面までのフォトレジストが感光する様に露光時間を調整する。この場合、露光されなかっ
た部分は固定化され、露光された部分は固定化されない。
トレジスト(絶縁樹脂210a)を残して、上記固定化されないフォトレジストを除去す
ることができる。その後、ポストベークを行い、フォトレジスト(絶縁樹脂210a)を
化学的に安定化させる(図4(D)参照)。
D)の構成に含まれる絶縁体230及びマスク250の作製方法に従って形成することが
できる。
0を形成する(図5(B)参照)。該透光性導電膜は、図3(A)の構成に含まれる透光
性導電膜180の作製方法に従って形成することができる。
程を行い、第1の半導体層140、第2の半導体層150及び第3の半導体層160から
なる積層体の一側面以外の側面部が何も接していない状態とする(図5(C)参照)。こ
こで第2の電極180a、180bが形成される。
第2の電極180bを接続する接続電極270を形成する(図5(D)参照)。該接続電
極は、図3(C)の構成に含まれる接続電極270の作製方法に従って形成することがで
きる。
い。保護絶縁層には無機膜や絶縁樹脂を用いることができる。
きる。
である。
本実施の形態では、実施の形態1で説明した光電変換装置と同等の構成をより簡易に作製
できる光電変換装置の作製方法の例を説明する。
第3の半導体層160を形成する。これらは、実施の形態1の図2(A)の構成の作製方
法に従って形成することができる。更に透光性導電膜180としてITOを第3の半導体
層160上に形成する(図6(A)参照)。該透光性導電膜は、実施の形態1の図3(A
)の構成に含まれる透光性導電膜180の作製方法に従って形成することができる。
の形態1の図2(B)の構成に含まれるマスク210の作製方法に従って形成することが
できる。
180a、180bを形成する(図6(C)参照)。ITOのエッチングは、例えば、炭
化水素またはハロゲン化水素を用いたドライエッチング法や、シュウ酸系混合エッチング
液(例えば、関東化学製ITO−07N)または0.5%のフッ化水素酸を用いたウェッ
トエッチング法で行うことができる。
160を複数に分離する分離溝300a、300bを形成する(図6(D)参照)。ここ
で、第1の電極120a、120bが形成される。該分離溝は、実施の形態1の図2(B
)の構成に含まれる分離溝の300a、300bの作製方法に従って形成することができ
る。
を受け、非晶質領域は結晶化し、微結晶領域は結晶化率が変化する。なお、微結晶領域に
おいては、成膜した状態で結晶化率が比較的高い場合は、結晶化率が変化しない場合もあ
る。
がセルの直上に載ることを防ぐことができる。膜面上に飛散物があると、傷等の構造欠陥
の原因となることがある。
エッチングによって取り除く(図7(A)参照)。該半導体層のエッチングは、実施の形
態1の図2(C)の構成を形成するためのエッチング法に従って行うことができる。
領域が取り除かれる。また、第1の電極120a、120bの一部が露出する。
導体層140、第2の半導体層150、第3の半導体層160と、第2の電極180a、
または第2の電極180bからなる積層体の一側面部を覆う様に絶縁体230を形成する
(図7(B)参照)。該絶縁体は、実施の形態1の図2(D)の構成に含まれる絶縁体2
30の作製方法に従って形成することができる。
80bを接続する接続電極270を形成する(図7(C)参照)。接続電極270には、
カーボンペースト、ITOペースト、または、第2の電極と同等の抵抗となるように調整
された導電性材料を用いることができる。ここでは、接続電極270にスクリーン印刷法
で形成したカーボンペーストを用いる。ここで、銀ペーストなどの低抵抗材料を接続電極
270に用いると、静電耐圧が低下することがあるため、接続電極270には上記の様な
第2の電極と同等の抵抗を有するものを用いることが好ましい。
い。保護絶縁層には無機膜や絶縁樹脂を用いることができる。
発電能力の高い光電変換装置とすることができる。
第3の半導体層160を形成する(図8(A)参照)。これらは、実施の形態1の図2(
A)の構成の作製方法に従って形成することができる。
、180b)を形成する(図8(B)参照)。遮蔽板340としては、代表的にメタルマ
スクがあるが、金属以外の材料で形成されたものでも良い。ここでは、該遮蔽板を上記半
導体層上に重ね、ITOをスパッタ法で成膜し、第2の電極180a、180bを形成す
る。
160を複数に分離する分離溝300a、300bを形成する(図8(C)参照)。ここ
で、第1の電極120a、120bが形成される。該分離溝は、実施の形態1の図2(B
)の構成に含まれる分離溝300a、300bの作製方法に従って形成することができる
。
を受け、非晶質領域は結晶化し、微結晶領域は結晶化率が変化する。なお、微結晶領域に
おいては、成膜した状態で結晶化率が比較的高い場合は、結晶化率が変化しない場合もあ
る。
覆われた領域以外の半導体層をエッチングによって取り除く(図8(D)参照)。該半導
体層のエッチングは、実施の形態1の図2(C)の構成を形成するためのエッチング法に
従って行うことができる。なお、上記半導体層をドライエッチングする場合は、第2の電
極180a、180bとして用いるITOもエッチングされることもあるが、半導体層と
ITOの選択比が大きいため、ITOをマスクとして用いることに何ら問題はない。
領域が取り除かれる。また、第1の電極120a、120bの一部が露出する。
0、第3の半導体層160と、第2の電極180aまたは第2の電極180bからなる積
層体の一側面部を覆う様に絶縁体230を形成する(図9(A)参照)。該絶縁体は、実
施の形態1の図2(D)の構成に含まれる絶縁体230の作製方法に従って形成すること
ができる。
80bを接続する接続電極270を形成する(図9(B)参照)。該接続電極は、図7(
C)の構成に含まれる接続電極270の作製方法に従って形成することができる。
い。保護絶縁層には無機膜や絶縁樹脂を用いることができる。
力の高い光電変換装置とすることができる。
である。
本明細書に開示する光電変換装置は、さまざまな電子機器に用いることができる。本実施
の形態では、その一例として、電子書籍の電源として用いる例を説明する。
1、操作キー9632、光電変換装置9633、充放電制御回路9634を有することが
できる。図11(A)に示した電子書籍は、様々な情報(静止画、動画、テキスト画像な
ど)を表示する機能、カレンダー、日付または時刻などを表示部に表示する機能、表示部
に表示した情報を操作または編集する機能、様々なソフトウェア(プログラム)によって
処理を制御する機能、等を有することができる。なお、図11(A)では充放電制御回路
9634の一例としてバッテリー9635、DCDCコンバータ9636、DCDCコン
バータ9637を有する構成について示している。光電変換装置9633として、他の実
施の形態で示した光電変換装置を用いることにより、低照度下でも効率良く発電すること
ができるため、屋内においても商用電源が不要な電子書籍を構成することができる。
とすることで、消費電力を抑えることができる。なお、光電変換装置9633は、図示し
た領域に限らず、筐体9630の空きスペース(表面や裏面)に適宜設けることができる
。なおバッテリー9635としては、リチウムイオン電池を用いると、小型化を図れる等
の利点がある。
)のブロック図を用いて説明する。図11(B)には、光電変換装置9633、充放電制
御回路9634、表示部9631について示している。ここで、充放電制御回路9634
は、バッテリー9635、DCDCコンバータ9636、DCDCコンバータ9637、
スイッチSW1乃至SW3を含んでいる。
電変換装置で発電した電力は、バッテリー9635を充電するための好適な電圧となるよ
う、DCDCコンバータ9636で昇圧または降圧がなされる。そして、表示部9631
で表示を行う際には、スイッチSW1をオンし、DCDCコンバータ9637で表示部9
631に必要な電圧に昇圧または降圧して、表示部9631に電力供給を行う。一方、表
示部9631での表示を行わない際には、SW1をオフ、SW2をオンにしてバッテリー
9635の充電を行う構成とすればよい。
いて説明する。バッテリー9635に蓄電された電力は、スイッチSW3をオンにするこ
とでDCDCコンバータ9637により表示部9631に必要な電圧に昇圧または降圧が
なされ、表示部9631に供給される。
た構成としているが、光電変換装置から表示部への電源供給、光電変換装置からバッテリ
ーへの充電、またはバッテリーから表示部への電源供給が直接行える様な構成では、その
間のDCDCコンバータを省いても良い。
装置9633と構成の異なる光電変換装置との組み合わせによりバッテリー9635を充
電する構成であっても良い。また、光電変換装置9633と他の発電手段との組み合わせ
であっても良い。
である。
120 導電膜
140 第1の半導体層
150 第2の半導体層
160 第3の半導体層
180 透光性導電膜
210 マスク
230 絶縁体
250 マスク
270 接続電極
340 遮蔽板
120a 第1の電極
120b 第1の電極
180a 第2の電極
180b 第2の電極
210a 絶縁樹脂
300a 分離溝
300b 分離溝
320a 構造欠陥
320b 構造欠陥
400a 接続溝
400b 接続溝
9630 筐体
9631 表示部
9632 操作キー
9633 光電変換装置
9634 充放電制御回路
9635 バッテリー
9636 DCDCコンバータ
9637 DCDCコンバータ
Claims (1)
- 基板上の、第1の導電層及び第2の導電層と、
前記第1の導電層上の、第1の半導体層と、
前記第1の半導体層上の、第2の半導体層と、
前記第2の半導体層上の、第3の半導体層と、
前記第2の導電層上の、第4の半導体層と、
前記第4の半導体層上の、第5の半導体層と、
前記第5の半導体層上の、第6の半導体層と、
絶縁層と、
前記絶縁層上の、第3の導電層と、
前記第3の導電層上の、第4の導電層と、を有し、
前記第1の導電層と、前記第2の導電層との間には、溝があり、
前記絶縁層は、前記溝を充填しており、前記第1の導電層上に接する領域と、前記第2の導電層上に接する領域と、前記第1の半導体層の側面に接する領域と、前記第2の半導体層の側面に接する領域と、前記第3の半導体層の側面に接する領域と、を有し、且つ、前記第3の半導体層の上面より高い位置に上面を有し、
前記第3の導電層は、前記絶縁層を覆う領域と、前記第3の半導体層上に接する領域と、前記第2の導電層上に接する領域と、を有し、
前記第4の導電層は、前記第3の導電層に接する領域と、前記第2の導電層に接する領域と、を有し、且つ、前記第4の半導体層に接せず、前記第5の半導体層に接せず、前記第6の半導体層に接せず、
前記第1の半導体層の側面、前記第2の半導体層の側面、及び前記第3の半導体層の側面は、結晶領域を有さず、
前記第1の半導体層の幅、前記第2の半導体層の幅、及び前記第3の半導体層の幅は、前記第1の導電層の幅よりも小さいことを特徴とする光電変換装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014231415A JP5913534B2 (ja) | 2010-06-18 | 2014-11-14 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010139666 | 2010-06-18 | ||
JP2010139666 | 2010-06-18 | ||
JP2014231415A JP5913534B2 (ja) | 2010-06-18 | 2014-11-14 | 光電変換装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011134145A Division JP5711618B2 (ja) | 2010-06-18 | 2011-06-16 | 光電変換装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015029159A JP2015029159A (ja) | 2015-02-12 |
JP5913534B2 true JP5913534B2 (ja) | 2016-04-27 |
Family
ID=45327587
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011134145A Expired - Fee Related JP5711618B2 (ja) | 2010-06-18 | 2011-06-16 | 光電変換装置 |
JP2014231415A Expired - Fee Related JP5913534B2 (ja) | 2010-06-18 | 2014-11-14 | 光電変換装置 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011134145A Expired - Fee Related JP5711618B2 (ja) | 2010-06-18 | 2011-06-16 | 光電変換装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9059347B2 (ja) |
JP (2) | JP5711618B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130109330A (ko) * | 2012-03-27 | 2013-10-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 태양전지 및 이의 제조 방법 |
JP6141670B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2017-06-07 | 株式会社カネカ | 太陽電池の製造方法 |
JP6076302B2 (ja) * | 2014-09-22 | 2017-02-08 | 株式会社東芝 | 光電変換素子 |
NL2014040B1 (en) * | 2014-12-23 | 2016-10-12 | Stichting Energieonderzoek Centrum Nederland | Method of making a curent collecting grid for solar cells. |
EP3220421B1 (en) * | 2016-03-16 | 2021-04-21 | Armor Solar Power Films | Method of manufacturing printed photovoltaic modules |
CN113272987B (zh) * | 2019-12-12 | 2024-07-23 | 株式会社安能科多科技 | 元件的制造方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6060776A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置の製造方法 |
JPH0620148B2 (ja) | 1985-11-06 | 1994-03-16 | 株式会社半導体エネルギ−研究所 | 半導体装置作製方法 |
AU594359B2 (en) | 1985-08-24 | 1990-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Semiconductor device free from the current leakage through a semiconductor layer and method for manufacturing same |
AU583423B2 (en) | 1985-09-21 | 1989-04-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co. Ltd. | Semiconductor device free from the electrical shortage through a semiconductor layer and method for manufacturing same |
KR900006772B1 (ko) | 1985-11-06 | 1990-09-21 | 세미콘닥터 에너지 라보라토리 컴파니 리미티드 | 반도체층을 통한 전기적 단락이 없는 반도체 장치와 그 제조방법 |
JPH04336471A (ja) | 1991-05-13 | 1992-11-24 | Canon Inc | 半導体薄膜のピンホールの除去方法 |
JP3035565B2 (ja) | 1991-12-27 | 2000-04-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 薄膜太陽電池の作製方法 |
JP3155459B2 (ja) | 1996-03-27 | 2001-04-09 | 三洋電機株式会社 | 集積型非晶質半導体太陽電池の製造方法及び集積型非晶質半導体太陽電池 |
WO2000007249A1 (en) * | 1998-07-27 | 2000-02-10 | Citizen Watch Co., Ltd. | Solar cell and method of producing the same, and mask for photolithography for producing solar cell |
JP4302335B2 (ja) * | 2001-05-22 | 2009-07-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 太陽電池の作製方法 |
JP2004260013A (ja) | 2003-02-26 | 2004-09-16 | Kyocera Corp | 光電変換装置及びその製造方法 |
JP2005101384A (ja) | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置及びその製造方法 |
JP2005101383A (ja) * | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 集積型光起電力装置及びその製造方法 |
JP2006013403A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池、太陽電池モジュール、その製造方法およびその修復方法 |
KR101281991B1 (ko) * | 2005-07-27 | 2013-07-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
JP2010062185A (ja) | 2008-09-01 | 2010-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | 光電変換装置およびその製造方法 |
-
2011
- 2011-06-14 US US13/159,579 patent/US9059347B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2011-06-16 JP JP2011134145A patent/JP5711618B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-11-14 JP JP2014231415A patent/JP5913534B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110308588A1 (en) | 2011-12-22 |
US9059347B2 (en) | 2015-06-16 |
JP2012023357A (ja) | 2012-02-02 |
JP5711618B2 (ja) | 2015-05-07 |
JP2015029159A (ja) | 2015-02-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5913534B2 (ja) | 光電変換装置 | |
US8194197B2 (en) | Integrated display and photovoltaic element | |
TW201504056A (zh) | 發光裝置 | |
CN102253547B (zh) | 阵列基板及其制造方法和液晶显示器 | |
KR101139453B1 (ko) | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 | |
US8507310B2 (en) | Method for manufacturing thin-film photoelectric conversion device | |
JP2015119634A (ja) | 光起電性装置及びその製造方法 | |
CN102723344A (zh) | 一种阵列基板及其制造方法和液晶显示器 | |
JP5700665B2 (ja) | 光電変換装置の作製方法 | |
JP2005277113A (ja) | 積層型太陽電池モジュール | |
JPH11186573A (ja) | 集積型薄膜光電変換装置の製造方法 | |
US9087953B2 (en) | Solar cell module and method for manufacturing the same | |
TW201316537A (zh) | 用來製造穿透式太陽能電池模組的方法 | |
US9214587B2 (en) | Photoelectric conversion module and manufacturing method thereof | |
JP5711596B2 (ja) | 光電変換装置の作製方法 | |
TWM591259U (zh) | 薄膜太陽能電池 | |
US10727258B2 (en) | Display device and active array switch substrate thereof | |
US20120211060A1 (en) | Thin-film solar cell module and method for manufacturing the same | |
JP2005322707A (ja) | 集積型太陽電池 | |
JPH1126795A (ja) | 集積化薄膜太陽電池の製造方法 | |
CN115207147B (zh) | 太阳能电池模块与太阳能电池显示装置 | |
JP2005101432A (ja) | 光起電力装置 | |
TW201633553A (zh) | 太陽能電池、太陽能電池模組及其製作方法 | |
KR101512114B1 (ko) | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 | |
KR20160147101A (ko) | 박막형 태양전지와 그의 제조방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141119 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150831 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150901 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151008 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160308 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160401 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5913534 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |