JP5707941B2 - 半導体ウェハの仮固定剤及びそれを用いた半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
この方法では、研削に用いられる一般的なバックグラインドマシンの研削精度(約1μm)とウェハを固定するための一般的なBG(バックグラインド)テープの厚み精度(約5μm)とを合わせると、要求される厚み精度を超えてしまい、研削されたウェハの厚みにバラツキが生じる虞がある。
しかし、このような材料はハンドリングが悪く、脱離後に、半導体ウェハや装置の内部に残留した固定材料を薬液等で洗浄する必要がある。
また、支持基材から半導体ウェハを脱離させる際に、薄化したウェハが耐えられなくなり破損する虞があるが、半導体ウェハの薄型化が進むにつれてこの可能性が高まることが予想される。
また、半導体ウェハへのダメージを低減させ、精度の高い加工が可能であり、かつ熱分解に要する時間を短縮できる半導体装置の製造方法が望まれていた。
また、本発明の一態様では、前記活性エネルギー線の照射前後の50%重量減少温度の差が20〜100℃である。
本発明において、露光前後の50%重量減少温度とは、50%の重量が失われる温度を意味する。
また、5%重量減少温度及び95%重量減少温度とは、それぞれ5%及び95%の重量が失われる温度を意味する。
前記活性エネルギー線の種類としては、特別な装置を必要とせず、簡便であるため、前記活性エネルギー線が紫外または可視光であることが好ましい。
本実施形態に係る半導体ウェハの仮固定剤は、半導体ウェハを加工するために半導体ウェハを支持基材に仮固定し、加工後に加熱することにより半導体ウェハを支持基材から脱離するために使用される仮固定剤において、活性エネルギー線の照射後に、50%重量減少温度が低下する樹脂成分を含む半導体ウェハの仮固定剤である。
また、表面が平滑で十分な精度を有する支持基材上に薄膜として形成できるため、研磨等の加工の精度が高いという効果を奏する。
これによれば、半導体ウェハ加工後の半導体ウェハの脱離が容易で、かつ半導体ウェハに仮固定剤が残留し難いという効果を一層向上させることができる。
また、半導体ウェハ加工後に活性エネルギー線を照射することにより仮固定剤の熱分解温度を下げることができるため、加工後の半導体ウェハの熱履歴による損傷を防止するという効果を一層向上させることができる。
1℃≦(95%重量減少温度)−(5%重量減少温度)≦200℃
であることが好ましい。
これによれば、仮固定剤の熱分解に要する温度範囲が狭く、熱分解に要する時間を短縮でき、半導体ウェハへのダメージを抑制するという効果を一層向上させることができる。
また、加工後の半導体ウェハの脱離が容易で、かつ半導体ウェハに仮固定剤が残留し難いという効果を一層向上させることができる。
また、安定に使用可能な温度領域が広く確保できるため、支持基材に仮固定をしたまま、種々の加工工程に供することが可能となる。
また、表面が平滑で十分な精度を有する支持基材上に薄膜として形成できるため、研磨等の加工の精度が高いという効果を一層向上させることができる。
80℃≦(95%重量減少温度)−(5%重量減少温度)≦150℃
であることがより好ましい。
これによれば、熱分解に要する時間を短縮でき、安定に使用可能な温度領域が広く確保できるという効果を一層向上させることができる。
樹脂成分は、活性剤存在下で、活性エネルギー線の照射により、熱分解温度が低下するものであれば、特に限定されない。
また、前記樹脂成分が、主鎖のヘテロ原子に隣接した3級の炭素原子を有することが好ましい。これは、樹脂成分を熱分解させる際の樹脂成分由来の中間体の安定性、さらには、結合電子を移動しやすくし、主鎖の熱分解および熱閉環反応が促進するという理由からである。
ここで、ヘテロ原子とは、水素及び炭素以外の原子を意味する。
また、前記官能基が、カルボニル基、チオカルボニル基、ホルマール基、アセタール基のいずれかであることが好ましい。これは、より効果的に主鎖の熱分解が促進されるという理由からである。
感光性のポリカーボネート系樹脂としては、以下のポリカーボネート系樹脂と前記活性剤との組み合わせを意味する。
これらの中でも、特に、活性剤存在下で、より効果的に熱分解温度を下げることができるという理由から、ポリプロピレンカーボネート、ポリシクロヘキシレンカーボネート、ポリブチレンカーボネートが好ましい。
これらの中でも、特に、活性エネルギー線の照射により効果的に熱分解温度を低下させることができ、また、作業性に優れるという理由から、ポリ―α―メチルスチレンが好ましい。
これらの中でも、特に、活性エネルギー線の照射により効果的に熱分解温度を低下させることができ、また、作業性に優れるという理由から、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチルが好ましい。
前記活性剤としては、特に限定されないが、例えば光酸発生剤、光塩基発生剤等が挙げられる。前記光酸発生剤としては、特に限定されないが、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート−4−メチルフェニル[4−(1−メチルエチル)フェニル]ヨードニウム(DPI−TPFPB)、トリス(4−t−ブチルフェニル)スルホニウムテトラキス−(ペンタフルオロフェニル)ボレート(TTBPS−TPFPB)、トリス(4−t−ブチルフェニル)スルホニウムヘキサフルオロホスフェート(TTBPS−HFP)、トリフェニルスルホニウムトリフレート(TPS−Tf)、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフレート(DTBPI−Tf)、トリアジン(TAZ−101)、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート(TPS−103)、トリフェニルスルホニウムビス(パーフルオロメタンスルホニル)イミド(TPS−N1)、ジ−(p−t−ブチル)フェニルヨードニウム、ビス(パーフルオロメタンスルホニル)イミド(DTBPI−N1)、トリフェニルスルホニウム、トリス(パーフルオロメタンスルホニル)メチド(TPS−C1)、ジ−(p−t−ブチルフェニル)ヨードニウムトリス(パーフルオロメタンスルホニル)メチド(DTBPI−C1)、及びこれらの2種以上の組合せを挙げることができる。
これらの中でも特に、前記樹脂成分の熱分解温度を効率的に下げることができるという理由から、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ボレート−4−メチルフェニル[4−(1−メチルエチル)フェニル]ヨードニウム(DPI−TPFPB)が好ましい。
これらの中でも特に、前記樹脂成分の熱分解温度を効率的に下げることができるという理由から、5−ベンジルー1,5−ジアザビシクロ(4.3.0)ノナン及びこの誘導体が好ましい。
上記下限値以上とすることで、前記樹脂成分の熱分解温度を安定的に下げることが可能となり、上記上限値以下とすることで仮固定剤が半導体ウェハまたは支持基板に残渣として残留することを効果的に防止することが可能となる。
この場合、樹脂成分は、仮固定剤の全量の30%〜100%、活性剤は、仮固定剤の全量の0.1%〜30%であり、仮固定剤の重量平均分子量(Mw)は5,000〜800,000であることが好ましい。これは、半導体ウェハまたは支持体に対する濡れ性、仮固定剤の成膜性、仮固定剤を構成する各種成分との相溶性や各種溶剤に対する溶解性、さらには、加熱工程における仮固定剤の熱分解性を確保するという理由からである。
先ず、前記活性剤由来のH+が、ポリプロピレンカーボネート樹脂のカルボニル酸素をプロトン化し、さらに極性遷移状態を転移させ不安定な互変異性中間体[A]及び[B]を生じる。
次に、主鎖の熱切断の場合には、中間体[A]は、アセトン及びCO2として断片化する。
熱閉環構造の形成(a又はb)の場合には、中間体[B]は炭酸プロピレンを生成し、炭酸プロピレンはCO2及びプロピレンオキシドとして断片化される。
前記仮固定剤がシランカップリング剤を含むことにより、半導体ウェハまたは支持基材との密着性を向上することが可能となる。
前記仮固定剤が希釈剤を含むことにより、仮固定剤の流動性を向上することができ、薄膜形成工程において、仮固定剤の半導体ウェハまたは支持基材に対する濡れ性を向上することが可能となる。
次に、本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を説明する。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体ウェハの加工を含み、支持基材上に、活性エネルギー線の照射後に、50%重量減少温度が低下する樹脂成分を含む半導体ウェハの仮固定剤を薄膜状に設ける工程と、前記支持基材上の薄膜が設けられた面上に半導体ウェハを載置し、該半導体ウェハを前記薄膜に貼り合わせる工程と、前記半導体ウェハを加工する工程と、前記薄膜に活性エネルギー線を照射する工程と、前記薄膜を加熱して前記半導体ウェハを前記支持基材から脱離する工程と、を含む半導体装置の製造方法である。
また、表面が平滑で十分な精度を有する支持基材上に薄膜として形成できるため、研磨等の加工の精度が高いという効果を奏する。
以下に、前記半導体装置の製造方法の各工程を説明する。
先ず、半導体ウェハを所定の支持基材上に固定するために、仮固定剤の薄膜を支持基材または半導体ウェハに設ける工程を経る。仮固定剤の薄膜は、支持基材および半導体ウェハのどちらに設けてもよい。
仮固定剤を薄膜状に設ける方法としては、例えば、スピンコート法、スプレー法、印刷法、フィルム転写法、スリットコート法、スキャン塗布法等の公知の方法を用いておこなうことができるため、新たな設備投資が必要ないという利点がある。
なお、仮固定剤を薄膜状に設ける方法としては、スピンコート法が好ましく、均一で平坦な薄膜を形成することができるので好ましい。
次に、支持基材または半導体ウェハ上の薄膜が設けられた面上に前記支持基材または半導体ウェハを載置し、該前記支持基材または半導体ウェハを前記薄膜に貼り合わせる工程を経る。貼り合わせには、真空プレス機、ウェハーボンダー等の装置を用いることができる。
次に、仮固定剤によって支持基材上に固定された半導体ウェハを加工する工程を経る。
半導体ウェハの加工は、半導体ウェハの裏面の研磨、Viaホールの形成、ストレスリリースのためのエッチング、リソグラフィー、コート、蒸着等である。
本実施形態に係る半導体装置の製造方法では、表面が平滑で十分な精度を有する支持基材上に薄膜として形成できるため、加工の精度が高いという効果を奏する。
(活性エネルギー線照射工程)
次に、薄膜状の仮固定剤に活性エネルギー線を照射する工程を経る。
この照射工程では、仮固定剤に活性エネルギー線を照射することにより、仮固定剤中の活性剤より活性種が発生する。そして、該活性種によって樹脂成分の熱分解温度が低下する。
なお、この照射工程は、加工工程の前に行ってもよい。
次に、薄膜状の仮固定剤を加熱して除去する工程を経る。
薄膜状の仮固定剤は、前記照射工程により、熱分解温度が低下しているため、従来の加熱工程での加熱温度よりも低い温度で除去することができる。そのため、半導体ウェハへのダメージを低減させ、かつ熱分解に要する時間を短縮できる。
次に、半導体ウェハを支持基材から脱離する工程を経る。
ここで、脱離とは、半導体ウェハを支持基材から剥離する操作を意味する。例えば、この操作は、支持基材の表面に対して垂直方向に脱離する方法や、支持基材の表面に対して水平方向にスライドさせて脱離する方法や半導体ウェハ片側から半導体ウェハを浮かして脱離する方法がある。
脱離工程後、必要に応じて、半導体ウェハまたは支持基材に残留した仮固定材を除去してもよい。残留した仮固定材の除去方法としては、特に限定されるものではないが、プラズマ処理、薬液浸漬処理、研磨処理、加熱処理などが挙げられる。
また、低分子化した仮固定剤仮の成分は、加熱の際に蒸散し、半導体ウェハに仮固定剤が残留し難いという効果を奏する。そのため、洗浄等の後工程を簡素化でき、ハンドリングが向上するといった利点もある。
(実施例1)
実施例1では、以下の化合物を用いて仮固定剤を作製した。
攪拌機、原料仕込み口、及び窒素ガス導入口を備えた三口フラスコに1,4−ブタンジオール(168g、1.864mol)と炭酸ジエチル(264.2g、2.236mol)を加え、窒素雰囲気下で90〜100℃で加熱し、混合物を溶解した。次いで、20%ナトリウムエトキシドエタノール溶液(80ml、0.186mol)を加えた後、窒素雰囲気下、90〜100℃で1時間攪拌した。その後、反応容器内を30kPa程度減圧し、90〜100℃で1時間、120℃で1時間した。その後、更に、0.1kPaの真空下、150℃で1時間、180℃で2時間攪拌した。
合成した1,4−ポリブチレンカーボネートをGPCにより重量平均分子量を測定したところ、35,000であった。
得られた1,4−ポリブチレンカーボネート100g、活性剤としてRhodosil PhotoPhotoinitiator2074(FABA)(ローディアジャパン(株)社製 Rhodorsil Phoinitiator2074)5g、増感剤として1−クロロ−4‐プロポキシチオキサントン(英Lambson社製 SPEEDCURE CPTX(商品名))1.5gをアニソール(溶剤)958.5gに溶解し、樹脂濃度10%の仮固定剤を作製した。
実施例2では、以下の化合物を用いて仮固定剤を作製した。
攪拌機、原料仕込み口、及び窒素ガス導入口を備えた三口フラスコにネオペンチルグリコール(194.2g、1.864mol)と炭酸ジエチル(308.2g、2.610mol)を加え、窒素雰囲気下で、120℃で加熱し、混合物を溶解した。
次いで、20%ナトリウムエトキシドエタノール溶液(80ml、0.186mol)を加えた後、窒素雰囲気下、120℃で2時間攪拌した。その後、反応容器内を30kPa程度減圧し、120℃で1時間攪拌した。その後、更に、0.1kPaの真空下、120℃で3時間攪拌した。
合成したポリネオペンチルカーボネートをGPCにより重量平均分子量を測定したところ12,000であった。
得られたポリネオペンチルカーボネート100g、活性剤としてRhodosil PhotoPhotoinitiator2074(FABA)(ローディアジャパン(株)社製 Rhodorsil Phoinitiator2074)5g、増感剤として1−クロロ−4‐プロポキシチオキサントン(英Lambson社製 SPEEDCURE CPTX(商品名))1.5gをアニソール(溶剤)958.5gに溶解し、樹脂濃度10%の仮固定剤を作製した。
実施例3では、以下の化合物を用いて仮固定剤を作成した。
<ポリ(1,3-シクロへキシレンカーボネート)の合成>
1,3−シクロヘキサンジオール8.13g(0.070モル)、炭酸ジフェニル15.00g(0.070モル)、炭酸リチウム0.0028g(0.0035モル)を反応容器に入れた。反応の第1工程として、窒素雰囲気下で、120℃に加熱した加熱槽に反応容器を浸し、攪拌し、原料を溶解させ、2時間攪拌を続けた。反応の第2工程として、反応容器内を10kPaに減圧し、120℃で1時間攪拌を続けた。反応の第3工程として、反応容器内を0.5kPa以下に減圧し、120℃で1時間攪拌を続けた。反応の第4工程として、反応容器内を0.5kPa以下に減圧したまま、約30分かけて加熱槽の温度を180℃に昇温した後、180℃で1.5時間攪拌を続けた。反応の第2〜4工程で生じたフェノールは反応容器外へ留去した。
合成したポリ(1,3−シクロへキシレンカーボネート)をGPCにより重量平均分子量を測定したところ、23,100、分子量分布は1.49であった。
得られたポリ(1,3−シクロへキシレンカーボネート)100g、活性剤としてRhodosil Photoinitiator2074(ローディアジャパン(株)社製)5g、増感剤として1−クロロ−4‐プロポキシチオキサントン(英Lambson社製 SPEEDCURE CPTX(商品名))1.5gをアニソール(溶剤)958.5gに溶解し、樹脂濃度10%の仮固定剤を作製した。
まず、スピンコータを用いて、実施例で得られた仮固定剤を8インチ透明ガラスに塗布し(回転数:1,200rpm、時間:30秒)、次いで、ホットプレート上で、120℃、5分の条件でプリベークを行い、厚さ5μmの仮固定剤からなる薄膜を形成した。
次に、マスクアライナー(型番:MA−8、ズース・マイクロテック社製)を用い、ブロードバンド光源(G線+H線+i線)により仮固定剤からなる薄膜を露光した(露光量:i線換算で500mj/cm2)。
実施例1の仮固定剤は、200℃、30分で熱分解を行った。また、実施例2の仮固定剤は、250℃、30分で熱分解を行った。
Claims (15)
- 半導体ウェハを加工するために半導体ウェハを支持基材に仮固定し、加工後に加熱することにより半導体ウェハを支持基材から脱離するために使用される仮固定剤において、
活性エネルギー線の照射後に、50%重量減少温度が低下する、ポリプロピレンカーボネート、ポリシクロヘキシレンカーボネート、ポリブチレンカーボネートのいずれかを含む樹脂成分を含み、
前記活性エネルギー線の照射によってエネルギーを加えることにより活性種を発生する活性剤を含み、該活性種の存在下で、前記樹脂成分の主鎖が熱切断するか、前記樹脂成分の熱閉環反応が促進されることにより、前記樹脂成分の分解温度が低下する半導体ウェハの仮固定剤。 - 前記活性エネルギー線の照射前後の50%重量減少温度の差が20〜100℃である請求項1に記載の半導体ウェハの仮固定剤。
- 前記樹脂成分について、前記活性エネルギー線の照射後の95%重量減少温度と5%重量減少温度との差が、
1℃≦(95%重量減少温度)−(5%重量減少温度)≦200℃
である請求項1又は2に記載の半導体ウェハの仮固定剤。 - 前記樹脂成分について、前記活性エネルギー線の照射後の95%重量減少温度と5%重量減少温度との差が、
80℃≦(95%重量減少温度)−(5%重量減少温度)≦150℃
である請求項1又は2に記載の半導体ウェハの仮固定剤。 - 前記樹脂成分が、主鎖に脂肪族4級の炭素原子を有する請求項1から4のいずれか一項に記載の半導体ウェハの仮固定剤。
- 前記樹脂成分が、主鎖にヘテロ原子を有する請求項1から5のいずれか一項に記載の半導体ウェハの仮固定剤。
- 前記樹脂成分が、主鎖のヘテロ原子に隣接した3級の炭素原子を有する請求項6に記載の半導体ウェハの仮固定剤。
- 前記樹脂成分が、主鎖の繰返し原子数が5〜7である請求項1から7のいずれか一項に記載の半導体ウェハの仮固定剤。
- 前記樹脂成分が、主鎖にX−C(=O)−Y構造を有する請求項1から8のいずれか一項に記載の半導体ウェハの仮固定剤。
(ここで、XおよびYは、それぞれ、酸素原子、窒素原子、硫黄原子のいずれかである。) - 前記樹脂成分が、主鎖に1級あるいは2級の炭素原子を有し、該炭素原子の側鎖に官能基が結合する請求項1から9のいずれか一項に記載の半導体ウェハの仮固定剤。
- 前記官能基が、カルボニル、チオカルボニル、ホルマール、アセタールのいずれかである請求項10に記載の半導体ウェハの仮固定剤。
- 前記活性種が酸または塩基である請求項1から11のいずれか一項に記載の半導体ウェハの仮固定剤。
- 前記活性エネルギー線が紫外または可視光である請求項1から12のいずれか一項に記載の半導体ウェハの仮固定剤。
- 前記半導体ウェハの仮固定剤が感光性のポリカーボネート系樹脂を含む請求項1から13のいずれか一項に記載の半導体ウェハの仮固定剤。
- 支持基材上に、活性エネルギー線の照射後に、50%重量減少温度が下がる、ポリプロピレンカーボネート、ポリシクロヘキシレンカーボネート、ポリブチレンカーボネートのいずれかを含む樹脂成分を含む半導体ウェハの仮固定剤の薄膜を支持基材または半導体ウェハに設ける工程と、
前記支持基材または半導体ウェハ上の薄膜が設けられた面上に前記支持基材または半導体ウェハを載置し、該支持基材または半導体ウェハを前記薄膜に貼り合わせる工程と、
前記半導体ウェハを加工する工程と、
前記薄膜を加熱して前記半導体ウェハを前記支持基材から脱離する工程と、を含み、
前記活性エネルギー線の照射によってエネルギーを加えることにより活性種を発生する活性剤を含み、該活性種の存在下で、前記樹脂成分の主鎖が熱切断するか、前記樹脂成分の熱閉環反応が促進されることにより、前記樹脂成分の分解温度が低下する半導体装置の製造方法。
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