KR101693055B1 - 반도체 웨이퍼의 가고정제 및 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

반도체 웨이퍼에 대한 데미지를 저감시키고, 용이하게 탈리 가능하며, 또한 열 분해에 필요로 하는 시간을 단축시킬 수 있는 반도체 웨이퍼의 가고정제 및 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다. 반도체 웨이퍼를 가공하기 위해서 반도체 웨이퍼를 지지 기재에 가고정하고, 가공 후에 가열함으로써 반도체 웨이퍼를 지지 기재로부터 탈리시키기 위해서 사용되는 가고정제에 있어서, 활성 에너지선 조사 후에 50％ 중량 감소 온도가 저하되는 수지 성분을 포함하는 반도체 웨이퍼의 가고정제.

Description

반도체 웨이퍼의 가고정제 및 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법{TEMPORARILY FIXING AGENT FOR SEMICONDUCTOR WAFER, AND PROCESS FOR PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME}
본 발명은 반도체 웨이퍼를 가공할 때에 반도체 웨이퍼를 가고정하기 위한 반도체 웨이퍼의 가고정제 및 그것을 이용한 반도체의 제조 방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼에 연마나 에칭 등의 가공을 실시하기 위해서는 반도체 웨이퍼를 일시적으로 가고정할 필요가 있어, 그를 위한 다양한 방법이 제안되고 있다. 예를 들면, 현재는 PET 필름에 접착층을 마련한 고정용 필름 위에 반도체 웨이퍼를 고정하는 방법이 많이 이용되고 있다.
이 방법에서는 연삭에 이용되는 일반적인 백그라인드 머신의 연삭 정도(精度)(약 1㎛)와 웨이퍼를 고정하기 위한 일반적인 BG(백그라인드) 테이프의 두께 정도(약 5㎛)를 맞추면, 요구되는 두께 정도를 넘어 버려 연삭된 웨이퍼의 두께에 불균형이 발생할 우려가 있다.
또, 스루·실리콘·비아(Through　Silicon　Via)에 이용되는 웨이퍼를 가공하는 경우 BG 테이프가 붙은 상태에서 Via 홀이나 막의 형성을 실시하지만, 그때의 온도는 150℃ 정도에 달해 BG 테이프의 점착력을 올려 버린다. 또 막 형성을 위한 도금 약액에 의해서 BG 테이프의 접착층이 침범되어 벗겨짐이 생기거나 한다.
또 화합물 반도체로 대표되는 취약한 웨이퍼는 기계적 연삭에 의해서 데미지를 받는 경우가 있으므로 에칭에 의해서 박화(薄化)를 실시한다. 이 에칭에 있어서는 스트레스 제거를 목적으로 하는 정도의 에칭량이면 특별히 문제는 없지만, 수 ㎛ 에칭하는 경우에는 에칭의 약액에 의해서 BG 테이프가 변질되어 버리는 경우가 있다.
한편으로 표면이 평활한 지지 기재에 고정 재료를 통하여 고정하는 방법이 채용되게 되어 있다. 예를 들면 스트레스 제거 목적으로 에칭을 실시하려면 높은 온도까지 가열할 필요가 있지만 PET 필름에서는 이와 같은 고온에 견딜 수 없기 때문에 이와 같은 경우에는 지지 기재를 이용한 방법이 바람직하게 적용된다.
지지 기재에 대한 고정 재료에는 고온에서 연화하여 웨이퍼의 탈리가 용이해지는 고정 재료나, 특정 약액에 의해서 용해하는 고정 재료가 제안되고 있다.
그러나, 이와 같은 재료는 핸들링이 나쁘고, 탈리 후에 반도체 웨이퍼나 장치의 내부에 잔류된 고정 재료를 약액 등으로 세정할 필요가 있다.
또, 지지 기재로부터 반도체 웨이퍼를 탈리시킬 때에 박화된 웨이퍼가 견딜 수 없게 되어 파손될 우려가 있지만, 반도체 웨이퍼의 박형화가 진행됨에 따라 그 가능성이 높아질 것이 예상된다.
본 발명과는 이용 목적이 상이하지만, 예를 들면 특허문헌 1 및 2에는 반도체 장치의 제조와 관련된 폴리머가 개시되어 있다.
상기와 같이 반도체 웨이퍼를 가공하기 위한 고정에 관해서, 정도가 높은 가공이 가능하고, 용이하게 탈리 가능하며, 또한 반도체 웨이퍼에 잔류하기 어려운 가고정 재료가 요망되고 있었다.
또, 반도체 웨이퍼에 대한 데미지를 저감시켜 정도가 높은 가공이 가능하고, 또한 열 분해에 필요로 하는 시간을 단축시킬 수 있는 반도체 장치의 제조 방법이 요망되고 있었다.
일본 특표 2006-504853호 공보 일본 특표 2006-503335호 공보
본 발명의 목적은 반도체 웨이퍼에의 데미지를 저감시켜 정도가 높은 가공이 가능하고, 가공 후 반도체 웨이퍼의 탈리가 용이한 반도체 웨이퍼의 가고정제 및 반도체 웨이퍼에 대한 데미지를 저감시켜 정도가 높은 가공이 가능하고, 또한 열 분해에 필요로 하는 시간을 단축시킬 수 있는 반도체 장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 반도체 웨이퍼를 가공하기 위해서 반도체 웨이퍼를 지지 기재에 가고정하고, 가공 후에 가열함으로써 반도체 웨이퍼를 지지 기재로부터 탈리시키기 위해서 사용되는 반도체 웨이퍼의 가고정제가 제공된다. 이 반도체 웨이퍼의 가고정제는 활성 에너지선 조사 후에 50％ 중량 감소 온도가 저하되는 수지 성분을 포함한다.
또, 본 발명의 일 태양에서는 상기 활성 에너지선 조사 전후의 50％ 중량 감소 온도의 차가 20~100℃이다.
또, 본 발명에 따르면, 지지 기재 위에 활성 에너지선 조사 후에 50％ 중량 감소 온도가 저하되는 수지 성분을 포함하는 반도체 웨이퍼의 가고정제를 박막 모양으로 마련하는 공정과, 상기 지지 기재 상의 박막이 마련된 면 위에 반도체 웨이퍼를 재치해 이 반도체 웨이퍼를 상기 박막에 첩합하는 공정과, 상기 반도체 웨이퍼를 가공하는 공정과, 상기 박막에 활성 에너지선을 조사하는 공정과, 상기 박막을 가열해 상기 반도체 웨이퍼를 상기 지지 기재로부터 탈리하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다.
본 발명의 반도체 웨이퍼의 가고정제는 반도체 웨이퍼에 대한 데미지를 저감시켜 정도가 높은 가공이 가능하고, 가공 후의 반도체 웨이퍼의 탈리가 용이하다는 효과를 나타낸다. 또, 이 반도체 웨이퍼의 가고정제를 이용한 반도체 장치의 제조 방법은 반도체 웨이퍼에 대한 데미지를 저감시켜 정도가 높은 가공이 가능하고, 또한 열 분해에 필요로 하는 시간을 단축시킬 수 있다는 효과를 나타낸다.
[용어의 정의]
본 발명에 있어서, 노광 전후의 50％ 중량 감소 온도란 50％의 중량이 없어지는 온도를 의미한다.
또, 5％ 중량 감소 온도 및 95％ 중량 감소 온도란 각각 5％ 및 95％의 중량이 없어지는 온도를 의미한다.
본 발명에 있어서, 활성 에너지선이란 자외선, 가시광선, 적외선 등을 포함하는 전자선을 의미한다.
상기 활성 에너지선의 종류로는 특별한 장치를 필요로 하지 않아 간편하기 때문에 상기 활성 에너지선이 자외 또는 가시광인 것이 바람직하다.
다음에, 본 발명에 관한 반도체 웨이퍼의 가고정제의 일실시 형태를 설명한다.
[반도체 웨이퍼의 가고정제]
본 실시 형태와 관련된 반도체 웨이퍼의 가고정제는 반도체 웨이퍼를 가공하기 위해서 반도체 웨이퍼를 지지 기재에 가고정하고, 가공 후에 가열함으로써 반도체 웨이퍼를 지지 기재로부터 탈리시키기 위해서 사용되는 가고정제에 있어서, 활성 에너지선 조사 후에 50％ 중량 감소 온도가 저하되는 수지 성분을 포함하는 반도체 웨이퍼의 가고정제이다.
상기 구성으로 이루어진 반도체 웨이퍼의 가고정제는 활성 에너지선 조사에 의해서 50％ 중량 감소 온도가 저하되는 수지 성분을 포함하고 있기 때문에, 활성 에너지선 조사에 의해서 가고정제의 열 분해 온도를 내릴 수 있어 반도체 웨이퍼 가공 후에 용이하게 탈리 가능하고, 또한 반도체 웨이퍼에 가고정제가 잔류하기 어렵다는 효과를 나타낸다.
또, 표면이 평활하고 충분한 정도(精度)를 가지는 지지 기재 위에 박막으로서 형성할 수 있기 때문에 연마 등의 가공의 정도가 높다는 효과를 나타낸다.
상기 수지 성분은 활성 에너지선 조사 전후의 50％ 중량 감소 온도의 차가 20~100℃인 것이 보다 바람직하다.
이것에 따르면, 반도체 웨이퍼 가공 후 반도체 웨이퍼의 탈리가 용이하고, 또한 반도체 웨이퍼에 가고정제가 잔류하기 어렵다는 효과를 한층 향상시킬 수 있다.
또, 반도체 웨이퍼 가공 후에 활성 에너지선을 조사함으로써 가고정제의 열 분해 온도를 내릴 수 있기 때문에, 가공 후 반도체 웨이퍼의 열 이력에 의한 손상을 방지하는 효과를 한층 향상시킬 수 있다.
또, 상기 수지 성분에 대해서, 상기 활성 에너지선 조사 후의 95％ 중량 감소 온도와 5％ 중량 감소 온도의 차가
1℃ ≤ (95％ 중량 감소 온도) - (5％ 중량 감소 온도) ≤ 200℃
인 것이 바람직하다.
이것에 따르면, 가고정제의 열 분해에 필요로 하는 온도 범위가 좁아 열 분해에 필요로 하는 시간을 단축시킬 수 있어 반도체 웨이퍼에 대한 데미지를 억제하는 효과를 한층 향상시킬 수 있다.
또, 가공 후 반도체 웨이퍼의 탈리가 용이하고, 또한 반도체 웨이퍼에 가고정제가 잔류하기 어렵다는 효과를 한층 향상시킬 수 있다.
또, 안정적으로 사용 가능한 온도 영역을 넓게 확보할 수 있기 때문에, 지지 기재에 가고정을 한 채로 여러 가지의 가공 공정에 제공하는 것이 가능해진다.
또, 표면이 평활하고 충분한 정도를 가지는 지지 기재 위에 박막으로서 형성할 수 있기 때문에, 연마 등의 가공의 정도가 높다는 효과를 한층 향상시킬 수 있다.
나아가, 상기 수지 성분에 대해서, 상기 활성 에너지선 조사 후의 95％ 중량 감소 온도와 5％ 중량 감소 온도의 차가
80℃ ≤ (95％ 중량 감소 온도) - (5％ 중량 감소 온도) ≤ 150℃
인 것이 보다 바람직하다.
이것에 따르면, 열 분해에 필요로 하는 시간을 단축시킬 수 있어 안정적으로 사용 가능한 온도 영역을 넓게 확보할 수 있다는 효과를 한층 향상시킬 수 있다.
또, 상기 가고정제는 상기 활성 에너지선 조사에 의해서 에너지를 가함으로써 활성종을 발생시키는 활성제를 포함하고, 이 활성종 존재 하에서 상기 수지 성분의 분해 온도가 저하되는 것이 바람직하다.
(수지 성분)
수지 성분은 활성제 존재 하에서 활성 에너지선 조사에 의해 열 분해 온도가 저하되는 것이면, 특별히 한정되지 않는다.
상기 수지 성분은 상기 활성종 존재 하에서, 상기 수지 성분의 주쇄가 열 절단되는 것이 바람직하다. 이것은 가고정제의 열 분해 온도를 효과적으로 내릴 수 있기 때문에 반도체 웨이퍼의 열 이력에 의한 손상을 효과적으로 방지할 수 있고, 나아가 상기 수지 성분의 주쇄가 열 절단되어 저분자 성분이 되어서 휘발하기 때문에 반도체 웨이퍼에 가고정제가 잔류하기 어렵다는 이유로부터이다.
상기 수지 성분은 상기 활성종 존재 하에서 상기 수지 성분의 열 폐환 반응이 촉진되는 것이 바람직하다. 이것은 상기 수지 성분이 열 폐환함으로써, 상기 수지 성분이 보다 효과적으로 열 분해되기 쉽다는 이유로부터이다.
상기 수지 성분이 주쇄에 지방족 4급 탄소 원자를 가지는 것이 바람직하다. 이것은 수지 성분을 열 분해시킬 때의 수지 성분 유래 중간체의 안정성을 향상시킬 수 있다는 이유로부터이다.
상기 수지 성분이 주쇄에 헤테로 원자를 가지는 것이 바람직하다. 이것은 결합 전자가 이동하기 쉽기 때문에, 주쇄의 열 분해 및 열 폐환 반응이 촉진되어 수지 성분의 열 분해가 일어나기 쉽다는 이유로부터이다.
또, 상기 수지 성분이 주쇄의 헤테로 원자에 인접한 3급 탄소 원자를 가지는 것이 바람직하다. 이것은 수지 성분을 열 분해시킬 때의 수지 성분 유래의 중간체의 안정성, 나아가서는 결합 전자를 이동하기 쉽게 하여 주쇄의 열 분해 및 열 폐환 반응이 촉진된다는 이유로부터이다.
여기서, 헤테로 원자란 수소 및 탄소 이외의 원자를 의미한다.
상기 수지 성분이 주쇄의 반복 원자수가 5~7인 것이 바람직하다. 이것은 반복 원자수가 5~7이면 환상 구조(5~7원환)를 형성하기 쉽고, 수지 성분이 열 분해되기 쉽다는 이유로부터이다.
상기 수지 성분이 주쇄에 X-C(=O)-Y 구조를 가지는 것이 바람직하다. 여기서, X 및 Y는 각각, 산소 원자, 질소 원자, 황 원자 중 어느 하나이다. 이것은 결합 전자가 이동하기 쉽기 때문에, 주쇄의 열 분해 및 열 폐환 반응이 촉진되어 수지 성분의 열 분해가 일어나기 쉽다는 이유로부터이다.
상기 수지 성분이 주쇄에 1급 혹은 2급 탄소 원자를 갖고, 이 탄소 원자의 측쇄에 관능기가 결합되는 것이 바람직하다. 이것은 관능기에 의해 주쇄의 열 분해가 촉진된다는 이유로부터이다.
또, 상기 관능기가 카르보닐기, 티오카르보닐기, 포르말기, 아세탈기 중 어느 하나인 것이 바람직하다. 이것은 보다 효과적으로 주쇄의 열 분해가 촉진된다는 이유로부터이다.
상기 수지 성분이 폴리카보네이트계 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리에테르계 수지, 폴리우레탄계 수지, (메타)아크릴레이트계 수지 중 어느 하나인 것이 바람직하다. 이것은 활성제 존재 하에서 열 분해 온도를 효과적으로 내릴 수 있다는 이유로부터이다.
또, 상기 가고정제는 보다 바람직하게는 감광성 폴리카보네이트계 수지, 비닐계 수지, (메타)아크릴계 수지를 포함한다.
감광성 폴리카보네이트계 수지란 이하의 폴리카보네이트계 수지와 상기 활성제의 조합을 의미한다.
상기 폴리카보네이트계 수지로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 폴리프로필렌 카보네이트, 폴리에틸렌 카보네이트, 1,2-폴리부틸렌 카보네이트, 1,3-폴리부틸렌 카보네이트, 1,4-폴리부틸렌 카보네이트, cis-2,3-폴리부틸렌 카보네이트, trans-2,3-폴리부틸렌 카보네이트, α,β-폴리이소부틸렌 카보네이트, α,γ-폴리이소부틸렌 카보네이트, cis-1,2-폴리시클로부틸렌 카보네이트, trans-1,2-폴리시클로부틸렌 카보네이트, cis-1,3-폴리시클로부틸렌 카보네이트, trans-1,3-폴리시클로부틸렌 카보네이트, 폴리헥센 카보네이트, 폴리시클로프로펜 카보네이트, 폴리시클로헥센 카보네이트, 폴리(메틸시클로헥센 카보네이트), 폴리(비닐시클로헥센 카보네이트), 폴리디히드로나프탈렌 카보네이트, 폴리헥사히드로스티렌 카보네이트, 폴리시클로헥산프로필렌 카보네이트, 폴리스티렌 카보네이트, 폴리(3-페닐프로필렌 카보네이트), 폴리(3-트리메틸실릴옥시프로필렌 카보네이트), 폴리(3-메타크릴옥시프로필렌 카보네이트), 폴리퍼플루오로프로필렌 카보네이트, 폴리노르보넨 카보네이트, 폴리(1,3-시클로헥실렌 카보네이트) 및 이들 2종 이상의 조합을 들 수 있다.
이들 중에서도, 특히 활성제 존재 하에서 보다 효과적으로 열 분해 온도를 내릴 수 있다는 이유로부터, 폴리프로필렌 카보네이트, 폴리시클로헥실렌 카보네이트, 폴리부틸렌 카보네이트가 바람직하다.
상기 비닐계 수지로는 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면 폴리스티렌, 폴리-α-메틸스티렌 등의 스티렌 유도체의 중합체, 폴리(에틸비닐에테르), 폴리(부틸비닐에테르), 폴리비닐포르말 등의 폴리비닐에테르류나 그 유도체, 및 이들 2종 이상의 조합을 들 수 있다.
이들 중에서도, 특히 활성 에너지선 조사에 의해 효과적으로 열 분해 온도를 저하시킬 수 있고, 또 작업성이 뛰어나다는 이유로부터, 폴리-α-메틸스티렌이 바람직하다.
상기 (메타)아크릴계 수지로는 특별히 제한되지 않지만, 예를 들면 (메타)아크릴산 메틸, (메타)아크릴산 에틸, (메타)아크릴산 n-프로필, (메타)아크릴산 n-부틸, (메타)아크릴산, 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트 등으로부터 선택되는 (메타)아크릴계 모노머의 공중합체 등을 들 수 있다.
이들 중에서도, 특히 활성 에너지선 조사에 의해 효과적으로 열 분해 온도를 저하시킬 수 있고, 또 작업성이 뛰어나다는 이유로부터, 폴리메타크릴산 메틸, 폴리메타크릴산 에틸이 바람직하다.
상기 수지 성분의 중량 평균 분자량(Mw)은 1,000~1,000,000인 것이 바람직하고, 5,000~800,000인 것이 특히 바람직하다. 중량 평균 분자량을 상기 하한 이상으로 함으로써, 박막 형성 공정에서 가고정제의 반도체 웨이퍼 또는 지지체에 대한 습윤성이 향상되는 효과, 나아가 성막성을 향상시키는 효과를 얻을 수 있다. 또, 상기 상한값 이하로 함으로써 가고정제를 구성하는 각종 성분과의 상용성이나 각종 용제에 대한 용해성, 나아가서는 가열 공정에서의 가고정제의 열 분해성을 향상시키는 효과를 얻을 수 있다.
상기 수지 성분은 가고정제 전체 양의 10％~100％의 비율로 배합하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 30％~100％의 비율로 배합하는 것이 바람직하다. 수지 성분의 함유량을 상기 하한값 이상으로 함으로써, 후술하는 탈리 공정 후에 가고정제가 반도체 웨이퍼 또는 지지체에 잔류하는 것을 방지할 수 있다는 이유로부터이다.
또, 상기 가고정제는 상기 활성 에너지선 조사에 의해서 에너지를 가함으로써 활성종을 발생시키는 활성제를 포함하고, 이 활성종 존재 하에서 상기 수지 성분의 분해 온도가 저하되는 것이 바람직하다.
(활성제)
상기 활성제로는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 광산 발생제, 광염기 발생제 등을 들 수 있다. 상기 광산 발생제로는 특별히 한정되지 않지만, 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트-4-메틸페닐[4-(1-메틸에틸)페닐]요도늄(DPI-TPFPB), 트리스(4-t-부틸페닐)설포늄 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트(TTBPS-TPFPB), 트리스(4-t-부틸페닐)설포늄 헥사플루오로포스페이트(TTBPS-HFP), 트리페닐설포늄 트리플레이트(TPS-Tf), 비스(4-tert-부틸페닐)요도늄트리플레이트(DTBPI-Tf), 트리아진(TAZ-101), 트리페닐설포늄 헥사플루오로안티모네이트(TPS-103), 트리페닐설포늄 비스(퍼플루오로메탄설포닐)이미드(TPS-N1), 디-(p-t-부틸)페닐요도늄, 비스(퍼플루오로메탄설포닐)이미드(DTBPI-N1), 트리페닐설포늄, 트리스(퍼플루오로메탄설포닐)메티드(TPS-C1), 디-(p-t-부틸페닐)요도늄 트리스(퍼플루오로메탄설포닐)메티드(DTBPI-C1) 및 이들 2종 이상의 조합을 들 수 있다.
이들 중에서도 특히 상기 수지 성분의 열 분해 온도를 효율적으로 내릴 수 있다는 이유로부터 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트-4-메틸페닐[4-(1-메틸에틸)페닐]요도늄(DPI-TPFPB)이 바람직하다.
상기 광염기 발생제로는 특별히 한정되지 않지만, 5-벤질-1,5-디아자비시클로(4.3.0)노난, 1-(2-니트로벤조일카르바모일)이미다졸 등을 들 수 있다.
이들 중에서도 특히 상기 수지 성분의 열 분해 온도를 효율적으로 내릴 수 있다는 이유로부터 5-벤질-1,5-디아자비시클로(4.3.0)노난 및 이의 유도체가 바람직하다.
상기 활성제는 가고정제 전체 양의 0.01％~50％의 비율로 배합하는 것이 바람직하다. 더욱 바람직하게는 0.1％~30％의 비율로 배합하는 것이 바람직하다.
상기 하한값 이상으로 함으로써 상기 수지 성분의 열 분해 온도를 안정적으로 내리는 것이 가능해지고, 상기 상한값 이하로 함으로써 가고정제가 반도체 웨이퍼 또는 지지 기판에 잔사로서 잔류하는 것을 효과적으로 방지하는 것이 가능해진다.
감광성 폴리카보네이트계 수지의 조합으로서 특히 바람직한 것은 프로필렌 카보네이트, 1,4-폴리부틸렌 카보네이트 또는 네오펜틸 카보네이트이며, 활성제로는 테트라키스(펜타플루오로페닐)보레이트-4-메틸페닐[4-(1-메틸에틸)페닐]요도늄(DPI-TPFPB)이다.
이 경우, 수지 성분은 가고정제 전체 양의 30％~100％, 활성제는 가고정제 전체 양의 0.1％~30％이며, 가고정제의 중량 평균 분자량(Mw)은 5,000~800,000인 것이 바람직하다. 이것은 반도체 웨이퍼 또는 지지체에 대한 습윤성, 가고정제의 성막성, 가고정제를 구성하는 각종 성분과의 상용성이나 각종 용제에 대한 용해 성, 나아가서는 가열 공정에서의 가고정제의 열 분해성을 확보한다는 이유로부터이다.
상기 폴리카보네이트계 수지는 상기 활성제 존재 하에서 폴리카보네이트계 수지의 주쇄의 열 절단이 용이해지는 구조를 형성하기 때문에, 또는 폴리카보네이트계 수지 자신이 용이하게 열 분해되는 열 폐환 구조를 형성하기(열 폐환 반응) 때문에 열 분해 온도를 내릴 수 있다고 생각된다.
하기 반응식 (1)은 폴리프로필렌 카보네이트 수지의 주쇄의 열 절단 및 열 폐환 구조 형성의 메커니즘을 나타낸다.
먼저, 상기 활성제 유래 H＋가 폴리프로필렌 카보네이트 수지의 카르보닐 산소를 프로톤화하고, 나아가 극성 천이 상태를 전이시켜 불안정한 호변(互變) 이성 중간체 [A] 및 [B]를 발생시킨다.
다음에, 주쇄의 열 절단인 경우에는 중간체 [A]는 아세톤 및 CO2로서 단편화된다.
열 폐환 구조의 형성(a 또는 b)의 경우에는 중간체 [B]는 탄산 프로필렌을 생성하고, 탄산 프로필렌은 CO2 및 프로필렌옥시드로서 단편화된다.
Figure 112011038852664-pct00001
또, 상기 가고정제는 용매를 함유하고 있어도 된다. 용매로는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 메시틸렌, 데칼린, 미네랄스피릿류 등의 탄화수소류, 아니솔, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜 메틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 디글라임 등의 알코올／에테르류, 탄산 에틸렌, 아세트산 에틸, 아세트산 N-부틸, 젖산 에틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 디에틸렌글리콜 모노에틸에테르 아세테이트, 탄산 프로필렌, γ-부티로락톤 등의 에스테르／락톤류, 시클로펜탄온, 시클로헥산온, 메틸이소부틸케톤, 2-헵탄온 등의 케톤류, N-메틸-2-피롤리디논 등의 아미드／락탐류를 들 수 있다. 가고정제가 용매를 함유함으로써, 가고정제의 점도를 조정하는 것이 용이해져 반도체 웨이퍼 또는 지지 기재에 가고정제의 박막을 형성하는 것이 용이해진다.
상기 용매의 함유량은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 5~98중량％인 것이 바람직하고, 10~95중량％인 것이 특히 바람직하다.
또, 상기 가고정제는 광라디칼 개시제를 함유해도 된다. 광라디칼 개시제로는 특별히 한정되는 것은 아니고, 가고정제가 광라디칼 개시제를 함유함으로써, 노광·현상 공정을 거침으로써 원하는 위치에 가고정제를 형성할 수 있다.
상기 광라디칼 개시제는 화학선을 조사함으로써 2종 또는 그 이상의 화합물로 분해되고, 상기 화합물 중 하나 이상은 프리라디칼을 가지는 화합물이면, 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들면, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥시드(Ciba　Specialty　Chemicals사제 Irgacure(등록상표)　819), 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄온-1(Ciba　Specialty　Chemicals사제 Irgacure　369), 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온(Ciba　Specialty　Chemicals사제 Irgacure　651), 2-메틸-1[4-(메틸티오)-페닐]-2-모르폴리노프로판-1-온(Ciba　Specialty　Chemicals사제 Irgacure 907), 벤조인에틸에테르(Aldrich사제 BEE), 2-메틸-4'-(메틸티오)-2-모르폴리노프로피오페논, 2,2'-디메톡시-2-페닐아세토페논(Ciba　Specialty　Chemicals사제 Irgacure 1300), 2,6-비스(4-아지드벤지리덴)-4-에틸시클로헥산온(BAC-E) 등을 들 수 있다.
상기 광라디칼 개시제의 함유량은 상기 수지 성분 100중량부에 대해서 0.1~10중량부인 것이 바람직하고, 0.5~5중량부인 것이 특히 바람직하다.
상기 가고정제는 광라디칼 개시제와 함께 광라디칼 개시제의 반응성을 발현 혹은 증대시키는 기능을 가지는 성분인 증감제를 포함하고 있어도 된다.
상기 증감제로는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 안트라센, 페난트렌, 크리센, 벤트피렌, 플루오란텐, 루브렌, 피렌, 크산톤, 인단스렌, 티오크산텐-9-온, 2-이소프로필-9H-티오크산텐-9-온, 4-이소프로필-9H-티오크산텐-9-온, 1-클로로-4-프로폭시티옥산톤 및 이들의 혼합물 등을 들 수 있다. 이와 같은 증감제의 함유량은 전술한 광산 발생제 등의 활성제나 광라디칼 개시제의 총량 100중량부에 대해서 100중량부 이하인 것이 바람직하고, 20중량부 이하인 것이 보다 바람직하다.
또, 상기 가고정제는 산화 방지제를 포함하고 있어도 된다. 상기 산화 방지제는 바람직하지 않은 산의 발생이나 수지 조성물의 자연 산화를 방지하는 기능을 가지고 있다.
상기 산화 방지제로는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 뉴욕주 타리타운의 Ciba　Fine　Chemicals사로부터 입수 가능한 Ciba　IRGANOX(등록상표) 076 및 Ciba　IRGAFOS(등록상표) 68이 바람직하게 이용된다.
또, 다른 산화 방지제로는 예를 들면, Ciba　Irganox 129, Ciba　Irganox 1330, Ciba　Irganox 1010, Ciba　Cyanox(등록상표) 1790, Ciba　Irganox　3114, Ciba　Irganox　3125 등을 이용할 수도 있다.
상기 산화 방지제의 함유량은 상기 수지 성분 100중량부에 대해서 0.1~10중량부인 것이 바람직하고, 0.5~5중량부인 것이 보다 바람직하다.
또 상기 가고정제는 필요에 따라 산 포착제, 아크릴계, 실리콘계, 불소계, 비닐계 등의 레벨링제, 실란 커플링제, 희석제 등의 첨가제 등을 포함해도 된다.
상기 실란 커플링제로는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 3-글리시독시프로필 트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸 디에톡시실란, 3-글리시독시프로필 트리에톡시실란, p-스티릴 트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸 디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필 트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸 디에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필 트리에톡시실란, 3-아크릴로일옥시프로필 트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸 디메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필 트리메톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필 트리에톡시실란, 3-아미노프로필 트리메톡시실란, 3-아미노프로필 트리에톡시실란, N-페닐-3-아미노프로필 트리메톡시실란, 3-메르캅토프로필메틸 디메톡시실란, 3-메르캅토프로필 트리메톡시실란, 비스(트리에톡시프로필)테트라술피드, 3-이소시아네이트프로필 트리에톡시실란 등을 들 수 있고, 단독으로도 2종 이상 혼합해 이용해도 된다.
상기 가고정제가 실란 커플링제를 포함함으로써, 반도체 웨이퍼 또는 지지 기재와의 밀착성을 향상시키는 것이 가능해진다.
상기 희석제로는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 시클로헥센옥사이드나 α-피넨옥사이드 등의 시클로에테르 화합물, [메틸렌비스(4,1-페닐렌옥시메틸렌)] 비스옥시란 등의 방향족 시클로에테르, 1,4-시클로헥산디메탄올 디비닐에테르 등의 시클로알리파틱 비닐에테르 화합물 등을 들 수 있다.
상기 가고정제가 희석제를 포함함으로써, 가고정제의 유동성을 향상시킬 수 있어 박막 형성 공정에서 가고정제의 반도체 웨이퍼 또는 지지 기재에 대한 습윤성을 향상시키는 것이 가능해진다.
[반도체 장치의 제조 방법]
다음에, 본 발명의 반도체 장치의 제조 방법의 일실시 형태를 설명한다.
본 실시 형태와 관련된 반도체 장치의 제조 방법은 반도체 웨이퍼의 가공을 포함하고, 지지 기재 위에 활성 에너지선 조사 후에 50％ 중량 감소 온도가 저하되는 수지 성분을 포함하는 반도체 웨이퍼의 가고정제를 박막 모양으로 마련하는 공정과, 상기 지지 기재 상의 박막이 마련된 면 위에 반도체 웨이퍼를 재치해 이 반도체 웨이퍼를 상기 박막에 첩합하는 공정과, 상기 반도체 웨이퍼를 가공하는 공정과, 상기 박막에 활성 에너지선을 조사하는 공정과, 상기 박막을 가열해 상기 반도체 웨이퍼를 상기 지지 기재로부터 탈리하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법이다.
상기 구성으로 이루어진 반도체 장치의 제조 방법은 활성 에너지선 조사에 의해서 50％ 중량 감소 온도가 저하되는 수지 성분을 포함하고 있기 때문에, 활성 에너지선 조사에 의해서 가고정제의 열 분해 온도를 내릴 수 있어 반도체 웨이퍼 가공 후에 용이하게 탈리 가능하고, 또한 반도체 웨이퍼에 고정제가 잔류하기 어렵다는 효과를 나타낸다. 이 때문에, 반도체 웨이퍼에 대한 데미지를 저감시키고, 또한 열 분해에 필요로 하는 시간을 단축시킬 수 있다.
또, 표면이 평활하고 충분한 정도를 가지는 지지 기재 위에 박막으로서 형성할 수 있기 때문에 연마 등의 가공의 정도가 높다는 효과를 나타낸다.
또한, 본 실시 형태와 관련된 반도체 장치의 제조 방법에서는 반도체 웨이퍼의 가고정제로서 상기 가고정제를 적용한다. 즉, 본 실시 형태와 관련된 반도체 장치의 제조 방법에 이용되는 가고정제는 상기 가고정제의 특징을 가진다.
이하에, 상기 반도체 장치의 제조 방법의 각 공정을 설명한다.
(박막 형성 공정)
먼저, 반도체 웨이퍼를 소정의 지지 기재 위에 고정하기 위해서, 가고정제의 박막을 지지 기재 또는 반도체 웨이퍼에 마련하는 공정을 거친다. 가고정제의 박막은 지지 기재 및 반도체 웨이퍼 중 어느 쪽에 마련해도 된다.
가고정제를 박막 모양으로 마련하는 방법으로는 예를 들면, 스핀 코트법, 스프레이법, 인쇄법, 필름 전사법, 슬릿 코트법, 스캔 도포법 등의 공지의 방법을 이용하여 행할 수 있기 때문에 새로운 설비 투자가 필요 없다는 이점이 있다.
또한, 가고정제를 박막 모양으로 마련하는 방법으로는 스핀 코트법이 바람직한데, 균일하고 평탄한 박막을 형성할 수 있으므로 바람직하다.
(첩합 공정)
다음에, 지지 기재 또는 반도체 웨이퍼 상의 박막이 마련된 면 위에 상기 지지 기재 또는 반도체 웨이퍼를 재치해 이 상기 지지 기재 또는 반도체 웨이퍼를 상기 박막에 첩합하는 공정을 거친다. 첩합에는 진공 프레스기, 웨이퍼 본더 등의 장치를 이용할 수 있다.
(가공 공정)
다음에, 가고정제에 의해서 지지 기재 위에 고정된 반도체 웨이퍼를 가공하는 공정을 거친다.
반도체 웨이퍼의 가공은 반도체 웨이퍼 이면의 연마, Via 홀의 형성, 스트레스 릴리스를 위한 에칭, 리소그라피, 코트, 증착 등이다.
본 실시 형태와 관련된 반도체 장치의 제조 방법에서는 표면이 평활하고 충분한 정도를 가지는 지지 기재 위에 박막으로서 형성할 수 있기 때문에, 가공의 정도가 높다는 효과를 나타낸다.
(활성 에너지선 조사 공정)
다음에, 박막 모양의 가고정제에 활성 에너지선을 조사하는 공정을 거친다.
이 조사 공정에서는 가고정제에 활성 에너지선을 조사함으로써, 가고정제 중의 활성제로부터 활성종이 발생한다. 그리고, 이 활성종에 의해서 수지 성분의 열 분해 온도가 저하된다.
또한, 이 조사 공정은 가공 공정의 앞에 실시해도 된다.
(가열 공정)
다음에, 박막 모양의 가고정제를 가열해 제거하는 공정을 거친다.
박막 모양의 가고정제는 상기 조사 공정에 의해, 열 분해 온도가 저하되고 있기 때문에 종래의 가열 공정에서의 가열 온도보다도 낮은 온도에서 제거할 수 있다. 이 때문에, 반도체 웨이퍼에 대한 데미지를 저감시키고, 또한 열 분해에 필요로 하는 시간을 단축시킬 수 있다.
(탈리 공정)
다음에, 반도체 웨이퍼를 지지 기재로부터 탈리하는 공정을 거친다.
여기서, 탈리란 반도체 웨이퍼를 지지 기재로부터 박리하는 조작을 의미한다. 예를 들면, 이 조작은 지지 기재의 표면에 대해서 수직 방향으로 탈리시키는 방법이나, 지지 기재의 표면에 대해서 수평 방향으로 슬라이드시켜 탈리시키는 방법이나, 반도체 웨이퍼 한쪽로부터 반도체 웨이퍼를 띄워 탈리시키는 방법이 있다.
탈리 공정 후, 필요에 따라 반도체 웨이퍼 또는 지지 기재에 잔류한 가고정제를 제거해도 된다. 잔류한 가고정제의 제거 방법으로는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 플라스마 처리, 약액 침지 처리, 연마 처리, 가열 처리 등을 들 수 있다.
본 실시 형태와 관련된 반도체 장치의 제조 방법에서는 가고정제가 저분자화되어 스트레스 없이 탈리가 가능하기 때문에, 반도체 웨이퍼의 파손 등이 생기기 어렵다는 효과를 나타낸다.
또, 저분자화된 가고정제의 성분은 가열시에 증산해 반도체 웨이퍼에 가고정제가 잔류하기 어렵다는 효과를 상주한다. 이 때문에, 세정 등의 후속 공정을 간소화할 수 있어 핸들링이 향상된다는 이점도 있다.
이상, 본 발명에 관한 반도체 웨이퍼의 가고정제 및 그것을 이용한 반도체 장치의 제조 방법의 구체예를 실시 형태를 들어 설명했지만, 본 발명은 이것들로 한정되는 것은 아니다.
실시예
이하, 본 발명에 관한 반도체 웨이퍼의 가고정제 및 반도체 장치의 제조 방법의 상세한 내용에 대해서 실시예를 이용해 설명하지만, 본 발명은 이하의 실시예로 한정되는 것은 아니다.
[가고정제의 제작]
( 실시예 1)
실시예 1에서는 이하의 화합물을 이용해 가고정제를 제작했다.
＜1,4-폴리부틸렌 카보네이트의 합성＞
교반기, 원료 투입구 및 질소 가스 도입구를 구비한 3구 플라스크에 1,4-부탄디올(168g, 1.864mol)와 탄산 디에틸(264.2g, 2.236mol)을 가하고 질소 분위기 하에서 90~100℃에서 가열해 혼합물을 용해했다. 다음에, 20％ 나트륨에톡시드 에탄올 용액(80㎖, 0.186mol)을 가한 후, 질소 분위기 하 90~100℃에서 1시간 교반했다. 그 후, 반응 용기 내를 30kPa 정도 감압하고 90~100℃에서 1시간, 120℃에서 1시간 교반했다. 그 후, 추가로 0.1kPa의 진공하 150℃에서 1시간, 180℃에서 2시간 교반했다.
상기에서 얻어진 반응물을 테트라히드로푸란(2L)에 용해시키고 여과를 실시해 촉매 잔사를 제거했다. 그 후, 그 여액을 증류수／메탄올 = 1／9의 용액(20L)에 투입, 침전물을 회수하고, 추가로 증류수／메탄올 = 1／9의 용액(10L)으로 충분히 세정해 125g의 1,4-폴리부틸렌 카보네이트(수율 48％)를 얻었다.
합성한 1,4-폴리부틸렌 카보네이트를 GPC에 의해 중량 평균 분자량을 측정했는데, 35,000이었다.
＜가고정제의 제작＞
얻어진 1,4-폴리부틸렌 카보네이트 100g, 활성제로서 Rhodosil PhotoPhotoinitiator 2074(FABA)(로디아재팬(주)사제　Rhodorsil　Phoinitiator 2074) 5g, 증감제로서 1-클로로-4-프로폭시티옥산톤(영국 Lambson사제　SPEEDCURE CPTX(상품명)) 1.5g를 아니솔(용제) 958.5g에 용해해 수지 농도 10％의 가고정제를 제작했다.
( 실시예 2)
실시예 2에서는 이하의 화합물을 이용해 가고정제를 제작했다.
＜폴리네오펜틸 카보네이트의 합성＞
교반기, 원료 투입구 및 질소 가스 도입구를 구비한 3구 플라스크에 네오펜틸글리콜(194.2g, 1.864mol)과 탄산 디에틸(308.2g, 2.610mol)을 가하고 질소 분위기 하에서 120℃에서 가열해 혼합물을 용해했다.
다음에, 20％ 나트륨에톡시드 에탄올 용액(80㎖, 0.186mol)을 가한 후, 질소 분위기 하 120℃에서 2시간 교반했다. 그 후, 반응 용기 내를 30kPa 정도 감압하고 120℃에서 1시간 교반했다. 그 후, 추가로 0.1kPa의 진공 하 120℃에서 3시간 교반했다.
상기에서 얻어진 반응물을 테트라히드로푸란(2L)에 용해시키고 여과를 실시해 촉매 잔사를 제거했다. 그 후, 그 여액을 물／메탄올 = 1／9의 용액(24L)에 투입, 침전물을 회수하고, 추가로 물／메탄올 = 1／9의 용액(10L)으로 충분히 세정해 110.6g의 폴리네오펜틸 카보네이트(수율 46％)를 얻었다.
합성한 폴리네오펜틸 카보네이트를 GPC에 의해 중량 평균 분자량을 측정했는데 12,000이었다.
＜가고정제의 제작＞
얻어진 폴리네오펜틸 카보네이트 100g, 활성제로서 Rhodosil PhotoPhotoinitiator 2074(FABA)(로디아재팬(주)사제　Rhodorsil　Phoinitiator 2074) 5g, 증감제로서 1-클로로-4-프로폭시티옥산톤(영국 Lambson사제　SPEEDCURE CPTX(상품명)) 1.5g를 아니솔(용제) 958.5g에 용해해 수지 농도 10％의 가고정제를 제작했다.
( 실시예 3)
실시예 3에서는 이하의 화합물을 이용해 가고정제를 작성했다.
＜폴리(1,3-시클로헥실렌 카보네이트)의 합성＞
1,3-시클로헥산디올 8.13g(0.070몰), 탄산 디페닐 15.00g(0.070몰), 탄산 리튬 0.0028g(0.0035몰)을 반응 용기에 넣었다. 반응의 제 1 공정으로서 질소 분위기 하에서 120℃로 가열한 가열조에 반응 용기를 담그고 교반해 원료를 용해시키고, 2시간 교반을 계속했다. 반응의 제 2 공정으로서 반응 용기 내를 10kPa으로 감압하고 120℃에서 1시간 교반을 계속했다. 반응의 제 3 공정으로서 반응 용기 내를 0.5kPa 이하로 감압하고 120℃에서 1시간 교반을 계속했다. 반응의 제 4 공정으로서 반응 용기 내를 0.5kPa 이하로 감압한 채로 약 30분에 걸쳐 가열조의 온도를 180℃로 승온한 후, 180℃에서 1.5시간 교반을 계속했다. 반응의 제 2~4 공정에서 생긴 페놀은 반응 용기 외로 류거(留去)했다.
반응 용기 내의 압력을 상압으로 되돌린 후, 테트라히드로푸란 100㎖를 가해 생성물을 용해시켰다. 메탄올／물 = 9／1(ｖ／ｖ)의 혼합 용액 1.0L를 교반시킨 상태에서 생성물을 용해한 용액을 적하했다. 석출된 침전을 흡인 여과로 회수하고, 회수된 침전을 메탄올／물 = 9／1(ｖ／ｖ)의 혼합 용액 0.5L로 세정한 후, 흡인 여과로 회수했다. 회수된 침전을 진공 건조기로 60℃／18시간 건조해 1,3-시클로헥실렌 카보네이트의 분말 7.09g(수율 71％)를 얻었다.
합성한 폴리(1,3-시클로헥실렌 카보네이트)를 GPC에 의해 중량 평균 분자량을 측정했는데, 23,100, 분자량 분포는 1.49였다.
＜가고정제의 제작＞
얻어진 폴리(1,3-시클로헥실렌 카보네이트) 100g, 활성제로서 Rhodosil Photoinitiator 2074(로디아재팬(주)사제) 5g, 증감제로서 1-클로로-4-프로폭시티옥산톤(영국 Lambson사제　SPEEDCURE　CPTX(상품명)) 1.5g를 아니솔(용제) 958.5g에 용해해 수지 농도 10％의 가고정제를 제작했다.
상기 실시예 1 내지 3의 가고정제에 대하여, TG／DTA 장치(형번(Model Number)：6200형, 세이코 인스트루먼트사제)에 의해 가고정제의 노광 전후 50％ 중량 감소 온도, 노광 후 5％ 중량 감소 온도 및 95％ 중량 감소 온도를 측정했다(분위기： 질소, 승온 속도：5℃／분).
여기서, 노광 후의 가고정제는 8인치 투명 유리에 실시예에서 얻어진 가공정제를 스핀 코터를 이용해 도포(회전수：1,200rpm, 시간：30초)하고, 다음에 120℃, 5분의 조건으로 프리베이크를 실시하고, 다음에, 마스크 얼라이너(형번：MA-8, 즈스·마이크로테크(SUSS MicroTec)사제)를 이용해 브로드밴드 광원(G선＋H선＋i선)에 의해 가고정제로 이루어진 박막을 노광(노광량：i선 환산으로 500mj／㎠)함으로써 제작했다.
Figure 112011038852664-pct00002
Figure 112011038852664-pct00003
다음에, 상기 실시예와 관련된 가고정제를 이용하여 반도체 장치의 제조를 실시했다.
우선, 스핀 코터를 이용하여 실시예에서 얻어진 가고정제를 8인치 투명 유리에 도포하고(회전수：1,200rpm, 시간：30초), 다음에 핫 플레이트 위에서 120℃, 5분의 조건으로 프리베이크를 실시해 두께 5㎛의 가고정제로 이루어진 박막을 형성했다.
다음에, 서브스트레이트·본더(형번 SB-8e, 즈스·마이크로테크사제)를 이용해 8인치 실리콘 웨이퍼(725㎛ 두께)를 가고정제로 이루어진 박막을 통해 8인치 투명 유리에 가고정했다(분위기：10-2mbar, 온도：160℃, 하중：10kN, 시간：1분).
다음에, 마스크 얼라이너(형번：MA-8, 즈스·마이크로테크사제)를 이용해 브로드밴드 광원(G선＋H선＋i선)에 의해 가고정제로 이루어진 박막을 노광했다(노광량：i선 환산으로 500mj／㎠).
다음에, 8인치 투명 유리에 8인치 실리콘 웨이퍼를 가고정한 샘플을 오븐에 투입하고, 소정의 온도, 시간 처리를 실시해 가고정제의 열 분해를 실시했다.
실시예 1의 가고정제는 200℃, 30분으로 열 분해를 실시했다. 또, 실시예 2의 가고정제는 250℃, 30분으로 열 분해를 실시했다.
마지막으로, 열 분해를 실시한 샘플을 오븐으로부터 꺼내고 8인치 투명 유리와 8인치 실리콘 웨이퍼의 틈새에 핀셋을 넣어 8인치 실리콘 웨이퍼의 탈리를 실시했다. 이때, 실시예 1 및 2의 가고정제를 이용했기 때문에 8인치 실리콘 웨이퍼의 파손 없이 용이하게 탈리할 수 있었다.
이와 같이 본 발명에 관한 가고정제를 이용하면, 반도체 장치의 제조 방법에 있어서 용이하게 탈리 가능하고, 또한 열 분해에 필요로 하는 시간을 단축시킬 수 있다. 이 때문에, 반도체 웨이퍼에 대한 데미지를 저감시킬 수 있다.

Claims (23)

  1. 반도체 웨이퍼를 가공하기 위해서 반도체 웨이퍼를 지지 기재에 가고정하고,
    가공 후에 가열함으로써 반도체 웨이퍼를 지지 기재로부터 탈리시키기 위해서 사용되는 가고정제로서,
    활성 에너지선 조사 후에 질소 분위기 하, 승온 속도 5℃/분에서 측정한 50％ 중량 감소 온도가 저하되는 수지 성분을 포함하고,
    상기 활성 에너지선 조사에 의해서 에너지를 가함으로써 활성종을 발생시키는 활성제를 포함하고, 이 활성종 존재 하에서 상기 수지 성분의 주쇄가 열 절단됨으로써 상기 수지 성분의 분해 온도가 저하되는 반도체 웨이퍼의 가고정제.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 활성 에너지선 조사 전후의 질소 분위기 하, 승온 속도 5℃/분에서 측정한 50％ 중량 감소 온도의 차가 20~100℃인 반도체 웨이퍼의 가고정제.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 수지 성분에 대해서 상기 활성 에너지선 조사 후의 질소 분위기 하, 승온 속도 5℃/분에서 측정한 95％ 중량 감소 온도와 5％ 중량 감소 온도의 차가
    1℃ ≤ (95％ 중량 감소 온도) - (5％ 중량 감소 온도) ≤ 200℃
    인 반도체 웨이퍼의 가고정제.
  4. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 수지 성분에 대해서 상기 활성 에너지선 조사 후의 질소 분위기 하, 승온 속도 5℃/분에서 측정한 95％ 중량 감소 온도와 5％ 중량 감소 온도의 차가
    80℃ ≤ (95％ 중량 감소 온도) - (5％ 중량 감소 온도) ≤ 150℃
    인 반도체 웨이퍼의 가고정제.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 활성종 존재 하에서 상기 수지 성분의 열 폐환 반응이 촉진되는 반도체 웨이퍼의 가고정제.
  8. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 수지 성분이 주쇄에 지방족 4급 탄소 원자를 가지는 반도체 웨이퍼의 가고정제.
  9. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 수지 성분이 주쇄에 헤테로 원자를 가지는 반도체 웨이퍼의 가고정제.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 수지 성분이 주쇄의 헤테로 원자에 인접한 3급 탄소 원자를 가지는 반도체 웨이퍼의 가고정제.
  11. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 수지 성분이 주쇄의 반복 원자수가 5~7인 반도체 웨이퍼의 가고정제.
  12. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 수지 성분이 주쇄에 X-C(=O)-Y 구조를 가지는 반도체 웨이퍼의 가고정제.
    (여기서, X 및 Y는 각각 산소 원자, 질소 원자, 황 원자 중 어느 하나이다.)
  13. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 수지 성분이 주쇄에 1급 혹은 2급 탄소 원자를 갖고, 이 탄소 원자의 측쇄에 관능기가 결합되는 반도체 웨이퍼의 가고정제.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 관능기가 카르보닐, 티오카르보닐, 포르말, 아세탈 중 어느 하나인 반도체 웨이퍼의 가고정제.
  15. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 수지 성분이 폴리카보네이트계 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리에테르계 수지, 폴리우레탄계 수지, (메타)아크릴레이트계 수지 중 어느 하나인 반도체 웨이퍼의 가고정제.
  16. 청구항 15에 있어서,
    상기 폴리카보네이트계 수지가 폴리프로필렌 카보네이트, 폴리시클로헥실렌 카보네이트, 폴리부틸렌 카보네이트 중 어느 하나인 반도체 웨이퍼의 가고정제.
  17. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 활성종이 산 또는 염기인 반도체 웨이퍼의 가고정제.
  18. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 활성 에너지선이 자외 또는 가시광인 반도체 웨이퍼의 가고정제.
  19. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    상기 반도체 웨이퍼의 가고정제가 감광성 폴리카보네이트계 수지를 포함하는 반도체 웨이퍼의 가고정제.
  20. 지지 기재 위에 활성 에너지선 조사 후에 질소 분위기 하, 승온 속도 5℃/분에서 측정한 50％ 중량 감소 온도가 내려가는 수지 성분을 포함하는 반도체 웨이퍼의 가고정제의 박막을 지지 기재 또는 반도체 웨이퍼에 마련하는 공정과,
    상기 지지 기재 또는 반도체 웨이퍼 상의 박막이 마련된 면 위에 상기 지지 기재 또는 반도체 웨이퍼를 재치해 이 지지 기재 또는 반도체 웨이퍼를 상기 박막에 첩합하는 공정과,
    상기 반도체 웨이퍼를 가공하는 공정과,
    상기 박막을 가열해 상기 반도체 웨이퍼를 상기 지지 기재로부터 탈리하는 공정을 포함하는 반도체 장치의 제조 방법으로서,
    상기 반도체 웨이퍼의 가고정제는 상기 활성 에너지선 조사에 의해서 에너지를 가함으로써 활성종을 발생시키는 활성제를 포함하고, 이 활성종 존재 하에서 상기 수지 성분의 주쇄가 열 절단됨으로써 상기 수지 성분의 분해 온도가 저하되는 반도체 웨이퍼의 가고정제인 반도체 장치의 제조 방법.
  21. 삭제
  22. 청구항 20에 있어서,
    상기 수지 성분이 폴리카보네이트계 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리아미드계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리에테르계 수지, 폴리우레탄계 수지, (메타)아크릴레이트계 수지 중 어느 하나인 반도체 장치의 제조 방법.
  23. 청구항 22에 있어서,
    상기 폴리카보네이트계 수지가 폴리프로필렌 카보네이트, 폴리시클로헥실렌 카보네이트, 폴리부틸렌 카보네이트 중 어느 하나인 반도체 장치의 제조 방법.
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