JP2012129274A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【解決課題】バックリンス操作のときに、バックリンス液で、支持基材の半導体ウェハ仮固定面側の仮固定樹脂組成物又は半導体ウェハの加工面とは反対側の面側の仮固定樹脂組成物が除去されることがない半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】支持基材を回転させながら、該支持基材の半導体ウェハ仮固定面に仮固定樹脂組成物液を供給し、次いで、該仮固定樹脂組成物液の供給を行っている最中に又は該仮固定樹脂組成物液の供給を終了した後、該支持基材を回転させながら、該支持基材の裏面に、下記式（Ｉ）：０．１≦Ｂｓｐ−Ａｓｐ≦１．５（Ｉ）（式（Ｉ）中、Ａｓｐは仮固定樹脂組成物液中の溶剤のＳＰ値であり、Ｂｓｐはバックリンス液のＳＰ値である。）を満たすバックリンス液を供給して、該支持基材の半導体ウェハ仮固定面に、仮固定樹脂組成物塗膜を形成させる仮固定樹脂組成物塗膜形成工程を有すること、を特徴とする半導体装置の製造方法。
【選択図】なし

Description

本発明は、半導体ウェハを加工する際に半導体ウェハを仮固定するための半導体ウェハの仮固定樹脂組成物塗膜を形成する工程を有する半導体装置の製造方法に関する。

半導体ウェハに研磨やエッチング等の加工を行うためには、半導体ウェハを一時的に仮固定する必要があり、そのための様々な方法が提案されている。例えば、現在ではＰＥＴフィルムに接着層を設けた固定用のフィルム上に半導体ウェハを固定する方法が多く用いられている。この方法では、研削に用いられる一般的なバックグラインドマシンの研削精度（約１μｍ）とウェハを固定するための一般的なＢＧ（バックグラインド）テープの厚み精度（約５μｍ）とを合わせると、要求される厚み精度を超えてしまい、研削されたウェハの厚みにバラツキが生じる虞がある。

また、スルー・シリコン・ビア（Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｖｉａ）を有するウェハを加工する場合、ＢＧテープが付いた状態でＶｉａホールや膜の形成を行うが、そのときの温度は１５０℃程度に達し、ＢＧテープの粘着力を上げてしまう。また、膜形成のためのメッキの薬液によってＢＧテープの接着層が侵され、剥がれが生じたりする。

また、化合物半導体に代表される脆弱なウェハは、機械的研削によってダメージを受ける場合があるので、エッチングによって薄化を行う。このエッチングにおいては、ストレス除去を目的とする程度のエッチング量であれば特に問題はないが、数μｍエッチングする場合には、エッチングの薬液によってＢＧテープが変質してしまうことがある。

一方で、表面が平滑で硬質の支持基材、例えば、ガラス基材、シリコン基材等に仮固定材料を介して固定する方法が採用されるようになっている。例えば、ストレス除去の目的でエッチングを行うには、高い温度まで加熱する必要があるが、ＰＥＴフィルムではこのような高温に耐えることができないため、このような場合には支持基材を用いた方法が好ましく適用される。

支持基材に半導体ウェハを仮固定するための仮固定用の樹脂材料（以下、仮固定樹脂組成物とも記載する。）としては、高温で軟化してウェハの脱離が容易になるような仮固定樹脂組成物や、特定の薬液によって溶解するような仮固定樹脂組成物や、光吸収剤及び熱分解性樹脂を含む光熱変換型の仮固定樹脂組成物が提案されている（特許文献１、２、３）。また、他には、仮固定樹脂組成物としては、加熱することにより分解する熱分解性樹脂からなるものが考えられる。

図１〜図５を用いて、これらの仮固定樹脂組成物の塗膜を支持基材の半導体ウェハ仮固定面に形成させる方法について説明する。先ず、半導体ウェハを仮固定するための仮固定樹脂組成物を、溶剤に溶解又は分散させて仮固定樹脂組成物液１を調製し、次いで、図１に示すように、この仮固定樹脂組成物液１を、回転軸３に固定された支持基材２の半導体ウェハ仮固定面４側に、支持基材２を回転させながら供給することにより、支持基材２の半導体ウェハ仮固定面４に塗布する（スピンコート操作）。そして、支持基材２の半導体ウェハ仮固定面４側に供給された仮固定樹脂組成物液１が、遠心力で、支持基材２の端部１１に向かって広がり、更に、支持基材２の端部１１まで移動してきた仮固定樹脂組成物液１は、その表面張力、基材との濡れ性の影響、飛散した仮固定剤樹脂組成物液の付着等により、支持基材２の側面１２を経て、支持基材２の裏面１３側まで回り込む。そのため、図２に示すように、塗布後の仮固定樹脂組成物液１の塗膜には、支持基材２の裏面１３側に回り込んだ裏面這い上がり部５が形成される。

この裏面這い上がり部５は、仮固定樹脂組成物液１が塗布された支持基材２を搬送する時や、ボンディング工程で、装置等を汚染する原因となるので、裏面這い上がり部５を除去する必要がある。そこで、図３に示すように、支持基材２を回転させながら、支持基材２の裏面１３側に、バックリンス液１５を供給して、支持基材２の裏面１３を洗浄して、裏面這い上がり部５を除去する（バックリンス操作）。

米国公開２００９／００３８７５０号（特許請求の範囲） 特開２００６−１３５２７２号公報（特許請求の範囲） 特開２００４−６４０４０号公報（特許請求の範囲）

支持基材２の裏面１３側に供給されたバックリンス液１５は、遠心力で、支持基材２の裏面１３側の端部まで移動し、裏面這い上がり５を除去した後、更に、表面張力や基材との濡れ性により、支持基材２の側面１２に回り込み、図４のように、支持基材２の側面１２に付着している仮固定樹脂組成物液１の塗膜を除去する。バックリンス液１５の回り込みが、支持基材２の側面１２で留まっていれば、すなわち、仮固定樹脂組成物液１の塗膜の除去が、図４に示す状態のように、支持基材２の側面で留まっていれば、問題はないが、バックリンス液１５が、更に、半導体ウェハ仮固定面４まで回り込むと、図５に示す状態のように、支持基材２の端部１１近傍の層状部８の仮固定樹脂組成物液１の塗膜が除去されてしまう。

図５に示す状態のように、半導体ウェハ仮固定面４上の層状部８の支持基材２の端部１１近傍に、仮固定樹脂組成物液１の塗膜がないと、仮固定樹脂組成物液１の塗膜中の溶剤を蒸発除去させた後、仮固定樹脂組成物上に半導体ウェハを仮固定したときに（ボンディング工程）、半導体ウェハの端部が、仮固定樹脂組成物に固定されずに、不安定な状態になる。そのため、半導体ウェハの加工のときに、仮固定されていない半導体ウェハの端部を基点として、半導体ウェハの割れや欠けが生じてしまう。そして、このような半導体ウェハの割れや欠けが、個片化されるべき半導体素子の形成部分まで達すると、半導体素子の歩留まりを下げる要因となってしまう。

このように、従来の方法では、バックリンス操作のときに、バックリンス液で、支持基材の半導体ウェハ仮固定面側の仮固定樹脂組成物が除去されてしまうという問題があった。また、半導体ウェハの方に仮固定樹脂組成物液を塗布する場合も同様に、従来の方法では、バックリンス操作のときに、バックリンス液で、半導体ウェハの加工面とは反対側の面側の仮固定樹脂組成物が除去されてしまうという問題があった。

従って、本発明の目的は、バックリンス操作のときに、バックリンス液で、支持基材の半導体ウェハ仮固定面側の仮固定樹脂組成物又は半導体ウェハの加工面とは反対側の面側の仮固定樹脂組成物が除去されることがない半導体装置の製造方法を提供することにある。

本発明（１）は、支持基材を回転させながら、該支持基材の半導体ウェハ仮固定面に、半導体ウェハを支持基材に仮固定するための仮固定樹脂組成物と該仮固定樹脂組成物を溶解又は分散させるための溶剤とを含有する仮固定樹脂組成物液を供給し、次いで、該仮固定樹脂組成物液の供給を行っている最中に又は該仮固定樹脂組成物液の供給を終了した後、該支持基材を回転させながら、該支持基材の裏面に、下記式（Ｉ）：
０．１≦Ｂｓｐ−Ａｓｐ≦１．５ （Ｉ）
（式（Ｉ）中、Ａｓｐは仮固定樹脂組成物液中の溶剤のＳＰ値であり、Ｂｓｐはバックリンス液のＳＰ値である。）
を満たすバックリンス液を供給して、該支持基材の半導体ウェハ仮固定面に、仮固定樹脂組成物塗膜を形成させる仮固定樹脂組成物塗膜形成工程を有すること、
を特徴とする半導体装置の製造方法を提供するものである。

また、本発明（２）は、半導体ウェハを回転させながら、該半導体ウェハの加工面とは反対側の面に、半導体ウェハを支持基材に仮固定するための仮固定樹脂組成物と該仮固定樹脂組成物を溶解又は分散させるための溶剤とを含有する仮固定樹脂組成物液を供給し、次いで、該仮固定樹脂組成物液の供給を行っている最中に又は該仮固定樹脂組成物液の供給を終了した後、該半導体ウェハを回転させながら、該半導体ウェハの加工面に、下記式（Ｉ）：
０．１≦Ｂｓｐ−Ａｓｐ≦１．５ （Ｉ）
（式（Ｉ）中、Ａｓｐは仮固定樹脂組成物液中の溶剤のＳＰ値であり、Ｂｓｐはバックリンス液のＳＰ値である。）
を満たすバックリンス液を供給して、該半導体ウェハの加工面とは反対側の面に、仮固定樹脂組成物塗膜を形成させる仮固定樹脂組成物塗膜形成工程を有すること、
を特徴とする半導体装置の製造方法を提供するものである。

本発明によれば、バックリンス操作のときに、バックリンス液で、支持基材の半導体ウェハ仮固定面側の仮固定樹脂組成物又は半導体ウェハの加工面とは反対側の面の仮固定樹脂組成物が除去されることがない半導体装置の製造方法を提供することができる。

仮固定樹脂組成物液を支持基材（半導体ウェハ）に塗布する様子を示す模式図である。 塗布後の仮固定樹脂組成物液の塗膜を示す模式的な断面図である。 バックリンス液を支持基材の裏面（半導体ウェハの加工面）に供給する様子を示す模式的な断面図である。 バックリンス後の仮固定樹脂組成物液の塗膜を示す模式的な断面図である。 従来のバックリンス後の仮固定樹脂組成物液の塗膜を示す模式的な断面図である。

本発明の第一の形態の半導体装置の製造方法（以下、本発明の半導体装置の製造方法（１）とも記載する。）は、支持基材を回転させながら、該支持基材の半導体ウェハ仮固定面に、半導体ウェハを支持基材に仮固定するための仮固定樹脂組成物と該仮固定樹脂組成物を溶解又は分散させるための溶剤とを含有する仮固定樹脂組成物液を供給し、次いで、該仮固定樹脂組成物液の供給を行っている最中に又は該仮固定樹脂組成物液の供給を終了した後、該支持基材を回転させながら、該支持基材の裏面に、下記式（Ｉ）：
０．１≦Ｂｓｐ−Ａｓｐ≦１．５ （Ｉ）
（式（Ｉ）中、Ａｓｐは仮固定樹脂組成物液中の溶剤のＳＰ値であり、Ｂｓｐはバックリンス液のＳＰ値である。）
を満たすバックリンス液を供給して、該支持基材の半導体ウェハ仮固定面に、仮固定樹脂組成物塗膜を形成させる仮固定樹脂組成物塗膜形成工程を有すること、
を特徴とする半導体装置の製造方法である。なお、本発明において、ＳＰ値とは、溶解度パラメータのことであり、次式で定義される値である。

式中、Ｈは蒸発熱(ｃａｌ／モル)、Ｔは温度（Ｋ）、Ｖは容積（ｃｍ^３／モル）、Ｒは気体定数である。

本発明の半導体装置の製造方法（１）について、図１〜図４を参照して説明する。図１は、仮固定樹脂組成物液を支持基材に塗布する様子を示す模式図であり、図１（Ａ）は斜め上側から見た図であり、図１（Ｂ）は真横から見た図である。図２は、塗布後の仮固定樹脂組成物液の塗膜を示す模式的な断面図である。図３は、バックリンス液を支持基材の裏面に供給する様子を示す模式的な断面図である。図４は、バックリンス後の仮固定樹脂組成物液の塗膜を示す模式的な断面図である。

本発明の半導体装置の製造方法（１）に係る仮固定樹脂組成物塗膜形成工程は、スピンコート操作と、バックリンス操作と、からなる。

先ず、半導体ウェハを仮固定するための仮固定樹脂組成物を、溶剤に溶解又は分散させて仮固定樹脂組成物液１を調製する。次いで、図１に示すように、この仮固定樹脂組成物液１を、回転軸３に固定された支持基材２の半導体ウェハ仮固定面４側の中心又はその近傍に、支持基材２を回転させながら供給することにより、支持基材２の半導体ウェハ仮固定面４に、仮固定樹脂組成物液１を塗布する。このようにして、スピンコート操作を行う。

このとき、支持基材２の半導体ウェハ仮固定面４側に供給された仮固定樹脂組成物液１は、遠心力で、支持基材２の端部１１に向かって広がっていくが、支持基材２の端部１１まで移動してきた仮固定樹脂組成物液１は、その表面張力や濡れ性により、支持基材２の側面１２を経て、支持基材２の裏面１３側まで回り込む。そして、図２に示すように、塗布後（スピンコート操作後）の仮固定樹脂組成物液１の塗膜は、支持基材２の半導体ウェハ仮固定面４上に層状に形成されている層状部８と、半導体ウェハ仮固定面４の端部付近で盛り上がっている端部盛り上がり部７と、側面１２に付着している側面部６と、裏面１３側に回り込んだ裏面這い上がり部５と、を形成している。

塗布後（スピンコート操作後）の仮固定樹脂組成物液１の塗膜のうち、裏面這い上がり部５は、仮固定樹脂組成物液１が塗布された支持基材２を搬送する時や、ボンディング工程で、装置等を汚染する原因となる。

そこで、次いで、図３に示すように、支持基材２を回転させながら、支持基材２の裏面１３側に、バックリンス液１５を供給して、支持基材２の裏面１３を洗浄して、裏面這い上がり部５を除去する。このようにして、バックリンス操作を行う。

また、本発明の半導体装置の製造方法（１）に係る仮固定樹脂組成物塗膜形成工程において、スピンコート操作及びバックリンス操作を以下のようにして行ってもよい。先ず、仮固定樹脂組成物液１を、回転軸３に固定された支持基材２の半導体ウェハ仮固定面４側の中心又はその近傍に、支持基材２を回転させながら供給し、次いで、支持基材２を回転させながら、支持基材２の半導体ウェハ仮固定面４への仮固定樹脂組成物液１の供給を行っている最中に、支持基材２の裏面１３側に、バックリンス液１５を供給することにより、又は支持基材２の半導体ウェハ仮固定面４へ、必要量の仮固定樹脂組成物液１を供給した後、仮固定樹脂組成物液１の供給を止め、支持基材２を回転させながら、仮固定樹脂組成物液１を支持基材２の半導体ウェハ仮固定面４に塗り広がらせている最中に、支持基材２の裏面１３側に、バックリンス液１５を供給することにより、支持基材２の裏面１３に仮固定樹脂組成物液１が回り込む前に、仮固定樹脂組成物液１を除去すること、又は支持基材２の裏面１３に仮固定樹脂組成物液１が回り込んできた後、直ちに、仮固定樹脂組成物液１を除去することもできる。

そして、本発明の半導体装置の製造方法（１）では、仮固定樹脂組成物を溶解又は分散させるための溶剤（仮固定樹脂組成物液中の溶剤）及びバックリンス液１５として、下記式（Ｉ）：
０．１≦Ｂｓｐ−Ａｓｐ≦１．５ （Ｉ）
（式（Ｉ）中、Ａｓｐは、仮固定樹脂組成物液中の溶剤のＳＰ値であり、Ｂｓｐは、バックリンス液のＳＰ値である。）
を満たす溶剤及びバックリンス液の組み合わせを用いる。仮固定樹脂組成物液中の溶剤及びバックリンス液１５として、前記式（Ｉ）を満たす溶剤及びバックリンス液の組み合わせを用いることにより、バックリンス操作のときに、バックリンス液１５が、支持基材２の半導体ウェハ仮固定面４上に層状に形成されている層状部８までも除去してしまうことを、防止することができる。

そして、本発明の半導体装置の製造方法（１）に係る仮固定樹脂組成物塗膜形成工程を行うことにより、支持基材２の半導体ウェハ仮固定面４及び側面１２には、仮固定樹脂組成物液１は存在するが、支持基材２の裏面１３には、仮固定樹脂組成物液１が存在しない仮固定樹脂組成物液１の塗膜を形成させることができる。本発明の半導体装置の製造方法（１）に係る仮固定樹脂組成物塗膜形成工程を行うことにより得られる仮固定樹脂組成物液１の塗膜は、支持基材２の半導体ウェハ仮固定面４の全体を覆うように層状に形成されている仮固定樹脂組成物液１の層状部８と、半導体ウェハ仮固定面４の端部付近で盛り上がっている端部盛り上がり部７と、側面１２に付着している側面部６と、からなる。なお、図４では、バックリンス操作で側面部６の一部が除去されて、一部の側面部６が残っている形態例を示しているが、本発明はこれに限定されず、バックリンス操作では、側面部６の全てが除去されて、側面部６が無くなっていてもよい。

本発明の半導体装置の製造方法（１）に係る仮固定樹脂組成物塗膜形成工程を行い支持基材上に仮固定樹脂組成物液の塗膜を形成させた後は、塗膜を乾燥して、塗膜中の溶剤を除去した後、支持基材に仮固定樹脂組成物塗膜を介して半導体ウェハを仮固定するボンディング工程を行い、次いで、半導体ウェハの仮固定面とは反対側の面、すなわち、加工面の加工を行う。

本発明の半導体装置の製造方法（１）に係る仮固定樹脂組成物塗膜形成工程では、先ず、支持基材を回転させながら、支持基材の半導体ウェハ仮固定面に、仮固定樹脂組成物液を塗布するスピンコート操作を行う。

仮固定樹脂組成物液は、半導体ウェハを支持基材に仮固定するための仮固定樹脂組成物と、溶剤と、を含有しており、仮固定樹脂組成物が、溶剤に溶解又は分散されている液である。

仮固定樹脂組成物液に溶解又は分散されている仮固定樹脂組成物は、半導体ウェハを仮固定するための樹脂成分と、必要に応じて含有されるその他の成分により構成されている。仮固定樹脂組成物は、ボンディング工程で、半導体ウェハが加熱及び加圧により圧着されることにより、半導体ウェハの仮固定面とは反対側の面の加工の際に、半導体ウェハが位置ずれしないように、半導体ウェハを支持基材に仮固定する機能と、半導体ウェハを加工した後に、半導体ウェハからの支持基材の剥離が可能となるようにする機能とを有する。そして、仮固定樹脂組成物としては、これらの機能を有するものであれば、特に制限されない。また、仮固定樹脂組成物は、溶剤に溶解又は分散され、スピンコート操作により、支持基材上に塗布されるような仮固定樹脂組成物であれば、特に制限されない。

仮固定樹脂組成物としては、以下に示す第１〜第４の形態例が挙げられる。ただし、以下の仮固定樹脂組成物は、例示であって、本発明では、これらに限定されるものではない。

第１の仮固定樹脂組成物の形態例（仮固定樹脂組成物（Ａ））は、仮固定樹脂組成物（Ａ）を構成している熱分解性樹脂が熱分解する温度以上の温度で加熱されて、熱分解性樹脂が熱分解することにより、半導体ウェハからの支持基材の剥離が可能となる熱分解性の仮固定樹脂組成物であり、熱分解性樹脂からなる。仮固定樹脂組成物（Ａ）には、活性エネルギー線の照射により熱分解温度が低下する仮固定樹脂組成物もある。

第２の仮固定樹脂組成物の形態例（仮固定樹脂組成物（Ｂ））は、仮固定樹脂組成物（Ｂ）を構成している熱軟化性樹脂の軟化温度以上の温度で加熱されると溶融粘度が低下し、熱軟化性樹脂が軟化することにより、半導体ウェハからの支持基材の剥離が可能となる熱軟化性の仮固定樹脂組成物であり、熱軟化性樹脂からなる。仮固定樹脂組成物（Ｂ）には、活性エネルギー線の照射により軟化温度が低下する仮固定樹脂組成物もある。

第３の仮固定樹脂組成物の形態例（仮固定樹脂組成物（Ｃ））は、活性エネルギー線照射により、仮固定樹脂組成物（Ｃ）中に含まれている光吸収材が熱エネルギーを発生し、発生した熱エネルギーにより、仮固定樹脂組成物（Ｃ）に含まれている熱分解性樹脂が熱分解されて、仮固定樹脂組成物（Ｃ）中にボイドが生じることにより、半導体ウェハからの支持基材の剥離が可能となる光熱変換型の仮固定樹脂組成物であり、熱分解性樹脂及びカーボンブラック等の光吸収材からなる。なお、仮固定樹脂組成物（Ｃ）を用いる場合、仮固定樹脂組成物（Ｃ）の塗膜を支持基材上に形成させた後、仮固定樹脂組成物（Ｃ）の塗膜の上に、接合層を形成させてもよい。

第４の仮固定樹脂組成物の形態例（仮固定樹脂組成物（Ｄ））は、仮固定樹脂組成物（Ｄ）に仮固定樹脂組成物溶解用溶剤が供給されて、仮固定樹脂組成物（Ｄ）が溶解することにより、半導体ウェハからの支持基材の剥離が可能となる溶剤溶解型の仮固定樹脂組成物であり、溶剤溶解性樹脂からなる。

仮固定樹脂組成物液に含有されている溶剤は、仮固定樹脂組成物を溶解又は分散させるための溶剤であり、特に制限されないが、例えば、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン系の溶剤；テトラヒドロフラン、アニソール等のエーテル系の溶剤；酢酸ブチル、γ−ブチルラクトン等のエステル系の溶剤；Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等のアミド系の溶剤；トルエン、キシレン、メシチレン等の炭化水素系の溶剤；プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート等の複数種の官能基を有する溶剤などが挙げられ、好ましくは２−ヘプタノン、シクロヘキサノン、γ−ブチルラクトン、Ｎ−メチルピロリドン、メシチレン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートである。これらの溶剤は、１種単独又は２種以上の組み合わせであってもよい。

仮固定樹脂組成物液に含有されている溶剤のＳＰ値（Ａｓｐ）は、好ましくは７〜１４、特に好ましくは８〜１３である。仮固定樹脂組成物液に含有されている溶剤のＳＰ値が上記範囲より大きくなると、溶剤の極性が高くなるため、仮固定樹脂組成物中の樹脂の溶解性が低くなり易く、また、仮固定樹脂組成物液に含有されている溶剤のＳＰ値が上記範囲より小さくなると、溶剤の極性が低くなるため、仮固定樹脂組成物中の樹脂の溶解性が低くなり易い。なお、仮固定樹脂組成物液に含有されている溶剤のＳＰ値（Ａｓｐ）とは、溶剤だけのときのＳＰ値である。また、仮固定樹脂組成物液に含有される溶剤が、２種以上の溶剤の組み合わせの場合、溶剤のＳＰ値（Ａｓｐ）とは、それらの２種以上の溶剤が仮固定樹脂組成物液中の割合と同じ割合で混合された混合溶剤のＳＰ値である。

仮固定樹脂組成物液中の溶剤の含有量は、好ましくは５〜９８質量％、特に好ましくは１０〜９５質量％、更に好ましくは１５〜９０質量％である。仮固定樹脂組成物液中の溶剤の含有量が上記範囲にあることにより、均一且つ良質な仮固定樹脂組成物液の塗膜を得るという効果が高まる。

仮固定樹脂組成物液の粘度は、好ましくは１〜１００，０００ｍＰａ・ｓ、好ましくは１０〜５０，０００ｍＰａ・ｓである。仮固定剤樹脂組成物液の粘度が上記範囲にあることにより、仮固定樹脂組成物液の均一な塗膜が得られる。

本発明の半導体装置の製造方法（１）に係る仮固定樹脂組成物塗膜形成工程において、スピンコート操作を行う方法としては、特に制限されず、適宜、支持基材を回転させながら、支持基材の中心又はその近傍より支持基材の半導体ウェハ仮固定面上に、仮固定樹脂組成物液を供給すればよい。

スピンコート操作を行うときの支持基材の周速度は、特に制限されず、適宜選択されるが、好ましくは１〜５０ｍ／ｓ、特に好ましくは５〜３５ｍ／ｓである。また、スピンコート操作では、開始してから終了まで支持基材の周速度を一定にしてスピンコート操作を行ってもよいし、途中で支持基材の周速度を変化させてスピンコート操作を行ってもよい。例えば、半導体ウェハ仮固定面への仮固定樹脂組成物液の供給開始時は、支持基材の周速度を遅くしておき、その後、支持基材の周速度を速くしてもよい。

スピンコート操作を行うときの支持基材への仮固定樹脂組成物液の供給量は、特に制限されず、適宜選択されるが、好ましくは０．１〜２０ｍＬ／ｓ、特に好ましくは１〜１０ｍＬ／ｓである。

スピンコート操作において、仮固定樹脂組成物液が供給される支持基材としては、特に制限されないが、ガラス基板、シリコン基板、金属基板である。なお、半導体ウェハから支持基材を剥離するときに、仮固定樹脂組成物塗膜に活性エネルギー線を照射する場合は、支持基材の材質としては、活性エネルギー線を透過するガラス基板が挙げられる。また、支持基材としては、半導体ウェハが仮固定される面及び裏面が平滑な支持基材が好ましい。

本発明の半導体装置の製造方法（１）に係る仮固定樹脂組成物塗膜形成工程では、次いで、支持基材を回転させながら、支持基材の裏面に、バックリンス液を供給するバックリンス操作を行う。なお、支持基材の裏面とは、支持基材の半導体ウェハ仮固定面とは反対側の支持基材の面を指す。

本発明の半導体装置の製造方法（１）に係る仮固定樹脂組成物塗膜形成工程において、支持基材の裏面へのバックリンス液の供給を開始する時期は、半導体ウェハ仮固定面への仮固定樹脂組成物液の供給を行っている最中であっても、あるいは、半導体ウェハ仮固定面への仮固定樹脂組成物液の供給を終了した後であってもよい。例えば、（ｉ）支持基材を回転させながら、仮固定樹脂組成物液の供給を開始し、必要量の仮固定樹脂組成物液の供給を行った後、仮固定樹脂組成物液の供給を止め、次いで、支持基材を回転させながら、バックリンス液の供給を開始する方法や、（ｉｉ）支持基材を回転させながら、仮固定樹脂組成物液の供給を開始し、必要量の仮固定樹脂組成物液の供給を行った後、仮固定樹脂組成物液の供給を止め、支持基材の回転を続けて、仮固定樹脂組成物液を支持基材の半導体ウェハ仮固定面に塗り広がらせ、次いで、バックリンス液の供給を開始する方法や、（ｉｉｉ）支持基材を回転させながら、仮固定樹脂組成物液の供給を開始し、必要量の仮固定樹脂組成物液の供給を行った後、仮固定樹脂組成物液の供給を止め、支持基材の回転を続けて、仮固定樹脂組成物液を支持基材の半導体ウェハ仮固定面に塗り広がらせながら、仮固定樹脂組成物液を支持基材の半導体ウェハ仮固定面に塗り広がらせている最中に、バックリンス液の供給を開始する方法や、（ｉｖ）支持基材を回転させながら、仮固定樹脂組成物液の供給を開始し、仮固定樹脂組成物液の供給を行っている最中に、バックリンス液の供給を開始する方法が挙げられる。なお、後述する本発明の半導体装置の製造方法（２）に係る仮固定樹脂組成物塗膜形成工程においても、仮固定樹脂組成物液及びバックリンス液を供給する対象が異なるものの、バックリンス液の供給を開始する時期は、本発明の半導体装置の製造方法（１）に係る仮固定樹脂組成物塗膜形成工程と同様である。

そして、本発明の半導体装置の製造方法（１）に係る仮固定樹脂組成物塗膜形成工程のバックリンス操作では、バックリンス液として、下記式（Ｉ）：
０．１≦Ｂｓｐ−Ａｓｐ≦１．５ （Ｉ）
を満たすバックリンス液、好ましくは下記式（Ｉａ）：
０．１≦Ｂｓｐ−Ａｓｐ≦１．０ （Ｉａ）
を満たすバックリンス液を用いる。Ｂｓｐ−Ａｓｐが上記範囲にあることにより、バックリンス液により支持基材の半導体ウェハ仮固定面側の仮固定樹脂組成物が除去されるのを防止することができる。

バックリンス液としては、特に制限されず、仮固定樹脂組成物液に含有されている溶剤との関係で、Ｂｓｐ−Ａｓｐの値が上記範囲となるように適宜選択されるが、例えば、炭酸プロピレン、トルエン、シクロヘキサノン等が挙げられる。これらは、１種単独でも２種以上の組み合わせでもよい。

バックリンス液のＳＰ値（Ｂｓｐ）は、好ましくは８．５〜１４．５、特に好ましくは９．０〜１４．０である。バックリンス液のＳＰ値が上記範囲にあることにより、支持基材の裏面に回り込んだ仮固定樹脂組成物液や、飛散して支持基材裏面に付着した仮固定樹脂組成物液の除去効果が高くなり、且つ、バックリンス液自身が支持基材の半導体ウェハ仮固定面に回り込んで、支持基材の端部近傍の層状部の仮固定樹脂組成物液の塗膜が除去されるのを防ぐことができる。なお、バックリンス液のＳＰ値とは、支持基材の裏面に供給される液のＳＰ値であり、バックリンス液が２種以上の物質の組み合わせの場合、それらの２種以上の物質を混合して得られた液のＳＰ値である。

本発明の半導体装置の製造方法（１）に係る仮固定樹脂組成物塗膜形成工程において、バックリンス操作を行う方法としては、特に制限されず、適宜、支持基材を回転させながら、支持基材の裏面に、バックリンス液を供給すればよい。

バックリンス操作を行うときの支持基材の周速度は、特に制限されず、適宜選択されるが、好ましくは１〜５０ｍ／ｓ、特に好ましくは５〜５０ｍ／ｓ、更に好ましくは１０〜３５ｍ／ｓである。

本発明において、以下で述べる樹脂の５％重量減少温度、５０％重量減少温度及び９５％重量減少温度とは、それぞれＴＧ／ＤＴＡ（熱重量／示差熱分析）で樹脂を測定した時の５％、５０％、９５％の重量が失われる温度を意味する。ここで、ＴＧ／ＤＴＡ測定は、樹脂成分を約１０ｍｇ精秤し、ＴＧ／ＤＴＡ装置（セイコーインスツルメンツ社製）により測定（雰囲気：窒素、昇温速度：５℃／分）される。また、熱分解性樹脂の熱分解温度とは、５％重量減少温度を指す。

第１の仮固定樹脂組成物の形態例（仮固定樹脂組成物（Ａ））について、更に詳細に説明する。

仮固定樹脂組成物（Ａ）は、仮固定樹脂組成物（Ａ）を構成する樹脂成分が、熱分解性樹脂である仮固定樹脂組成物である。つまり、仮固定樹脂組成物（Ａ）は、熱分解性樹脂及び必要に応じて用いられるその他の成分からなる。そして、仮固定樹脂組成物（Ａ）が、熱分解性樹脂の熱分解温度以上の温度で加熱されることにより、仮固定樹脂組成物（Ａ）中の熱分解性樹脂が熱分解し、仮固定樹脂組成物（Ａ）が熱分解して、半導体ウェハからの支持基材の剥離が可能となる。

仮固定樹脂組成物（Ａ）は、仮固定樹脂組成物（Ａ）を構成する樹脂成分として、９５％重量減少温度と５％重量減少温度との差が、下記式（ＩＩ）
１℃≦（９５％重量減少温度）−（５％重量減少温度）≦３００℃ （ＩＩ）
である熱分解性樹脂を含有する仮固定樹脂組成物（以下、仮固定樹脂組成物（Ａ１）とも記載する。）が好ましい。

仮固定樹脂組成物（Ａ１）は、９５％重量減少温度と５％重量減少温度との差が、１〜３００℃という範囲に規定されている熱分解性樹脂を樹脂成分として含有する。そのため、仮固定樹脂組成物が仮固定樹脂組成物（Ａ１）であることにより、仮固定樹脂組成物（Ａ１）の熱分解に要する温度範囲が狭く、熱分解に要する時間を短縮でき、半導体ウェハへのダメージを抑制することができるという効果を奏する。また、仮固定樹脂組成物が仮固定樹脂組成物（Ａ１）であることにより、加工後の半導体ウェハからの支持基材の剥離が容易で、且つ半導体ウェハに仮固定樹脂組成物が残留し難いという効果を奏する。また、仮固定樹脂組成物が仮固定樹脂組成物（Ａ１）であることにより、安定に使用可能な温度領域が広く確保できるため、支持基材に仮固定をしたまま、種々の加工工程に供することが可能となる。また、仮固定樹脂組成物が仮固定樹脂組成物（Ａ１）であることにより、表面が平滑で十分な精度を有する支持基材上に薄膜として形成できるため、研磨等の加工の精度が高いという効果を奏する。

仮固定樹脂組成物（Ａ１）を構成する熱分解性樹脂が、９５％重量減少温度と５％重量減少温度との差が、下記式（ＩＩａ）：
５℃≦（９５％重量減少温度）−（５％重量減少温度）≦８０℃ （ＩＩａ）
である熱分解性樹脂であることが、熱分解に要する時間を短縮できる点で、特に好ましい。

ここで、安定に使用可能な温度領域とは、仮固定樹脂組成物が分解せずに、半導体ウェハを安定して保持できる種々の加工工程での温度領域のことである。仮固定樹脂組成物（Ａ１）は、この温度領域が広く確保できるため、半導体ウェハを支持基材に仮固定をしたままで、加温が必要である加工工程にも供することが可能となる。そのため、異なる工程を連続的に行うことができるという利点を有する。

また、仮固定樹脂組成物（Ａ１）を構成する熱分解性樹脂の５％重量減少温度が、５０℃以上であることが、後述する、薄膜形成工程、貼り合せ工程、加工工程等の半導体装置の製造プロセス中で仮固定樹脂組成物が熱分解しないという効果を得ることができる点で、好ましい。

また、仮固定樹脂組成物（Ａ１）を構成する熱分解性樹脂の５０％重量減少温度が５００℃以下であることが、後述する、熱分解工程で半導体装置が熱履歴により損傷するのを防止することができるという効果が得られる点で、好ましい。

９５％重量減少温度と５％重量減少温度との差が、１〜３００℃である熱分解性樹脂は、特に限定されず、主鎖の結合強度が低い樹脂の分子量等を調整することにより得られる。

９５％重量減少温度と５％重量減少温度との差が、１〜３００℃である熱分解性樹脂としては、例えば、ノルボルネン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、（メタ）アクリレート系樹脂等が挙げられ、これらのうち、半導体装置の製造プロセス中の仮固定樹脂組成物の熱分解を効果的に防止することができ、さらに、加熱により仮固定樹脂組成物を熱分解するときの加熱時間を効果的に短縮することができる点で、ノルボルネン系樹脂又はポリカーボネート系樹脂が好ましい。

仮固定樹脂組成物（Ａ１）を構成する熱分解性樹脂がノルボルネン系樹脂である場合、５％重量減少温度における分解時間が、１〜１２０分であることが、仮固定樹脂組成物の急激な熱分解を抑制することができ、熱分解したガスを排気装置で排気することが可能となるため、半導体装置や半導体装置を作製する設備の汚染を防止することができ、熱分解に要する時間を短縮することができるため、半導体装置の生産性を向上することができる。

本発明において、５％重量減少温度における熱分解時間とは、以下の方法により測定される。前述の方法により５％重量減少温度を算出する。次いで、ＴＧ／ＤＴＡ装置を用い、熱分解性樹脂を約１０ｍｇ精秤し、次に、２５℃から５％重量減少温度までを３０分で昇温し、さらに、測定温度を５％重量減少温度で保持し、重量減少を測定する。得られた測定値より、５％重量減少温度に到達したところを始点（０分）とし、９５％重量減少に至るまでの時間を５％重量減少温度における分解時間とする。

仮固定樹脂組成物（Ａ１）を構成する熱分解性樹脂がポリカーボネート系樹脂である場合、５％重量減少温度における分解時間が、１〜６０分であることが、仮固定樹脂組成物の急激な熱分解を抑制することができ、熱分解したガスを排気装置で排気することが可能となるため、半導体装置や半導体装置を作製する設備の汚染を防止することができ、また、熱分解に要する時間を短縮することができるため、半導体装置の生産性を向上することができ点で、好ましい。

仮固定樹脂組成物（Ａ１）を構成する熱分解性樹脂に係るノルボルネン系樹脂としては、樹脂中にノルボルネン由来の骨格を有するものであれば、特に限定されないが、例えば、下記一般式（１）で示される構造単位を有するノルボルネン系樹脂が挙げられる。

式（１）において、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ、水素原子、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜２０のアルキル基、芳香族基、脂環族基、グリシジルエーテル基又は下記置換基（２）のいずれかである。また、ｍは０〜４の整数である。

式（２）において、Ｒ^５は、水素原子、メチル基又はエチル基であり、Ｒ^６、Ｒ^７及びＲ^８は、それぞれ、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜２０のアルキル基、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜２０のアルコキシ基、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜２０のアルキルカルボニルオキシ基、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜２０のアルキルペルオキシ基、又は置換又は未置換の炭素数６〜２０のアリールオキシ基のいずれかである。また、ｎは０〜５の整数である。

Ｒ^１〜Ｒ^４に係る直鎖状又は分岐状の炭素数１〜２０のアルキル基としては、特に限定されるものではないが、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。これらのうち、仮固定樹脂組成物を構成する各種成分との相溶性や各種溶剤に対する溶解性、さらに、半導体ウェハと支持基材とを仮固定した際の機械物性に優れる点で、ブチル基、デシル基が好ましい。

Ｒ^１〜Ｒ^４に係る芳香族基としては、特に限定されるものではないが、フェニル基、フェネチル基、ナフチル基等が挙げられ、これらのうち、半導体ウェハと支持基材を仮固定した際の機械物性に優れる点で、フェネチル基、ナフチル基が好ましい。

Ｒ^１〜Ｒ^４に係る脂環族基としては、特に限定されるものではないが、シクロヘキシル基、ノルボルネニル基、ジヒドロジシクロペンタジエチル基、テトラシクロドデシル基、メチルテトラシクロドデシル基、テトラシクロドデカジエチル基、ジメチルテトラシクロドデシル基、エチルテトラシクロドデシル基、エチリデニルテトラシクロドデシル基、フエニルテトラシクロドデシル基、シクロペンタジエチル基の三量体等の脂環族基等が挙げられ、これらのうち、半導体ウェハと支持基材を仮固定した際の機械物性、さらには、加熱により熱分解するときの熱分解性に優れる点で、シクロヘキシル基、ノルボルネニル基が好ましい。

前記置換基（２）中のＲ^５は、水素原子、メチル基又はエチル基であれば、特に限定されるものではないが、加熱により熱分解するときの熱分解性に優れる点で、水素原子が好ましい。

前記置換基（２）中のＲ^６、Ｒ^７及びＲ^８は、それぞれ、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜２０のアルキル基、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜２０のアルコキシ基、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜２０のアルキルカルボニルオキシ基、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜２０のアルキルペルオキシ基、又は置換又は未置換の炭素数６〜２０のアリールオキシ基のいずれかであれば、特に限定されるわけではない。Ｒ^６、Ｒ^７及びＲ^８としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチロキシ基、アセトキシ基、プロピオキシ基、ブチロキシ基、メチルペルオキシ基、イソプロピルペルオキシ基、ｔ−ブチルペルオキシ基、フェノキシ基、ヒドロキシフェノキシ基、ナフチロキシ基、フェノキシ基、ヒドロキシフェノキシ基、ナフチロキシ基等が挙げられ、これらのうち、支持基材に対する密着性、半導体ウェハ加工時の機械特性に優れる点で、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基が好ましい。

前記一般式（１）中のｍは、０〜４の整数であり、特に限定されるわけではないが、０又は１が好ましい。ｍが０又は１である場合、前記一般式（１）で示される構造単位は、下記一般式（３）又は（４）で示される。

前記式（３）及び（４）において、Ｒ^１〜Ｒ^４は、それぞれ、水素原子、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜２０のアルキル基、芳香族基、脂環族基、グリシジルエーテル基、又は前記置換基（２）のいずれかである。

前記置換基（２）中のｎは、０〜５の整数であり、特に限定されるわけではないが、ｎは０であることが好ましい。ｎが０の場合、シリル基はケイ素−炭素結合を介して多環式環に直接結合しており、ｎが０であることにより、仮固定樹脂組成物の熱分解性及び半導体ウェハ加工時の機械特性を両立することができる。

前記一般式（１）で示される構造単位を有するノルボルネン系樹脂は、特に限定されるわけではないが、ノルボルネン、５−メチルノルボルネン、５−エチルノルボルネン、５−プロピルノルボルネン、５−ブチルノルボルネン、５−ペンチルノルボルネン、５−ヘキシルノルボルネン、５−へプチルノルボルネン、５−オクチルノルボルネン、５−ノニルノルボルネン、５−デシルノルボルネン、５−フェネチルノルボルネン、５−トリエトキシシリルノルボルネン、５−トリメチルシリルノルボルネン、５−トリメトキシシリルノルボルネン、５−メチルジメトキシシシリルノルボルネン、５−ジメチルメトキシノルボルネン、５−グリシジルオキシメチルノルボルネン等のノルボルネン系モノマーを重合することにより得られる。前記ノルボルネン系モノマーを重合する際は、単一のノルボルネン系モノマーで重合しても、複数のノルボルネン系モノマーを共重合しても良い。これらノルボルネン系モノマーのうち、半導体ウェハと支持基材とを仮固定した際の機械物性に優れる点で、５−ブチルノルボルネン、５−デシルノルボルネン、５−フェネチルノルボルネン、５−トリエトキシシリルノルボルネン、５−グリシジルオキシメチルノルボルネンが好ましい。

前記一般式（１）で示される構造単位を有するノルボルネン系樹脂は、全てが前記一般式（１）で示される構造単位で形成されていてもよく、あるいは、ノルボルネン系樹脂の一部が前記一般式（１）で示される構造単位で形成されていてもよいが、モノマー換算で、前記一般式（１）で示される構造単位が、５０モル％以上であることが好ましく、１００モル％であることが特に好ましい。また、前記一般式（１）で示される構造単位を有するノルボルネン系樹脂中の前記一般式（１）で示される構造単位は、１種の構造単位であって、２種以上の構造単位の組み合わせであってもよい。

仮固定樹脂組成物（Ａ１）を構成する熱分解性樹脂に係るノルボルネン系樹脂としては、より具体的には、ポリノルボルネン、ポリメチルノルボルネン、ポリエチルノルボルネン、ポリプロピルノルボルネン、ポリブチルノルボルネン、ポリペンチルノルボルネン、ポリヘキシルノルボルネン、ポリへプチルノルボルネン、ポリオクチルノルボルネン、ポリノニルノルボルネン、ポリデシルノルボルネン、ポリフェネチルノルボルネン、ポリトリエトキシシリルノルボルネン、ポリトリメチルシリルノルボルネン、ポリトリメトキシシリルノルボルネン、ポリメチルジメトキシシシリルノルボルネン、ポリジメチルメトキシノルボルネン、ポリグリシジルオキシメチルノルボルネン等の単一重合体、ノルボルネン−トリエトキシシリルノルボルネン共重合体、ノルボルネン−グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体、ブチルノルボルネン−トリエトキシシリルノルボルネン共重合体、デシルノルボルネン−トリエトキシシリルノルボルネン共重合体、ブチルノルボルネン−グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体、デシルノルボルネン−グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体、デシルノルボルネン−ブチルノルボルネン−フェネチルノルボルネン−グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体等の共重合体が挙げられる。これらのうち、半導体ウェハと支持基材とを仮固定した際の機械物性に優れる点で、ポリブチルノルボルネン、ポリデシルノルボルネン、ポリトリエトキシシリルノルボルネン、ポリグリシジルオキシメチルノルボルネン−ブチルノルボルネン−トリエトキシシリルノルボルネン共重合体、デシルノルボルネン−トリエトキシシリルノルボルネン共重合体、ブチルノルボルネン−グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体、デシルノルボルネン−グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体、デシルノルボルネン−ブチルノルボルネン−フェネチルノルボルネン−グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体が好ましい。

仮固定樹脂組成物（Ａ１）を構成する熱分解性樹脂に係るノルボルネン系樹脂の重量平均分子量は、好ましくは１０，０００〜１，０００，０００、特に好ましくは３０，０００〜８００，０００である。重量平均分子量が上記範囲であることにより、仮固定樹脂組成物の熱分解性及び半導体ウェハ加工時の仮固定樹脂組成物の耐熱性を両立が可能となる。本発明において、重量平均分子量は、ＴＨＦを溶媒としてＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラム）により、ポリスチレン換算値として算出される。

前記一般式（１）で示される構造単位を有するノルボルネン系樹脂は、特に限定されるわけではないが、開環メタセシス重合（以下、ＲＯＭＰとも記載する。）、ＲＯＭＰと水素化反応の組み合わせ、ラジカルまたはカチオンによる重合により合成される。

前記一般式（１）で示される構造単位を有するノルボルネン系樹脂の合成方法としては、例えば、パラジウムイオン源を含有する触媒、ニッケルと白金を含有する触媒、ラジカル開始剤等を用いることにより合成する方法が挙げられる。

前記触媒を用いる反応は、触媒と作用せず、また、ノルボルネン系モノマーを溶解することができる有機溶媒中で実施することができる。前記有機溶媒としては、特に限定されるわけではないが、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素；シクロペンタン、シクロヘキサン等の脂環族炭化水素；ベンゼン、クロロベンゼン、ニトロベンゼン、トルエンおよびキシレン等の芳香族炭化水素；メチレンクロライド、クロロホルム、四塩化炭素、エチルクロライド、１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエチレン、１−クロロプロパン、２−クロロプロパン、１−クロロブタン、２−クロロブタン、１−クロロ−２−メチルプロパン、１−クロロペンタンの如きハロゲン化（極性）炭化水素である。単成分触媒系では、シクロヘキサノン、エチルアセテートが同様に採用される。反応溶媒の選択は、触媒の選択および重合をスラリーまたは溶液法として行うことが望ましいか否か、を含む数多くの要因に基づいてなされる。本発明で記述される大部分の触媒のために好ましい溶媒は、メチレンクロライドや１，２−ジクロロエタン等の塩素化炭化水素、クロロベンゼンやニトロベンゼンの等の芳香族炭化水素が挙げられる。

前記ノルボルネン系モノマー対するパラジウムを含有する触媒のモル比は、２０：１〜１００，０００：１が好ましく、２００：１〜２０，０００：１が特に好ましく、１，０００：１〜１０，０００：１がさらに好ましい。

前記ノルボルネン系モノマーをパラジウム触媒で重合する場合、その重合温度は、−１００℃〜１２０℃が好ましく、−６０℃〜９０℃が特に好ましく、−１０℃〜８０℃であることがさらに好ましい。

前記ニッケルと白金を含有する触媒としては、特に限定されるわけではないが、ＷＯ１９９７／０３３１９８号公報やＷＯ２０００／０２０４７２号公報に記載されているものが用いられる。

前記ノルボルネン系モノマーに対するニッケルと白金を含有する触媒のモル比は、２０：１〜１００，０００：１が好ましく、２００：１〜２０，０００：１が特に好ましく、１，０００：１〜１０，０００：１がさらに好ましい。

前記ノルボルネン系モノマーをニッケルと白金を含有する触媒で重合する場合、その重合温度は、０℃〜７０℃が好ましく、１０℃〜５０℃が特に好ましく、２０℃〜４０℃であることがさらに好ましい。

前記ラジカル開始剤としては、特に限定されるわけではないが、Ｅｎｃｙｃｌｏｐｅｄｉａ ｏｆ Ｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ，Ｊｏｈｎ Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，１３７０８（１９８８）に記載されているものが用いられる。

前記ラジカル開始剤としては、例えば、アゾビスイソブチロニトリル（ＡＩＢＮ）、過酸化ベンゾイル、過酸化ラウリル、アゾビスイソカプトロニトリル、アゾビスイソレロニトリル、ｔ−ブチル過酸化水素等が挙げられる。

前記ノルボルネン系モノマーをラジカル開始剤で重合する場合、その重合温度は、５０℃〜１５０℃が好ましく、６０℃〜１４０℃が特に好ましく、７０℃〜１３０℃であることがさらに好ましい。

仮固定樹脂組成物（Ａ１）を構成する熱分解性樹脂に係るポリカーボネート系樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ポリプロピレンカーボネート、ポリエチレンカーボネート、１，２−ポリブチレンカーボネート、１，３−ポリブチレンカーボネート、１，４−ポリブチレンカーボネート、ｃｉｓ−２，３−ポリブチレンカーボネート、ｔｒａｎｓ−２，３−ポリブチレンカーボネート、α，β−ポリイソブチレンカーボネート、α，γ−ポリイソブチレンカーボネート、ｃｉｓ−１，２−ポリシクロブチレンカーボネート、ｔｒａｎｓ−１，２−ポリシクロブチレンカーボネート、ｃｉｓ−１，３−ポリシクロブチレンカーボネート、ｔｒａｎｓ−１，３−ポリシクロブチレンカーボネート、ポリヘキセンカーボネート、ポリシクロプロペンカーボネート、ポリシクロヘキセンカーボネート、ポリ（メチルシクロヘキセンカーボネート）、ポリ（ビニルシクロヘキセンカーボネート）、ポリジヒドロナフタレンカーボネート、ポリヘキサヒドロスチレンカーボネート、ポリシクロヘキサンプロピレンカーボネート、ポリスチレンカーボネート、ポリ（３−フェニルプロピレンカーボネート）、ポリ（３−トリメチルシリロキシプロピレンカーボネート）、ポリ（３−メタクリロイロキシプロピレンカーボネート）、ポリパーフルオロプロピレンカーボネート、ポリノルボルネンカーボネート、並びにこれらの組合せが挙げられる。

仮固定樹脂組成物（Ａ１）を構成する熱分解性樹脂に係るポリカーボネート系樹脂としては、より具体的には、例えば、ポリプロピレンカーボネート／ポリシクロヘキセンカーボネート共重合体、ポリ［（オキシカルボニルオキシ−１，１，４，４−テトラメチルブタン）−ａｌｔ−（オキシカルボニルオキシ−５−ノルボルネン−２−ｅｎｄｏ−３−ｅｎｄｏ−ジメタン）］、ポリ［（オキシカルボニルオキシ−１，４−ジメチルブタン）−ａｌｔ−（オキシカルボニルオキシ−５−ノルボルネン−２−ｅｎｄｏ−３−ｅｎｄｏ−ジメタン）］、ポリ［（オキシカルボニルオキシ−１，１，４，４−テトラメチルブタン）−ａｌｔ−（オキシカルボニルオキシ−ｐ−キシレン）］、及びポリ［（オキシカルボニルオキシ−１，４−ジメチルブタン）−ａｌｔ−（オキシカルボニルオキシ−ｐ−キシレン）］等が挙げられる。

仮固定樹脂組成物（Ａ１）を構成する熱分解性樹脂に係るポリカーボネート系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、好ましくは１，０００〜１，０００，０００、特に好ましくは５，０００〜８００，０００である。前記重量平均分子量を上記下限以上とすることにより、薄膜形成工程において、仮固定樹脂組成物の半導体ウェハまたは支持体に対する濡れ性が向上すること、さらに、成膜性を向上するという効果を得ることができる。また、上記上限値以下とすることで、仮固定樹脂組成物を構成する各種成分との相溶性や各種溶剤に対する溶解性、さらには、加熱による熱分解するときの仮固定樹脂組成物の熱分解性を向上するという効果を得ることができる。

前記ポリカーボネート系樹脂の重合方法は、特に限定されるわけではないが、例えば、ホスゲン法（溶剤法）または、エステル交換法（溶融法）等の公知の重合方法が挙げられる。

仮固定樹脂組成物（Ａ１）を構成する熱分解性樹脂の含有量は、仮固定樹脂組成物（Ａ１）の全量に対して、好ましくは１０〜１００重量％、特に好ましくは３０％〜１００％である。仮固定樹脂組成物（Ａ１）中の熱分解性樹脂の含有量が、上記範囲にあることにより、熱分解後に、仮固定樹脂組成物が半導体ウェハまたは支持体に残留することを防止できる。

仮固定樹脂組成物（Ａ１）を構成する熱分解性樹脂としては、特に好ましくは、ポリプロピレンカーボネート、１，４−ポリブチレンカーボネート、ブチルノルボルネン−トリエトキシシリルノルボルネン共重合体、デシルノルボルネン−ブチルノルボルネン−フェネチルノルボルネン−グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体又はデシルノルボルネン−グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体である。

仮固定樹脂組成物（Ａ１）を構成する熱分解性樹脂が、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、（メタ）アクリレート系樹脂等のように、酸の存在により、熱分解温度が低下する樹脂の場合、仮固定樹脂組成物（Ａ１）は、光酸発生剤を含有することができる。仮固定樹脂組成物（Ａ１）を構成する熱分解性樹脂が、酸の存在により、熱分解温度が低下する樹脂であり、且つ仮固定樹脂組成物（Ａ１）が、光酸発生剤を含有することにより、半導体ウェハから支持基材を剥離するときに、仮固定樹脂組成物を加熱する前に、仮固定樹脂組成物に活性エネルギー線を照射して、仮固定樹脂組成物（Ａ１）を構成する熱分解性樹脂の熱分解温度を低下させることができるので、半導体ウェハから支持基材を剥離するための加熱温度を低くすることができるという効果を奏する。

光酸発生剤とは、ｇ線、ｉ線、エキシマレーザ等の近紫外線、遠赤外線などの活性エネルギー線を照射することにより酸を発生する化合物であり、特に限定されるものではなく、例えば、求核ハロゲン化物、錯金属ハライド陰イオン等が挙げられる。光酸発生剤としては、より具体的には、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート−４−メチルフェニル［４−（１−メチルエチル）フェニル］ヨードニウム（ＤＰＩ−ＴＰＦＰＢ）、トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムテトラキス−（ペンタフルオロフェニル）ボレート（ＴＴＢＰＳ−ＴＰＦＰＢ）、トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムヘキサフルオロホスフェート（ＴＴＢＰＳ−ＨＦＰ）、トリフェニルスルホニウムトリフレート（ＴＰＳ−Ｔｆ）、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフレート（ＤＴＢＰＩ−Ｔｆ）、トリアジン（ＴＡＺ−１０１）、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート（ＴＰＳ−１０３）、トリフェニルスルホニウムビス（パーフルオロメタンスルホニル）イミド（ＴＰＳ−Ｎ１）、ジ−（ｐ−ｔ−ブチル）フェニルヨードニウム、ビス（パーフルオロメタンスルホニル）イミド（ＤＴＢＰＩ−Ｎ１）、トリフェニルスルホニウム、トリス（パーフルオロメタンスルホニル）メチド（ＴＰＳ−Ｃ１）、ジ−（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリス（パーフルオロメタンスルホニル）メチド（ＤＴＢＰＩ−Ｃ１）等が挙げられる。

仮固定樹脂組成物（Ａ１）中の光酸発生剤の含有量は、熱分解性樹脂１００重量部に対して、好ましくは０．１〜２０重量部、特に好ましくは０．５〜１０重量部である。

仮固定樹脂組成物（Ａ１）は、光酸発生剤とともに、特定のタイプまたは波長の光に対する光開始剤の反応性を発現あるいは増大させる機能を有する成分である増感剤を含有することができる。

増感剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、アントラセン、フェナントレン、クリセン、ベンツピレン、フルオランテン、ルブレン、ピレン、キサントン、インダンスレン、チオキサンテン−９−オン、２‐イソプロピル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、４−イソプロピル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、１−クロロ−４‐プロポキシチオキサントン、およびこれらの混合物等が挙げられる。このような増感剤の含有量は、光酸発生剤１００重量部に対して、１００重量部以下が好ましく、２０重量部以下が特に好ましい。

また、仮固定樹脂組成物（Ａ１）は、酸化防止剤を含有することができる。酸化防止剤は、望ましくない酸の発生や、樹脂組成物の自然酸化を防止する機能を有している。

酸化防止剤としては、特に限定されるわけではないが、例えば、ニューヨーク州タリータウンのＣｉｂａ Ｆｉｎｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社から入手可能なＣｉｂａ ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標） １０７６又はＣｉｂａ ＩＲＧＡＦＯＳ（登録商標） １６８が好適に用いられる。

また、他の酸化防止剤としては、例えば、Ｃｉｂａ Ｉｒｇａｎｏｘ（登録商標） １２９、Ｃｉｂａ Ｉｒｇａｎｏｘ １３３０、Ｃｉｂａ Ｉｒｇａｎｏｘ １０１０、Ｃｉｂａ Ｃｙａｎｏｘ（登録商標） １７９０、Ｃｉｂａ Ｉｒｇａｎｏｘ ３１１４、Ｃｉｂａ Ｉｒｇａｎｏｘ ３１２５等が用いられる。

酸化防止剤の含有量は、熱分解性樹脂１００重量部に対して、０．１〜１０重量部が好ましく、０．５〜５重量部が特に好ましい。

また、仮固定樹脂組成物（Ａ１）は、必要によりアクリル系、シリコーン系、フッ素系、ビニル系等のレベリング剤、シランカップリング剤、希釈剤等の添加剤等を含有することができる。

前記シランカップリング剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス（トリエトキシプロピル）テトラスルフィド、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン等が挙げられ、これらは、１種単独であっても２種以上の組み合わせであってもよい。仮固定樹脂組成物（Ａ１）がシランカップリング剤を含有することにより、半導体ウェハまたは支持基材との密着性が向上する。

前記希釈剤としては、特に限定されるわけではないが、例えば、シクロヘキセンオキサイドやα−ピネンオキサイド等のシクロエーテル化合物、［メチレンビス（４，１−フェニレンオキシメチレン）］ビスオキシランなどの芳香族シクロエーテル、１，４−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルなどのシクロアリファティックビニルエーテル化合物等が挙げられる。仮固定樹脂組成物が希釈剤を含むことにより、仮固定樹脂組成物の流動性を向上することができ、薄膜形成工程において、仮固定樹脂組成物の半導体ウェハまたは支持基材に対する濡れ性を向上することが可能となる。

本発明の半導体装置の製造方法において、仮固定樹脂組成物塗膜形成工程後の工程の一実施形態を説明する。

（貼り合わせ工程（ボンディング工程））
仮固定樹脂組成物塗膜形成工程を行った後、貼り合わせ工程を行う。貼り合わせ工程では、支持基材に形成された仮固定樹脂組成物塗膜上に、半導体ウェハを載置し、真空プレス機、ウェハーボンダー等の装置を用いて、加熱及び加圧することにより、支持基材に半導体ウェハを貼り合わせる。

（加工工程）
次に、仮固定樹脂組成物によって支持基材上に固定された半導体ウェハを加工する工程を行う。半導体ウェハの加工は、半導体ウェハの裏面の研磨、ストレスリリースのためのエッチング、Ｖｉａホールの形成、リソグラフィー、コート、蒸着等である。

（剥離工程）
次に、半導体ウェハから支持基材を剥離する剥離工程を行う。剥離工程では、仮固定樹脂組成物の種類により、それに応じた剥離方法が行われる。例えば、仮固定樹脂組成物（Ａ）の場合、仮固定樹脂組成物（Ａ）を構成する熱分解性樹脂の熱分解温度以上の温度で加熱することにより、剥離工程を行う。また、仮固定樹脂組成物（Ａ）のうち、仮固定樹脂組成物を構成する熱分解性樹脂が、酸の存在下で熱分解温度が低下する熱分解性樹脂であり、且つ光酸発生剤を含有する仮固定樹脂組成物の場合、仮固定樹脂組成物に活性エネルギー線を照射した後、活性エネルギー線照射後の仮固定樹脂組成物の熱分解温度以上の温度で加熱することにより、剥離工程を行う。また、仮固定樹脂組成物（Ｂ）の場合、仮固定樹脂組成物（Ｂ）を構成する熱軟化性樹脂の熱軟化温度以上の温度で加熱することにより、剥離工程を行う。また、仮固定樹脂組成物（Ｂ）のうち、仮固定樹脂組成物を構成する熱軟化性樹脂が、酸の存在下で軟化温度が低下する熱軟化性樹脂であり、且つ光酸発生剤を含有する仮固定樹脂組成物の場合、仮固定樹脂組成物に活性エネルギー線を照射した後、活性エネルギー線照射後の仮固定樹脂組成物の軟化温度以上の温度で加熱することにより、剥離工程を行う。また、仮固定樹脂組成物（Ｃ）の場合、仮固定樹脂組成物に活性エネルギー線を照射することにより、剥離工程を行う。また、仮固定樹脂組成物（Ｄ）の場合、仮固定樹脂組成物に溶剤を供給することにより、剥離工程を行う。

また、剥離工程を行った後、必要に応じて、半導体ウェハに残留した仮固定樹脂組成物を除去することができる。残留した仮固定樹脂組成物の除去方法としては、特に限定されるものではないが、プラズマ処理、薬液浸漬処理、研磨処理、加熱処理などが挙げられる。

本発明の第二の形態の半導体装置の製造方法（以下、本発明の半導体装置の製造方法（２）とも記載する。）は、半導体ウェハを回転させながら、該半導体ウェハの加工面とは反対側の面に、半導体ウェハを支持基材に仮固定するための仮固定樹脂組成物と該仮固定樹脂組成物を溶解又は分散させるための溶剤とを含有する仮固定樹脂組成物液を供給し、次いで、該仮固定樹脂組成物液の供給を行っている最中に又は該仮固定樹脂組成物液の供給を終了した後、該半導体ウェハを回転させながら、該半導体ウェハの加工面に、下記式（Ｉ）：
０．１≦Ｂｓｐ−Ａｓｐ≦１．５ （Ｉ）
（式（Ｉ）中、Ａｓｐは仮固定樹脂組成物液中の溶剤のＳＰ値であり、Ｂｓｐはバックリンス液のＳＰ値である。）
を満たすバックリンス液を供給して、該半導体ウェハの加工面とは反対側の面に、仮固定樹脂組成物塗膜を形成させる仮固定樹脂組成物塗膜形成工程を有すること、
を特徴とする半導体装置の製造方法である。

つまり、本発明の半導体装置の製造方法（２）は、仮固定樹脂組成物塗膜を形成させる対象を、支持基材に代えて半導体ウェハとすること以外は、本発明の半導体装置の製造方法（１）と同様である。よって、本発明の半導体装置の製造方法（２）は、半導体ウェハの加工面とは反対側の面に、仮固定樹脂組成物液を供給して塗布する点、及び半導体ウェハの加工面に、バックリンス液を供給する点が、本発明の半導体装置の製造方法（１）とは異なるものの、それ以外は、本発明の半導体装置の製造方法（１）と同様である。

例えば、図１に示すように、仮固定樹脂組成物液１を、回転軸３に固定された半導体ウェハ２２の加工面とは反対側の面２４側の中心又はその近傍に、半導体ウェハ２２を回転させながら供給することにより、半導体ウェハ２２の加工面とは反対側の面２４に、仮固定樹脂組成物液１を塗布する（スピンコート操作）。

そして、スピンコート操作を行うことにより、図２に示すように、塗布後の仮固定樹脂組成物液１の塗膜は、半導体ウェハ２２の加工面とは反対側の面２４上に層状に形成されている層状部２８と、半導体ウェハの加工面２４の端部３１付近で盛り上がっている端部盛り上がり部２７と、半導体ウェハの側面３２に付着している側面部２６と、半導体ウェハの加工面３３側に回り込んだ這い上がり部２５と、を形成している。

塗布後の仮固定樹脂組成物液１の塗膜のうち、這い上がり部２５は、仮固定樹脂組成物液１が塗布された半導体ウェハ２２を搬送する時や、ボンディング工程で、装置等を汚染する原因となる。

そこで、次いで、図３に示すように、半導体ウェハ２２を回転させながら、半導体ウェハ２２の加工面３３側に、バックリンス液１５を供給して、半導体ウェハ２２の加工面３３を洗浄して、這い上がり部２５を除去する（バックリンス操作）。

本発明の半導体装置の製造方法（２）に係る仮固定樹脂組成物塗膜形成工程において、半導体ウェハの加工面へのバックリンス液の供給を開始する時期は、半導体ウェハの加工面とは反対側の面への仮固定樹脂組成物液の供給を行っている最中であっても、あるいは、半導体ウェハの加工面とは反対側の面への仮固定樹脂組成物液の供給を終了した後であってもよい。

そして、本発明の半導体装置の製造方法（２）に係る仮固定樹脂組成物塗膜形成工程を行うことにより、図４に示すように、半導体ウェハ２２の加工面とは反対側の面２４及び側面３２には、仮固定樹脂組成物液１は存在するが、半導体ウェハ２２の加工面３３には、仮固定樹脂組成物液１が存在しない仮固定樹脂組成物液１の塗膜を形成させることができる。本発明の半導体装置の製造方法（２）に係る仮固定樹脂組成物塗膜形成工程を行うことにより得られる仮固定樹脂組成物液１の塗膜は、半導体ウェハ２２の加工面とは反対側の面２４の全体を覆うように層状に形成されている仮固定樹脂組成物液１の層状部２８と、半導体ウェハの加工面とは反対側の面２４の端部付近で盛り上がっている端部盛り上がり部２７と、側面３２に付着している側面部２６と、からなる。なお、図４では、バックリンス操作で側面部２６の一部が除去されて、一部の側面部２６が残っている形態例を示しているが、本発明はこれに限定されず、バックリンス操作では、側面部２６の全てが除去されて、側面部２６が無くなっていてもよい。

以上、本発明に係る半導体ウェハの仮固定樹脂組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法の具体例を、実施形態を挙げて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。

以下、本発明に係る半導体ウェハの仮固定樹脂組成物及び半導体装置の製造方法の詳細な内容について、実施例を用いて説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
＜熱分解性樹脂の合成＞
（合成例１）５−デシルノルボルネン付加重合体の合成
十分乾燥させた反応容器に、酢酸エチル（４３０ｇ）、シクロヘキサン（８９０ｇ）、５−デシルノルボルネン（２２３ｇ、０．９５モル）を導入し、この系中に乾燥窒素を４０℃で３０分間流し、溶存酸素を除去した。ビス（トルエン）ビス（パーフルオロフェニル）ニッケル１．３３ｇ（０．２７５ｍモル）を１２ｇの酢酸エチルに溶解したものを系中に添加し、上記の系を２０℃から３５℃に１５分掛けて昇温し、３５℃を保持しながら３時間系中を攪拌した。
系を室温まで冷却後、４９ｇの３０％過酸化水素水を添加した約１５００ｇの純水に氷酢酸２６ｇを溶解させ、これを前記系中に添加し、系を５０℃で５時間攪拌した後、攪拌を止め、分離した水層を除去した。残った有機層に、２２０ｇのメタノールと２２０ｇのイソプロピルアルコールを混合したものを、添加し、攪拌し、アルコール層を除去することで、有機層を洗浄した。さらに、５１０ｇのシクロヘキサンと２９０ｇの酢酸エチルを系に添加し、均一に溶解した後、１５６ｇのメタノールと１６７ｇのイソプロピルアルコールを混合したものを、添加し、攪拌し、アルコール層を除去して、有機層を洗浄することを、２回繰り返した。
洗浄後の有機層に１８０ｍＬのシクロヘキサンを添加して系を均一に溶解し、さらに６７０ｇのメシチレンを添加した。そして、ロータリーエバポレーターで減圧下でシクロヘキサンを蒸発除去することにより、５−デシルノルボルネン付加重合体５４３ｇがメシチレンに溶解したメシチレン溶液（５−デシルノルボルネンの濃度：３５質量％）を得た。得られた溶液をワニスＢとする。
合成した５−デシルノルボルネン付加重合体を、ＧＰＣにより重量平均分子量を測定したところ、１７７０００であった。また、ワニスＢの粘度は６０００ｍＰａ・ｓであった。なお、ワニスＢ中の溶剤であるメシチレンのＳＰ値は、８．８である。

（合成例２）５−デシルノルボルネン／５−グリシジルオキシメチルノルボルネン＝７０ｍｏｌ％／３０ｍｏｌ％付加共重合体の合成
十分乾燥させた反応容器に、酢酸エチル（６００ｇ）、シクロヘキサン（６００ｇ）、５−デシルノルボルネン（２６５．２５ｇ、１．１３１モル）及び５−グリシジルオキシメチルノルボルネン（８７．３６ｇ、０．４８５モル）を導入した。この系中に乾燥窒素を４０℃で３０分間流し、溶存酸素を除去した。その後、ビス（トルエン）ビス（パーフルオロフェニル）ニッケル６．５８ｇ（０．０１３６モル）を６６．５１ｇのアセトンに溶解したものを系中に添加した。
上記の系を４０℃から６０℃に１０分掛けて昇温し、その温度を保持しながら３時間系中を攪拌した。４６２．０ｇの３０％過酸化水素水を添加した約７０５．０ｇの純水に氷酢酸２４５．０ｇを溶解させ、これを前記系中に添加した。系を５０℃で５時間攪拌した後、１５０ｇのイソプロピルアルコールを系中に添加した。攪拌を止め、分離した水層を除去した後、残った有機層を４５０ｇの純水と１５０ｇのイソプロピルアルコールで３回に分けて洗浄した。
洗浄後の有機層を４００ｍＬのシクロヘキサンで希釈し、６倍量のメタノール（７２００ｍＬ）中に添加し、析出したポリマーをろ過により回収した。得られた固形分を空気中で１８時間風乾したのち、１ｍｍＨｇの減圧下で２４時間乾燥することで、２８４．７ｇ（収率９５．８％）の目的物を固形樹脂の形で得た。
合成した５−デシルノルボルネン／５−グリシジルオキシメチルノルボルネン＝７０ｍｏｌ％／３０ｍｏｌ％の重量平均分子量を、ＧＰＣによりを測定したところ、７２，０００であった。

（実施例１）
＜仮固定樹脂組成物液の作製＞
ポリプロピレンカーボネート（ＥＭＰＯＷＥＲ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ社製ＱＰＡＣ４０）１００ｇをγ−ブチロラクトン（溶剤、ＳＰ値：１２．６）３１０ｇに溶解した。このポリプロピレンカーボネート溶液に、光酸発生剤のＲｈｏｄｏｓｉｌＰｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ２０７４（ローディアジャパン社製Ｒｈｏｄｏｒｓｉｌ Ｐｈｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ２０７４）５ｇ、増感剤の１−クロロ−４−プロポキシチオキサントン（英Ｌａｍｂｓｏｎ社製ＳＰＥＥＤＣＵＲＥ ＣＰＴＸ）１．５ｇをγ−ブチロラクトン（溶剤）３０ｇに溶解させた溶液を加えて、攪拌し、樹脂濃度２４質量％のワニスＡ（仮固定樹脂組成物液）を作製した。また、ワニスＡの粘度は３０００ｍＰａ・ｓであった。

＜仮固定樹脂組成物塗膜形成＞
８インチシリコンウエハの上に、上記ワニスＡ１０ｇを、スピンコータ（ミカサ社製、型番：１Ｈ３６０Ｓ）を用いて、５００ｒｐｍ（回転数）、１０ｍＬ／ｓ（供給速度）の条件で塗布し、そのまま５秒間回転させた。
次いで、８インチシリコンウエハを１５００ｒｐｍの条件で回転させ、ワニスＡを塗れ広がらせながら、バックリンス液である炭酸プロピレン（ＳＰ値：１３．３）を５０ｍＬ／ｓ（供給速度）の条件で３０秒間供給しバックリンスを行い、８インチシリコンウエハの中心部の膜厚が２０μｍの塗膜を得た。

（実施例２）
＜仮固定樹脂組成物塗膜形成＞
８インチシリコンウエハの上に、上記合成例１で得られたワニスＢ１０ｇを、スピンコータ（ミカサ社製、型番：１Ｈ３６０Ｓ）により、３００ｒｐｍ（回転数）、１０ｍＬ／ｓ（供給速度）の条件で塗布し、そのまま５秒間回転させた。
次いで、８インチシリコンウエハを３０００ｒｐｍの条件で回転させ、ワニスＢを塗れ広がらせながら、バックリンス液であるトルエン（ＳＰ値：８．９）を５０ｍＬ／ｓ（供給速度）の条件で３０秒間供給しバックリンスを行い、８インチシリコンウエハの中心部の膜厚が２０μｍの塗膜を得た。

（実施例３）
＜仮固定樹脂組成物液の作製＞
上記合成例２で得られた５−デシルノルボルネン／５−グリシジルオキシメチルノルボルネン＝７０ｍｏｌ％／３０ｍｏｌ％付加重合体１００ｇを２−ヘプタノン（溶剤、ＳＰ値：８．５）１５０ｇに溶解させ、樹脂濃度４０重量％のワニスＣを作製した。また、ワニスＣの粘度は２５００ｍＰａ・ｓであった。
＜仮固定樹脂組成物塗膜形成＞
８インチシリコンウエハの上に、上記ワニスＣ１０ｇを、スピンコータ（ミカサ社製、型番：１Ｈ３６０Ｓ）により、５００ｒｐｍ（回転数）、１０ｍＬ／ｓ（供給速度）の条件で塗布し、そのまま５秒間回転させた。
次いで、８インチシリコンウエハを１５００ｒｐｍの条件で回転させ、ワニスＣを塗れ広がらせながら、バックリンス液であるシクロヘキサノン（ＳＰ値：９．９）を５０ｍＬ／ｓ（供給速度）の条件で３０秒間供給しバックリンスを行い、８インチシリコンウエハの中心部の膜厚が２０μｍの塗膜を得た。

（実施例４）
仮固定樹脂組成物塗膜形成において、８インチシリコンウエハにワニスＡを塗布することに代えて、８インチガラス基板にワニスＡを塗布すること以外は、実施例１と同様の方法で行い、８インチガラス基板の中心部の膜厚が２０μｍの塗膜を得た。

（比較例１）
＜仮固定樹脂組成物塗膜形成＞
８インチシリコンウエハの上に、上記ワニスＡ１０ｇをスピンコータ（ミカサ社製、型番：１Ｈ３６０Ｓ）により、５００ｒｐｍ（回転数）、１０ｍＬ／ｓ（供給速度）の条件で塗布し、そのまま５秒間回転させた。
次いで、８インチシリコンウエハを１５００ｒｐｍの条件で回転させながら、バックリンス液であるγ―ブチロラクトン（ＳＰ値：１２．６）を５０ｍＬ／ｓ（供給速度）の条件で３０秒間供給しバックリンスを行い、８インチシリコンウエハの中心部の膜厚が２０μｍの塗膜を得た。

（比較例２）
＜仮固定樹脂組成物塗膜形成＞
８インチシリコンウエハの上に、上記ワニスＣ１０ｇを、スピンコータ（ミカサ社製、型番：１Ｈ３６０Ｓ）により、５００ｒｐｍ（回転数）、１０ｍＬ／ｓ（供給速度）の条件で塗布し、そのまま５秒間回転させた。
次いで、８インチシリコンウエハを１５００ｒｐｍの条件で回転させた状態で、バックリンス液であるＮ−メチルピロリドン（ＳＰ値：１１．３）を５０ｍＬ／ｓ（供給速度）の条件で３０秒間供給しバックリンスを行い、８インチシリコンウエハの中心部の膜厚が２０μｍの塗膜を得た。

＜バックリンス後の８インチシリコンウエハ又はガラス基板上の塗膜評価＞
バックリンスした後の８インチシリコンウエハ又はガラス基板の裏面を肉眼で観察し、以下の条件で判定を行った。
（裏面観察）
○：８インチシリコンウエハ又はガラス基板裏面にワニスが全く存在しない。
△：８インチシリコンウエハ又はガラス基板裏面にワニスが若干付着している。
×：８インチシリコンウエハ又はガラス基板裏面にワニスが相当量付着している。

また、バックリンスした後の８インチシリコンウエハ又はガラス基板の端部の塗膜の残存状態及び表面形状を顕微鏡で観察し、以下の条件で判定を行った。
（残存状態）
○：８インチシリコンウエハ又はガラス基板表面の端部に塗膜が残存しており、８インチシリコンウエハ又はガラス基板表面の全周に亘って消失している箇所はなかった。
△：８インチシリコンウエハ又はガラス基板表面の端部の塗膜が溶解消失しており、消失している塗膜の幅が１ｍｍ未満である。
×：８インチシリコンウエハ又はガラス基板表面の端部の塗膜が溶解消失しており、消失している塗膜の幅が１ｍｍ以上である。

（表面形状）
○：８インチシリコンウエハ又はガラス基板表面の端部の塗膜の表面形状は良好である。
△：８インチシリコンウエハ又はガラス基板表面の端部の塗膜の表面が不均一化しており、不均一化している幅が１ｍｍ未満である。
×：８インチシリコンウエハ又はガラス基板表面の端部の塗膜の表面が不均一化しており、不均一化している幅が１ｍｍ以上である。

本発明によれば、バックリンス操作のときに、バックリンス液で、半導体ウェハを支持基材に仮固定する面側の仮固定樹脂組成物が除去されないので、半導体ウェハの加工のときに、仮固定されていない半導体ウェハの端部を基点として、半導体ウェハの割れや欠けが生じてしまうのを防ぐことができる。そのため、半導体素子の歩留まりが下がるのを防ぐことができる。

１ 仮固定樹脂組成物液
２ 支持基材
３ 回転軸
４ 半導体ウェハ仮固定面
５ 裏面這い上がり部
６、２６ 側面部
７、２７ 端部盛り上がり部
８、２８ 層状部
１１ 支持基材の端部
１２ 支持基材の側面
１３ 支持基材の裏面
１５ バックリンス液
２２ 半導体ウェハ
２４ 半導体ウェハの加工面とは反対側の面
２５ 這い上がり部
３１ 半導体ウェハの端部
３２ 半導体ウェハの側面
３３ 半導体ウェハの加工面

Claims (7)

1. 支持基材を回転させながら、該支持基材の半導体ウェハ仮固定面に、半導体ウェハを支持基材に仮固定するための仮固定樹脂組成物と該仮固定樹脂組成物を溶解又は分散させるための溶剤とを含有する仮固定樹脂組成物液を供給し、次いで、該仮固定樹脂組成物液の供給を行っている最中に又は該仮固定樹脂組成物液の供給を終了した後、該支持基材を回転させながら、該支持基材の裏面に、下記式（Ｉ）：
   ０．１≦Ｂｓｐ−Ａｓｐ≦１．５ （Ｉ）
   （式（Ｉ）中、Ａｓｐは仮固定樹脂組成物液中の溶剤のＳＰ値であり、Ｂｓｐはバックリンス液のＳＰ値である。）
   を満たすバックリンス液を供給して、該支持基材の半導体ウェハ仮固定面に、仮固定樹脂組成物塗膜を形成させる仮固定樹脂組成物塗膜形成工程を有すること、
   を特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 半導体ウェハを回転させながら、該半導体ウェハの加工面とは反対側の面に、半導体ウェハを支持基材に仮固定するための仮固定樹脂組成物と該仮固定樹脂組成物を溶解又は分散させるための溶剤とを含有する仮固定樹脂組成物液を供給し、次いで、該仮固定樹脂組成物液の供給を行っている最中に又は該仮固定樹脂組成物液の供給を終了した後、該半導体ウェハを回転させながら、該半導体ウェハの加工面に、下記式（Ｉ）：
   ０．１≦Ｂｓｐ−Ａｓｐ≦１．５ （Ｉ）
   （式（Ｉ）中、Ａｓｐは仮固定樹脂組成物液中の溶剤のＳＰ値であり、Ｂｓｐはバックリンス液のＳＰ値である。）
   を満たすバックリンス液を供給して、該半導体ウェハの加工面とは反対側の面に、仮固定樹脂組成物塗膜を形成させる仮固定樹脂組成物塗膜形成工程を有すること、
   を特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 前記仮固定樹脂組成物液中の溶剤の含有量が、５〜９８質量％であることを特徴とする請求項１又は２いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
4. 前記仮固定樹脂組成物液中の溶剤のＳＰ値（Ａｓｐ）が、７〜１４であることを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
5. 前記バックリンス液のＳＰ値（Ｂｓｐ）が、８．５〜１４．５であることを特徴とする請求項１〜４いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
6. 前記バックリンス液を前記支持基材又は前記半導体ウェハに供給するときの前記支持基材又は前記半導体ウェハの周速度が、１〜５０ｍ／ｓであることを特徴とする請求項１〜５いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
7. 前記仮固定樹脂組成物の樹脂成分が、加熱することにより熱分解する熱分解性樹脂であることを特徴とする請求項１〜６いずれか１項記載の半導体装置の製造方法。